Результат пошуку "rf730" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRF7301PBF IRF7301PBF
Код товару: 22639 		IR IRF7301PBF.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 20 V
Idd,A: 5,7 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 660/20
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 65 шт
1+24.5 грн
10+ 21.8 грн
IRF7303PBF IRF7303PBF
Код товару: 113419 		IR irf7303pbf-datasheet.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 3,9 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 202 шт
1+28 грн
10+ 25.2 грн
100+ 22.5 грн
IRF7304 (IRF7304PBF) IRF7304 (IRF7304PBF)
Код товару: 34673 		IR irf7304.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Id,A: 4,7 A
Rds(on),Om: 0,09 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 610/22
Монтаж: SMD
у наявності: 52 шт
1+22 грн
10+ 19.8 грн
IRF7307TRPBF IRF7307TRPBF
Код товару: 40384 		IR irf7307pbf-datasheet.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 20 V
Idd,A: 4,1 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 660/20
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 70 шт
1+48 грн
10+ 44 грн
IRF7309PBF IRF7309PBF
Код товару: 36562 		IR irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14 description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 4,7(3,5) A
Rds(on), Ohm: 0,05(0.1) Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 476 шт
1+22 грн
10+ 19.8 грн
100+ 17.9 грн
IRF730PBF IRF730PBF
Код товару: 123226 		SILI 91047-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 400 V
Idd,A: 5,5 A
Rds(on), Ohm: 1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 700/38
Монтаж: THT
у наявності: 124 шт
1+20 грн
10+ 17.6 грн
RF7303SR RFMD QFN
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF730 IRF730 Harris Corporation HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
на замовлення 24533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
243+84.76 грн
Мінімальне замовлення: 243
IRF730 Siliconix HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91047.pdf IRF730.pdf N-MOSFET 4.5A 400V 75W 1Ω IRF730 TIRF730
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 187 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+31.72 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF7301PBF IR irf7301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1b66c1af8 description Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET SO8 Udss=20V Id=5,2A P=2W Rds=0,05Ohm
на замовлення 268 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
7+44.76 грн
10+ 36.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF7301PBF International Rectifier/Infineon irf7301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1b66c1af8 description 2N-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 5,2 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 15; Qg, нКл = 20 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,6 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 37 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
15+41.64 грн
17+ 38.86 грн
100+ 36.08 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRF7301TR Infineon 2xN-MOSFET 5.2A 20V 2W 0.05Ω IRF7301 smd TIRF7301
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 155 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+56.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF7301TR Infineon 2xN-MOSFET 5.2A 20V 2W 0.05Ω IRF7301 smd TIRF7301
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1332 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+56.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF7303TR Infineon Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; IRF7303 TIRF7303
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 74 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7303TR UMW Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; SP001577432; SP001563422; IRF7303TR UMW TIRF7303 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.29 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7303TRPBF IR irf7303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=30V; Id=4,9A; Pdmax=2W; Rds=0,05 Ohm
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
7+44.76 грн
10+ 36.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF7303TRPBF International Rectifier/Infineon irf7303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc 2N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 4,9 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
10+62.4 грн
100+ 32.1 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF7303TRPBFXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IRF7303-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 10975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+59.13 грн
10+ 46.19 грн
100+ 35.93 грн
500+ 28.58 грн
1000+ 23.29 грн
2000+ 21.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7303TRPBFXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IRF7303-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.26 грн
8000+ 22.25 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7304 International Rectifier IRF7304.pdf P-MOSFET 4.3A 20V 2,0W 0.09Ω IRF7304 TIRF7304
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+63.27 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7304 International Rectifier IRF7304.pdf P-MOSFET 4.3A 20V 2,0W 0.09Ω IRF7304 TIRF7304
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+63.27 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7304PBF International Rectifier/Infineon irf7304pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1dcf21b02 description 2P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 4,3 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 610 @ 15; Qg, нКл = 22 @ 4,5 В; Rds = 90 мОм @ 2,2 A; 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+624 грн
10+ 62.4 грн
100+ 22.46 грн
IRF7304TR UMW IRF7304.pdf Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 4,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7304; IRF7304TR; SP001561936; SP001565312; IRF7304TR UMW TIRF7304 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7304TRPBF International Rectifier/Infineon irf7304pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1dcf21b02 description 2P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 4,3; Ciss, пФ @ Uds, В = 610 @ 15; Qg, нКл = 22 @ 4,5 В; Rds = 90 мОм @ 2,2 A; 4,5 В; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; ; Р, Вт = 2; Тексп, °C = -55...+155; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+624 грн
10+ 62.4 грн
100+ 19.39 грн
IRF7306PBF International Rectifier/Infineon irf7306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1fc421b0a description 2P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 3,6 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 440 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 100 мОм @ 1,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 86 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
19+34.4 грн
20+ 32.1 грн
100+ 29.81 грн
Мінімальне замовлення: 19
IRF7306TR Infineon IRF7306.pdf 2xP-MOSFET -3,6A -30V 2W 0.1Ω IRF7306 TIRF7306
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 345 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+31.55 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7306pbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.46 грн
9+ 41.9 грн
25+ 37.12 грн
26+ 32.2 грн
71+ 30.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7306pbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+91.76 грн
6+ 52.21 грн
25+ 44.54 грн
26+ 38.64 грн
71+ 36.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7306_DataSheet_v01_01_EN-3363022.pdf description MOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 3.6A
на замовлення 7694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.9 грн
10+ 52.93 грн
100+ 35.77 грн
500+ 30.1 грн
1000+ 24.7 грн
2000+ 22.47 грн
4000+ 22.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Infineon Technologies irf7306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1fc421b0a description Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 10736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.32 грн
10+ 48.23 грн
100+ 37.54 грн
500+ 29.86 грн
1000+ 24.32 грн
2000+ 22.9 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Infineon Technologies irf7306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1fc421b0a description Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+25.34 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7307 IR description Транз. Пол. ММ 1N-1P-HEXFET logik SO8 Udss=+-20V; Id=4,3A; Id=-3.6A Pdmax=1,4W; Rds=0,05 Ohm
на замовлення 217 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
7+40.96 грн
10+ 33.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF7307PBF International Rectifier/Infineon irf7307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f20d211b0e description Транзистор польовий N+P; Udss, В = 20; Id = 5,2 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 15; Qg, нКл = 20 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,6 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; td(on)+tr = 9; td(off)+tf = 32; Id2 = 4,
на замовлення 61 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
30+21.17 грн
32+ 19.77 грн
100+ 18.35 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRF7307TRPBF International Rectifier/Infineon irf7307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f20d211b0e description N-канальный и P-канальный ПТ; Udss, В = 20; Id = 5,2 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 660 пФ @ 15 В; Qg, нКл = 20 @ 4.5 В; Rds = 50 мОм @ 2.6 A, 4.5 В; Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 7 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
6+111.15 грн
10+ 103.74 грн
100+ 96.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF7309 Infineon description N/P-MOSFET 4A/-3,5A 30V/-30V 1,4W 0.05Ω IRF7309 TIRF7309
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+34.29 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF7309PBF IR irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14 description Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=-30V; Id=-3,6A; Pdmax=2,0W; Rds=0,10 Ohm
на замовлення 427 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
10+29.97 грн
11+ 24.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7309pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/100mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.24 грн
10+ 36.7 грн
35+ 24.18 грн
94+ 22.85 грн
1000+ 22.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF7309TRPBF International Rectifier/Infineon irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14 description Транзистор польовий N+P; Udss, В = 30; Id = 4 А; Ptot, Вт = 1,4; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 15; Qg, нКл = 25 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Id2 = 3 A; SOICN-8
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
30+21.31 грн
32+ 19.89 грн
100+ 18.47 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14 description Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+23.63 грн
8000+ 21.67 грн
12000+ 20.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7309_DataSheet_v01_01_EN-3362942.pdf description MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.07 грн
10+ 42.69 грн
100+ 29.76 грн
500+ 26.39 грн
1000+ 22.88 грн
2000+ 20.79 грн
4000+ 20.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14 description Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 28449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.67 грн
10+ 44.99 грн
100+ 35.01 грн
500+ 27.85 грн
1000+ 22.69 грн
2000+ 21.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.01 грн
Мінімальне замовлення: 23
IRF730A IR 91045.pdf Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=400V; Id=5,5A; Pdmax=74W; Rds=1 Ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+69.65 грн
10+ 32.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF730APBF IRF730APBF Vishay Siliconix 91045.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.56 грн
50+ 97.53 грн
100+ 80.24 грн
500+ 63.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF730APBF IRF730APBF Vishay Semiconductors 91045.pdf MOSFET 400V N-CH HEXFET
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.7 грн
10+ 107.1 грн
100+ 76.26 грн
250+ 74.24 грн
500+ 65.26 грн
1000+ 56.69 грн
2000+ 53.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF730APBF-BE3 IRF730APBF-BE3 Vishay Siliconix 91045.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.56 грн
50+ 97.53 грн
100+ 80.24 грн
500+ 63.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF730APBF-BE3 IRF730APBF-BE3 Vishay / Siliconix 91045.pdf MOSFET 400V N-CH HEXFET
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.64 грн
10+ 93.13 грн
100+ 68.84 грн
250+ 67.15 грн
500+ 60.06 грн
1000+ 51.29 грн
2000+ 50.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF730ASPBF IRF730ASPBF Vishay Siliconix sihf730a.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.85 грн
50+ 81.86 грн
100+ 67.34 грн
500+ 57.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF730ASPBF IRF730ASPBF Vishay Semiconductors sihf730a.pdf MOSFET 400V N-CH HEXFET D2-PA
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+161.41 грн
10+ 128.06 грн
100+ 91.78 грн
250+ 85.03 грн
500+ 76.26 грн
1000+ 65.26 грн
2000+ 60.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF730ASTRLPBF IRF730ASTRLPBF Vishay Semiconductors sihf730a.pdf MOSFET 400V N-CH HEXFET D2-PA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+161.41 грн
10+ 131.94 грн
100+ 91.78 грн
250+ 85.03 грн
500+ 69.51 грн
800+ 62.29 грн
4800+ 60.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF730ASTRLPBF IRF730ASTRLPBF Vishay Siliconix sihf730a.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+150.39 грн
10+ 120.35 грн
100+ 95.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF730B IRF730B Fairchild Semiconductor FAIRS16000-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 468249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
952+21.87 грн
Мінімальне замовлення: 952
IRF730BPBF IRF730BPBF Vishay Siliconix irf730b.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 100 V
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+74.46 грн
10+ 58.84 грн
100+ 45.79 грн
500+ 36.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF730BPBF IRF730BPBF Vishay Semiconductors irf730b.pdf MOSFET 400V 1ohm@10V 5.5A N/Ch
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+79.52 грн
10+ 64.49 грн
100+ 43.6 грн
500+ 36.98 грн
1000+ 28.34 грн
5000+ 26.99 грн
10000+ 26.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF730PBF IRF730PBF VISHAY IRF730PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+65.86 грн
10+ 45.2 грн
23+ 36.2 грн
63+ 34.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF730PBF IRF730PBF VISHAY IRF730PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 422 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+79.04 грн
10+ 56.33 грн
23+ 43.44 грн
63+ 41.08 грн
1000+ 40.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF730PBF IRF730PBF Vishay Siliconix 91047.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 25927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.27 грн
50+ 56.14 грн
100+ 46.19 грн
500+ 39.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF730PBF IRF730PBF Vishay Semiconductors 91047.pdf MOSFET 400V N-CH HEXFET
на замовлення 26294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.27 грн
10+ 73.65 грн
100+ 55.27 грн
500+ 45.69 грн
1000+ 44.14 грн
2000+ 42.65 грн
5000+ 41.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF730PBF IRF730PBF Vishay 91047.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.72 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRF730PBF-BE3 IRF730PBF-BE3 Vishay Siliconix 91047.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 2981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.27 грн
50+ 56.14 грн
100+ 46.19 грн
500+ 39.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7301PBF
Код товару: 22639		 description IRF7301PBF.pdf
IRF7301PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 20 V
Idd,A: 5,7 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 660/20
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 65 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+24.5 грн
10+ 21.8 грн
IRF7303PBF
Код товару: 113419		 description irf7303pbf-datasheet.pdf
IRF7303PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 3,9 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 202 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+28 грн
10+ 25.2 грн
100+ 22.5 грн
IRF7304 (IRF7304PBF)
Код товару: 34673		 irf7304.pdf
IRF7304 (IRF7304PBF)
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Id,A: 4,7 A
Rds(on),Om: 0,09 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 610/22
Монтаж: SMD
у наявності: 52 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+22 грн
10+ 19.8 грн
IRF7307TRPBF
Код товару: 40384		 description irf7307pbf-datasheet.pdf
IRF7307TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 20 V
Idd,A: 4,1 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 660/20
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 70 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+48 грн
10+ 44 грн
IRF7309PBF
Код товару: 36562		 description irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14
IRF7309PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 4,7(3,5) A
Rds(on), Ohm: 0,05(0.1) Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 476 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+22 грн
10+ 19.8 грн
100+ 17.9 грн
IRF730PBF
Код товару: 123226		 91047-datasheet.pdf
IRF730PBF
Виробник: SILI
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 400 V
Idd,A: 5,5 A
Rds(on), Ohm: 1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 700/38
Монтаж: THT
у наявності: 124 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+20 грн
10+ 17.6 грн
RF7303SR
Виробник: RFMD
QFN
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF730 HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF730
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
на замовлення 24533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
243+84.76 грн
Мінімальне замовлення: 243
IRF730 HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91047.pdf IRF730.pdf
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 4.5A 400V 75W 1Ω IRF730 TIRF730
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 187 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+31.72 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF7301PBF description irf7301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1b66c1af8
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET SO8 Udss=20V Id=5,2A P=2W Rds=0,05Ohm
на замовлення 268 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.76 грн
10+ 36.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF7301PBF description irf7301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1b66c1af8
Виробник: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 5,2 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 15; Qg, нКл = 20 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,6 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 37 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+41.64 грн
17+ 38.86 грн
100+ 36.08 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRF7301TR
Виробник: Infineon
2xN-MOSFET 5.2A 20V 2W 0.05Ω IRF7301 smd TIRF7301
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 155 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+56.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF7301TR
Виробник: Infineon
2xN-MOSFET 5.2A 20V 2W 0.05Ω IRF7301 smd TIRF7301
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1332 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+56.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF7303TR
Виробник: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; IRF7303 TIRF7303
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 74 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7303TR
Виробник: UMW
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; SP001577432; SP001563422; IRF7303TR UMW TIRF7303 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+16.29 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7303TRPBF irf7303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=30V; Id=4,9A; Pdmax=2W; Rds=0,05 Ohm
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.76 грн
10+ 36.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF7303TRPBF irf7303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc
Виробник: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 4,9 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+62.4 грн
100+ 32.1 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF7303TRPBFXTMA1 Infineon-IRF7303-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 10975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+59.13 грн
10+ 46.19 грн
100+ 35.93 грн
500+ 28.58 грн
1000+ 23.29 грн
2000+ 21.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7303TRPBFXTMA1 Infineon-IRF7303-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+24.26 грн
8000+ 22.25 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7304 IRF7304.pdf
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 4.3A 20V 2,0W 0.09Ω IRF7304 TIRF7304
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+63.27 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7304 IRF7304.pdf
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 4.3A 20V 2,0W 0.09Ω IRF7304 TIRF7304
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+63.27 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7304PBF description irf7304pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1dcf21b02
Виробник: International Rectifier/Infineon
2P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 4,3 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 610 @ 15; Qg, нКл = 22 @ 4,5 В; Rds = 90 мОм @ 2,2 A; 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+624 грн
10+ 62.4 грн
100+ 22.46 грн
IRF7304TR IRF7304.pdf
Виробник: UMW
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 4,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7304; IRF7304TR; SP001561936; SP001565312; IRF7304TR UMW TIRF7304 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7304TRPBF description irf7304pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1dcf21b02
Виробник: International Rectifier/Infineon
2P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 4,3; Ciss, пФ @ Uds, В = 610 @ 15; Qg, нКл = 22 @ 4,5 В; Rds = 90 мОм @ 2,2 A; 4,5 В; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; ; Р, Вт = 2; Тексп, °C = -55...+155; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+624 грн
10+ 62.4 грн
100+ 19.39 грн
IRF7306PBF description irf7306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1fc421b0a
Виробник: International Rectifier/Infineon
2P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 3,6 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 440 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 100 мОм @ 1,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 86 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+34.4 грн
20+ 32.1 грн
100+ 29.81 грн
Мінімальне замовлення: 19
IRF7306TR IRF7306.pdf
Виробник: Infineon
2xP-MOSFET -3,6A -30V 2W 0.1Ω IRF7306 TIRF7306
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 345 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+31.55 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF7306TRPBF description irf7306pbf.pdf
IRF7306TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+76.46 грн
9+ 41.9 грн
25+ 37.12 грн
26+ 32.2 грн
71+ 30.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7306TRPBF description irf7306pbf.pdf
IRF7306TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+91.76 грн
6+ 52.21 грн
25+ 44.54 грн
26+ 38.64 грн
71+ 36.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF7306TRPBF description Infineon_IRF7306_DataSheet_v01_01_EN-3363022.pdf
IRF7306TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 3.6A
на замовлення 7694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.9 грн
10+ 52.93 грн
100+ 35.77 грн
500+ 30.1 грн
1000+ 24.7 грн
2000+ 22.47 грн
4000+ 22.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7306TRPBF description irf7306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1fc421b0a
IRF7306TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 10736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.32 грн
10+ 48.23 грн
100+ 37.54 грн
500+ 29.86 грн
1000+ 24.32 грн
2000+ 22.9 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7306TRPBF description irf7306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1fc421b0a
IRF7306TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+25.34 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7307 description
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ 1N-1P-HEXFET logik SO8 Udss=+-20V; Id=4,3A; Id=-3.6A Pdmax=1,4W; Rds=0,05 Ohm
на замовлення 217 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+40.96 грн
10+ 33.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF7307PBF description irf7307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f20d211b0e
Виробник: International Rectifier/Infineon
Транзистор польовий N+P; Udss, В = 20; Id = 5,2 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 15; Qg, нКл = 20 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,6 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; td(on)+tr = 9; td(off)+tf = 32; Id2 = 4,
на замовлення 61 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+21.17 грн
32+ 19.77 грн
100+ 18.35 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRF7307TRPBF description irf7307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f20d211b0e
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальный и P-канальный ПТ; Udss, В = 20; Id = 5,2 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 660 пФ @ 15 В; Qg, нКл = 20 @ 4.5 В; Rds = 50 мОм @ 2.6 A, 4.5 В; Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 7 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+111.15 грн
10+ 103.74 грн
100+ 96.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF7309 description
Виробник: Infineon
N/P-MOSFET 4A/-3,5A 30V/-30V 1,4W 0.05Ω IRF7309 TIRF7309
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+34.29 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF7309PBF description irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=-30V; Id=-3,6A; Pdmax=2,0W; Rds=0,10 Ohm
на замовлення 427 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.97 грн
11+ 24.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF7309TRPBF description irf7309pbf.pdf
IRF7309TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/100mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+52.24 грн
10+ 36.7 грн
35+ 24.18 грн
94+ 22.85 грн
1000+ 22.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF7309TRPBF description irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14
Виробник: International Rectifier/Infineon
Транзистор польовий N+P; Udss, В = 30; Id = 4 А; Ptot, Вт = 1,4; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 15; Qg, нКл = 25 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Id2 = 3 A; SOICN-8
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+21.31 грн
32+ 19.89 грн
100+ 18.47 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRF7309TRPBF description irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14
IRF7309TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+23.63 грн
8000+ 21.67 грн
12000+ 20.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7309TRPBF description Infineon_IRF7309_DataSheet_v01_01_EN-3362942.pdf
IRF7309TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+60.07 грн
10+ 42.69 грн
100+ 29.76 грн
500+ 26.39 грн
1000+ 22.88 грн
2000+ 20.79 грн
4000+ 20.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF7309TRPBF description irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14
IRF7309TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 28449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+57.67 грн
10+ 44.99 грн
100+ 35.01 грн
500+ 27.85 грн
1000+ 22.69 грн
2000+ 21.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+14.01 грн
Мінімальне замовлення: 23
IRF730A 91045.pdf
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=400V; Id=5,5A; Pdmax=74W; Rds=1 Ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+69.65 грн
10+ 32.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF730APBF 91045.pdf
IRF730APBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+125.56 грн
50+ 97.53 грн
100+ 80.24 грн
500+ 63.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF730APBF 91045.pdf
IRF730APBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 400V N-CH HEXFET
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+130.7 грн
10+ 107.1 грн
100+ 76.26 грн
250+ 74.24 грн
500+ 65.26 грн
1000+ 56.69 грн
2000+ 53.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF730APBF-BE3 91045.pdf
IRF730APBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+125.56 грн
50+ 97.53 грн
100+ 80.24 грн
500+ 63.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF730APBF-BE3 91045.pdf
IRF730APBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 400V N-CH HEXFET
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+134.64 грн
10+ 93.13 грн
100+ 68.84 грн
250+ 67.15 грн
500+ 60.06 грн
1000+ 51.29 грн
2000+ 50.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF730ASPBF sihf730a.pdf
IRF730ASPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.85 грн
50+ 81.86 грн
100+ 67.34 грн
500+ 57.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF730ASPBF sihf730a.pdf
IRF730ASPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 400V N-CH HEXFET D2-PA
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+161.41 грн
10+ 128.06 грн
100+ 91.78 грн
250+ 85.03 грн
500+ 76.26 грн
1000+ 65.26 грн
2000+ 60.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF730ASTRLPBF sihf730a.pdf
IRF730ASTRLPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 400V N-CH HEXFET D2-PA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+161.41 грн
10+ 131.94 грн
100+ 91.78 грн
250+ 85.03 грн
500+ 69.51 грн
800+ 62.29 грн
4800+ 60.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF730ASTRLPBF sihf730a.pdf
IRF730ASTRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+150.39 грн
10+ 120.35 грн
100+ 95.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF730B FAIRS16000-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF730B
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 468249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
952+21.87 грн
Мінімальне замовлення: 952
IRF730BPBF irf730b.pdf
IRF730BPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 100 V
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+74.46 грн
10+ 58.84 грн
100+ 45.79 грн
500+ 36.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF730BPBF irf730b.pdf
IRF730BPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 400V 1ohm@10V 5.5A N/Ch
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.52 грн
10+ 64.49 грн
100+ 43.6 грн
500+ 36.98 грн
1000+ 28.34 грн
5000+ 26.99 грн
10000+ 26.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF730PBF IRF730PBF.pdf
IRF730PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+65.86 грн
10+ 45.2 грн
23+ 36.2 грн
63+ 34.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF730PBF IRF730PBF.pdf
IRF730PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 422 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.04 грн
10+ 56.33 грн
23+ 43.44 грн
63+ 41.08 грн
1000+ 40.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF730PBF 91047.pdf
IRF730PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 25927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+72.27 грн
50+ 56.14 грн
100+ 46.19 грн
500+ 39.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF730PBF 91047.pdf
IRF730PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 400V N-CH HEXFET
на замовлення 26294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.27 грн
10+ 73.65 грн
100+ 55.27 грн
500+ 45.69 грн
1000+ 44.14 грн
2000+ 42.65 грн
5000+ 41.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF730PBF 91047.pdf
IRF730PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+24.72 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRF730PBF-BE3 91047.pdf
IRF730PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 2981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+72.27 грн
50+ 56.14 грн
100+ 46.19 грн
500+ 39.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]