Результат пошуку "stp12" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
STP1200 STP1200 STATICTEC Category: ESD Boxes, Lockers
Description: Conductive PCB rack; ESD; 265x205x95mm; black
Colour: black
Body dimensions: 265x205x95mm
Material: electrically conductive material
Type of antistatic accessories: conductive PCB rack
Version: ESD
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+910.73 грн
2+ 643.02 грн
4+ 607.96 грн
STP1200 STP1200 STATICTEC Category: ESD Boxes, Lockers
Description: Conductive PCB rack; ESD; 265x205x95mm; black
Colour: black
Body dimensions: 265x205x95mm
Material: electrically conductive material
Type of antistatic accessories: conductive PCB rack
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1092.87 грн
2+ 801.3 грн
4+ 729.55 грн
STP1201 STP1201 STATICTEC Category: ESD Boxes, Lockers
Description: Conductive PCB rack; ESD; 355x270x130mm; black
Colour: black
Body dimensions: 355x270x130mm
Material: electrically conductive material
Type of antistatic accessories: conductive PCB rack
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STP120N4F6 STP120N4F6 STMicroelectronics 812146837085240dm00029509.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+143.9 грн
10+ 118.99 грн
50+ 115.32 грн
100+ 90.82 грн
500+ 70.96 грн
1000+ 56.49 грн
2000+ 53.14 грн
5000+ 50.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
STP120N4F6 STP120N4F6 STMicroelectronics stp120n4f6-1851244.pdf MOSFET N-Ch 40V 3.5m Ohm 80A STripFET VI
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.58 грн
10+ 119.99 грн
100+ 85.49 грн
500+ 73.38 грн
1000+ 60.32 грн
2000+ 57.29 грн
5000+ 55.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP120N4F6 STP120N4F6 STMicroelectronics 812146837085240dm00029509.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+154.97 грн
92+ 128.14 грн
94+ 124.2 грн
116+ 97.81 грн
500+ 76.42 грн
1000+ 60.83 грн
2000+ 57.23 грн
5000+ 54.51 грн
Мінімальне замовлення: 76
STP120NF10 STP120NF10 STMicroelectronics STB120NF10.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 77A; 312W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 77A
Power dissipation: 312W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+301.31 грн
3+ 245.43 грн
9+ 101.68 грн
23+ 96.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP120NF10 STP120NF10 STMicroelectronics STB120NF10.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 77A; 312W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 77A
Power dissipation: 312W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 743 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+361.57 грн
3+ 305.84 грн
9+ 122.01 грн
23+ 115.28 грн
STP120NF10 STP120NF10 STMicroelectronics en.CD00003356.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
на замовлення 18198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.1 грн
50+ 169.46 грн
100+ 145.25 грн
500+ 133.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP120NF10 STP120NF10 STMicroelectronics 4013069314299558cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+115.95 грн
109+ 107.41 грн
116+ 101.37 грн
250+ 96.51 грн
500+ 88.48 грн
1000+ 84.62 грн
Мінімальне замовлення: 101
STP120NF10 STP120NF10 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0003588193-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP120NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.009 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+361.72 грн
10+ 258.27 грн
100+ 217.49 грн
500+ 182.32 грн
1000+ 143.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP120NF10 STP120NF10 STMicroelectronics stw120nf10-1852225.pdf MOSFET N-Ch 100 Volt 120A STripFET II 110A
на замовлення 2249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+209.69 грн
25+ 177.28 грн
100+ 140.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP120NF10 STP120NF10 STMicroelectronics 4013069314299558cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
STP120NF10 STP120NF10 STMicroelectronics 4013069314299558cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+108.24 грн
25+ 100.28 грн
100+ 94.65 грн
250+ 90.11 грн
500+ 82.6 грн
1000+ 79.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
STP1290 STP1290 STATICTEC Category: Antistatic Protection Others
Description: Tool: tape applicator; ESD; 50mm
Colour: black
Tape width: 50mm
Type of tool: tape applicator
Version: ESD
Related items: ATS-154-0140; ATS-054-0109; ATS-054-0114; ATS-054-0007; ERS-420050005; ERS-420050035; ERS-421150115; ESD-TAPE1; PRT-STP1300; PRT-STP1312; PRT-STP1410; PRT-STP1412; SCS-242210; SCS-242271; SCS-242275; SCS-242276; SCS-242293; SCS-242294; SCS-242295
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1040.61 грн
STP1290 STP1290 STATICTEC Category: Antistatic Protection Others
Description: Tool: tape applicator; ESD; 50mm
Colour: black
Tape width: 50mm
Type of tool: tape applicator
Version: ESD
Related items: ATS-154-0140; ATS-054-0109; ATS-054-0114; ATS-054-0007; ERS-420050005; ERS-420050035; ERS-421150115; ESD-TAPE1; PRT-STP1300; PRT-STP1312; PRT-STP1410; PRT-STP1412; SCS-242210; SCS-242271; SCS-242275; SCS-242276; SCS-242293; SCS-242294; SCS-242295
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1248.74 грн
3+ 1138.6 грн
5+ 1065.3 грн
STP12N120K5 STP12N120K5 STMicroelectronics en.DM00036727.pdf Description: MOSFET N-CH 1200V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+733.29 грн
50+ 564.08 грн
100+ 504.69 грн
500+ 417.91 грн
STP12N120K5 STP12N120K5 STMicroelectronics 84dm00036727.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+740.11 грн
25+ 705.93 грн
50+ 677.52 грн
100+ 630.3 грн
Мінімальне замовлення: 16
STP12N120K5 STP12N120K5 STMicroelectronics sth12n120k5_2-1850906.pdf MOSFET N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+786.15 грн
10+ 721.51 грн
25+ 530.46 грн
100+ 481.32 грн
250+ 465.84 грн
500+ 424.77 грн
1000+ 381.69 грн
STP12N120K5 STP12N120K5 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0000774161-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STP12N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 0.62 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+813.31 грн
5+ 752.14 грн
10+ 690.97 грн
50+ 576.41 грн
100+ 500.35 грн
250+ 495.82 грн
STP12N50M2 STP12N50M2 STMicroelectronics stp12n50m2-1851413.pdf MOSFET N-channel 500 V, 0.325 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.81 грн
10+ 93.67 грн
100+ 66.98 грн
250+ 65.1 грн
500+ 55.87 грн
1000+ 47.86 грн
2000+ 45.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12N50M2 STP12N50M2 STMicroelectronics en.DM00121831.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 100 V
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.96 грн
50+ 84.93 грн
100+ 69.88 грн
500+ 55.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12N60M2 STP12N60M2 STMicroelectronics en.DM00187280.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.23 грн
5+ 89.06 грн
12+ 68.72 грн
33+ 65.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
STP12N60M2 STP12N60M2 STMicroelectronics en.DM00187280.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+128.68 грн
5+ 110.98 грн
12+ 82.46 грн
33+ 78.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12N60M2 STP12N60M2 STMicroelectronics stp12n60m2-1851271.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.87 грн
10+ 102.19 грн
100+ 70.68 грн
500+ 59.78 грн
1000+ 50.69 грн
2000+ 47.19 грн
5000+ 45.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12N65M5 STP12N65M5 STMicroelectronics stf12n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STP12N65M5 STP12N65M5 STMicroelectronics stf12n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+107.8 грн
Мінімальне замовлення: 6
STP12N65M5 STP12N65M5 STMicroelectronics en.CD00226268.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.51 грн
50+ 146.26 грн
100+ 125.36 грн
500+ 104.58 грн
1000+ 89.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP12N65M5 STP12N65M5 STMicroelectronics stf12n65m5-1850419.pdf MOSFET N-channel 650 V 0.370ohm 8.5A Mdmesh
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+192.42 грн
10+ 162.57 грн
25+ 138 грн
100+ 119.82 грн
250+ 119.15 грн
500+ 106.36 грн
1000+ 90.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP12NK30Z STP12NK30Z STMicroelectronics STP12NK30Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 5.6A; 90W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+70.23 грн
7+ 57.5 грн
10+ 51.19 грн
19+ 45.58 грн
50+ 42.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
STP12NK30Z STP12NK30Z STMicroelectronics STP12NK30Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 5.6A; 90W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 119 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+71.65 грн
10+ 61.43 грн
19+ 54.7 грн
50+ 51.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
STP12NK30Z STP12NK30Z STMicroelectronics stp12nk30z-1851480.pdf MOSFET N-Ch 300 Volt 9 Amp Zener SuperMESH3
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+182.99 грн
10+ 144.77 грн
100+ 103 грн
500+ 89.53 грн
1000+ 76.07 грн
2000+ 70.01 грн
5000+ 67.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP12NK30Z STP12NK30Z STMicroelectronics en.CD00003186.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.4 грн
50+ 131.8 грн
100+ 108.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP12NK30Z STP12NK30Z STMicroelectronics 1518026408466210cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+189.95 грн
77+ 152.26 грн
100+ 124.36 грн
250+ 115.09 грн
500+ 92.37 грн
1000+ 75.69 грн
2000+ 69.39 грн
Мінімальне замовлення: 62
STP12NK30Z STP12NK30Z STMicroelectronics 1518026408466210cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+180.27 грн
10+ 144.94 грн
100+ 118.98 грн
250+ 112.65 грн
500+ 92.07 грн
1000+ 74.79 грн
2000+ 67.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
STP12NK30Z ST en.CD00003186.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 9A STP12NK30Z TSTP12NK30Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+28.9 грн
Мінімальне замовлення: 20
STP12NK80Z STP12NK80Z STMicroelectronics STX12NK80Z-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.71 грн
10+ 90.46 грн
25+ 85.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12NK80Z STP12NK80Z STMicroelectronics STX12NK80Z-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+179.43 грн
3+ 152.92 грн
10+ 108.55 грн
25+ 102.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP12NK80Z STP12NK80Z STMicroelectronics stb12nk80z-1850221.pdf MOSFET N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+268.6 грн
10+ 257.79 грн
25+ 176.37 грн
100+ 152.14 грн
250+ 150.79 грн
500+ 133.29 грн
1000+ 111.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP12NK80Z STP12NK80Z STMicroelectronics cd0000337.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
STP12NK80Z STP12NK80Z STMicroelectronics 2645cd00003379.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+205.12 грн
60+ 196.2 грн
69+ 171.26 грн
156+ 72.46 грн
250+ 66.43 грн
500+ 63.13 грн
Мінімальне замовлення: 57
STP12NK80Z STP12NK80Z STMicroelectronics 2645cd00003379.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+191.5 грн
10+ 183.18 грн
25+ 159.88 грн
100+ 67.65 грн
250+ 62.01 грн
500+ 58.94 грн
1000+ 58.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
STP12NK80Z STP12NK80Z STMicroelectronics en.CD00003379.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.23 грн
50+ 191.25 грн
100+ 163.93 грн
500+ 136.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP12NM50 STP12NM50 STMicroelectronics STP12NM50.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.91 грн
9+ 96.07 грн
24+ 90.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12NM50 STP12NM50 STMicroelectronics STP12NM50.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+172.18 грн
3+ 149.43 грн
9+ 115.28 грн
24+ 108.55 грн
250+ 106.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP12NM50 STP12NM50 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0011303553-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: STMICROELECTRONICS - STP12NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 12 A, 0.35 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+283.94 грн
10+ 200.87 грн
100+ 180.48 грн
500+ 159.88 грн
1000+ 130.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12NM50 STP12NM50 STMicroelectronics en.cd00002079.pdf description Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+276.7 грн
44+ 269.31 грн
70+ 166.75 грн
100+ 159.14 грн
Мінімальне замовлення: 43
STP12NM50 STP12NM50 STMicroelectronics en.CD00002079.pdf description Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+292.73 грн
50+ 223.03 грн
100+ 191.17 грн
500+ 159.47 грн
STP12NM50 STP12NM50 STMicroelectronics en.cd00002079.pdf description Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+256.94 грн
10+ 250.07 грн
25+ 177.46 грн
100+ 168.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12NM50 STP12NM50 STMicroelectronics stb12nm50t4-2956181.pdf description MOSFET N-Ch 500 Volt 12 Amp
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+276.45 грн
10+ 268.63 грн
25+ 180.41 грн
100+ 161.56 грн
500+ 153.48 грн
1000+ 130.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP12NM50 STP12NM50 STMicroelectronics en.cd00002079.pdf description Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 21750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+302.95 грн
40+ 294.6 грн
51+ 232.84 грн
100+ 202.8 грн
500+ 178.84 грн
1000+ 145.22 грн
2000+ 144.5 грн
5000+ 142.36 грн
Мінімальне замовлення: 39
STP12NM50 STP12NM50 STMicroelectronics en.cd00002079.pdf description Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 21755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
STP12NM50 STP12NM50 STMicroelectronics en.cd00002079.pdf description Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 21755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+188.89 грн
10+ 184.54 грн
25+ 145.39 грн
100+ 138.13 грн
500+ 125.79 грн
1000+ 103.87 грн
2000+ 100.25 грн
5000+ 97.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
STP12NM50 ST en.CD00002079.pdf description N-MOSFET 12A 500V 160W 0.35Ω STP12NM50 TSTP12NM50
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+95.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
STP12NM50FP STP12NM50FP STMicroelectronics STP12NM50FP.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 7.5A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.04 грн
9+ 102.38 грн
23+ 96.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12NM50FP STP12NM50FP STMicroelectronics STP12NM50FP.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 7.5A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 67 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+191.21 грн
3+ 169.52 грн
9+ 122.85 грн
23+ 116.12 грн
250+ 114.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP12NM50FP STP12NM50FP STMicroelectronics en.CD00002079.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+301.47 грн
50+ 230 грн
100+ 197.15 грн
500+ 164.46 грн
STP12NM50FP STP12NM50FP STMICROELECTRONICS 2308628.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP12NM50FP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+345.86 грн
10+ 200.12 грн
100+ 178.97 грн
500+ 154.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12NM50FP STP12NM50FP STMicroelectronics stb12nm50t4-2956181.pdf MOSFET N-Ch 500 Volt 12 Amp
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+322.79 грн
10+ 303.47 грн
25+ 207.34 грн
100+ 180.41 грн
250+ 179.74 грн
500+ 162.23 грн
1000+ 137.33 грн
STP12NM50FP ST en.CD00002079.pdf N-MOSFET 12A 500V 35W STP12NM50FP TSTP12NM50FP
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+96.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
STP1200
STP1200
Виробник: STATICTEC
Category: ESD Boxes, Lockers
Description: Conductive PCB rack; ESD; 265x205x95mm; black
Colour: black
Body dimensions: 265x205x95mm
Material: electrically conductive material
Type of antistatic accessories: conductive PCB rack
Version: ESD
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+910.73 грн
2+ 643.02 грн
4+ 607.96 грн
STP1200
STP1200
Виробник: STATICTEC
Category: ESD Boxes, Lockers
Description: Conductive PCB rack; ESD; 265x205x95mm; black
Colour: black
Body dimensions: 265x205x95mm
Material: electrically conductive material
Type of antistatic accessories: conductive PCB rack
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1092.87 грн
2+ 801.3 грн
4+ 729.55 грн
STP1201
STP1201
Виробник: STATICTEC
Category: ESD Boxes, Lockers
Description: Conductive PCB rack; ESD; 355x270x130mm; black
Colour: black
Body dimensions: 355x270x130mm
Material: electrically conductive material
Type of antistatic accessories: conductive PCB rack
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STP120N4F6 812146837085240dm00029509.pdf
STP120N4F6
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+143.9 грн
10+ 118.99 грн
50+ 115.32 грн
100+ 90.82 грн
500+ 70.96 грн
1000+ 56.49 грн
2000+ 53.14 грн
5000+ 50.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
STP120N4F6 stp120n4f6-1851244.pdf
STP120N4F6
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 40V 3.5m Ohm 80A STripFET VI
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+151.58 грн
10+ 119.99 грн
100+ 85.49 грн
500+ 73.38 грн
1000+ 60.32 грн
2000+ 57.29 грн
5000+ 55.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP120N4F6 812146837085240dm00029509.pdf
STP120N4F6
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
76+154.97 грн
92+ 128.14 грн
94+ 124.2 грн
116+ 97.81 грн
500+ 76.42 грн
1000+ 60.83 грн
2000+ 57.23 грн
5000+ 54.51 грн
Мінімальне замовлення: 76
STP120NF10 STB120NF10.pdf
STP120NF10
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 77A; 312W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 77A
Power dissipation: 312W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+301.31 грн
3+ 245.43 грн
9+ 101.68 грн
23+ 96.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP120NF10 STB120NF10.pdf
STP120NF10
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 77A; 312W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 77A
Power dissipation: 312W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 743 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+361.57 грн
3+ 305.84 грн
9+ 122.01 грн
23+ 115.28 грн
STP120NF10 en.CD00003356.pdf
STP120NF10
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
на замовлення 18198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+222.1 грн
50+ 169.46 грн
100+ 145.25 грн
500+ 133.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP120NF10 4013069314299558cd000.pdf
STP120NF10
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
101+115.95 грн
109+ 107.41 грн
116+ 101.37 грн
250+ 96.51 грн
500+ 88.48 грн
1000+ 84.62 грн
Мінімальне замовлення: 101
STP120NF10 SGST-S-A0003588193-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STP120NF10
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP120NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.009 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+361.72 грн
10+ 258.27 грн
100+ 217.49 грн
500+ 182.32 грн
1000+ 143.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP120NF10 stw120nf10-1852225.pdf
STP120NF10
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 100 Volt 120A STripFET II 110A
на замовлення 2249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+209.69 грн
25+ 177.28 грн
100+ 140.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP120NF10 4013069314299558cd000.pdf
STP120NF10
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+62.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
STP120NF10 4013069314299558cd000.pdf
STP120NF10
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+108.24 грн
25+ 100.28 грн
100+ 94.65 грн
250+ 90.11 грн
500+ 82.6 грн
1000+ 79.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
STP1290
STP1290
Виробник: STATICTEC
Category: Antistatic Protection Others
Description: Tool: tape applicator; ESD; 50mm
Colour: black
Tape width: 50mm
Type of tool: tape applicator
Version: ESD
Related items: ATS-154-0140; ATS-054-0109; ATS-054-0114; ATS-054-0007; ERS-420050005; ERS-420050035; ERS-421150115; ESD-TAPE1; PRT-STP1300; PRT-STP1312; PRT-STP1410; PRT-STP1412; SCS-242210; SCS-242271; SCS-242275; SCS-242276; SCS-242293; SCS-242294; SCS-242295
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1040.61 грн
STP1290
STP1290
Виробник: STATICTEC
Category: Antistatic Protection Others
Description: Tool: tape applicator; ESD; 50mm
Colour: black
Tape width: 50mm
Type of tool: tape applicator
Version: ESD
Related items: ATS-154-0140; ATS-054-0109; ATS-054-0114; ATS-054-0007; ERS-420050005; ERS-420050035; ERS-421150115; ESD-TAPE1; PRT-STP1300; PRT-STP1312; PRT-STP1410; PRT-STP1412; SCS-242210; SCS-242271; SCS-242275; SCS-242276; SCS-242293; SCS-242294; SCS-242295
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1248.74 грн
3+ 1138.6 грн
5+ 1065.3 грн
STP12N120K5 en.DM00036727.pdf
STP12N120K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1200V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+733.29 грн
50+ 564.08 грн
100+ 504.69 грн
500+ 417.91 грн
STP12N120K5 84dm00036727.pdf
STP12N120K5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+740.11 грн
25+ 705.93 грн
50+ 677.52 грн
100+ 630.3 грн
Мінімальне замовлення: 16
STP12N120K5 sth12n120k5_2-1850906.pdf
STP12N120K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+786.15 грн
10+ 721.51 грн
25+ 530.46 грн
100+ 481.32 грн
250+ 465.84 грн
500+ 424.77 грн
1000+ 381.69 грн
STP12N120K5 SGST-S-A0000774161-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STP12N120K5
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP12N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 0.62 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+813.31 грн
5+ 752.14 грн
10+ 690.97 грн
50+ 576.41 грн
100+ 500.35 грн
250+ 495.82 грн
STP12N50M2 stp12n50m2-1851413.pdf
STP12N50M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 500 V, 0.325 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.81 грн
10+ 93.67 грн
100+ 66.98 грн
250+ 65.1 грн
500+ 55.87 грн
1000+ 47.86 грн
2000+ 45.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12N50M2 en.DM00121831.pdf
STP12N50M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 100 V
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.96 грн
50+ 84.93 грн
100+ 69.88 грн
500+ 55.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12N60M2 en.DM00187280.pdf
STP12N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+107.23 грн
5+ 89.06 грн
12+ 68.72 грн
33+ 65.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
STP12N60M2 en.DM00187280.pdf
STP12N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+128.68 грн
5+ 110.98 грн
12+ 82.46 грн
33+ 78.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12N60M2 stp12n60m2-1851271.pdf
STP12N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+124.87 грн
10+ 102.19 грн
100+ 70.68 грн
500+ 59.78 грн
1000+ 50.69 грн
2000+ 47.19 грн
5000+ 45.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12N65M5 stf12n65m5.pdf
STP12N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STP12N65M5 stf12n65m5.pdf
STP12N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+107.8 грн
Мінімальне замовлення: 6
STP12N65M5 en.CD00226268.pdf
STP12N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+191.51 грн
50+ 146.26 грн
100+ 125.36 грн
500+ 104.58 грн
1000+ 89.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP12N65M5 stf12n65m5-1850419.pdf
STP12N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V 0.370ohm 8.5A Mdmesh
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+192.42 грн
10+ 162.57 грн
25+ 138 грн
100+ 119.82 грн
250+ 119.15 грн
500+ 106.36 грн
1000+ 90.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP12NK30Z STP12NK30Z.pdf
STP12NK30Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 5.6A; 90W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+70.23 грн
7+ 57.5 грн
10+ 51.19 грн
19+ 45.58 грн
50+ 42.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
STP12NK30Z STP12NK30Z.pdf
STP12NK30Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 5.6A; 90W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 119 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+71.65 грн
10+ 61.43 грн
19+ 54.7 грн
50+ 51.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
STP12NK30Z stp12nk30z-1851480.pdf
STP12NK30Z
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 300 Volt 9 Amp Zener SuperMESH3
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+182.99 грн
10+ 144.77 грн
100+ 103 грн
500+ 89.53 грн
1000+ 76.07 грн
2000+ 70.01 грн
5000+ 67.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP12NK30Z en.CD00003186.pdf
STP12NK30Z
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 300V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+170.4 грн
50+ 131.8 грн
100+ 108.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP12NK30Z 1518026408466210cd000.pdf
STP12NK30Z
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
62+189.95 грн
77+ 152.26 грн
100+ 124.36 грн
250+ 115.09 грн
500+ 92.37 грн
1000+ 75.69 грн
2000+ 69.39 грн
Мінімальне замовлення: 62
STP12NK30Z 1518026408466210cd000.pdf
STP12NK30Z
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+180.27 грн
10+ 144.94 грн
100+ 118.98 грн
250+ 112.65 грн
500+ 92.07 грн
1000+ 74.79 грн
2000+ 67.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
STP12NK30Z en.CD00003186.pdf
Виробник: ST
Trans MOSFET N-CH 300V 9A STP12NK30Z TSTP12NK30Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+28.9 грн
Мінімальне замовлення: 20
STP12NK80Z STX12NK80Z-DTE.pdf
STP12NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+122.71 грн
10+ 90.46 грн
25+ 85.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12NK80Z STX12NK80Z-DTE.pdf
STP12NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+179.43 грн
3+ 152.92 грн
10+ 108.55 грн
25+ 102.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP12NK80Z stb12nk80z-1850221.pdf
STP12NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+268.6 грн
10+ 257.79 грн
25+ 176.37 грн
100+ 152.14 грн
250+ 150.79 грн
500+ 133.29 грн
1000+ 111.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP12NK80Z cd0000337.pdf
STP12NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+73.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
STP12NK80Z 2645cd00003379.pdf
STP12NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
57+205.12 грн
60+ 196.2 грн
69+ 171.26 грн
156+ 72.46 грн
250+ 66.43 грн
500+ 63.13 грн
Мінімальне замовлення: 57
STP12NK80Z 2645cd00003379.pdf
STP12NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+191.5 грн
10+ 183.18 грн
25+ 159.88 грн
100+ 67.65 грн
250+ 62.01 грн
500+ 58.94 грн
1000+ 58.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
STP12NK80Z en.CD00003379.pdf
STP12NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+251.23 грн
50+ 191.25 грн
100+ 163.93 грн
500+ 136.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP12NM50 description STP12NM50.pdf
STP12NM50
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.91 грн
9+ 96.07 грн
24+ 90.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12NM50 description STP12NM50.pdf
STP12NM50
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+172.18 грн
3+ 149.43 грн
9+ 115.28 грн
24+ 108.55 грн
250+ 106.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP12NM50 description SGST-S-A0011303553-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STP12NM50
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP12NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 12 A, 0.35 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+283.94 грн
10+ 200.87 грн
100+ 180.48 грн
500+ 159.88 грн
1000+ 130.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12NM50 description en.cd00002079.pdf
STP12NM50
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
43+276.7 грн
44+ 269.31 грн
70+ 166.75 грн
100+ 159.14 грн
Мінімальне замовлення: 43
STP12NM50 description en.CD00002079.pdf
STP12NM50
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+292.73 грн
50+ 223.03 грн
100+ 191.17 грн
500+ 159.47 грн
STP12NM50 description en.cd00002079.pdf
STP12NM50
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+256.94 грн
10+ 250.07 грн
25+ 177.46 грн
100+ 168.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12NM50 description stb12nm50t4-2956181.pdf
STP12NM50
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 500 Volt 12 Amp
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+276.45 грн
10+ 268.63 грн
25+ 180.41 грн
100+ 161.56 грн
500+ 153.48 грн
1000+ 130.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP12NM50 description en.cd00002079.pdf
STP12NM50
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 21750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
39+302.95 грн
40+ 294.6 грн
51+ 232.84 грн
100+ 202.8 грн
500+ 178.84 грн
1000+ 145.22 грн
2000+ 144.5 грн
5000+ 142.36 грн
Мінімальне замовлення: 39
STP12NM50 description en.cd00002079.pdf
STP12NM50
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 21755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+73.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
STP12NM50 description en.cd00002079.pdf
STP12NM50
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 21755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+188.89 грн
10+ 184.54 грн
25+ 145.39 грн
100+ 138.13 грн
500+ 125.79 грн
1000+ 103.87 грн
2000+ 100.25 грн
5000+ 97.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
STP12NM50 description en.CD00002079.pdf
Виробник: ST
N-MOSFET 12A 500V 160W 0.35Ω STP12NM50 TSTP12NM50
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+95.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
STP12NM50FP STP12NM50FP.pdf
STP12NM50FP
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 7.5A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+136.04 грн
9+ 102.38 грн
23+ 96.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12NM50FP STP12NM50FP.pdf
STP12NM50FP
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 7.5A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 67 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+191.21 грн
3+ 169.52 грн
9+ 122.85 грн
23+ 116.12 грн
250+ 114.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP12NM50FP en.CD00002079.pdf
STP12NM50FP
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+301.47 грн
50+ 230 грн
100+ 197.15 грн
500+ 164.46 грн
STP12NM50FP 2308628.pdf
STP12NM50FP
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP12NM50FP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+345.86 грн
10+ 200.12 грн
100+ 178.97 грн
500+ 154.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12NM50FP stb12nm50t4-2956181.pdf
STP12NM50FP
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 500 Volt 12 Amp
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+322.79 грн
10+ 303.47 грн
25+ 207.34 грн
100+ 180.41 грн
250+ 179.74 грн
500+ 162.23 грн
1000+ 137.33 грн
STP12NM50FP en.CD00002079.pdf
Виробник: ST
N-MOSFET 12A 500V 35W STP12NM50FP TSTP12NM50FP
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+96.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]