Результат пошуку "40N60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
FGH40N60SFD FGH40N60SFD
Код товару: 201597 		China fgh40n60sfd.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
у наявності: 97 шт
1+135 грн
10+ 124 грн
FGH40N60SFD (FGH40N60SFDTU) FGH40N60SFD (FGH40N60SFDTU)
Код товару: 79400 		FAIR fgh40n60sfd.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
у наявності: 2 шт
очікується: 300 шт
1+165 грн
10+ 152 грн
100+ 139 грн
FGH40N60SMD FGH40N60SMD
Код товару: 63296 		FAIR/ON fgh40n60smd-d.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 349 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 12/92
у наявності: 143 шт
1+205 грн
10+ 186 грн
FGA40N60UFDTU FGA40N60UFDTU Fairchild Semiconductor FAIRS25258-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT, 40A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns
Switching Energy: 470µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 77 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 160 W
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+156.32 грн
Мінімальне замовлення: 142
FGAF40N60SMD ON-Semicoductor fgaf40n60smd-d.pdf IGBT 600V 80A 115W   FGAF40N60SMD TFGAF40N60smd
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+240.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
FGAF40N60UFDTU FGAF40N60UFDTU Fairchild Semiconductor FAIRS25147-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PF
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns
Switching Energy: 470µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 77 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 2512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+164.96 грн
Мінімальне замовлення: 122
FGAF40N60UFTU FGAF40N60UFTU onsemi fgaf40n60uf-d.pdf Description: IGBT 600V 40A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PF
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns
Switching Energy: 470µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 77 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.47 грн
30+ 171.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGAF40N60UFTU FGAF40N60UFTU Fairchild Semiconductor FAIRS46118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT
Packaging: Bulk
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+121.73 грн
Мінімальне замовлення: 164
FGH40N60SFD Fairchaild IGBT транзистор - [TO-247-3]; Uкэ.макс 600 V, 40 A Field Stop
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+312.64 грн
10+ 261.28 грн
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU onsemi fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns
Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+360.9 грн
FGH40N60SFTU FGH40N60SFTU Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0002366253-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
на замовлення 13230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+164.96 грн
Мінімальне замовлення: 122
FGH40N60SFTU FGH40N60SFTU onsemi fgh40n60sf-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns
Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+291.03 грн
FGH40N60SMD-F085 FGH40N60SMD-F085 onsemi fgh40n60smd_f085-d.pdf Description: IGBT 600V 80A 349W TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/110ns
Switching Energy: 920µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+420.69 грн
30+ 323.16 грн
120+ 289.13 грн
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU onsemi fgh40n60ufd-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/112ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+310.48 грн
30+ 236.82 грн
120+ 202.99 грн
FGI40N60SFTU FGI40N60SFTU Fairchild Semiconductor FAIRS28353-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT, 80A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns
Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+238.8 грн
Мінімальне замовлення: 84
HGTG40N60A4 ON-Semicoductor hgtg40n60a4-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247   HGTG40N60A4 THGTG40n60a4
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+491.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
HGTG40N60C3 HGTG40N60C3 Harris Corporation FAIRS15573-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 75A, 600V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/185ns
Switching Energy: 850mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 395 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 291 W
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+403.76 грн
Мінімальне замовлення: 50
HGTG40N60C3R HGTG40N60C3R Harris Corporation HRISS535-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 75A, 600V N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 330 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 291 W
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+557.42 грн
Мінімальне замовлення: 45
IGW40N60H3FKSA1 IGW40N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW40N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 306W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 306W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IGW40N60H3FKSA1 IGW40N60H3FKSA1 Infineon Technologies IGW40N60H3_Rev2_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043293a15c401293a9970bb0008 Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/197ns
Switching Energy: 1.68mJ
Test Condition: 400V, 40A, 7.9Ohm, 15V
Gate Charge: 223 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 306 W
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+297.51 грн
30+ 226.81 грн
120+ 194.42 грн
IGW40N60H3FKSA1 IGW40N60H3FKSA1 Infineon Technologies infineon-igw40n60h3-ds-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGW40N60H3FKSA1 Infineon IGW40N60H3_Rev2_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043293a15c401293a9970bb0008 IGBT 600V 80A 306W   IGW40N60H3FKSA1 TIGW40n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+227.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGW40N60TPXKSA1 IGW40N60TPXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IGW40N60TP-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a495a2ae24852 Description: IGBT TRENCH/FS 600V 67A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/222ns
Switching Energy: 1.06mJ (on), 610µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10.1Ohm, 15V
Gate Charge: 177 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 246 W
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.46 грн
30+ 146.76 грн
120+ 120.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N60RFFKSA1 IHW40N60RFFKSA1 Infineon Technologies IHW40N60RF_ver2_3G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043271faefd01272867e39e4d58 Description: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/175ns
Switching Energy: 560µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+162.3 грн
Мінімальне замовлення: 123
IHW40N60RFKSA1 IHW40N60RFKSA1 Infineon Technologies IHW40N60R_2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304316f66ee80117545f8f30066f Description: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/193ns
Switching Energy: 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 223 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+166.3 грн
Мінімальне замовлення: 121
IKFW40N60DH3EXKSA1 IKFW40N60DH3EXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKFW40N60DH3E-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc8016034ff098b2df8 Description: IGBT TRENCH FS 600V 34A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/144ns
Switching Energy: 870µJ (on), 360µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 107 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 111 W
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+375.31 грн
30+ 286.19 грн
120+ 245.3 грн
IKW40N60DTPXKSA1 IKW40N60DTPXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW40N60DTP-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153cbc2c3c17cc3 Description: IGBT TRENCH FS 600V 67A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 87 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/222ns
Switching Energy: 1.06mJ (on), 610µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10.1Ohm, 15V
Gate Charge: 177 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 246 W
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.58 грн
30+ 156.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N60H3FKSA1 IKW40N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+410.13 грн
3+ 342.68 грн
4+ 262.21 грн
9+ 247.64 грн
IKW40N60H3FKSA1 IKW40N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+492.15 грн
3+ 427.03 грн
4+ 314.65 грн
9+ 297.17 грн
IKW40N60H3FKSA1 IKW40N60H3FKSA1 Infineon Technologies IKW40N60H3_Rev2_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043293a15c401293aacb8b8002d Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 124 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/197ns
Switching Energy: 1.68mJ
Test Condition: 400V, 40A, 7.9Ohm, 15V
Gate Charge: 223 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 306 W
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+350.1 грн
30+ 267.25 грн
120+ 229.07 грн
510+ 191.09 грн
1020+ 163.62 грн
IRFPS40N60K Siliconix Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 130mOhm; 40A; 570W; -55°C ~ 150°C; IRFPS40N60K TIRFPS40n60k
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+324.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
MGY40N60 onsemi Description: IGBT 66A, 600V, N CHANNEL, TO 26
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 12095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+304.66 грн
Мінімальне замовлення: 66
MGY40N60D onsemi mgy40n60d.rev1.pdf?t.download=true&u=ovmfp3 Description: TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 66A 3P
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+325.28 грн
Мінімальне замовлення: 62
NGTB40N60IHLWG NGTB40N60IHLWG onsemi NGTB40N60IHLWG.pdf Description: IGBT 600V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/140ns
Switching Energy: 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 452462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+162.3 грн
Мінімальне замовлення: 123
NGTB40N60L2WG NGTB40N60L2WG onsemi ngtb40n60l2w-d.pdf Description: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.61V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 98ns/213ns
Switching Energy: 1.17mJ (on), 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 228 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 417 W
на замовлення 2092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+228.82 грн
Мінімальне замовлення: 88
NVHL040N60S5F NVHL040N60S5F onsemi nvhl040n60s5f-d.pdf Description: SUPERFET5 FRFET, 40MOHM, TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 347W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 7.2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6318 pF @ 400 V
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+679.3 грн
10+ 560.36 грн
SGH40N60UFDTU SGH40N60UFDTU onsemi SGH40N60UFD.pdf Description: IGBT 600V 40A 160W TO3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns
Switching Energy: 160µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 160 W
на замовлення 195573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+154.99 грн
Мінімальне замовлення: 129
SGH40N60UFTU SGH40N60UFTU Fairchild Semiconductor FAIRS45884-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns
Switching Energy: 160µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 160 W
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+252.1 грн
Мінімальне замовлення: 80
SGH40N60UFTU SGH40N60UFTU onsemi sgh40n60uf-d.pdf Description: IGBT 600V 40A TO3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns
Switching Energy: 160µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 160 W
на замовлення 108626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+252.1 грн
Мінімальне замовлення: 80
SGP40N60UFTU SGP40N60UFTU Fairchild Semiconductor FAIRS27228-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns
Switching Energy: 160µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 160 W
на замовлення 51224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+251.44 грн
Мінімальне замовлення: 80
SIHD240N60E-GE3 SIHD240N60E-GE3 Vishay Siliconix sihd240n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 783 pF @ 100 V
на замовлення 3070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.8 грн
10+ 130.48 грн
100+ 103.82 грн
500+ 82.45 грн
1000+ 69.95 грн
3000+ 66.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHFPS40N60K-GE3 SIHFPS40N60K-GE3 Vishay Siliconix sihfps40n60k.pdf Description: POWER MOSFET SUPER-247, 130 M @
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 570W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7970 pF @ 25 V
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+461.75 грн
30+ 355.12 грн
120+ 317.74 грн
SIHG40N60E-GE3 SIHG40N60E-GE3 Vishay Siliconix sihg40n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4436 pF @ 100 V
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+440.14 грн
25+ 338.66 грн
100+ 303 грн
500+ 250.9 грн
SIHH240N60E-T1-GE3 SIHH240N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh240n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 783 pF @ 100 V
на замовлення 2786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.37 грн
10+ 145.12 грн
100+ 117.38 грн
500+ 97.92 грн
1000+ 83.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP240N60E-GE3 SIHP240N60E-GE3 Vishay Siliconix sihp240n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795 pF @ 100 V
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.18 грн
50+ 147.05 грн
100+ 120.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB40N60M2 STB40N60M2 STMicroelectronics en.DM00089185.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+395.48 грн
10+ 319.65 грн
100+ 258.6 грн
500+ 215.71 грн
STB40N60M2 STB40N60M2 STMicroelectronics en.DM00089185.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+204.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STF40N60M2 STF40N60M2 STMicroelectronics en.DM00116766.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 136A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+426.56 грн
3+ 272.62 грн
9+ 258.05 грн
STF40N60M2 STF40N60M2 STMicroelectronics en.DM00116766.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 136A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+511.87 грн
3+ 339.72 грн
9+ 309.66 грн
STF40N60M2 STF40N60M2 STMicroelectronics en.DM00116766.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 1089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+386.83 грн
50+ 295.51 грн
100+ 253.29 грн
500+ 211.29 грн
1000+ 180.92 грн
STP40N60M2 STP40N60M2 STMicroelectronics en.DM00089185.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 34A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+355.86 грн
50+ 271.72 грн
100+ 232.9 грн
500+ 194.28 грн
1000+ 166.36 грн
STW40N60M2 STW40N60M2 STMicroelectronics 1489dm00089185.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+290.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW40N60M2 STW40N60M2 STMicroelectronics en.DM00089185.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 34A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+517.94 грн
30+ 398.27 грн
120+ 356.35 грн
510+ 295.08 грн
STWA40N60M2 STMicroelectronics stwa40n60m2.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 34A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+420.69 грн
10+ 339.9 грн
100+ 274.93 грн
600+ 229.34 грн
Транзистор IGBT FGH40N60SFD 40A 600V TO-247
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1+192.3 грн
Транзистор IGBT FGH40N60SMD 40A 600V TO-247
на замовлення 12 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2+151.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
Транзистор IGBT FGH40N60UFD 40A 600V TO-247
на замовлення 26 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1+206.45 грн
Транзистор IGBT IHW40N60RF(H40RF60) 80A 600V TO-247
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2+154.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
Транзистор IGBT SGT40N60NPFDP 40A 600V TO-3P
на замовлення 24 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3+69.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGAF40N60UFDTU ON Semiconductor FAIRS25147-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 10800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH40N60SFD
Код товару: 201597		 fgh40n60sfd.pdf
FGH40N60SFD
Виробник: China
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
у наявності: 97 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+135 грн
10+ 124 грн
FGH40N60SFD (FGH40N60SFDTU)
Код товару: 79400		 fgh40n60sfd.pdf
FGH40N60SFD (FGH40N60SFDTU)
Виробник: FAIR
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
у наявності: 2 шт
очікується: 300 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+165 грн
10+ 152 грн
100+ 139 грн
FGH40N60SMD
Код товару: 63296		 fgh40n60smd-d.pdf
FGH40N60SMD
Виробник: FAIR/ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 349 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 12/92
у наявності: 143 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+205 грн
10+ 186 грн
FGA40N60UFDTU FAIRS25258-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FGA40N60UFDTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT, 40A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns
Switching Energy: 470µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 77 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 160 W
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
142+156.32 грн
Мінімальне замовлення: 142
FGAF40N60SMD fgaf40n60smd-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
IGBT 600V 80A 115W   FGAF40N60SMD TFGAF40N60smd
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+240.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
FGAF40N60UFDTU FAIRS25147-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FGAF40N60UFDTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PF
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns
Switching Energy: 470µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 77 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 2512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
122+164.96 грн
Мінімальне замовлення: 122
FGAF40N60UFTU fgaf40n60uf-d.pdf
FGAF40N60UFTU
Виробник: onsemi
Description: IGBT 600V 40A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PF
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns
Switching Energy: 470µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 77 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+225.47 грн
30+ 171.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGAF40N60UFTU FAIRS46118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FGAF40N60UFTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT
Packaging: Bulk
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
164+121.73 грн
Мінімальне замовлення: 164
FGH40N60SFD
Виробник: Fairchaild
IGBT транзистор - [TO-247-3]; Uкэ.макс 600 V, 40 A Field Stop
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+312.64 грн
10+ 261.28 грн
FGH40N60SFDTU fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf
FGH40N60SFDTU
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns
Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+360.9 грн
FGH40N60SFTU FAIR-S-A0002366253-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FGH40N60SFTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
на замовлення 13230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
122+164.96 грн
Мінімальне замовлення: 122
FGH40N60SFTU fgh40n60sf-d.pdf
FGH40N60SFTU
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns
Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+291.03 грн
FGH40N60SMD-F085 fgh40n60smd_f085-d.pdf
FGH40N60SMD-F085
Виробник: onsemi
Description: IGBT 600V 80A 349W TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/110ns
Switching Energy: 920µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+420.69 грн
30+ 323.16 грн
120+ 289.13 грн
FGH40N60UFDTU fgh40n60ufd-d.pdf
FGH40N60UFDTU
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/112ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+310.48 грн
30+ 236.82 грн
120+ 202.99 грн
FGI40N60SFTU FAIRS28353-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FGI40N60SFTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT, 80A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns
Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
84+238.8 грн
Мінімальне замовлення: 84
HGTG40N60A4 hgtg40n60a4-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247   HGTG40N60A4 THGTG40n60a4
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+491.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
HGTG40N60C3 FAIRS15573-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTG40N60C3
Виробник: Harris Corporation
Description: 75A, 600V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/185ns
Switching Energy: 850mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 395 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 291 W
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+403.76 грн
Мінімальне замовлення: 50
HGTG40N60C3R HRISS535-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTG40N60C3R
Виробник: Harris Corporation
Description: 75A, 600V N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 330 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 291 W
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
45+557.42 грн
Мінімальне замовлення: 45
IGW40N60H3FKSA1 IGW40N60H3-DTE.pdf
IGW40N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 306W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 306W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IGW40N60H3FKSA1 IGW40N60H3_Rev2_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043293a15c401293a9970bb0008
IGW40N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/197ns
Switching Energy: 1.68mJ
Test Condition: 400V, 40A, 7.9Ohm, 15V
Gate Charge: 223 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 306 W
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+297.51 грн
30+ 226.81 грн
120+ 194.42 грн
IGW40N60H3FKSA1 infineon-igw40n60h3-ds-v02_03-en.pdf
IGW40N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+148.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGW40N60H3FKSA1 IGW40N60H3_Rev2_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043293a15c401293a9970bb0008
Виробник: Infineon
IGBT 600V 80A 306W   IGW40N60H3FKSA1 TIGW40n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+227.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGW40N60TPXKSA1 Infineon-IGW40N60TP-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a495a2ae24852
IGW40N60TPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH/FS 600V 67A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/222ns
Switching Energy: 1.06mJ (on), 610µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10.1Ohm, 15V
Gate Charge: 177 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 246 W
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+189.46 грн
30+ 146.76 грн
120+ 120.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N60RFFKSA1 IHW40N60RF_ver2_3G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043271faefd01272867e39e4d58
IHW40N60RFFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/175ns
Switching Energy: 560µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
123+162.3 грн
Мінімальне замовлення: 123
IHW40N60RFKSA1 IHW40N60R_2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304316f66ee80117545f8f30066f
IHW40N60RFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/193ns
Switching Energy: 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 223 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
121+166.3 грн
Мінімальне замовлення: 121
IKFW40N60DH3EXKSA1 Infineon-IKFW40N60DH3E-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc8016034ff098b2df8
IKFW40N60DH3EXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 34A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/144ns
Switching Energy: 870µJ (on), 360µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 107 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 111 W
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+375.31 грн
30+ 286.19 грн
120+ 245.3 грн
IKW40N60DTPXKSA1 Infineon-IKW40N60DTP-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153cbc2c3c17cc3
IKW40N60DTPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 67A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 87 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/222ns
Switching Energy: 1.06mJ (on), 610µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10.1Ohm, 15V
Gate Charge: 177 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 246 W
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+204.58 грн
30+ 156.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N60H3FKSA1 IKW40N60H3.pdf
IKW40N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+410.13 грн
3+ 342.68 грн
4+ 262.21 грн
9+ 247.64 грн
IKW40N60H3FKSA1 IKW40N60H3.pdf
IKW40N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+492.15 грн
3+ 427.03 грн
4+ 314.65 грн
9+ 297.17 грн
IKW40N60H3FKSA1 IKW40N60H3_Rev2_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043293a15c401293aacb8b8002d
IKW40N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 124 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/197ns
Switching Energy: 1.68mJ
Test Condition: 400V, 40A, 7.9Ohm, 15V
Gate Charge: 223 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 306 W
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+350.1 грн
30+ 267.25 грн
120+ 229.07 грн
510+ 191.09 грн
1020+ 163.62 грн
IRFPS40N60K
Виробник: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 130mOhm; 40A; 570W; -55°C ~ 150°C; IRFPS40N60K TIRFPS40n60k
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+324.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
MGY40N60
Виробник: onsemi
Description: IGBT 66A, 600V, N CHANNEL, TO 26
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 12095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
66+304.66 грн
Мінімальне замовлення: 66
MGY40N60D mgy40n60d.rev1.pdf?t.download=true&u=ovmfp3
Виробник: onsemi
Description: TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 66A 3P
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
62+325.28 грн
Мінімальне замовлення: 62
NGTB40N60IHLWG NGTB40N60IHLWG.pdf
NGTB40N60IHLWG
Виробник: onsemi
Description: IGBT 600V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/140ns
Switching Energy: 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 452462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
123+162.3 грн
Мінімальне замовлення: 123
NGTB40N60L2WG ngtb40n60l2w-d.pdf
NGTB40N60L2WG
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.61V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 98ns/213ns
Switching Energy: 1.17mJ (on), 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 228 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 417 W
на замовлення 2092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
88+228.82 грн
Мінімальне замовлення: 88
NVHL040N60S5F nvhl040n60s5f-d.pdf
NVHL040N60S5F
Виробник: onsemi
Description: SUPERFET5 FRFET, 40MOHM, TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 347W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 7.2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6318 pF @ 400 V
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+679.3 грн
10+ 560.36 грн
SGH40N60UFDTU SGH40N60UFD.pdf
SGH40N60UFDTU
Виробник: onsemi
Description: IGBT 600V 40A 160W TO3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns
Switching Energy: 160µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 160 W
на замовлення 195573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
129+154.99 грн
Мінімальне замовлення: 129
SGH40N60UFTU FAIRS45884-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SGH40N60UFTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns
Switching Energy: 160µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 160 W
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
80+252.1 грн
Мінімальне замовлення: 80
SGH40N60UFTU sgh40n60uf-d.pdf
SGH40N60UFTU
Виробник: onsemi
Description: IGBT 600V 40A TO3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns
Switching Energy: 160µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 160 W
на замовлення 108626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
80+252.1 грн
Мінімальне замовлення: 80
SGP40N60UFTU FAIRS27228-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SGP40N60UFTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns
Switching Energy: 160µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 160 W
на замовлення 51224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
80+251.44 грн
Мінімальне замовлення: 80
SIHD240N60E-GE3 sihd240n60e.pdf
SIHD240N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 783 pF @ 100 V
на замовлення 3070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+162.8 грн
10+ 130.48 грн
100+ 103.82 грн
500+ 82.45 грн
1000+ 69.95 грн
3000+ 66.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHFPS40N60K-GE3 sihfps40n60k.pdf
SIHFPS40N60K-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: POWER MOSFET SUPER-247, 130 M @
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 570W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7970 pF @ 25 V
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+461.75 грн
30+ 355.12 грн
120+ 317.74 грн
SIHG40N60E-GE3 sihg40n60e.pdf
SIHG40N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4436 pF @ 100 V
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+440.14 грн
25+ 338.66 грн
100+ 303 грн
500+ 250.9 грн
SIHH240N60E-T1-GE3 sihh240n60e.pdf
SIHH240N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 12A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 783 pF @ 100 V
на замовлення 2786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+179.37 грн
10+ 145.12 грн
100+ 117.38 грн
500+ 97.92 грн
1000+ 83.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP240N60E-GE3 sihp240n60e.pdf
SIHP240N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795 pF @ 100 V
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+190.18 грн
50+ 147.05 грн
100+ 120.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB40N60M2 en.DM00089185.pdf
STB40N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+395.48 грн
10+ 319.65 грн
100+ 258.6 грн
500+ 215.71 грн
STB40N60M2 en.DM00089185.pdf
STB40N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+204.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STF40N60M2 en.DM00116766.pdf
STF40N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 136A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+426.56 грн
3+ 272.62 грн
9+ 258.05 грн
STF40N60M2 en.DM00116766.pdf
STF40N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 136A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+511.87 грн
3+ 339.72 грн
9+ 309.66 грн
STF40N60M2 en.DM00116766.pdf
STF40N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 1089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+386.83 грн
50+ 295.51 грн
100+ 253.29 грн
500+ 211.29 грн
1000+ 180.92 грн
STP40N60M2 en.DM00089185.pdf
STP40N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 34A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+355.86 грн
50+ 271.72 грн
100+ 232.9 грн
500+ 194.28 грн
1000+ 166.36 грн
STW40N60M2 1489dm00089185.pdf
STW40N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+290.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW40N60M2 en.DM00089185.pdf
STW40N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 34A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+517.94 грн
30+ 398.27 грн
120+ 356.35 грн
510+ 295.08 грн
STWA40N60M2 stwa40n60m2.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 34A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+420.69 грн
10+ 339.9 грн
100+ 274.93 грн
600+ 229.34 грн
Транзистор IGBT FGH40N60SFD 40A 600V TO-247
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+192.3 грн
Транзистор IGBT FGH40N60SMD 40A 600V TO-247
на замовлення 12 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+151.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
Транзистор IGBT FGH40N60UFD 40A 600V TO-247
на замовлення 26 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+206.45 грн
Транзистор IGBT IHW40N60RF(H40RF60) 80A 600V TO-247
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+154.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
Транзистор IGBT SGT40N60NPFDP 40A 600V TO-3P
на замовлення 24 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+69.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGAF40N60UFDTU FAIRS25147-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 10800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]