Продукція > FDP

Description: PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 1M

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP-14-T

Panasonic Industrial Automation

Headers & Wire Housings 14P DIP PLUG TIN PLATED

товар відсутній

FDP-1500

Sensor Fixings & Accessories PROTECTIVE TUBE FOR M6 DIF. FIBER, 1.5M LENGTH

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2301.65 грн
10+	2041.9 грн
25+	1696.52 грн

FDP-16-T

Conn IDC Connector M 16 POS 1.27mm Solder RA Thru-Hole

товар відсутній

FDP-24-T

Conn IDC Connector PL 24 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole Tray

товар відсутній

FDP-308-T

Description: PLUG FLAT CABLE IDC 8P 2.54MM PI
Features: Feed Through
Packaging: Tray
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 8
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2

на замовлення 476 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.05 грн
10+	45.39 грн
25+	43.51 грн
40+	39.97 грн
204+	38.24 грн
408+	34.76 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDP-308-T

FDP-308-T

товар відсутній

FDP-310-T

Description: PLUG FLAT CABLE IDC 10P 2.54MM P
Features: Feed Through
Packaging: Tray
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 10
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.82 грн
10+	54.46 грн
25+	52.23 грн
40+	47.97 грн
180+	45.88 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDP-310-T

Headers & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 10P 2.54MM P

товар відсутній

FDP-310-T

Conn IDC Connector PL 10 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole

товар відсутній

FDP-314-G

CONNECTOR, IDC DIP PLUG

товар відсутній

FDP-314-SG

CONNECTOR, IDC DIP PLUG

товар відсутній

FDP-314-T

FDP-314-T

товар відсутній

FDP-314-T

Description: PLUG FLAT CABLE IDC 14P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 14
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2

на замовлення 145 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.11 грн
10+	53.9 грн
25+	51.7 грн
40+	47.5 грн
144+	45.43 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDP-314-T

Headers & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 14P 2.54MM P

товар відсутній

FDP-314-T

Conn IDC Connector PL 14 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole

товар відсутній

FDP-316-SG

FDP-316-SG

товар відсутній

FDP-316-T

Conn IDC Connector PL 16 POS 1.27mm Solder RA Thru-Hole

товар відсутній

FDP-316-T

Description: PLUG FLAT CABLE IDC 16P 2.54MM P
Features: Feed Through
Packaging: Tray
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 16
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2

на замовлення 187 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.13 грн
10+	76.6 грн
25+	73.48 грн
40+	67.48 грн
120+	64.55 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP-318-T

Conn IDC Connector PL 18 POS 1.27mm Solder RA Thru-Hole

товар відсутній

FDP-318-T

Description: PLUG FLAT CABLE IDC 18P 2.54MM P
Features: Feed Through
Packaging: Tray
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 18
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2

на замовлення 272 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	98.44 грн
10+	82.76 грн
25+	79.24 грн
40+	72.73 грн
108+	69.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP-318-T

Flat Cable IDC Plug 18P 2.54mm Pitch

товар відсутній

FDP-320-T

Description: PLUG FLAT CABLE IDC 20P 2.54MM P
Features: Feed Through
Packaging: Tray
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 20
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2

товар відсутній

FDP-320-T

Flat Cable IDC Plug 20P 2.54mm Pitch

товар відсутній

FDP-324-T

Description: PLUG FLAT CABLE IDC 24P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 24
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2

на замовлення 132 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.5 грн
10+	90.64 грн
25+	86.8 грн
40+	79.64 грн
84+	76.03 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP-324-T

Conn IDC Connector PL 24 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole

товар відсутній

FDP-328-T

Description: PLUG FLAT CABLE IDC 28P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 28
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2

на замовлення 83 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	117.84 грн
10+	98.53 грн
25+	94.35 грн
72+	86.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP-328-T

Flat Cable IDC Plug 28P 2.54mm Pitch

товар відсутній

FDP-334-T

Conn IDC Connector PL 34 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole

товар відсутній

FDP-500

Description: PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 500MM

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP-624-T

Flat Cable IDC Plug 24P 2.54mm Pitch

товар відсутній

FDP-624-T

Description: PLUG FLAT CABLE IDC 24P 2.54MM P

на замовлення 169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP-624-T

Conn IDC Connector PL 24 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole

товар відсутній

FDP-628-T

Description: PLUG FLAT CABLE IDC 28P 2.54MM P
Features: Feed Through
Packaging: Tray
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 28
Row Spacing: 0.600" (15.24mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2

товар відсутній

FDP-628-T

Flat Cable IDC Plug 28P 2.54mm Pitch

товар відсутній

FDP-632-T

Conn IDC Connector PL 32 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole

товар відсутній

FDP-632-T

Flat Cable IDC Plug 32P 2.54mm Pitch

товар відсутній

FDP-632-T

Description: PLUG FLAT CABLE IDC 32P 2.54MM P
Features: Feed Through
Packaging: Tray
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 32
Row Spacing: 0.600" (15.24mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2

на замовлення 249 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.5 грн
10+	90.64 грн
25+	86.8 грн
60+	79.64 грн
120+	76.03 грн
240+	68.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP-634-T

Conn IDC Connector PL 34 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole

товар відсутній

FDP-636-T

Description: PLUG FLAT CABLE IDC 36P 2.54MM P

на замовлення 176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP-636-T

FDP-636-T

товар відсутній

FDP-640-T

Conn IDC Connector PL 40 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole

товар відсутній

FDP-640-T

Description: PLUG FLAT CABLE IDC 40P 2.54MM P

на замовлення 123 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP-N1000

Panasonic Industrial Automation

Description: PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 1M
Packaging: Box
For Use With/Related Products: FX-300 Series
Accessory Type: Protective Tube

товар відсутній

FDP-N1000

Sensor Fixings & Accessories PROTECTIVE TUBE FOR M4 DIF. FIBER, 1M LENGTH

товар відсутній

FDP-N500

Description: PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 500MM

товар відсутній

FDP01

ECUGEN

на замовлення 73 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP020N06B

onsemi FET 60V 1.5 MOHM TO220

товар відсутній

FDP020N06B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 60V 313A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP020N06B-F102

MOSFET N-Channel PwrTrench 60V 313A 2mOhm

на замовлення 715 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	427.78 грн
10+	354.45 грн
50+	233.15 грн
100+	213.89 грн
250+	211.9 грн
500+	197.95 грн
1000+	178.69 грн

FDP020N06B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 60V 313A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP020N06B-F102

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 268 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20930 pF @ 30 V

на замовлення 1705 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	394.48 грн
50+	300.85 грн
100+	257.87 грн
500+	215.11 грн
1000+	184.19 грн

FDP020N06B-F102

на замовлення 720 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP020N06B-F102

Description: ONSEMI - FDP020N06B-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDP022AN03LD0-EVAL

на замовлення 1672 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP023601-20

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP023N08B

Description: 75V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

FDP023N08B

Description: ONSEMI - FDP023N08B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 21759 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

156+	232.49 грн

Мінімальне замовлення: 156

FDP023N08B

onsemi FET 80V 2.7 MOHM TO220

товар відсутній

FDP023N08B-F102

MOSFET FET 75V 2.35 MOHM TO220

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	261.16 грн
10+	218.47 грн
50+	187.32 грн
100+	138.17 грн
250+	119.57 грн
500+	113.59 грн
1000+	109.6 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP023N08B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 75V 242A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP023N08B-F102

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13765 pF @ 37.5 V

на замовлення 7708 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	240 грн
50+	183.25 грн
100+	157.08 грн
500+	131.03 грн
1000+	112.2 грн
2000+	105.65 грн
5000+	99.7 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP023N08B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 75V 242A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP023N08B-F102

Description: ONSEMI - FDP023N08B-F102 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 20529 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

185+	195.98 грн

Мінімальне замовлення: 185

FDP025N06

Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP025N06
Код товару: 189620

товар відсутній

FDP025N06

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	311.85 грн

FDP025N06

Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP025N06

на замовлення 950 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP025N06

Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP025N06

MOSFET 60V N-Channel PowerTrench

на замовлення 68 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	319.29 грн
10+	280.35 грн
50+	235.15 грн
100+	196.62 грн
250+	185.99 грн
500+	165.4 грн
1000+	154.77 грн

FDP025N06

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V

на замовлення 1401 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

119+	168.53 грн

Мінімальне замовлення: 119

FDP027N08B

onsemi FET 80V 2.7 MOHM TO220

товар відсутній

FDP027N08B

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V

товар відсутній

FDP027N08B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 80V 223A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP027N08B-F102

MOSFET N-Channel PwrTrench 80V 223A 2.7mOhm

на замовлення 1893 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	225.52 грн
10+	193.27 грн
50+	162.74 грн
100+	136.17 грн
250+	132.19 грн
500+	118.9 грн
1000+	100.3 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP027N08B-F102

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V

на замовлення 740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	207.66 грн
50+	158.67 грн
100+	136.01 грн
500+	113.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP027N08B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 80V 223A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP027N08B-F102

Description: ONSEMI - FDP027N08B-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 223 A, 0.00221 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 246W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00221ohm

на замовлення 420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	248.88 грн
10+	186.29 грн
100+	151.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP027N08B-F102
Код товару: 194545

товар відсутній

FDP027N08B_F102

Description: FDP027N08B_F102

на замовлення 195 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP030N06

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 138A; 205W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 138A
Power dissipation: 205W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDP030N06

Trans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP030N06

товар відсутній

FDP030N06

Description: ONSEMI - FDP030N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 231
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 231
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDP030N06

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V

на замовлення 867 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	306.1 грн
50+	233.63 грн
100+	200.25 грн
500+	167.04 грн

FDP030N06

Trans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP030N06

Trans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP030N06

MOSFET NCH 60V 3.0Mohm

на замовлення 998 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	332.46 грн
10+	275 грн
25+	225.18 грн
100+	193.3 грн
250+	182.01 грн
500+	172.04 грн
1000+	152.78 грн

FDP030N06B

Description: 1-ELEMENT, N-CHANNEL, MOS FET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

185+	107.49 грн

Мінімальне замовлення: 185

FDP030N06B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 60V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	73.23 грн

Мінімальне замовлення: 50

FDP030N06B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 60V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP030N06B-F102

MOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 195A, 3.1mO

на замовлення 1266 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	172.82 грн
10+	136.74 грн
100+	97.65 грн
500+	80.38 грн
800+	64.7 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP030N06B-F102

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 30 V

на замовлення 1495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	159.52 грн
50+	123.12 грн
100+	101.3 грн
500+	80.44 грн
1000+	68.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP030N06B-F102

на замовлення 134 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP030N06B-F102

Description: ONSEMI - FDP030N06B-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDP032N08

Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 37691 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	264.2 грн
48+	244.88 грн
50+	242.47 грн
100+	226.33 грн
250+	205.54 грн
500+	186.48 грн
1000+	169.05 грн

Мінімальне замовлення: 45

FDP032N08

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V

на замовлення 924 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	380.83 грн
50+	290.43 грн
100+	248.94 грн
500+	207.67 грн

FDP032N08

Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 37691 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	245.33 грн
10+	227.39 грн
50+	225.15 грн
100+	210.16 грн
250+	190.86 грн
500+	173.16 грн
1000+	156.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP032N08

Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP032N08

Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP032N08

MOSFET 75V N-Channel PowerTrench

на замовлення 908 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	303.79 грн
10+	283.41 грн
50+	223.85 грн
100+	205.92 грн
250+	203.26 грн
500+	189.98 грн
1000+	173.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP032N08-F102

Description: ONSEMI - FDP032N08-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

FDP032N08-F102

N-Channel PowerTrench® MOSFET

товар відсутній

FDP032N08-F102

MOSFET PT3 MV 75V 3.2mohm for Delta

товар відсутній

FDP032N08-F102

N-Channel PowerTrench® MOSFET

товар відсутній

FDP032N08-F102

Description: MOSFET N-CHANNEL 75V 120A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP032N08B

onsemi FET 80V 3.1 MOHM TO220

товар відсутній

FDP032N08B

Description: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 80V
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

FDP032N08B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 80V 211A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP032N08B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 80V 211A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP032N08B-F102

MOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET 80V, 211A, 3.3mO

на замовлення 74 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	204.59 грн
10+	169.59 грн
50+	142.15 грн
100+	118.9 грн
500+	105.62 грн
1000+	85.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP032N08B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 80V 211A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP032N08B-F102

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10965 pF @ 40 V

на замовлення 476 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	186.82 грн
50+	142.11 грн
100+	121.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP032N08B-F102

Description: ONSEMI - FDP032N08B-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDP036N10A

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP036N10A

Fairchild/ON Semiconductor

MOSFET PT5 NCH 100V 3.6Mohm PowerTrench MOSFET

на замовлення 8426 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	293.71 грн
10+	282.64 грн
50+	214.56 грн
100+	195.96 грн
250+	193.96 грн
500+	174.04 грн
1000+	160.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP036N10A

N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 120 А; Ptot, Вт = 227; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 7295 @ 25; Qg, нКл = 116 @ 10 В; Rds = 3,6 мОм @ 75 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB-3

на замовлення 10 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

2+	416.74 грн
10+	388.95 грн
100+	361.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP036N10A

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	401.8 грн
10+	357.26 грн
100+	289.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP036N10A

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V

на замовлення 1671 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	355.68 грн
50+	271.17 грн
100+	232.43 грн
500+	193.89 грн
1000+	166.02 грн

FDP036N10A
Код товару: 94301

Мікросхеми > Інші мікросхеми
8542 39 90 00

товар відсутній

FDP036N10A

Description: ONSEMI - FDP036N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	410.58 грн
10+	306.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP036N10A

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	432.71 грн
31+	384.74 грн
100+	312.25 грн

Мінімальне замовлення: 27

FDP036N10A

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP038AN06

на замовлення 5863 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP038AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	237.84 грн
50+	181.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP038AN06A0
Код товару: 51728

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товар відсутній

FDP038AN06A0

Description: ONSEMI - FDP038AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 310
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDP038AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP038AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	121.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP038AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

61+	193.86 грн
62+	188.08 грн
70+	168.62 грн
100+	152.14 грн
250+	124.13 грн
500+	117.4 грн

Мінімальне замовлення: 61

FDP038AN06A0

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 76 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	285.25 грн
3+	247.47 грн
6+	188.48 грн
15+	178.52 грн
250+	176.86 грн

FDP038AN06A0

на замовлення 76 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	237.71 грн
3+	198.59 грн
6+	157.07 грн
15+	148.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP038AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP038AN06A0

MOSFET 60V 80a .38 Ohms/VGS=1V

на замовлення 6951 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	191.42 грн
10+	187.15 грн
50+	142.15 грн
100+	114.92 грн
250+	110.27 грн
500+	109.6 грн
800+	108.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP038AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	178.62 грн
10+	173.29 грн
50+	155.37 грн
100+	140.18 грн
250+	114.37 грн
500+	108.17 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP038AN06A0-F102

MOSFET 60V80A3.8OHMS MOSFET NCH PWR TRENCH

товар відсутній

FDP038AN06A0-F102

N-Channel PowerTrench MOSFET

товар відсутній

FDP038AN06A0-F102

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP038AN06A0-F102

Description: ONSEMI - FDP038AN06A0-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 310
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Power Trench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товар відсутній

FDP038AN06A0-F102

N-Channel PowerTrench MOSFET

товар відсутній

FDP038AN06A0_Q

MOSFET

товар відсутній

FDP039N08B

Description: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 80V
Packaging: Bulk

на замовлення 1390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

124+	160.57 грн

Мінімальне замовлення: 124

FDP039N08B

Description: ONSEMI - FDP039N08B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

148+	244.41 грн

Мінімальне замовлення: 148

FDP039N08B

onsemi FET 80V 3.9 MOHM TO220

товар відсутній

FDP039N08B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 80V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP039N08B-F102

MOSFET Hi Intg PWM contrlr Green-Mode

на замовлення 1263 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	542.48 грн
10+	458.34 грн
50+	375.97 грн
100+	320.17 грн
250+	291.61 грн
500+	251.75 грн
1000+	251.09 грн

FDP039N08B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 80V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 293 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	201.13 грн
10+	195.82 грн
25+	167.28 грн
100+	159.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP039N08B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 80V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP039N08B-F102

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9450 pF @ 40 V

на замовлення 684 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	568.37 грн
10+	494.18 грн
100+	409.14 грн
500+	334.35 грн

FDP039N08B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 80V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP039N08B-F102

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9450 pF @ 40 V

на замовлення 399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

69+	315.44 грн

Мінімальне замовлення: 69

FDP039N08B-F102

Description: ONSEMI - FDP039N08B-F102 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

75+	477.65 грн

Мінімальне замовлення: 75

FDP040N06

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

161+	124.08 грн

Мінімальне замовлення: 161

FDP040N06

Description: ONSEMI - FDP040N06 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

194+	135.62 грн

Мінімальне замовлення: 194

FDP040N06

MOSFET PT3 Low Qg 60V, 4.0Mohm

товар відсутній

FDP040N06

Trans MOSFET N-CH 60V 168A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

товар відсутній

FDP045N10A

onsemi FET 100V 4.5 MOHM TO220

товар відсутній

FDP045N10A

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V

товар відсутній

FDP045N10A-F032

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP045N10A-F032

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V

товар відсутній

FDP045N10A-F032

товар відсутній

FDP045N10A-F102

Description: ONSEMI - FDP045N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0038 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm

на замовлення 547 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	353.95 грн
10+	257.83 грн
100+	225.78 грн
500+	170.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP045N10A-F102

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 786 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

38+	309.3 грн
39+	306.2 грн
50+	246.59 грн
100+	204.4 грн
250+	187.39 грн
500+	161.8 грн

Мінімальне замовлення: 38

FDP045N10A-F102

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP045N10A-F102

MOSFET 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET

на замовлення 749 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	292.16 грн
50+	228.41 грн
100+	170.71 грн
500+	160.75 грн
800+	121.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP045N10A-F102

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V

на замовлення 374 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	268.74 грн
50+	205.17 грн
100+	175.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP045N10A-F102

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 786 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	287.21 грн
10+	284.32 грн
50+	228.97 грн
100+	189.8 грн
250+	174 грн
500+	150.24 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP045N10AF102

Description: 120A, 100V, N-CHANNEL POWER MOSF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V

товар відсутній

FDP047AN08A0

Description: MOSFET N-CH 75V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V

на замовлення 1828 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	220.59 грн
50+	168.04 грн
100+	144.03 грн
500+	120.15 грн
1000+	102.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP047AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP047AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	113.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP047AN08A0

MOSFET 75V N-Ch PowerTrench

на замовлення 360 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	238.69 грн
10+	197.85 грн
50+	162.08 грн
100+	138.83 грн
250+	130.86 грн
500+	123.55 грн
1000+	110.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP047AN08A0

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	220.57 грн
3+	184.05 грн
6+	137.7 грн
17+	130.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP047AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	208.76 грн
10+	180.69 грн
50+	173.13 грн
100+	143.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP047AN08A0

на замовлення 19 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	264.68 грн
3+	229.36 грн
6+	165.23 грн
17+	156.1 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP047AN08A0
Код товару: 119329

товар відсутній

FDP047AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 288 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

81+	144.3 грн
85+	138.09 грн
88+	132.83 грн
100+	123.75 грн
250+	111.1 грн

Мінімальне замовлення: 81

FDP047AN08A0-F102

Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V

товар відсутній

FDP047AN08A0-F102

MOSFET SNGL NCH 75V 4.7MOHM ULTRAFET TRENCH

товар відсутній

FDP047AN08A0_NL

на замовлення 11629 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP047AN08AO

07+ QFP

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP047AN08AO

08+

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP047AN08AO

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP047N08

Description: MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 25 V

на замовлення 34210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	217 грн
50+	165.7 грн
100+	142.03 грн
500+	118.48 грн
1000+	101.45 грн
2000+	95.52 грн
5000+	90.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP047N08

MOSFET 75V N-Channel PowerTrench

на замовлення 4099 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	235.59 грн
10+	195.56 грн
50+	160.09 грн
100+	128.2 грн
250+	117.57 грн
500+	108.94 грн
1000+	98.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP047N08

на замовлення 740 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP047N08

Trans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP047N08

Trans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP047N08-F10

Description: ONSEMI - FDP047N08-F10 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

на замовлення 432 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

117+	225.78 грн

Мінімальне замовлення: 117

FDP047N08-F10

Description: 164A, 75V, N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 432 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

97+	205.69 грн

Мінімальне замовлення: 97

FDP047N08-F102

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 116A; Idm: 656A; 168W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 116A
Pulsed drain current: 656A
Power dissipation: 168W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 24 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	198.51 грн
3+	172.45 грн
8+	126.21 грн
22+	119.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP047N08-F102

Description: ONSEMI - FDP047N08-F102 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 15597 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	128.91 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDP047N08-F102

Trans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP047N08-F102

на замовлення 2396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	186.1 грн
10+	148.56 грн
100+	118.24 грн
800+	93.9 грн
1600+	79.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP047N08-F102

Trans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP047N08-F102

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	138.39 грн
8+	105.17 грн
22+	99.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP047N08-F102

MOSFET PT3 75V

товар відсутній

FDP047N10

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	321.3 грн
10+	269.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP047N10

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP047N10

MOSFET 100V N-Channel PowerTrench

на замовлення 957 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	325.49 грн
10+	271.95 грн
25+	197.28 грн
100+	174.7 грн
250+	164.74 грн
500+	154.77 грн
1000+	145.47 грн

FDP047N10

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP047N10

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP047N10

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V

на замовлення 204 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	301.79 грн
50+	230.37 грн
100+	197.47 грн

FDP050AN06A0

MOSFET N-Channel PowerTrench

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 147-156 дні (днів)

2+	209.24 грн
10+	165.77 грн
100+	118.24 грн
250+	116.91 грн
500+	99.64 грн
800+	85.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP050AN06A0

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 18A; 245W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
Power dissipation: 245W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDP050AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP050AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V

на замовлення 6629 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	189.7 грн
10+	151.67 грн
100+	120.73 грн
500+	95.87 грн
1000+	81.34 грн
2000+	77.28 грн
5000+	73.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP050AN06A0

товар відсутній

FDP050AN06A0

Description: ONSEMI - FDP050AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 245W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 223 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	236.96 грн
10+	188.53 грн
25+	156.48 грн
100+	115.55 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP050AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP050AN06A0_Q

MOSFET N-Channel PowerTrench

товар відсутній

FDP053N08B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP053N08B-F102

Description: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5960 pF @ 40 V

на замовлення 2390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	142.27 грн
10+	122.75 грн
100+	98.64 грн
500+	76.05 грн
1000+	63.02 грн
2000+	58.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP053N08B-F102

MOSFET Smart Power Module

на замовлення 317 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	150.34 грн
10+	119.17 грн
100+	84.36 грн
500+	71.74 грн
1000+	58.06 грн
5000+	56.2 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP053N08B-F102

Description: ONSEMI - FDP053N08B-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDP053N08B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP054N10

Description: ONSEMI - FDP054N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 263
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

товар відсутній

FDP054N10

Trans MOSFET N-CH 100V 144A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP054N10

Trans MOSFET N-CH 100V 144A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP054N10

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13280 pF @ 25 V

на замовлення 866 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	342.03 грн
50+	261.19 грн
100+	223.88 грн
500+	186.76 грн

FDP054N10

MOSFET 100V N-Chan PowerTrench MOSFET

на замовлення 244 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	371.98 грн
10+	307.85 грн
50+	251.75 грн
100+	199.94 грн
250+	179.35 грн
1000+	154.77 грн

FDP060AN08

на замовлення 5589 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP060AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP060AN08A0

Description: MOSFET N-CH 75V 16A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 25 V

на замовлення 5416 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	188.26 грн
50+	143.69 грн
100+	123.16 грн
500+	102.74 грн
1000+	87.97 грн
2000+	82.83 грн
5000+	78.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP060AN08A0

MOSFET 75V 80a .6Ohms/VGS=1V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	204.59 грн
10+	169.59 грн
50+	142.15 грн
100+	118.9 грн
250+	114.25 грн
500+	102.96 грн
1000+	85.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP060AN08A0

Description: ONSEMI - FDP060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0048 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 80
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 255
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 255
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0048
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDP060AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP060AN08A0

FDP060AN08A0 THT N channel transistors

на замовлення 50 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	236.96 грн
7+	143.65 грн
19+	136.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP070AN06A0

MOSFET N-Channel PwrTrench

на замовлення 852 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	172.82 грн
10+	142.08 грн
100+	97.65 грн
250+	96.98 грн
500+	72.4 грн
800+	64.9 грн
5600+	64.7 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP070AN06A0

Description: ONSEMI - FDP070AN06A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1261 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

310+	116.99 грн

Мінімальне замовлення: 310

FDP070AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP070AN06A0

на замовлення 770 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP070AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP070AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 15A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

на замовлення 575 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	181.07 грн
10+	156.58 грн
100+	125.86 грн
500+	97.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP075N15A

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V

товар відсутній

FDP075N15A

onsemi FET 150V 7.5 MOHM TO220

товар відсутній

FDP075N15A-F032

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V

товар відсутній

FDP075N15A-F102

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	425.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP075N15A-F102

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP075N15A-F102

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 92A; 333W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 92A
Power dissipation: 333W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 53 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	500.75 грн
3+	304.45 грн
8+	287.85 грн

FDP075N15A-F102

на замовлення 53 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	600.9 грн
3+	379.39 грн
8+	345.41 грн

FDP075N15A-F102

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP075N15A-F102

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 735 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	329.17 грн
38+	314.66 грн
50+	308.06 грн
100+	275.58 грн
250+	252.39 грн
500+	233.98 грн

Мінімальне замовлення: 36

FDP075N15A-F102

MOSFET 150V NChan PwrTrench

на замовлення 5066 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	432.43 грн
10+	397.99 грн
50+	310.21 грн
100+	273.01 грн
500+	243.12 грн
1000+	231.83 грн

FDP075N15A-F102

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 504 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	317.79 грн
10+	301.25 грн
50+	293.9 грн
100+	259.65 грн
250+	237.33 грн
500+	211.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP075N15A-F102

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 735 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	305.66 грн
10+	292.18 грн
50+	286.05 грн
100+	255.89 грн
250+	234.36 грн
500+	217.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP075N15A-F102

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	238.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP075N15A-F102

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	451.1 грн
29+	408.42 грн
50+	390.56 грн
100+	323.92 грн
250+	293.62 грн
500+	250.48 грн

Мінімальне замовлення: 26

FDP075N15A-F102

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	103.57 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDP075N15A-F102

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V

на замовлення 761 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	413.88 грн
50+	318.06 грн
100+	284.57 грн
500+	235.64 грн

FDP075N15A-F102

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 504 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	315.34 грн
39+	298.92 грн
50+	291.63 грн
100+	257.64 грн
250+	235.5 грн
500+	210.19 грн

Мінімальне замовлення: 37

FDP075N15A-F102

Description: ONSEMI - FDP075N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 0.00625 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	454.55 грн
5+	412.82 грн
10+	371.09 грн
50+	334.2 грн
100+	266.98 грн
250+	263.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP075N15A-F102

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	418.88 грн
10+	379.24 грн
50+	362.67 грн
100+	300.79 грн
250+	272.65 грн
500+	232.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP075N15A_F102
Код товару: 154614

товар відсутній

FDP075N15A_F102

MOSFET 150V NChan PwrTrench

товар відсутній

FDP083N15A

Description: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3

товар відсутній

FDP083N15A

onsemi FET 150V 8.3 MOHM TO220

товар відсутній

FDP083N15A-F102

Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	165.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP083N15A-F102

Description: ONSEMI - FDP083N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 117 A, 0.00685 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 117A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00685ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 1863 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	325.64 грн
10+	254.1 грн
100+	209.39 грн
500+	171.6 грн
1000+	138.6 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP083N15A-F102

MOSFET 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET

на замовлення 9387 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	338.66 грн
10+	295.63 грн
50+	237.14 грн
100+	203.26 грн
500+	176.03 грн
800+	145.47 грн

FDP083N15A-F102

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 294W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
On-state resistance: 8.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	327.13 грн
3+	273.31 грн
4+	208.96 грн
11+	197.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP083N15A-F102

на замовлення 50 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	392.55 грн
3+	340.59 грн
4+	250.76 грн
11+	237.47 грн

FDP083N15A-F102

Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	325.36 грн
40+	297.03 грн
41+	284.49 грн
100+	239.96 грн
500+	193.46 грн
1000+	159.87 грн

Мінімальне замовлення: 36

FDP083N15A-F102

Description: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V

на замовлення 5427 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	321.91 грн
50+	245.35 грн
100+	210.31 грн
500+	175.43 грн
1000+	150.21 грн
2000+	141.44 грн

FDP083N15A_F102

Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	314.84 грн
41+	284.21 грн
50+	268.3 грн
100+	217.59 грн
500+	182.15 грн
800+	154.06 грн
1000+	145.81 грн

Мінімальне замовлення: 37

FDP083N15A_F102

Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP083N15A_F102

Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	293.04 грн
10+	264.53 грн
50+	249.72 грн
100+	202.52 грн
500+	169.54 грн
800+	143.39 грн
1000+	135.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP083N15A_F102

Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP085N10A

Description: MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2695 pF @ 50 V

товар відсутній

FDP085N10A-F102

Description: ONSEMI - FDP085N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 96 A, 0.00735 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00735ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 1073 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	184.05 грн
10+	165.43 грн
100+	132.64 грн
500+	102.41 грн
1000+	72.17 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDP085N10A-F102

Description: MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2695 pF @ 50 V

на замовлення 243 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	184.67 грн
50+	142.9 грн
100+	117.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP085N10A-F102

MOSFET 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET

на замовлення 3803 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	200.72 грн
10+	164.24 грн
100+	113.59 грн
250+	108.27 грн
500+	94.99 грн
1000+	81.7 грн
2500+	78.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP085N10A-F102

Trans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP085N10A-F102

Trans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP085N10A-F102

Trans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP090N10

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	143.37 грн
1000+	118.86 грн
2000+	118.5 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDP090N10

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP090N10

TO-220 09+

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP090N10

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

83+	141.28 грн
1000+	117.12 грн
2000+	116.77 грн

Мінімальне замовлення: 83

FDP090N10

Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8225 pF @ 25 V

на замовлення 12044 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	229.22 грн
50+	175.43 грн
100+	150.38 грн
500+	125.44 грн
1000+	107.41 грн
2000+	101.14 грн
5000+	95.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP090N10

MOSFET 100V 75A N-Chan PowerTrench

на замовлення 8484 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	249.54 грн
10+	207.02 грн
50+	169.39 грн
100+	145.47 грн
250+	136.84 грн
500+	128.87 грн
800+	103.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP090N10

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP100N10

Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V

на замовлення 675 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	232.81 грн
50+	177.66 грн
100+	152.28 грн
500+	127.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP100N10

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	131.96 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDP100N10

MOSFET 100V N-Channel PowerTrench

на замовлення 795 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	252.64 грн
10+	227.64 грн
50+	172.04 грн
100+	146.8 грн
500+	130.19 грн
800+	105.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP100N10

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP100N10

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP100N10

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V

на замовлення 2970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

159+	125.4 грн

Мінімальне замовлення: 159

FDP10AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 12A/75A TO220-3

на замовлення 5110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP10AN06A0

Description: ONSEMI - FDP10AN06A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 5110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

254+	143.07 грн

Мінімальне замовлення: 254

FDP10N60NZ

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 10506 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

229+	86.92 грн

Мінімальне замовлення: 229

FDP10N60NZ

Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP120AN15A0

Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

FDP120AN15A0

Description: ONSEMI - FDP120AN15A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 9998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

368+	98.36 грн

Мінімальне замовлення: 368

FDP120AN15A0

Description: MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP120AN15A0

на замовлення 10798 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

307+	65.02 грн

Мінімальне замовлення: 307

FDP120N10

Trans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP120N10

Trans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP120N10

Description: MOSFET N-CH 100V 74A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5605 pF @ 25 V

на замовлення 1258 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	165.27 грн
50+	127.62 грн
100+	105 грн
500+	83.38 грн
1000+	70.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP120N10

Trans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP120N10

MOSFET N Chan 100V 12Mohm

на замовлення 138 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	179.79 грн
10+	142.08 грн
100+	101.63 грн
500+	84.36 грн
1000+	74.4 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP12N50

Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP12N50

Trans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP12N50

Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V

на замовлення 304 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

304+	76.17 грн

Мінімальне замовлення: 304

FDP12N50

MOSFET 500V N-Channel

товар відсутній

FDP12N50

Description: ONSEMI - FDP12N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.55 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 165
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 165
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товар відсутній

FDP12N50NZ

Trans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP12N50NZ

MOSFET 500V N-Chan MOSFET UniFET-II

на замовлення 7146 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	148.02 грн
10+	143.61 грн
500+	75.73 грн
800+	62.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP12N50NZ

Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP12N50NZ

Description: ONSEMI - FDP12N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.46 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.46
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	142.33 грн
10+	140.09 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDP12N50NZ

Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 25 V

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP12N50NZ

Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP12N50NZ

Trans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP12N60NZ

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1676 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP12N60NZ

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP13AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V

на замовлення 24718 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

307+	70.42 грн

Мінімальне замовлення: 307

FDP13AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP13AN06A0

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP13AN06A0

Description: ONSEMI - FDP13AN06A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 24718 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

368+	98.36 грн

Мінімальне замовлення: 368

FDP13AN06A0_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

FDP13AN06A0

на замовлення 2080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP14AN06LA0

на замовлення 780 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP14AN06LA0

Description: MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V

на замовлення 14481 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

109+	186.85 грн

Мінімальне замовлення: 109

FDP14AN06LA0

Trans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

товар відсутній

FDP14AN06LA0

товар відсутній

FDP150N10

Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP150N10

Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V

на замовлення 227 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	172.45 грн
50+	133.5 грн
100+	109.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP150N10

Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP150N10

MOSFET 100V N-Channel PowerTrench

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	187.54 грн
10+	148.2 грн
100+	105.62 грн
250+	102.3 грн
500+	88.35 грн
1000+	77.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP150N10A

onsemi FET 100V 15.0 MOHM TO220

товар відсутній

FDP150N10A

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 50 V

товар відсутній

FDP150N10A-F102

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube

товар відсутній

FDP150N10A-F102

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 50 V

на замовлення 623 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	166.7 грн
50+	128.87 грн
100+	106.02 грн
500+	84.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP150N10A-F102

Description: ONSEMI - FDP150N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0125 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 91W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	212.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP150N10A-F102

на замовлення 670 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP150N10A-F102

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube

товар відсутній

FDP150N10A-F102
Код товару: 150159

Транзистори > Біполярні NPN

товар відсутній

FDP150N10A-F102

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube

товар відсутній

FDP150N10A-F102

MOSFET N-Channel PwrTrench 100V 50A 15mOhm

на замовлення 10047 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	182.89 грн
10+	145.14 грн
100+	102.96 грн
250+	102.3 грн
500+	81.7 грн
1000+	70.41 грн
2500+	69.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP15N40

Description: MOSFET N-CH 400V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP15N40

Description: ONSEMI - FDP15N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 15 A, 0.24 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товар відсутній

FDP15N40

Trans MOSFET N-CH 400V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP15N40

MOSFET 400V N-Channel

товар відсутній

FDP15N50

MOSFET 15a 500V N-Ch SMPS Power MOSFET

товар відсутній

FDP15N50

Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

на замовлення 5253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

135+	147.11 грн

Мінімальне замовлення: 135

FDP15N50

Description: ONSEMI - FDP15N50 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 5253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

162+	224.29 грн

Мінімальне замовлення: 162

FDP15N50F102

Description: 15A, 500V, 0.38OHM, N CHANNEL ,
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

FDP15N65

Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3095 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP15N65

MOSFET SINGLE N-CH 500V .38OHM SMPS PWR

товар відсутній

FDP16AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP16AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	74.13 грн
10+	69.82 грн
100+	64.26 грн
250+	58.87 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDP16AN08A0

MOSFET 75V 58a 0.016 Ohms/VGS=10V

на замовлення 920 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	103.85 грн
10+	90.14 грн
100+	65.5 грн
250+	63.04 грн
500+	58.72 грн
1000+	52.34 грн
2500+	52.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP16AN08A0

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 44A; 135W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 44A
Power dissipation: 135W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDP16AN08A0

товар відсутній

FDP16AN08A0

Description: ONSEMI - FDP16AN08A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

396+	91.65 грн

Мінімальне замовлення: 396

FDP16AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP16AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

146+	79.84 грн
155+	75.19 грн
169+	69.2 грн
250+	63.4 грн

Мінімальне замовлення: 146

FDP16AN08A0

Description: MOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V

на замовлення 766 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	125.03 грн
50+	96.51 грн
100+	79.42 грн
500+	63.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP16N50

Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945 pF @ 25 V

на замовлення 14198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

231+	86.26 грн

Мінімальне замовлення: 231

FDP18N20F

Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP18N20F

Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 47 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	69.28 грн
10+	63.15 грн

Мінімальне замовлення: 9

FDP18N20F

Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP18N20F

Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 47 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP18N20F

MOSFET 200V N-Channel

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	120.89 грн
10+	107.71 грн
100+	72.4 грн
500+	59.98 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP18N20F

Description: ONSEMI - FDP18N20F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.12 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 18
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 100
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товар відсутній

FDP18N50

Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP18N50

Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2821 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.22 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP18N50

Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP18N50

MOSFET 500V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 9652 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	194.52 грн
10+	187.92 грн
50+	104.29 грн
100+	96.32 грн
250+	95.65 грн
500+	91 грн
1000+	81.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP18N50

Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C; FDP18N50 TFDP18n50
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 25 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	119.24 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDP18N50

Description: ONSEMI - FDP18N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.265 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 18
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 235
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.265
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товар відсутній

FDP18N50

Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V

на замовлення 555 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	178.92 грн
50+	136.92 грн
100+	117.37 грн
500+	97.9 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP18N50

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 78 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	149.46 грн
7+	117.63 грн
19+	111.4 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP18N50

на замовлення 78 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	213.71 грн
3+	186.25 грн
7+	141.15 грн
19+	133.68 грн
250+	128.7 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP19N40

MOSFET UniFET, 400V

товар відсутній

FDP19N40

Description: ONSEMI - FDP19N40 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товар відсутній

FDP19N40

Description: MOSFET N-CH 400V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2115 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP19N40

Description: MOSFET N-CH 400V 19A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2115 pF @ 25 V

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

197+	101.52 грн

Мінімальне замовлення: 197

FDP19N40

Trans MOSFET N-CH 400V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP1XSZAM63R262X

CONEC

D-Sub Standard Connectors

товар відсутній

FDP20AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO-220AB

товар відсутній

FDP20AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 9A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP20N40

MOSFET 20a 400V N-Ch SMPS Power MOSFET

товар відсутній

FDP20N50

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 67 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	187.78 грн
5+	162.97 грн
9+	115.41 грн
24+	109.6 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP20N50

Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

42+	281.43 грн
45+	260.1 грн
49+	239.57 грн
52+	218.45 грн
100+	192.38 грн
500+	178.26 грн

Мінімальне замовлення: 42

FDP20N50

на замовлення 67 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	156.48 грн
5+	130.78 грн
9+	96.18 грн
24+	91.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP20N50

Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	261.33 грн
10+	241.52 грн
25+	222.46 грн
50+	202.84 грн
100+	178.64 грн
500+	165.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP20N50

N-MOSFET 500V 20A 230mΩ 250W FDP20N50F FDP20N50 CSD18532KCS FDP20N50 Fairchild TFDP20n50
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 5 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	101.33 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDP20N50

Description: ONSEMI - FDP20N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.23 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 853 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	292.1 грн
10+	232.49 грн
100+	178.09 грн
500+	118.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP20N50

MOSFET 500V NCH UNIFET MOSFET

товар відсутній

FDP20N50

Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP20N50

Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP20N50F

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDP20N50F

товар відсутній

FDP20N50F

Description: ONSEMI - FDP20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 523 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	233.24 грн
10+	163.94 грн
100+	133.38 грн
500+	115.55 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP20N50F

Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP20N50F

MOSFET 500V N-Channel

на замовлення 5058 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	215.44 грн
10+	194.03 грн
50+	146.14 грн
100+	125.54 грн
250+	122.22 грн
500+	111.6 грн
1000+	98.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP20N50F
Код товару: 190678

товар відсутній

FDP20N50F

Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V

на замовлення 795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	198.32 грн
50+	151.6 грн
100+	129.95 грн
500+	108.4 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP20N50F

Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP20N50F

Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP22N50N

Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP22N50N

MOSFET UniFETII 500V 22A

на замовлення 928 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	265.81 грн
10+	220 грн
50+	180.68 грн
100+	154.77 грн
250+	146.14 грн
500+	137.5 грн
1000+	121.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP22N50N
Код товару: 60060

товар відсутній

FDP22N50N

Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 312.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

на замовлення 1323 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	244.31 грн
50+	186.45 грн
100+	159.82 грн
500+	133.32 грн
1000+	114.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP22N50N

Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP22N50N

Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

57+	205.6 грн
62+	190.47 грн
100+	171.61 грн

Мінімальне замовлення: 57

FDP22N50N

Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	190.92 грн
10+	176.86 грн
100+	159.35 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP22N50N

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.2A
Power dissipation: 312.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDP22N50N

Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	218.73 грн
10+	195.45 грн
100+	169.08 грн
500+	146.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP22N50N

товар відсутній

FDP22N50N

Description: ONSEMI - FDP22N50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.185 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 312.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312.5
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 879 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	242.18 грн
10+	218.33 грн
100+	178.84 грн
500+	141.15 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP24AN06LA0

Fairchild

на замовлення 5200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP24AN06LA0

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO-220AB

товар відсутній

FDP24N40

TO220 09+

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP24N40

Description: MOSFET N-CH 400V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP24N40

Trans MOSFET N-CH 400V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

49+	240.07 грн
61+	193.19 грн
100+	174.17 грн
500+	143.48 грн

Мінімальне замовлення: 49

FDP24N40

Description: ONSEMI - FDP24N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 24 A, 0.14 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 227
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 227
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товар відсутній

FDP24N40

MOSFET 400V N-Channel

товар відсутній

FDP24N40

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP24N40

Trans MOSFET N-CH 400V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP24N40

Trans MOSFET N-CH 400V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	222.92 грн
10+	179.39 грн
100+	161.73 грн
500+	133.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP2532

Description: ONSEMI - FDP2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 79 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm

на замовлення 2337 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	283.16 грн
10+	212.37 грн
100+	171.39 грн
500+	144.61 грн
1000+	119.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP2532

MOSFET 150V NCh UltraFET Power Trench

на замовлення 5954 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	268.91 грн
10+	218.47 грн
50+	189.31 грн
100+	156.76 грн
250+	154.11 грн
500+	141.49 грн
800+	130.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP2532

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 107nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB

товар відсутній

FDP2532

товар відсутній

FDP2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP2532
Код товару: 44129

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-263AB
Uds,V: 150 V
Idd,A: 79 A
Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
Монтаж: SMD

товар відсутній

FDP2532

Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 48mOhm; 79A; 310W; -55°C ~ 175°C; FDP2532 TFDP2532
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 20 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	160.18 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDP2532

Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP2552

Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	143.89 грн
10+	131.9 грн
100+	112.13 грн
500+	92.17 грн
1000+	72.46 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDP2552

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; 150W; TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
On-state resistance: 97mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDP2552

Description: MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

на замовлення 388 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	140.12 грн
50+	108.44 грн
100+	89.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP2552

Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP2552

MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench

на замовлення 1518 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	153.44 грн
10+	107.71 грн
100+	79.05 грн
250+	78.38 грн
500+	75.06 грн
800+	57.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP2552

товар відсутній

FDP2552

Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.17 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDP2552_NL

на замовлення 1717 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP2552_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP2552_Q

MOSFET

товар відсутній

FDP2570

Description: MOSFET N-CH 150V 22A TO-220AB

товар відсутній

FDP2572

Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	149.59 грн
100+	119.65 грн
500+	97.69 грн

Мінімальне замовлення: 50

FDP2572

09+ TO220

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP2572

Description: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V

на замовлення 295 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	149.46 грн
50+	115.36 грн
100+	94.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP2572

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 20A; 135W; TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 20A
On-state resistance: 146mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 135W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB

товар відсутній

FDP2572

Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

80+	146.84 грн
100+	117.45 грн
500+	95.89 грн

Мінімальне замовлення: 80

FDP2572

Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 254 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP2572

09+ PLCC-44

на замовлення 850 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP2572

товар відсутній

FDP2572

Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP2572

MOSFET TO-220 N-CH 150V 29A

на замовлення 677 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	161.97 грн
10+	136.74 грн
100+	93.66 грн
250+	87.02 грн
500+	83.7 грн
800+	66.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP2614

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39.3A; 260W; TO220-3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 27mΩ
Drain current: 39.3A
Power dissipation: 260W
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Gate charge: 99nC
Mounting: THT
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 82 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	374.67 грн
3+	325.07 грн
4+	246.61 грн
11+	233.32 грн
250+	224.19 грн

FDP2614

на замовлення 82 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	312.22 грн
3+	260.86 грн
4+	205.5 грн
11+	194.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP2614

Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP2614

Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP2614

на замовлення 3960 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP2614

MOSFET 200V N-Channel PowerTrench

на замовлення 2377 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	252.64 грн
10+	245.21 грн
50+	186.66 грн
100+	170.05 грн
250+	168.06 грн
500+	158.76 грн
800+	140.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP2614

Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	257.51 грн
10+	244.9 грн
50+	224.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP2614

Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

42+	277.32 грн
45+	263.74 грн
50+	241.85 грн

Мінімальне замовлення: 42

FDP2614

Description: MOSFET N-CH 200V 62A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V

на замовлення 9582 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	308.98 грн
50+	235.88 грн
100+	202.18 грн
500+	168.66 грн
1000+	144.42 грн
2000+	135.98 грн

FDP2670

Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3

на замовлення 6893 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP2670

Description: ONSEMI - FDP2670 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 6893 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

227+	159.46 грн

Мінімальне замовлення: 227

FDP26N40

Description: MOSFET N-CH 400V 26A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 265W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3185 pF @ 25 V

на замовлення 164 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	188.26 грн
10+	152.02 грн
100+	122.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP26N40

MOSFET 400V N-Channel

на замовлення 2747 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	220.87 грн
10+	196.32 грн
25+	160.75 грн
100+	139.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP26N40

Fairchild

Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 160mOhm; 26A; 265W; -55°C ~ 150°C; FDP26N40 TFDP26n40
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	140.73 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDP26N40

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 15.6A; 265W; TO220-3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 15.6A
Power dissipation: 265W
Drain-source voltage: 400V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDP26N40

товар відсутній

FDP26N40

Trans MOSFET N-CH 400V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP2710

Trans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP2710

Trans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP2710

Description: MOSFET N-CH 250V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V

на замовлення 320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	273.05 грн
50+	208.24 грн
100+	178.5 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP2710

MOSFET 250V N-Channel PowerTrench

на замовлення 1010 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	297.59 грн
10+	255.14 грн
50+	203.26 грн
100+	172.04 грн
250+	164.07 грн
500+	128.2 грн
1000+	124.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP2710

FDP2710 THT N channel transistors

на замовлення 36 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	347.84 грн
5+	211.73 грн
13+	200.11 грн

FDP2710-F085

Trans MOSFET N-CH 250V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP2710-F085

Description: MOSFET N-CH 250V 4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5690 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP2710-F085

MOSFET 250V NCHAN PwrTrench

на замовлення 558 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDP2710-F085

на замовлення 760 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP2710-F085

Trans MOSFET N-CH 250V 50A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP2710_F085

Description: 4A, 250V, 0.047OHM, N-CHANNEL ,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5690 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP2710_SN00168

Description: 1-ELEMENT, N-CHANNEL
Packaging: Bulk

товар відсутній

FDP2710_SW82258

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP2D3N10C

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 214W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 157A
Pulsed drain current: 888A
Power dissipation: 214W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDP2D3N10C

Description: ONSEMI - FDP2D3N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 222 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 222A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm

на замовлення 976 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	473.18 грн
5+	421.02 грн
10+	368.85 грн
50+	324.52 грн
100+	263.15 грн
250+	254.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP2D3N10C

Trans MOSFET N-CH 100V 222A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP2D3N10C

Description: MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11180 pF @ 50 V

на замовлення 588 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	411.73 грн
50+	316.62 грн
100+	283.29 грн
500+	234.58 грн

FDP2D3N10C

Trans MOSFET N-CH 100V 222A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP2D3N10C

MOSFET PTNG 100/20V inTO220 3L JEDEC GREEN EMC

на замовлення 638 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	447.93 грн
10+	378.13 грн
50+	297.59 грн
100+	273.67 грн
250+	257.73 грн
500+	239.13 грн
1000+	207.25 грн

FDP2D3N10C

товар відсутній

FDP2D9N12C

N-Channel Shielded Gate Power Trench MOSFET 120 V, 2.9 mW, 210 A, Single N-Channel

товар відсутній

FDP2D9N12C

Description: PTNG 120V N-FET TO220

товар відсутній

FDP2D9N12C

MOSFET PTNG 120V N-FET

на замовлення 572 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDP2XPZAM63R262X

CONEC

D-Sub Standard Connectors

товар відсутній

FDP2XSZAM63R262X

CONEC

D-Sub Standard Connectors

товар відсутній

FDP3205

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 25 V

на замовлення 2301 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

254+	84.79 грн

Мінімальне замовлення: 254

FDP3205

товар відсутній

FDP3205

Description: ONSEMI - FDP3205 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2301 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

305+	119.23 грн

Мінімальне замовлення: 305

FDP33N25

Description: MOSFET N-CH 250V 33A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V

на замовлення 771 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	132.93 грн
50+	102.82 грн
100+	84.6 грн
500+	67.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP33N25

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 20.4A; Idm: 132A; 235W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 20.4A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDP33N25
Код товару: 107817

товар відсутній

FDP33N25

Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP33N25

MOSFET 250V N-Channel MOSFET

на замовлення 2812 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	144.14 грн
10+	118.4 грн
100+	81.7 грн
500+	69.08 грн
1000+	59.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP33N25

Description: ONSEMI - FDP33N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 235W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm

на замовлення 1842 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	163.19 грн
10+	121.46 грн
100+	95.38 грн
500+	74.73 грн
1000+	59.4 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDP33N25

на замовлення 580 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP33N25

Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP33N25

товар відсутній

FDP34N33

Description: MOSFET N-CH 330V 34A TO-220

товар відсутній

FDP3632

Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP3632

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP3632

Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 22mOhm; 80A; 310W; -55°C ~ 175°C; FDP3632 TFDP3632
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 5 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	127.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDP3632

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDP3632

товар відсутній

FDP3632

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP3632

MOSFET 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 221-230 дні (днів)

2+	253.41 грн
10+	210.07 грн
100+	148.13 грн
500+	131.52 грн
1000+	114.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP3632 (TO-220AB)
Код товару: 52946

товар відсутній

FDP3632_NL

на замовлення 19219 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP3651U

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 255W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 255W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDP3651U

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

88+	133.63 грн
99+	118.12 грн
116+	100.39 грн

Мінімальне замовлення: 88

FDP3651U

Description: ONSEMI - FDP3651U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm

на замовлення 629 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	172.13 грн
10+	127.42 грн
100+	102.09 грн
500+	81.65 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDP3651U

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	124.09 грн
10+	109.69 грн
100+	93.22 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDP3651U

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5522 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP3651U
Код товару: 144911

товар відсутній

FDP3651U

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP3651U

MOSFET 100V 80A 18 mOHM NCH POWER TREN

на замовлення 323 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	158.09 грн
10+	130.63 грн
100+	91 грн
500+	78.38 грн
800+	63.04 грн
5600+	61.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP3651U

товар відсутній

FDP3651U

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP3651U

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5522 pF @ 25 V

на замовлення 1573 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	163.83 грн
10+	141.64 грн
100+	113.83 грн
500+	87.77 грн
1000+	72.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP3651U

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP3652

Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP3652

MOSFET 100V 61a 0.016 Ohm

на замовлення 359 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	130.97 грн
10+	106.95 грн
100+	74.4 грн
250+	68.42 грн
500+	62.37 грн
1000+	54.2 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP3652

FDP3652 THT N channel transistors

товар відсутній

FDP3652

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP3652

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 430 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.88 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDP3652

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP3652

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP3652_NL

на замовлення 14881 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP3652_Q

MOSFET 100V 61a 0.016 Ohm

товар відсутній

FDP3672

Trans MOSFET N-CH 105V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP3672

Trans MOSFET N-CH 105V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP3672

Description: MOSFET N-CH 105V 5.9A/41A TO220

на замовлення 2267 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP3672

MOSFET 105V 41a 0.033 Ohms/VGS=10V

на замовлення 539 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	136.39 грн
10+	107.71 грн
100+	76.39 грн
500+	64.9 грн
800+	52.54 грн
5600+	50.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP3672

05+06+

на замовлення 24350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP3672

Description: ONSEMI - FDP3672 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 9651 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

413+	87.93 грн

Мінімальне замовлення: 413

FDP3672

FDP3672 THT N channel transistors

товар відсутній

FDP3682

Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	71.25 грн

Мінімальне замовлення: 500

FDP3682
Код товару: 107819

товар відсутній

FDP3682

Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 796 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	106.31 грн
10+	99.31 грн
25+	78.94 грн
100+	75.36 грн
500+	64.66 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDP3682

Description: ONSEMI - FDP3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 32
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 95
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 95
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDP3682

Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

139+	83.77 грн

Мінімальне замовлення: 139

FDP3682

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; 95W; TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 95W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 76 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	136.81 грн
3+	120.72 грн
10+	102.96 грн
11+	88.01 грн
31+	83.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP3682

на замовлення 76 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.87 грн
10+	85.8 грн
11+	73.35 грн
31+	69.19 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP3682

Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP3682

Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP3682

Description: MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V

на замовлення 7161 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	137.96 грн
10+	119.57 грн
100+	96.1 грн
500+	74.1 грн
1000+	61.4 грн
2000+	57.16 грн
5000+	54.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP3682

Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 796 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

102+	114.48 грн
109+	106.95 грн
137+	85.01 грн
139+	81.16 грн
500+	69.63 грн

Мінімальне замовлення: 102

FDP3682

MOSFET 100V 32a .36Ohm/VGS=1V

на замовлення 20887 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	99.97 грн
10+	87.08 грн
100+	65.5 грн
500+	59.58 грн
800+	52.74 грн
2400+	51.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP3682_Q

MOSFET 100V 32a .36Ohm/VGS=1V

товар відсутній

FDP39N20

MOSFET SINGLE N-CH 200V ULTRAFET TRENCH

на замовлення 887 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	222.42 грн
10+	197.85 грн
25+	162.08 грн
100+	140.82 грн
500+	119.57 грн
1000+	100.3 грн
2000+	94.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP39N20

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP39N20

Trans MOSFET N-CH 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	217.95 грн
10+	195.1 грн
25+	186.59 грн
100+	99.8 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP39N20

Trans MOSFET N-CH 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP39N20

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 251W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 25 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

189+	104.52 грн

Мінімальне замовлення: 189

FDP39N20

Trans MOSFET N-CH 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	234.71 грн
56+	210.11 грн
58+	200.95 грн
105+	107.48 грн

Мінімальне замовлення: 50

FDP39N20

Description: ONSEMI - FDP39N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.056 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 39
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 251
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 251
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.056
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товар відсутній

FDP4020P

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP4020P

Trans MOSFET P-CH 20V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R

товар відсутній

FDP4020P

Description: MOSFET P-CH 20V 16A TO-220AB

товар відсутній

FDP4030L

Description: ONSEMI - FDP4030L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 6570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

493+	73.77 грн

Мінімальне замовлення: 493

FDP4030L

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 15 V

на замовлення 6570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

410+	49.75 грн

Мінімальне замовлення: 410

FDP42AN15A0

Description: MOSFET N-CH 150V 5A/35A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP42AN15A0

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 150W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 24A
On-state resistance: 0.107Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 39nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V

товар відсутній

FDP42AN15A0

товар відсутній

FDP42AN15A0

Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP42AN15A0
Код товару: 111207

товар відсутній

FDP42AN15A0

MOSFET 150V 35a .42 Ohms/VGS=1V

на замовлення 17543 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	177.47 грн
10+	140.56 грн
100+	100.3 грн
250+	94.99 грн
500+	81.7 грн
1000+	69.75 грн
5000+	67.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP42AN15A0

Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP42AN15A0

Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 107mOhm; 30A; 150W; -55°C ~ 175°C; FDP42AN15A0 TFDP42an15a0
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 15 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	47.59 грн

Мінімальне замовлення: 20

FDP42AN15AO

на замовлення 1080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP46N30

на замовлення 580 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP4D5N10C

Description: ONSEMI - FDP4D5N10C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3452 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

108+	333.83 грн

Мінімальне замовлення: 108

FDP4D5N10C

Trans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP4D5N10C

Trans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 728 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

58+	203.35 грн

Мінімальне замовлення: 58

FDP4D5N10C

MOSFET FET 100V 128A 4.5 mOhm

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	388.26 грн
10+	326.18 грн
50+	275 грн
100+	233.82 грн
250+	226.51 грн
500+	209.91 грн
1000+	176.03 грн

FDP4D5N10C

Trans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP4D5N10C

Trans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 728 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	188.83 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP4D5N10C

на замовлення 356 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP4D5N10C

Description: MOSFET N-CH 100V 128A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5065 pF @ 50 V

на замовлення 1470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	382.99 грн
10+	310.13 грн
100+	250.88 грн
500+	209.28 грн
1000+	179.19 грн

FDP4D5N10C

Trans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP51N25

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 320W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 30A
Power dissipation: 320W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDP51N25

Description: MOSFET N-CH 250V 51A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 25 V

на замовлення 34 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	184.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP51N25

Description: ONSEMI - FDP51N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 51 A, 0.048 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 3298 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	222.06 грн
10+	153.5 грн
100+	130.4 грн
500+	102.41 грн
1000+	79.84 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP51N25

Trans MOSFET N-CH 250V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85.25 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP51N25

Trans MOSFET N-CH 250V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP51N25

товар відсутній

FDP51N25

MOSFET 250V N-Channel MOSFET

на замовлення 8912 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	204.59 грн
10+	157.36 грн
100+	116.25 грн
500+	98.31 грн
1000+	83.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP51N25

Transistor N-Channel MOSFET; 250V; 30V; 60mOhm; 51A; 320W; -55°C ~ 150°C; FDP51N25 TFDP51n25
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 15 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	81.71 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDP52N20
Код товару: 129721

товар відсутній

FDP52N20

Description: ONSEMI - FDP52N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm

на замовлення 580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	190.02 грн
10+	134.87 грн
100+	111.77 грн
500+	87.18 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP52N20

Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP52N20

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 357W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 33A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDP52N20

Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP52N20

MOSFET 200V N-CHANNEL MOSFET

на замовлення 1616 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	175.14 грн
10+	138.27 грн
100+	99.64 грн
500+	83.7 грн
1000+	70.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP52N20

товар відсутній

FDP52N20

Description: MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP5500

товар відсутній

FDP5500

Description: N CHANNEL ULTRAFET 55V, 80A, 7M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3565 pF @ 25 V

на замовлення 2045 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

133+	162.39 грн

Мінімальне замовлення: 133

FDP5500

Description: ONSEMI - FDP5500 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2045 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

160+	226.53 грн

Мінімальне замовлення: 160

FDP5500-F085

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3565 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP5500-F085

MOSFET 55V NCHAN UltraFET

товар відсутній

FDP5500-F085

Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP5500-F085

Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP55N06

Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP55N06

MOSFET SINGLE N-CH 60V ULTRAFET TRENCH

на замовлення 1013 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	132.52 грн
10+	116.88 грн
100+	79.05 грн
500+	65.7 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP55N06

Description: ONSEMI - FDP55N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 114
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 453 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	124.44 грн
10+	102.09 грн
100+	76.01 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDP55N06

Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP55N06

Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP55N06

Description: MOSFET N-CH 60V 55A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V

на замовлення 185 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	104.91 грн
50+	80.93 грн
100+	64.13 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP5645

Description: ONSEMI - FDP5645 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 317 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

122+	296.57 грн

Мінімальне замовлення: 122

FDP5645

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

товар відсутній

FDP5645

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

на замовлення 317 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

111+	184.17 грн

Мінімальне замовлення: 111

FDP5680

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP5680

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP5680

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

на замовлення 7661 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

182+	118.56 грн

Мінімальне замовлення: 182

FDP5680

товар відсутній

FDP5680

Description: ONSEMI - FDP5680 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 7661 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

201+	180.33 грн

Мінімальне замовлення: 201

FDP5680

MOSFET 60V N-Ch PowerTrench

товар відсутній

FDP5680_Q

MOSFET

товар відсутній

FDP5690

Description: ONSEMI - FDP5690 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 5075 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

235+	154.25 грн

Мінімальне замовлення: 235

FDP5690

TO-220

на замовлення 276 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP5690

Description: MOSFET N-CH 60V 32A TO-220

товар відсутній

FDP5800

MOSFET 60V N-Ch Logic Level MOSFET

на замовлення 3799 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	226.29 грн
10+	200.14 грн
100+	140.82 грн
500+	115.58 грн
1000+	93 грн
2500+	87.02 грн
5000+	83.7 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP5800

Description: MOSFET N-CH 60V 14A/80A TO220-3

на замовлення 1482 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	219.16 грн
10+	189.24 грн
100+	152.12 грн
500+	117.28 грн
1000+	97.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP5800

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP5800

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP5800

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP5800

Description: ONSEMI - FDP5800 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 242mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242mW
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 3425 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	197.47 грн
10+	163.94 грн
25+	137.85 грн
100+	103.1 грн
800+	90.06 грн
1600+	85.59 грн
3200+	80.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP5800
Код товару: 60606

Fairchild

Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Rds(on), Ohm: 6 mOhm
Монтаж: THT

у наявності 1 шт:

1 шт - РАДІОМАГ-Одеса

FDP5800

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8

товар відсутній

FDP5800

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP5N50

Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

товар відсутній

FDP5N50

Description: ONSEMI - FDP5N50 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1761 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

628+	57.38 грн

Мінімальне замовлення: 628

FDP5N50

Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V

на замовлення 1761 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

523+	37.82 грн

Мінімальне замовлення: 523

FDP5N50NZ

Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

на замовлення 3522 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.66 грн
10+	69.26 грн
100+	53.87 грн
500+	42.85 грн
1000+	34.91 грн
2000+	32.86 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP5N50NZ

Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP5N50NZ

MOSFET N-Chan UniFET2 500V

на замовлення 2688 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	114.7 грн
10+	101.6 грн
100+	69.08 грн
500+	56.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP5N50NZ

Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP5N50NZ

Description: ONSEMI - FDP5N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.38 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 78
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 78
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.38
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	110.28 грн
10+	99.11 грн
100+	77.5 грн
500+	59.3 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDP5N60NZ

MOSFET 600V N-Channel MOSFET, UniFET-II

на замовлення 517 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDP5N60NZ

Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP5N60NZ

Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220-3

на замовлення 858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

545+	36.13 грн

Мінімальне замовлення: 545

FDP6030BL

2002 TO-220

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP6030BL

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 15 V

на замовлення 2349 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

516+	41.68 грн

Мінімальне замовлення: 516

FDP6030BL

Description: ONSEMI - FDP6030BL - MOSFET, N-CH, 30V, 40A, 175DEG C, 60W
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 149 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP6030BL

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDP6030BL

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP6030BL_Q

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDP6030L

Description: ONSEMI - FDP6030L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 61536 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

628+	57.38 грн

Мінімальне замовлення: 628

FDP6030L

FAI

2003 TO-220

на замовлення 2160 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP6030L

Description: MOSFET N-CH 30V 48A TO220-3

на замовлення 63536 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

566+	38.63 грн

Мінімальне замовлення: 566

FDP6030L

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDP6035A

на замовлення 4530 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP6035AL

FAIRCHID

99+

на замовлення 2068 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP6035AL

Description: MOSFET N-CH 30V 48A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V

товар відсутній

FDP6035AL

на замовлення 106637 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

221+	97.72 грн

Мінімальне замовлення: 221

FDP6035AL

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDP6035AL

Trans MOSFET N-CH 30V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

товар відсутній

FDP6035AL

07+

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP6035AL_NL

MOSFET 30V N-CH. FET, 12.5 MO, TO220

товар відсутній

FDP6035AL_Q

MOSFET

товар відсутній

FDP6035L

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic

товар відсутній

FDP6035L

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V

на замовлення 3250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

401+	53.89 грн

Мінімальне замовлення: 401

FDP6035L

Description: ONSEMI - FDP6035L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

445+	81.97 грн

Мінімальне замовлення: 445

FDP603AL

на замовлення 745 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP61N20

Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP61N20

Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2452 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP61N20

Description: MOSFET N-CH 200V 61A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V

на замовлення 258 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	186.1 грн
10+	160.88 грн
100+	129.3 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP61N20

Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

66+	178.71 грн
72+	163.5 грн
100+	137.09 грн
500+	111.56 грн
1000+	83.81 грн

Мінімальне замовлення: 66

FDP61N20

Description: ONSEMI - FDP61N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 2274 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	207.9 грн
10+	166.17 грн
100+	134.13 грн
500+	121.09 грн
1000+	90.7 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP61N20
Код товару: 150150

товар відсутній

FDP61N20

Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP61N20

Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 41mOhm; 61A; 417W; -55°C ~ 150°C; FDP61N20 TFDP61n20
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	107.3 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDP61N20

Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1302 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	180.97 грн
10+	165.56 грн
100+	138.83 грн
500+	112.97 грн
1000+	84.87 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP61N20

MOSFET 200V N-Channel MOSFET

на замовлення 6078 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	190.64 грн
10+	168.82 грн
100+	117.57 грн
500+	114.25 грн
1000+	92.33 грн
2500+	91.67 грн
5000+	89.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP65N06

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP65N06

Trans MOSFET N-CH 60V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP65N06

MOSFET 60V N-Channel MOSFET

на замовлення 367 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	162.74 грн
10+	147.43 грн
100+	102.96 грн
500+	85.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP65N06

Trans MOSFET N-CH 60V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP65N06

Description: MOSFET N-CH 60V 65A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP65N06,

Description: ONSEMI - FDP65N06, - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65 A, 0.016 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 65
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 135
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 184 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	146.8 грн
10+	134.87 грн
100+	108.79 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDP6670AL

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDP6670AL

TO-220

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP6670AL

09+

на замовлення 365 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP6670AL

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

товар відсутній

FDP6670AL

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V

на замовлення 26871 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

503+	39.41 грн

Мінімальне замовлення: 503

FDP6670AL

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP6670AL

TO-220

на замовлення 25 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP6670AL

FAIRCHID

99+

на замовлення 196 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP6670AL_NL

MOSFET 30V N-CH. FET, 6.5 MO, TO220,

товар відсутній

FDP6670AL_Q

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDP6676

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5324 pF @ 15 V

на замовлення 20082 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

332+	64.67 грн

Мінімальне замовлення: 332

FDP6676

Description: ONSEMI - FDP6676 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 20082 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

368+	98.36 грн

Мінімальне замовлення: 368

FDP6676

MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDP6676S

Description: ONSEMI - FDP6676S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

368+	98.36 грн

Мінімальне замовлення: 368

FDP6676S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4853 pF @ 15 V

на замовлення 1485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

332+	64.67 грн

Мінімальне замовлення: 332

FDP70301_88RF002A

на замовлення 64890 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP7030BL

Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	42.55 грн

Мінімальне замовлення: 14

FDP7030BL

Description: MOSFET N-CH 30V 60A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V

товар відсутній

FDP7030BL

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDP7030BL

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 60W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDP7030BL

Description: ONSEMI - FDP7030BL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.009 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 65
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 65
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товар відсутній

FDP7030BL

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V

на замовлення 72127 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

436+	45.32 грн

Мінімальне замовлення: 436

FDP7030BL

товар відсутній

FDP7030BL

Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP7030BLNL

на замовлення 3993 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP7030BLS

MOSFET TO-220

товар відсутній

FDP7030BL_NL

MOSFET 30V N-CH. FET, 9 MO, TO220, T

товар відсутній

FDP7030BL_Q

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDP7030L

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V

товар відсутній

FDP7030L

FAI

TO220

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP7030L

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDP7030L

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V

на замовлення 29300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

130+	151.71 грн

Мінімальне замовлення: 130

FDP7030L_Q

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDP7042L

TO-220 02+

на замовлення 52 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP7042L

Description: ONSEMI - FDP7042L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 33223 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

543+	67.06 грн

Мінімальне замовлення: 543

FDP7042L

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 15 V

на замовлення 33223 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

452+	43.79 грн

Мінімальне замовлення: 452

FDP7045L

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDP7045L

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4357 pF @ 15 V

на замовлення 165973 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

92+	218.29 грн

Мінімальне замовлення: 92

FDP7045L

0307

на замовлення 15 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP7045L

FAIR

0408

на замовлення 18 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP7045L

Description: ONSEMI - FDP7045L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 166005 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

109+	331.6 грн

Мінімальне замовлення: 109

FDP7045L_Q

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDP75N08

MOSFET 75V N-Channel MOSFET

товар відсутній

FDP75N08

Description: ONSEMI - FDP75N08 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 365 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

320+	113.26 грн

Мінімальне замовлення: 320

FDP75N08

Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 25 V

на замовлення 365 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

267+	74.03 грн

Мінімальне замовлення: 267

FDP75N08A

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP75N08A

Trans MOSFET N-CH 75V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP75N08A

Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP75N08A

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 47A; Idm: 300A; 137W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 137W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDP75N08A

Trans MOSFET N-CH 75V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP75N08A

Trans MOSFET N-CH 75V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	102.36 грн
10+	97.92 грн
25+	92.85 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDP75N08A

товар відсутній

FDP75N08A

MOSFET 75V N-Channel MOSFET

товар відсутній

FDP79N15

Description: MOSFET N-CH 150V 79A TO-220

товар відсутній

FDP7N50

Trans MOSFET N-CH 500V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP7N50

Supervisory Circuits

товар відсутній

FDP7N50

Description: MOSFET N-CH 500V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP7N50

500V, NCH , MOSFET

товар відсутній

FDP7N60NZ

MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II

товар відсутній

FDP7N60NZ

Description: MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP7N60NZ

Trans MOSFET N-CH 600V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8030L

Description: ONSEMI - FDP8030L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 6977 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

70+	514.16 грн

Мінімальне замовлення: 70

FDP8030L

N/A

09+

на замовлення 20018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP8030L

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8030L

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

FDP8030L

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	523.88 грн
10+	466.74 грн
25+	387.26 грн
100+	326.81 грн

FDP8030L

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V

на замовлення 7127 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

64+	339.15 грн

Мінімальне замовлення: 64

FDP80N06

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP80N06

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 65A; Idm: 320A; 176W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 176W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDP80N06

MOSFET 60V N-Channel

товар відсутній

FDP80N06

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3190 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP80N06

Description: ONSEMI - FDP80N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0085 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	49.18 грн

Мінімальне замовлення: 16

FDP80N06

товар відсутній

FDP80N06

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP80N06
Код товару: 66797

товар відсутній

FDP8440

на замовлення 750 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP8440

Description: ONSEMI - FDP8440 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товар відсутній

FDP8440

на замовлення 795 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP8440

Trans MOSFET N-CH Si 40V 277A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP8440

Trans MOSFET N-CH Si 40V 277A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	297.69 грн
10+	260.17 грн
100+	230.04 грн
130+	180.88 грн
500+	142.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP8440

MOSFET 40V N-Channel Power Trench

на замовлення 458 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	373.53 грн
10+	331.53 грн
25+	272.35 грн
100+	235.81 грн
500+	201.27 грн
800+	168.72 грн
2400+	158.76 грн

FDP8440

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24740 pF @ 25 V

на замовлення 18984 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

130+	166.7 грн

Мінімальне замовлення: 130

FDP8441

Description: MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V

на замовлення 2187 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	186.82 грн
10+	150.91 грн
100+	122.09 грн
500+	101.85 грн
1000+	87.21 грн
2000+	82.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP8441

Trans MOSFET N-CH 40V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

FDP8441

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 406 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDP8441

товар відсутній

FDP8441_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB

товар відсутній

FDP8442

MOSFET 40V N-Channel

товар відсутній

FDP8442

Description: MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3

товар відсутній

FDP8442

Description: MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3

на замовлення 22479 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

91+	241.24 грн

Мінімальне замовлення: 91

FDP8442

Description: ONSEMI - FDP8442 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 22479 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	359.91 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDP8442-F085

Trans MOSFET N-CH 40V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8442-F085

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

237+	88.01 грн

Мінімальне замовлення: 237

FDP8442-F085

Description: ONSEMI - FDP8442-F085 - FDP8442-F085, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

400+	112.52 грн

Мінімальне замовлення: 400

FDP8442-F085

MOSFET 40V/80A/2.8ohm/N-CH POWERTRENCH

на замовлення 228 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDP8442_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO-220

на замовлення 755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP8443

Description: ONSEMI - FDP8443 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 12615 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

271+	133.38 грн

Мінімальне замовлення: 271

FDP8443

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench

товар відсутній

FDP8443

Description: MOSFET N-CH 40V 20A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9310 pF @ 25 V

на замовлення 11973 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

226+	88.25 грн

Мінімальне замовлення: 226

FDP8443-F085

Description: MOSFET N-CH 40V 20A/80A TO220-3

товар відсутній

FDP8443-F085

Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8443-F085

MOSFET N-CH PowerTrench N-Ch PowerTrench Mos

на замовлення 395 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDP8443_F085

Description: MOSFET N-CH 40V TO-220AB-3

на замовлення 719 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP8447L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8447L

MOSFET 40V N-CH PowerTrench MOSFET

товар відсутній

FDP8447L

Description: MOSFET N-CH 40V 12A/50A TO220-3

на замовлення 411 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP8447L

FDP8447L THT N channel transistors

товар відсутній

FDP86363-F085

Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V

на замовлення 178 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	222.03 грн
10+	191.6 грн
100+	156.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP86363-F085

на замовлення 42400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP86363-F085

Description: ONSEMI - FDP86363-F085 - N-CHANNEL POWERTRENCH® 80V, 110A, 2.8M
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDP86363-F085

Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP86363-F085

Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP86363-F085

MOSFET N-Channel PowerTrench 80V, 110A, 2.8mohm

на замовлення 728 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	254.19 грн
10+	226.11 грн
100+	161.41 грн
500+	137.5 грн
1000+	115.58 грн
2500+	109.6 грн
5000+	105.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP86363_F085

Description: 110A, 80V, 0.0028OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V

товар відсутній

FDP87314B

07+

на замовлення 21 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP8860

Trans MOSFET N-CH Si 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	97.43 грн
10+	92.27 грн
100+	84.19 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDP8860

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12240 pF @ 15 V

товар відсутній

FDP8860

Trans MOSFET N-CH Si 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8860

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 556A; 254W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 556A
Power dissipation: 254W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 222nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDP8860

Trans MOSFET N-CH Si 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8860

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

товар відсутній

FDP8860

товар відсутній

FDP8860

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12240 pF @ 15 V

на замовлення 18336 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

239+	83.6 грн

Мінімальне замовлення: 239

FDP8870

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

товар відсутній

FDP8870

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8870

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench

товар відсутній

FDP8870

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP8870

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 147A; 160W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Drain current: 147A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V

товар відсутній

FDP8870

Description: ONSEMI - FDP8870 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 156 A, 0.0034 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 156
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 160
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 160
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034
SVHC: Lead (27-Jun-2018)

товар відсутній

FDP8870

Description: MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

товар відсутній

FDP8870

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	95.03 грн
10+	92.44 грн
25+	88.15 грн
50+	82.45 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDP8870

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	106.69 грн
10+	97.97 грн
25+	91.26 грн
50+	83.96 грн
100+	73.1 грн
500+	65.69 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDP8870-F085

Description: MOSFET N-CH 30V 19A/156A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

на замовлення 291 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

291+	74.01 грн

Мінімальне замовлення: 291

FDP8870-F085

товар відсутній

FDP8870-F085

MOSFET 30V/156A/4.1Mohm/NCH POWERTRENCH

товар відсутній

FDP8870_F085A

onsemi

товар відсутній

FDP8870_NL

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP8870_NL

MOSFET 30V,156A,4.1 OHMS,NCH,TO220,POWER TRENCH MOSFET

товар відсутній

FDP8874

Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP8874

MOSFET 30V 114A 5.3 OHM N-CH

товар відсутній

FDP8874

TO220 10+

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP8874

Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8874

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 15 V

товар відсутній

FDP8874

Description: ONSEMI - FDP8874 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 114 A, 0.0053 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	84.2 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDP8874-SN00117

товар відсутній

FDP8874.

Description: ONSEMI - FDP8874. - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 114
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товар відсутній

FDP8874_SN00117

onsemi

товар відсутній

FDP8876

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

товар відсутній

FDP8876

Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO-220

товар відсутній

FDP8878

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

товар відсутній

FDP8878

Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO-220AB

товар відсутній

FDP8880

Description: ONSEMI - FDP8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 54 A, 0.0116 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 54
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 55
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 55
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0116
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товар відсутній

FDP8880

Trans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8880

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 48A; 55W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 55W
Polarisation: unipolar
Drain current: 48A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 19mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDP8880

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 1445 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDP8880

Description: MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB

на замовлення 644 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP8880
Код товару: 113618

товар відсутній

FDP8880

Trans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 298 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	53 грн
12+	48.09 грн
100+	39.73 грн
250+	37.29 грн

Мінімальне замовлення: 11

FDP8880

товар відсутній

FDP8880

Trans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8896

Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8896

Description: MOSFET N-CH 30V 16A/92A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V

на замовлення 1596 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	97 грн
50+	75.02 грн
100+	59.45 грн
500+	47.29 грн
1000+	38.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP8896
Код товару: 107361

товар відсутній

FDP8896

Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8896

Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8896

Description: ONSEMI - FDP8896 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDP8896

Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8896

Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8896

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP8896

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench

на замовлення 5705 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	104.62 грн
10+	84.03 грн
100+	57.46 грн
500+	48.69 грн
1000+	39.66 грн
2500+	38.73 грн
25000+	38.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP8D5N10C

Description: ONSEMI - FDP8D5N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 76 A, 0.0074 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0074ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 868 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	125.19 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDP8D5N10C

Trans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8D5N10C

Trans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8D5N10C

на замовлення 750 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP8D5N10C

MOSFET FET 100V 76A 8.5 mOhm

на замовлення 701 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	198.39 грн
10+	164.24 грн
50+	134.84 грн
100+	115.58 грн
250+	108.94 грн
500+	102.3 грн
1000+	87.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP8D5N10C

Trans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	234.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP8D5N10C

Trans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8D5N10C

Description: MOSFET N-CH 100V 76A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 76A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 50 V

на замовлення 2385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	181.07 грн
10+	146.07 грн
100+	118.13 грн
500+	98.54 грн
1000+	84.37 грн
2000+	79.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP8D5N10C

Trans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8N50NZ

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 130W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDP8N50NZ

MOSFET UNIFET2 500V

на замовлення 9944 шт:

термін постачання 280-289 дні (днів)

3+	134.07 грн
10+	119.17 грн
100+	81.04 грн
500+	67.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP8N50NZ

Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP8N50NZ

товар відсутній

FDP8N50NZ

Description: ONSEMI - FDP8N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.77 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm

на замовлення 23 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	137.11 грн
10+	110.28 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDP8N50NZ

Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDPC1002S

Description: ONSEMI - FDPC1002S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 10941 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

915+	40.24 грн

Мінімальне замовлення: 915

FDPC1002S

MOSFET

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDPC1002S

Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta), 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 20A (Tc), 27A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @13V, 4335pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V, 1.8mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 64nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Obsolete

на замовлення 10941 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

761+	25.88 грн

Мінімальне замовлення: 761

FDPC1012S

товар відсутній

FDPC1012S

Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta), 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 35A (Tc), 26A (Ta), 88A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V, 3456pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V, 2.2mOhm @ 23A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active

на замовлення 6672 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

701+	28.53 грн

Мінімальне замовлення: 701

FDPC1012S

Description: ONSEMI - FDPC1012S - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 6672 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

843+	42.47 грн

Мінімальне замовлення: 843

FDPC1012S-P

Description: ONSEMI - FDPC1012S-P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

843+	42.47 грн

Мінімальне замовлення: 843

FDPC1012S-P

товар відсутній

FDPC3D5N025X9D

Description: MOSFET 2 N-CH 25V 74A 12-PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 26W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.01mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete

товар відсутній

FDPC3D5N025X9D

MOSFET Gaming/DT/Notebook/ NVDC/Server

на замовлення 2988 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDPC4044

Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R

товар відсутній

FDPC4044

MOSFET Common Drain N-Chan Power Trench MOSFET

на замовлення 352 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDPC4044

FDPC4044 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 27A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R - Arrow.com

товар відсутній

FDPC4044

Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R

товар відсутній

FDPC4044

Description: MOSFET 2N-CH POWERCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3215pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Obsolete

товар відсутній

FDPC4044

FDPC4044 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 27A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R - Arrow.com

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	243.03 грн
10+	197.12 грн
25+	195.1 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDPC4044-P

Description: MOSFET N-CHANNEL 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

FDPC4044-P

FDPC4044-P

товар відсутній

FDPC4044-P

FDPC4044-P

товар відсутній

FDPC4044-P

ON Semiconductor

товар відсутній

FDPC5018SG

Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 1498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	97.35 грн
10+	88.76 грн
25+	88.33 грн
100+	74.93 грн
250+	66.74 грн
500+	58.61 грн
1000+	55.86 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDPC5018SG

Description: ONSEMI - FDPC5018SG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 109 A, 109 A, 0.0014 ohm
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 109A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 29W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 29W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 2001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	123.7 грн
10+	103.58 грн
100+	85.69 грн
500+	61.31 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDPC5018SG

MOSFET PT8+ N & PT8 N

на замовлення 3679 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	144.14 грн
10+	117.64 грн
100+	81.7 грн
250+	75.06 грн
500+	68.42 грн
1000+	58.79 грн
3000+	55.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDPC5018SG

Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 1498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

112+	104.84 грн
122+	95.58 грн
123+	95.13 грн
140+	80.7 грн
250+	71.88 грн
500+	63.12 грн
1000+	60.15 грн

Мінімальне замовлення: 112

FDPC5018SG

Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active

на замовлення 8724 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	133.65 грн
10+	106.49 грн
100+	84.78 грн
500+	67.32 грн
1000+	57.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDPC5018SG

Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R

товар відсутній

FDPC5018SG

на замовлення 2001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	85.69 грн
500+	61.31 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDPC5018SG

Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	60.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDPC5030SG

Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active

товар відсутній

FDPC5030SG

Trans MOSFET N-CH 30V 56A/84A 8-Pin PQFN EP T/R

товар відсутній

FDPC5030SG

Trans MOSFET N-CH 30V 56A/84A 8-Pin PQFN EP T/R

товар відсутній

FDPC5030SG

Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active

на замовлення 6008 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	121.43 грн
10+	97.15 грн
100+	77.28 грн
500+	61.36 грн
1000+	52.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDPC5030SG
Код товару: 139909

товар відсутній

FDPC5030SG

MOSFET PT8+ N & PT8 N

на замовлення 1793 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	130.97 грн
10+	106.95 грн
100+	74.4 грн
250+	68.42 грн
500+	62.37 грн
1000+	53.61 грн
3000+	50.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDPC5030SG

Trans MOSFET N-CH 30V 56A/84A 8-Pin PQFN EP T/R

товар відсутній

FDPC8011S

Trans MOSFET N-CH 25V 13A/27A 8-Pin Power Clip 33 T/R

товар відсутній

FDPC8011S

Trans MOSFET N-CH 25V 13A/27A 8-Pin Power Clip 33 T/R

на замовлення 3100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	254.7 грн
10+	223.35 грн
25+	219.03 грн
100+	172.36 грн
250+	145.37 грн
500+	128.56 грн
1000+	110.7 грн
3000+	109.03 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDPC8011S

Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta), 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 20A (Tc), 27A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 13V, 4335pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V, 1.8mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 64nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active

товар відсутній

FDPC8011S

Description: ONSEMI - FDPC8011S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0012 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 60
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDPC8011S

MOSFET 25V Asymmetric 2xNCh MOSFET PowerTrench

на замовлення 1129 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	247.99 грн
10+	206.25 грн
25+	177.36 грн
100+	144.81 грн
500+	128.2 грн
1000+	110.27 грн
3000+	103.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDPC8011S

Trans MOSFET N-CH 25V 13A/27A 8-Pin Power Clip 33 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	251.89 грн
10+	220.9 грн
25+	216.65 грн
100+	170.55 грн
250+	143.82 грн
500+	127.2 грн
1000+	109.53 грн
3000+	107.86 грн
6000+	101.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDPC8011S

Trans MOSFET N-CH 25V 13A/27A 8-Pin Power Clip 33 T/R

товар відсутній

FDPC8011S

Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta), 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 20A (Tc), 27A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 13V, 4335pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V, 1.8mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 64nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active

на замовлення 2407 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	228.5 грн
10+	184.75 грн
100+	149.44 грн
500+	124.66 грн
1000+	106.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDPC8011S-AU01

MOSFET PT8 N 25/12 & PT8 N 25/12

товар відсутній

FDPC8011S-AU01

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	204.79 грн
10+	165.86 грн
100+	134.17 грн
500+	111.92 грн
1000+	95.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDPC8011S-AU01

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	99.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDPC8012S

Trans MOSFET N-CH 25V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDPC8012S

Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active

на замовлення 7951 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	229.22 грн
10+	185.72 грн
100+	150.24 грн
500+	125.33 грн
1000+	107.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDPC8012S

Trans MOSFET N-CH 25V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R

товар відсутній

FDPC8012S

Trans MOSFET N-CH 25V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R

товар відсутній

FDPC8012S

Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active

на замовлення 7951 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	229.22 грн
10+	185.72 грн
100+	150.24 грн
500+	125.33 грн
1000+	107.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDPC8012S

MOSFET 25V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench

на замовлення 9017 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	249.54 грн
10+	207.78 грн
25+	180.01 грн
100+	146.14 грн
250+	145.47 грн
500+	130.19 грн
1000+	110.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDPC8012S

Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active

товар відсутній

FDPC8012S

Trans MOSFET N-CH 25V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDPC8012S

Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	111.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDPC8012S

Description: ONSEMI - FDPC8012S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 65700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

193+	187.78 грн

Мінімальне замовлення: 193

FDPC8013S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active

на замовлення 3942 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	150.9 грн
10+	120.54 грн
100+	95.9 грн
500+	76.15 грн
1000+	64.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDPC8013S

MOSFET Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic

на замовлення 3130 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	163.52 грн
10+	134.45 грн
100+	93 грн
250+	85.69 грн
500+	77.72 грн
1000+	66.43 грн
3000+	61.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDPC8013S

Trans MOSFET N-CH 30V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 T/R

товар відсутній

FDPC8013S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	67.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDPC8013S

Trans MOSFET N-CH 30V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 T/R

товар відсутній

FDPC8014AS

FDPC8014AS ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 25V 20A/40A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com

на замовлення 2830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	81.23 грн
10+	81.12 грн
25+	80.99 грн
100+	78 грн
250+	72.12 грн
500+	69.13 грн
1000+	69.03 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDPC8014AS

Description: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active

на замовлення 2043 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

228+	87.58 грн

Мінімальне замовлення: 228

FDPC8014AS

FDPC8014AS ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 25V 20A/40A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com

товар відсутній

FDPC8014AS

Description: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56

товар відсутній

FDPC8014AS

FDPC8014AS ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 25V 20A/40A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com

на замовлення 1391 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	77.12 грн
10+	75.62 грн
100+	75.15 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDPC8014AS

MOSFET PT9 N 30/12 & PT9 N 25/12S inPowerClip56

на замовлення 623 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDPC8014AS

FDPC8014AS ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 25V 20A/40A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com

товар відсутній

FDPC8014AS

Description: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56

товар відсутній

FDPC8014S

Trans MOSFET N-CH 25V 20A/41A 8-Pin Power 56 EP T/R

товар відсутній

FDPC8014S

Description: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 41A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	81.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDPC8014S

MOSFET PT9N 30/12 & PT9N 25/12

на замовлення 3797 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDPC8014S

Trans MOSFET N-CH 25V 20A/41A 8-Pin Power 56 EP T/R

товар відсутній

FDPC8014S

Description: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 41A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56

на замовлення 5980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	181.07 грн
10+	144.68 грн
100+	115.14 грн
500+	91.43 грн
1000+	77.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDPC8016S

MOSFET PowerTrench Power Clip 25V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET

на замовлення 1863 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	131.74 грн
10+	107.71 грн
100+	75.06 грн
250+	69.08 грн
500+	63.04 грн
1000+	53.61 грн
3000+	50.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDPC8016S

Trans MOSFET N-CH 25V 20A/35A 8-Pin PQFN EP T/R

товар відсутній

FDPC8016S

Description: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	54.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDPC8016S

Description: ONSEMI - FDPC8016S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 793 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

407+	88.67 грн

Мінімальне замовлення: 407

FDPC8016S

на замовлення 2975 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDPC8016S

Description: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active

на замовлення 4809 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	121.43 грн
10+	97.01 грн
100+	77.21 грн
500+	61.31 грн
1000+	52.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDPE 0501 1001

Category: Wheels
Description: Transport wheel; Ø: 50mm; W: 20mm; H: 68mm; rigid; 40kg
Version: rigid; with mounting plate
Base dimensions: 60x60mm
Kind of Bearing: slide bearing
Height: 68mm
Type of mounting element: transport wheel
Force: 40kg
Wheel diameter: 50mm
Wheel width: 20mm

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	82.71 грн
6+	68.5 грн
10+	60.2 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDPE 0501 1001

на замовлення 210 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	99.26 грн
4+	85.36 грн
10+	72.24 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDPE 0751 1001

Category: Wheels
Description: Transport wheel; Ø: 75mm; W: 25mm; H: 100mm; rigid; 60kg
Type of mounting element: transport wheel
Wheel diameter: 75mm
Wheel width: 25mm
Height: 100mm
Version: rigid; with mounting plate
Force: 60kg
Kind of Bearing: slide bearing
Base dimensions: 60x60mm

на замовлення 110 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	161.7 грн
4+	133.54 грн
7+	120.4 грн
10+	116.94 грн
19+	113.48 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDPE 0751 1001

на замовлення 110 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	194.04 грн
4+	166.42 грн
7+	144.48 грн
10+	140.32 грн
19+	136.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDPE 1251 1001

FDPE-1251-1001 Wheels

товар відсутній

FDPF 4001 EH

Description: FIBRE DATA - FDPF 4001 EH - Glasfaserkabel, Einmodenfaser, 1mm, 1 Faser(n), 2.2 mm, 65 ft, 20 m
tariffCode: 85447000
Faserdurchmesser: 1mm
Fasertyp: Einmodenfaser
Länge auf Rolle (metrisch): 20m
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Mantelmaterial: PE
Länge auf Rolle (imperial): 65ft
usEccn: EAR99
Mantelfarbe: -
euEccn: NLR
Außendurchmesser: 2.2mm
Anzahl der Fasern: 1Fibres
productTraceability: No

на замовлення 105 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1941.15 грн
5+	1742.19 грн
10+	1542.48 грн
50+	1388.71 грн
100+	1195.66 грн

FDPF 4001 EH (100M)

Description: FIBRE DATA - FDPF 4001 EH (100M) - Glasfaserkabel, Polymerfaser, 1mm, 1 Faser(n), 2.2 mm, 328 ft, 100 m
tariffCode: 85447000
Faserdurchmesser: 1mm
Fasertyp: Polymerfaser
Länge auf Rolle (metrisch): 100m
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Mantelmaterial: PE
Länge auf Rolle (imperial): 328ft
usEccn: EAR99
Mantelfarbe: Grau
euEccn: NLR
Außendurchmesser: 2.2mm
Anzahl der Fasern: 1Fibres
productTraceability: No

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	8640.15 грн
5+	7963.54 грн
10+	7277.99 грн

FDPF 4002 EH

Description: FIBRE DATA - FDPF 4002 EH - Glasfaserkabel, Polymer, Duplex, Polymerfaser, 1mm, 2 Faser(n), 4.4 mm, 65 ft, 20 m
tariffCode: 85447000
Faserdurchmesser: 1mm
Fasertyp: Polymerfaser
Länge auf Rolle (metrisch): 20m
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Mantelmaterial: PE
Länge auf Rolle (imperial): 65ft
usEccn: EAR99
Mantelfarbe: Grau
euEccn: NLR
Außendurchmesser: 4.4mm
Anzahl der Fasern: 2Faser(n)
Produktpalette: FDPF
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 87 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3522.38 грн
5+	3208.66 грн
10+	2748.9 грн
50+	2502.04 грн

FDPF 4002 EH (100M)

Description: FIBRE DATA - FDPF 4002 EH (100M) - Glasfaserkabel, Polymerfaser, 1mm, 2 Faser(n), 4.4 mm, 328 ft, 100 m
tariffCode: 85447000
Faserdurchmesser: 1mm
Fasertyp: Polymerfaser
Länge auf Rolle (metrisch): 100m
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Mantelmaterial: PE
Länge auf Rolle (imperial): 328ft
usEccn: EAR99
Mantelfarbe: Grau
euEccn: NLR
Außendurchmesser: 4.4mm
Anzahl der Fasern: 2Fibres
productTraceability: No

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	18989.69 грн
5+	17298.92 грн
10+	14822.75 грн

FDPF-210-05R

AUTONICS

Category: Fiber-Optic Sensors
Description: Sensor: fiber-optic; Range: 0÷70mm; Oper.mode: diffuse-reflective
Type of sensor: fiber-optic
Range: 0...70mm
Operation mode: diffuse-reflective
Operating temperature: -30...70°C
Cable length: 1m
Sensors features: flexible
Related items: BF5R-D1-N; BF5R-D1-P; BF5R-S1-N; BF5R-S1-P; BFX-D1-N; BFX-D1-P

товар відсутній

FDPF-210-05R

AUTONICS

товар відсутній

FDPF035N06B

Description: 88A, 60V, 0.0035OHM, N CHANNEL ,
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 178237 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

243+	81.23 грн

Мінімальне замовлення: 243

FDPF035N06B

Description: ONSEMI - FDPF035N06B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 178237 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

291+	124.44 грн

Мінімальне замовлення: 291

FDPF035N06B-F152

Trans MOSFET N-CH 60V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube

товар відсутній

FDPF035N06B-F154

N Channel Power Trench MOSFET

товар відсутній

FDPF035N06B-F154

MOSFET FET 60V 3.5 MOHM TO220F

на замовлення 354 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	230.17 грн
10+	203.96 грн
100+	142.15 грн
500+	101.63 грн
1000+	85.69 грн
2000+	81.7 грн
5000+	79.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDPF035N06B-F154

Description: MOSFET N-CH 60V 88A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 30 V

товар відсутній

FDPF035N06B_F152

Description: MOSFET N-CH 60V 88A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 30 V

товар відсутній

FDPF041N06BL1

Description: MOSFET N-CH 60V 77A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 77A, 10V
Power Dissipation (Max): 44.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5690 pF @ 30 V

на замовлення 315 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

315+	75.34 грн

Мінімальне замовлення: 315

FDPF041N06BL1

MOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET 60 V, 77 A, 4.1 mO

товар відсутній

FDPF041N06BL1

Trans MOSFET N-CH Si 60V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube

товар відсутній

FDPF041N06BL1

Trans MOSFET N-CH Si 60V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube

товар відсутній

FDPF041N06BL1

Trans MOSFET N-CH Si 60V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube

товар відсутній

FDPF041N06BL1-F154

Description: MOSFET N-CH 60V 77A TO220F-3

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDPF041N06BL1-F154

MOSFET FET 60V 4.1 MOHM TO220F

на замовлення 860 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	134.84 грн
10+	110 грн
100+	76.39 грн
250+	73.07 грн
500+	64.23 грн
1000+	54.67 грн
2000+	51.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDPF041N06BL1-F154

N Channel Power Trench MOSFET 60 V, 77 A, 4.1 m

товар відсутній

FDPF045N10A

Description: ONSEMI - FDPF045N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67 A, 0.0037 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 388 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	315.2 грн
10+	222.8 грн
100+	181.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDPF045N10A

Trans MOSFET N-CH 100V 67A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товар відсутній

FDPF045N10A

Description: MOSFET N-CH 100V 67A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V

на замовлення 44890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	270.17 грн
50+	206.09 грн
100+	176.64 грн
500+	147.35 грн
1000+	126.17 грн
2000+	118.8 грн
5000+	112.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDPF045N10A

MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 1637 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	293.71 грн
10+	242.92 грн
50+	198.61 грн
100+	170.71 грн
250+	161.41 грн
500+	151.45 грн
1000+	122.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDPF045N10A

Trans MOSFET N-CH 100V 67A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товар відсутній

FDPF045N10A

на замовлення 10662 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDPF045N10A

Trans MOSFET N-CH 100V 67A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товар відсутній

FDPF085N10A

Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 620 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	138.09 грн
10+	126.92 грн
100+	107.39 грн
500+	94.03 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDPF085N10A

Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товар відсутній

FDPF085N10A

Description: ONSEMI - FDPF085N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0065 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.3
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	217.59 грн
10+	185.55 грн
100+	157.97 грн
500+	121.09 грн
1000+	91.97 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDPF085N10A

Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 620 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

79+	148.71 грн
86+	136.68 грн
101+	115.65 грн
500+	101.26 грн

Мінімальне замовлення: 79

FDPF085N10A

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2695 pF @ 50 V

на замовлення 767 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	189.7 грн
50+	146.99 грн
100+	120.94 грн
500+	96.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDPF085N10A

Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товар відсутній

FDPF085N10A

MOSFET 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET

на замовлення 908 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	179.02 грн
10+	148.96 грн
100+	105.62 грн
500+	92.33 грн
1000+	79.71 грн
5000+	77.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDPF10N50FT

Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 25 V

товар відсутній

FDPF10N50FT

Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товар відсутній

FDPF10N50FT