Продукція > IKW

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IKW03N120HInfineon TechnologiesDescription: IGBT WITH ANTI-PARALLEL DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns
Switching Energy: 140µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A
Power - Max: 62.5 W
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+87.35 грн
Мінімальне замовлення: 226
IKW03N120H2Infineon TechnologiesIGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A
товар відсутній
IKW03N120H2INFTO-247
на замовлення 8640 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW03N120H2Infineon TechnologiesDescription: IGBT WITH ANTI-PARALLEL DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns
Switching Energy: 290µJ
Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A
Power - Max: 62.5 W
товар відсутній
IKW03N120H2INF07+;
на замовлення 3145 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW03N120H2Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62500mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW03N120H2FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns
Switching Energy: 290µJ
Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A
Power - Max: 62.5 W
на замовлення 3415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+92.32 грн
Мінімальне замовлення: 219
IKW03N120H2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62.5mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW03N120H2FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns
Switching Energy: 290µJ
Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A
Power - Max: 62.5 W
товар відсутній
IKW08N120Infineon
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW08N120CS7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW08N120CS7XKSA1 - IGBT, 21 A, 1.65 V, 106 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 106W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+346.63 грн
10+ 253.99 грн
100+ 161.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW08N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: INDUSTRY 14 PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 130 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/160ns
Switching Energy: 370µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 600V, 8A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 52 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 106 W
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+430.78 грн
10+ 372.79 грн
IKW08N120CS7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESIKW08N120CS7XKSA1 THT IGBT transistors
товар відсутній
IKW08N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+464.6 грн
10+ 411.25 грн
25+ 338.3 грн
100+ 293.01 грн
IKW08T120INFINEONMODULE
на замовлення 100087 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW08T120
Код товару: 113720		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW08T120Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 8A
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+248.62 грн
10+ 206.01 грн
25+ 169.15 грн
100+ 145.17 грн
240+ 122.53 грн
1200+ 110.55 грн
2640+ 103.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW08T120Infineon technologies
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW08T120FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 8A
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+249.39 грн
10+ 206.77 грн
25+ 132.52 грн
100+ 117.2 грн
240+ 116.54 грн
480+ 110.55 грн
1200+ 103.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW08T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+136.47 грн
90+ 130.62 грн
93+ 125.64 грн
100+ 117.04 грн
Мінімальне замовлення: 86
IKW08T120FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 8A; 70W; TO247-3
Turn-off time: 520ns
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Power dissipation: 70W
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 53nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 24A
Turn-on time: 63ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 63 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+247.42 грн
3+ 210.92 грн
6+ 176.47 грн
16+ 166.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW08T120FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 8A; 70W; TO247-3
Turn-off time: 520ns
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Power dissipation: 70W
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 53nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 24A
Turn-on time: 63ns
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.18 грн
3+ 169.26 грн
6+ 147.06 грн
16+ 138.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW08T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW08T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+280.79 грн
10+ 253 грн
25+ 243.97 грн
50+ 214.13 грн
100+ 182.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW08T120FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW08T120FKSA1 - IGBT, Universal, 16 A, 2.2 V, 70 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 70W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+268.94 грн
10+ 147.17 грн
100+ 124.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW08T120FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/450ns
Switching Energy: 1.37mJ
Test Condition: 600V, 8A, 81Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 70 W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+248.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW08T120FKSA1
Код товару: 166948		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW08T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.9 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW15N120BH6Infineon TechnologiesInfineon INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW15N120BH6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+232.3 грн
10+ 222.09 грн
25+ 157.83 грн
100+ 135.85 грн
240+ 135.18 грн
480+ 102.55 грн
1200+ 97.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120BH6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW15N120BH6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW15N120BH6XKSA1 - IGBT, 30 A, 1.9 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+259.97 грн
10+ 180.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW15N120BH6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200 V 15A TO247-3-46
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 340 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/240ns
Switching Energy: 700µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 92 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 200 W
товар відсутній
IKW15N120BH6XKSA1
Код товару: 174089		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW15N120BH6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW15N120BH6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 100W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 92nC
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW15N120BH6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 100W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 92nC
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 15A
товар відсутній
IKW15N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 750µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 176 W
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+378.91 грн
30+ 289.22 грн
IKW15N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesSP005419706
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT7 S7 with Anti-parallel Diode
товар відсутній
IKW15N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+410.99 грн
10+ 369.89 грн
25+ 279.03 грн
100+ 244.4 грн
240+ 237.74 грн
480+ 181.8 грн
1200+ 171.81 грн
IKW15N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT7 S7 with Anti-parallel Diode
товар відсутній
IKW15N120CS7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW15N120CS7XKSA1 - IGBT, 36 A, 1.65 V, 176 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 176
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 36
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+408.63 грн
10+ 356.34 грн
100+ 255.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120H3Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+393.47 грн
31+ 376.56 грн
50+ 362.22 грн
100+ 337.43 грн
Мінімальне замовлення: 30
IKW15N120H3
Код товару: 100561		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW15N120H3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+395.45 грн
10+ 327.77 грн
25+ 269.04 грн
100+ 230.41 грн
240+ 217.09 грн
480+ 204.44 грн
1200+ 174.48 грн
IKW15N120H3Infineon TechnologiesDescription: IKW15N120 - DISCRETE IGBT WITH A
товар відсутній
IKW15N120H3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+394.68 грн
10+ 327.01 грн
25+ 268.37 грн
100+ 229.75 грн
240+ 217.09 грн
480+ 204.44 грн
1200+ 174.48 грн
IKW15N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+348.15 грн
10+ 332.17 грн
25+ 217.54 грн
100+ 207.72 грн
240+ 190.36 грн
480+ 170.25 грн
1200+ 162.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW15N120H3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 260 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns
Switching Energy: 1.55mJ
Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 217 W
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+363.78 грн
30+ 277.57 грн
120+ 237.91 грн
IKW15N120H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 217W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 75nC
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW15N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+238.95 грн
52+ 228.68 грн
54+ 219.97 грн
100+ 204.92 грн
250+ 183.98 грн
500+ 171.82 грн
1000+ 167.61 грн
Мінімальне замовлення: 49
IKW15N120H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 217W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 75nC
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A
товар відсутній
IKW15N120H3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW15N120H3FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.05 V, 217 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
товар відсутній
IKW15N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+600.23 грн
22+ 535.74 грн
50+ 463.32 грн
100+ 422.85 грн
200+ 375.58 грн
Мінімальне замовлення: 20
IKW15N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+296.67 грн
10+ 288.08 грн
25+ 213.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+413.1 грн
34+ 350.08 грн
49+ 240.83 грн
100+ 229.9 грн
Мінімальне замовлення: 29
IKW15N120T2InfineonIGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+310.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120T2Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+458.39 грн
10+ 418.91 грн
25+ 237.07 грн
100+ 205.77 грн
240+ 181.13 грн
480+ 168.48 грн
1200+ 158.49 грн
IKW15N120T2
Код товару: 126256		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW15N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+366.56 грн
10+ 337.79 грн
25+ 336.4 грн
50+ 312.88 грн
100+ 257.68 грн
480+ 218.25 грн
720+ 202.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120T2FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 457ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 93nC
Turn-on time: 57ns
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+414.61 грн
3+ 346.15 грн
4+ 266.37 грн
IKW15N120T2FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW15N120T2FKSA1 - IGBT, 30 A, 1.7 V, 235 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 235W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+413.11 грн
10+ 296.58 грн
100+ 225.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120T2FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW15N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+219.07 грн
10+ 214.96 грн
25+ 212.86 грн
50+ 203.17 грн
100+ 184.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW15N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+235.93 грн
51+ 229.23 грн
52+ 218.8 грн
100+ 198.7 грн
Мінімальне замовлення: 50
IKW15N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+374.7 грн
34+ 343.87 грн
50+ 319.83 грн
100+ 263.4 грн
480+ 223.1 грн
720+ 206.74 грн
Мінімальне замовлення: 32
IKW15N120T2FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 457ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 93nC
Turn-on time: 57ns
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+497.53 грн
3+ 431.35 грн
4+ 319.65 грн
9+ 302.17 грн
IKW15N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW15N120T2FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 30A 235W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/362ns
Switching Energy: 2.05mJ
Test Condition: 600V, 15A, 41.8Ohm, 15V
Gate Charge: 93 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 235 W
товар відсутній
IKW15T120
Код товару: 119901		InfineonТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 1200 V
Vce: 1,7 V
Ic 25: 30 A
Ic 100: 15 A
Pd 25: 110 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 50/520
у наявності 48 шт:
22 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+155 грн
10+ 144 грн
IKW15T120Infineon TechnologiesDescription: IKW15T120 - DISCRETE IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/520ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 56Ohm, 15V
Gate Charge: 85 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 110 W
товар відсутній
IKW15T120Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
товар відсутній
IKW15T120 E8161Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
товар відсутній
IKW15T120FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW15T120FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 30A 110W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/520ns
Switching Energy: 2.7mJ
Test Condition: 600V, 15A, 56Ohm, 15V
Gate Charge: 85 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 110 W
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 14730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+296.39 грн
3000+ 293.34 грн
6000+ 290.37 грн
9000+ 277.06 грн
Мінімальне замовлення: 240
IKW15T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 14730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+318.27 грн
3000+ 314.99 грн
6000+ 311.81 грн
9000+ 297.51 грн
Мінімальне замовлення: 37
IKW15T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 110000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 14733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKW15T120T2MODULE
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW20N60H3Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+406.76 грн
46+ 258.93 грн
56+ 210.33 грн
100+ 189.42 грн
Мінімальне замовлення: 29
IKW20N60H3Infineon TechnologiesIGBT Transistors 600V 20A 170W
товар відсутній
IKW20N60H3Infineon TechnologiesDescription: IKW20N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/194ns
Switching Energy: 560µJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
товар відсутній
IKW20N60H3Infineon technologies
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW20N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW20N60H3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors 600V 20A 170W
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
2+200.45 грн
10+ 176.91 грн
25+ 135.18 грн
100+ 116.54 грн
240+ 110.55 грн
480+ 88.57 грн
1200+ 83.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW20N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+171.13 грн
10+ 147.94 грн
25+ 139.68 грн
100+ 117.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW20N60H3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/194ns
Switching Energy: 800µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
товар відсутній
IKW20N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+316.45 грн
3+ 274.89 грн
5+ 202.28 грн
14+ 191.46 грн
IKW20N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW20N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW20N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+263.71 грн
3+ 220.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW20N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+185.53 грн
73+ 160.4 грн
78+ 151.45 грн
100+ 127.86 грн
Мінімальне замовлення: 63
IKW20N60TInfineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+260.27 грн
10+ 215.2 грн
25+ 176.47 грн
100+ 151.83 грн
240+ 142.51 грн
480+ 134.52 грн
1200+ 114.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW20N60T
Код товару: 187316		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW20N60T E8161Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A
товар відсутній
IKW20N60TAInfineon TechnologiesDescription: IKW20N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W
товар відсутній
IKW20N60TAInfineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
товар відсутній
IKW20N60TAFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 40A 166W TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+151.66 грн
Мінімальне замовлення: 132
IKW20N60TAFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW20N60TAFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW20N60TAFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 40A 166W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W
товар відсутній
IKW20N60TAFKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
товар відсутній
IKW20N60TFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW20N60TFKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+260.27 грн
10+ 226.68 грн
25+ 180.47 грн
100+ 155.16 грн
480+ 114.54 грн
1200+ 108.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW20N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKW20N60TFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW20N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKW20N60TFKSA1
Код товару: 188050		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW20N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+223.22 грн
10+ 197.67 грн
25+ 184.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW20N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+188 грн
10+ 173.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW20N60TFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.16 грн
30+ 182.51 грн
120+ 156.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW20N60TFKSA1Infineon40A; 600V; 166W; IGBT w/ Diode   IKW20N60T TIKW20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+158.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW20N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW20N60TFKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW20N60TFKSA1 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 166 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 166W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+306.29 грн
10+ 218.14 грн
100+ 165.1 грн
500+ 142.9 грн
1000+ 121.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW20N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+275.84 грн
50+ 236.86 грн
54+ 217.48 грн
100+ 181.96 грн
240+ 147.91 грн
480+ 123.59 грн
Мінімальне замовлення: 43
IKW20N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+186.75 грн
71+ 166.32 грн
100+ 160.49 грн
200+ 153.82 грн
Мінімальне замовлення: 63
IKW20N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+256.14 грн
10+ 219.94 грн
25+ 201.95 грн
100+ 168.96 грн
240+ 137.35 грн
480+ 114.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW20N65ET7XKSA1
Код товару: 178407		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW20N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT with Anti-parallel Diode
товар відсутній
IKW20N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/210ns
Switching Energy: 360µJ (on), 360µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 136 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.68 грн
30+ 177.72 грн
120+ 152.34 грн
510+ 127.08 грн
1020+ 108.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW20N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesSP005348286
товар відсутній
IKW20N65ET7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW20N65ET7XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 136 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 136W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+265.2 грн
10+ 193.48 грн
100+ 123.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW20N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 4176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+261.05 грн
10+ 216.73 грн
25+ 177.14 грн
100+ 152.5 грн
240+ 143.18 грн
480+ 115.21 грн
1200+ 108.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT7 S7 with Anti-parallel Diode
товар відсутній
IKW25N120CS7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 125W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 37A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 38ns
Turn-off time: 490ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW25N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT7 S7 with Anti-parallel Diode
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+395.53 грн
34+ 350.02 грн
37+ 322.85 грн
50+ 310.26 грн
100+ 256.04 грн
480+ 233.03 грн
720+ 201.66 грн
Мінімальне замовлення: 30
IKW25N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+442.07 грн
10+ 372.96 грн
25+ 295.01 грн
100+ 270.37 грн
240+ 254.39 грн
480+ 239.07 грн
1200+ 215.1 грн
IKW25N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT7 S7 with Anti-parallel Diode
на замовлення 2377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+398.04 грн
10+ 352.25 грн
25+ 324.9 грн
50+ 312.23 грн
100+ 257.67 грн
480+ 234.51 грн
720+ 202.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT7 S7 with Anti-parallel Diode
товар відсутній
IKW25N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/160ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+560.44 грн
30+ 430.82 грн
IKW25N120CS7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 125W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 37A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 38ns
Turn-off time: 490ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW25N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesSP005419560
на замовлення 2377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT7 S7 with Anti-parallel Diode
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+328.48 грн
Мінімальне замовлення: 240
IKW25N120CS7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW25N120CS7XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 250 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+481.1 грн
5+ 410.87 грн
10+ 339.9 грн
50+ 294.12 грн
100+ 251.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25N120H3Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+381.47 грн
32+ 365.07 грн
50+ 351.17 грн
100+ 327.14 грн
250+ 293.71 грн
Мінімальне замовлення: 31
IKW25N120H3
Код товару: 113551		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW25N120H3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+445.18 грн
10+ 376.02 грн
25+ 296.34 грн
100+ 272.37 грн
240+ 255.72 грн
480+ 239.74 грн
1200+ 215.76 грн
IKW25N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKW25N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW25N120H3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 290 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns
Switching Energy: 2.65mJ
Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 326 W
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+409.17 грн
30+ 314.56 грн
120+ 281.47 грн
IKW25N120H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+507.99 грн
3+ 361.41 грн
7+ 341.99 грн
IKW25N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+511.61 грн
26+ 462.98 грн
50+ 405.6 грн
100+ 372.35 грн
200+ 331.74 грн
Мінімальне замовлення: 23
IKW25N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25N120H3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 480 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
1+435.85 грн
10+ 403.59 грн
25+ 297.67 грн
100+ 269.7 грн
240+ 263.04 грн
480+ 215.76 грн
1200+ 205.77 грн
IKW25N120H3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW25N120H3FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.4 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 25A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+494.54 грн
5+ 422.08 грн
10+ 348.87 грн
50+ 302.45 грн
100+ 258.69 грн
250+ 218.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+402.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25N120H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+609.59 грн
3+ 450.37 грн
7+ 410.38 грн
IKW25N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW25N120H3XKInfineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+414.88 грн
10+ 359.17 грн
25+ 285.02 грн
100+ 264.38 грн
240+ 249.73 грн
480+ 235.08 грн
1200+ 215.76 грн
IKW25N120T2
Код товару: 39789		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW25N120T2Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
1+432.75 грн
10+ 419.67 грн
25+ 293.01 грн
100+ 273.7 грн
240+ 273.03 грн
480+ 221.76 грн
1200+ 212.43 грн
IKW25N120T2FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/265ns
Switching Energy: 2.9mJ
Test Condition: 600V, 25A, 16.4Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 349 W
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+421.41 грн
30+ 324.07 грн
120+ 289.95 грн
IKW25N120T2FKSA1Infineon50A; 1200V; 349W; IGBT w/ Diode   IKW25N120T2 TIKW25n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+264.9 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW25N120T2FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+567.75 грн
3+ 361.41 грн
7+ 341.99 грн
100+ 328.81 грн
IKW25N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+305.12 грн
40+ 292.01 грн
50+ 280.89 грн
100+ 261.66 грн
Мінімальне замовлення: 39
IKW25N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW25N120T2FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW25N120T2FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.2 V, 349 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 25A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+502.76 грн
5+ 445.24 грн
10+ 386.97 грн
50+ 312.16 грн
100+ 244.6 грн
250+ 239.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW25N120T2FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW25N120T2FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 156 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+681.3 грн
3+ 450.37 грн
7+ 410.38 грн
100+ 394.57 грн
IKW25N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+329.22 грн
42+ 280.75 грн
120+ 275.38 грн
Мінімальне замовлення: 36
IKW25N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+617.63 грн
21+ 558.3 грн
50+ 490.22 грн
100+ 450.2 грн
200+ 401.22 грн
Мінімальне замовлення: 19
IKW25N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.71 грн
30+ 260.69 грн
120+ 255.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25N120T2XKInfineon TechnologiesDescription: IGBT, 50A, 1200V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/265ns
Switching Energy: 1.55mJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 16.4Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 349 W
товар відсутній
IKW25T120Infineon TechnologiesDescription: IKW25T120 - DISCRETE IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns
Switching Energy: 2mJ (on), 2.2mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 190 W
товар відсутній
IKW25T120
Код товару: 175269		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW25T120Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+473.92 грн
10+ 400.53 грн
25+ 315.65 грн
100+ 289.68 грн
240+ 272.37 грн
480+ 255.05 грн
1200+ 241.73 грн
IKW25T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+757.97 грн
18+ 676.61 грн
50+ 585.34 грн
100+ 534.78 грн
200+ 474.79 грн
Мінімальне замовлення: 16
IKW25T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+321.25 грн
10+ 291.14 грн
25+ 280.71 грн
50+ 267.96 грн
100+ 209.54 грн
480+ 199.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25T120FKSA1Infineon1200V 50A 190W IKW25T120FKSA1 INFINEON IKW25T120 TIKW25t120
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+237.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW25T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW25T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+304.56 грн
42+ 284.25 грн
43+ 277.24 грн
50+ 264.64 грн
100+ 216.41 грн
Мінімальне замовлення: 39
IKW25T120FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
на замовлення 2094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+368.26 грн
10+ 359.17 грн
25+ 253.06 грн
100+ 234.41 грн
240+ 219.09 грн
IKW25T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+247.13 грн
50+ 228.06 грн
52+ 195.05 грн
100+ 188.38 грн
250+ 182.71 грн
Мінімальне замовлення: 48
IKW25T120FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 190W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 75A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 155nC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Collector current: 50A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+561.18 грн
3+ 387.27 грн
8+ 352.95 грн
120+ 347.95 грн
IKW25T120FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 190W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 75A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 155nC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Collector current: 50A
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+467.65 грн
3+ 310.77 грн
8+ 294.12 грн
IKW25T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25T120FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW25T120FKSA1 - IGBT, Universal, 50 A, 2.2 V, 190 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+380.24 грн
5+ 333.93 грн
10+ 286.86 грн
50+ 247.64 грн
100+ 210.67 грн
250+ 206.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25T120FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns
Switching Energy: 4.2mJ
Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 190 W
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+435.82 грн
30+ 335.03 грн
120+ 299.76 грн
IKW25T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+282.8 грн
10+ 263.94 грн
25+ 257.44 грн
50+ 245.74 грн
100+ 200.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW25T120T2MODULE
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW30N60DTPInfineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW30N60DTPInfineon TechnologiesDescription: HIGH SPEED IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/179ns
Switching Energy: 710µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 53 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 200 W
товар відсутній
IKW30N60DTPInfineon
на замовлення 91440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW30N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+156.58 грн
10+ 137.17 грн
25+ 111.28 грн
100+ 106.24 грн
240+ 97.38 грн
480+ 79.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW30N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+179.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW30N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+158.74 грн
85+ 137.91 грн
100+ 130.96 грн
Мінімальне замовлення: 74
IKW30N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 389 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
2+174.81 грн
25+ 151.63 грн
100+ 112.54 грн
240+ 111.88 грн
480+ 85.24 грн
1200+ 80.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+156.45 грн
86+ 137.05 грн
105+ 111.19 грн
107+ 106.15 грн
240+ 97.3 грн
480+ 79.63 грн
Мінімальне замовлення: 75
IKW30N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 53A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/179ns
Switching Energy: 710µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 53 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.93 грн
30+ 135.96 грн
120+ 116.54 грн
510+ 97.22 грн
1020+ 83.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60H3Infineon TechnologiesIGBT Transistors 600V 30A 187W
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+238.52 грн
10+ 197.58 грн
25+ 162.49 грн
100+ 138.51 грн
240+ 130.52 грн
480+ 122.53 грн
1200+ 105.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60H3
Код товару: 94542		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW30N60H3Infineon60A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+119.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW30N60H3Infineon60A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+119.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW30N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+198.92 грн
10+ 188.01 грн
25+ 159.93 грн
100+ 139.32 грн
240+ 124.42 грн
480+ 98.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+320.03 грн
5+ 212.65 грн
13+ 193.95 грн
IKW30N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+266.69 грн
5+ 170.65 грн
13+ 161.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60H3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW30N60H3FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.4 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+256.24 грн
10+ 179.29 грн
100+ 162.11 грн
500+ 134.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+151.37 грн
10+ 147.61 грн
25+ 136.13 грн
100+ 124.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW30N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+216.4 грн
58+ 204.54 грн
68+ 173.99 грн
100+ 151.57 грн
240+ 135.36 грн
480+ 106.99 грн
Мінімальне замовлення: 54
IKW30N60H3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 38 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/207ns
Switching Energy: 1.38mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.71 грн
30+ 167.29 грн
120+ 143.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+286.93 грн
47+ 251.92 грн
59+ 200.37 грн
100+ 192.27 грн
200+ 169.35 грн
480+ 153.4 грн
Мінімальне замовлення: 41
IKW30N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N60H3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors 600V 30A 187W
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+238.52 грн
10+ 212.9 грн
25+ 153.17 грн
100+ 133.85 грн
240+ 133.19 грн
480+ 118.54 грн
1200+ 99.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+163.02 грн
74+ 158.97 грн
80+ 146.6 грн
100+ 133.93 грн
Мінімальне замовлення: 72
IKW30N60T
Код товару: 99658		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW30N60TInfineon TechnologiesDescription: IKW30N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 690µJ (on), 770µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
товар відсутній
IKW30N60TInfineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+350.34 грн
35+ 335.28 грн
50+ 322.52 грн
100+ 300.44 грн
Мінімальне замовлення: 34
IKW30N60TInfineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 30A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+317.76 грн
10+ 263.44 грн
25+ 216.43 грн
100+ 185.13 грн
240+ 173.81 грн
480+ 163.82 грн
1200+ 140.51 грн
IKW30N60TAInfineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT TrnchStp w/Soft Fast recovery
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IKW30N60TAFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N60TAFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N60TAFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH/FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
товар відсутній
IKW30N60TAFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+209.54 грн
6+ 96.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N60TFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 2094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+292.47 грн
30+ 223.13 грн
120+ 191.26 грн
510+ 159.55 грн
1020+ 136.61 грн
2010+ 128.63 грн
IKW30N60TFKSA1Infineon45A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode   IKW30N60T TIKW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+234.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW30N60TFKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 30A
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+317.76 грн
10+ 285.65 грн
25+ 212.43 грн
100+ 183.13 грн
240+ 179.14 грн
480+ 140.51 грн
1200+ 132.52 грн
IKW30N60TFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 39A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW30N60TFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 39A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW30N60TFKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW30N60TFKSA1 - IGBT, Universal, 60 A, 2.05 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+373.52 грн
10+ 227.1 грн
100+ 173.31 грн
500+ 156.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors 650V IGBT Trenchstop 5
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+355.05 грн
10+ 294.08 грн
25+ 241.07 грн
100+ 180.47 грн
240+ 149.84 грн
1200+ 147.84 грн
IKW30N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N65EL5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 62A
Power dissipation: 114W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 359ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW30N65EL5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW30N65EL5XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.05 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 227W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.05V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 1176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+355.59 грн
10+ 254.74 грн
100+ 162.86 грн
500+ 148.45 грн
1000+ 134.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+499.02 грн
28+ 422.64 грн
50+ 321.44 грн
200+ 290.83 грн
Мінімальне замовлення: 24
IKW30N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/308ns
Switching Energy: 470µJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 227 W
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+326.32 грн
30+ 249.17 грн
IKW30N65EL5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 62A
Power dissipation: 114W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 359ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW30N65ES5Infineon
на замовлення 22080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW30N65ES5Infineon TechnologiesIGBT Transistors Trenchstop 5 IGBT
на замовлення 1528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+296.79 грн
10+ 245.83 грн
25+ 201.11 грн
100+ 172.48 грн
240+ 163.15 грн
480+ 153.83 грн
1200+ 136.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 39.5A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+354.85 грн
3+ 296.2 грн
4+ 215.74 грн
11+ 203.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+232.97 грн
55+ 212.27 грн
57+ 205.27 грн
100+ 180.98 грн
Мінімальне замовлення: 51
IKW30N65ES5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW30N65ES5XKSA1 - IGBT, 62 A, 1.35 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™ 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 62A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+395.93 грн
10+ 321.23 грн
25+ 262.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 39.5A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+425.81 грн
3+ 369.11 грн
4+ 258.88 грн
11+ 244.73 грн
IKW30N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+390.89 грн
36+ 331.36 грн
50+ 251.99 грн
100+ 242.04 грн
200+ 211.71 грн
Мінімальне замовлення: 30
IKW30N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+280.47 грн
10+ 261.91 грн
25+ 195.12 грн
100+ 169.81 грн
240+ 169.15 грн
480+ 131.19 грн
1200+ 123.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+216.33 грн
10+ 197.11 грн
25+ 190.61 грн
100+ 168.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 62A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns
Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 62 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+273.74 грн
30+ 208.75 грн
120+ 178.94 грн
510+ 149.27 грн
1020+ 127.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+198.25 грн
65+ 182.09 грн
67+ 176.51 грн
100+ 156.64 грн
240+ 140.25 грн
480+ 121.78 грн
1200+ 117.3 грн
Мінімальне замовлення: 59
IKW30N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+200.36 грн
10+ 184.02 грн
25+ 178.39 грн
100+ 158.31 грн
240+ 141.74 грн
480+ 123.08 грн
1200+ 118.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT with Anti-parallel Diode
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+411.72 грн
32+ 367.08 грн
50+ 335.33 грн
100+ 293.7 грн
200+ 270.17 грн
Мінімальне замовлення: 29
IKW30N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+298.34 грн
10+ 247.36 грн
25+ 202.44 грн
100+ 173.14 грн
240+ 163.82 грн
480+ 134.52 грн
1200+ 125.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/245ns
Switching Energy: 590µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.18 грн
30+ 209.93 грн
120+ 179.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65ET7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW30N65ET7XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.35 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+320.48 грн
10+ 227.1 грн
100+ 153.89 грн
500+ 138.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesIKW30N65ET7
товар відсутній
IKW30N65H5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW30N65H5Infineon technologies
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW30N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N65H5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+294.45 грн
10+ 270.34 грн
25+ 200.45 грн
100+ 172.48 грн
240+ 164.49 грн
480+ 129.86 грн
1200+ 123.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65H5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW30N65H5XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+323.47 грн
10+ 232.33 грн
100+ 153.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N65H5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 35A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 209ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW30N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N65H5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 35A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 209ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW30N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N65H5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/190ns
Switching Energy: 280µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.58 грн
30+ 207.16 грн
120+ 177.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+419.66 грн
32+ 368.07 грн
50+ 332.36 грн
100+ 288.91 грн
200+ 264.86 грн
Мінімальне замовлення: 28
IKW30N65NL5Infineon TechnologiesDescription: IKW30N65 - DISCRETE IGBT WITH AN
товар відсутній
IKW30N65NL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N65NL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+215.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N65NL5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors 650V IGBT Trenchstop 5
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+405.55 грн
10+ 340.03 грн
100+ 256.39 грн
240+ 243.07 грн
IKW30N65NL5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW30N65NL5XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.05 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.05
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 227
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 85
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IKW30N65NL5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 59ns/283ns
Switching Energy: 560µJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 227 W
товар відсутній
IKW30N65WR5Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IKW30N65WR5Infineon technologies
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW30N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 185W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+204.33 грн
10+ 183.8 грн
25+ 139.18 грн
100+ 119.2 грн
240+ 116.54 грн
480+ 90.57 грн
1200+ 85.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 185W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+336.33 грн
40+ 296.64 грн
50+ 262.91 грн
100+ 229.6 грн
200+ 210.82 грн
Мінімальне замовлення: 35
IKW30N65WR5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 376ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+279.39 грн
3+ 233.08 грн
5+ 183.13 грн
13+ 172.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65WR5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW30N65WR5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.4 V, 185 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 185W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+221.12 грн
10+ 156.13 грн
100+ 121.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW30N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/367ns
Switching Energy: 990µJ (on), 330µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 185 W
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.25 грн
30+ 139.29 грн
120+ 119.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65WR5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 376ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+335.27 грн
3+ 290.45 грн
5+ 219.76 грн
13+ 207.27 грн
IKW30N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 185W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 185000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N120CH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N120CH7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.7 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+605.85 грн
5+ 519.94 грн
10+ 433.28 грн
50+ 375.28 грн
100+ 320.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/336ns
Switching Energy: 1.69mJ (on), 920µJ (off)
Gate Charge: 290 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 82 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 330 W
товар відсутній
IKW40N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+527.53 грн
10+ 445.71 грн
25+ 351.61 грн
100+ 322.98 грн
240+ 303.67 грн
480+ 284.35 грн
1200+ 255.72 грн
IKW40N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N120CS6Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW40N120CS6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+643.65 грн
3+ 429.62 грн
7+ 391.24 грн
IKW40N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+409.38 грн
10+ 375.91 грн
25+ 343.68 грн
50+ 328.51 грн
100+ 277.89 грн
480+ 243.37 грн
720+ 212.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+229.15 грн
Мінімальне замовлення: 51
IKW40N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+667.69 грн
24+ 487.13 грн
50+ 431.56 грн
100+ 391.28 грн
200+ 341.04 грн
Мінімальне замовлення: 18
IKW40N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+299.31 грн
Мінімальне замовлення: 39
IKW40N120CS6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N120CS6XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 500W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+559.54 грн
5+ 478.85 грн
10+ 397.43 грн
50+ 344.76 грн
100+ 295.83 грн
250+ 290.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/315ns
Switching Energy: 2.55mJ (on), 1.55mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 285 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+451.67 грн
30+ 347.26 грн
120+ 310.71 грн
510+ 257.28 грн
IKW40N120CS6XKSA1
Код товару: 193315		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товар відсутній
IKW40N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+324.28 грн
10+ 307.66 грн
25+ 290.39 грн
50+ 278.9 грн
100+ 242.95 грн
480+ 218.62 грн
720+ 197.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120CS6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+536.38 грн
3+ 344.76 грн
7+ 326.03 грн
IKW40N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+431.97 грн
10+ 421.2 грн
25+ 296.34 грн
100+ 270.37 грн
240+ 269.04 грн
480+ 227.75 грн
IKW40N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+267.12 грн
Мінімальне замовлення: 44
IKW40N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+327.89 грн
10+ 312.07 грн
25+ 295.45 грн
50+ 283.85 грн
100+ 248.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT7 S7 with Anti-parallel Diode
товар відсутній
IKW40N120CS7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N120CS7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.65 V, 357 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 357W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+531.15 грн
5+ 475.12 грн
10+ 418.34 грн
50+ 369.73 грн
100+ 324 грн
250+ 285.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 175 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/190ns
Switching Energy: 2.55mJ (on), 1.75mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 82 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 357 W
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+510.74 грн
30+ 392.76 грн
120+ 351.43 грн
IKW40N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT7 S7 with Anti-parallel Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKW40N120CS7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 56A; 179W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 56A
Power dissipation: 179W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW40N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+554.72 грн
10+ 503.91 грн
25+ 374.92 грн
100+ 340.29 грн
240+ 319.65 грн
480+ 299.67 грн
1200+ 257.05 грн
IKW40N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesSP005415716
товар відсутній
IKW40N120CS7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 56A; 179W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 56A
Power dissipation: 179W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW40N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT7 S7 with Anti-parallel Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+438.58 грн
10+ 402.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120H3
Код товару: 153177		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW40N120H3Infineon80A; 1200V; 483W; IGBT w/ Diode   IKW40N120H3 TIKW40n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+307.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW40N120H3Infineon TechnologiesHigh speed Trans IGBT Chip
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+508.53 грн
25+ 486.68 грн
50+ 468.15 грн
100+ 436.11 грн
250+ 391.55 грн
Мінімальне замовлення: 23
IKW40N120H3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+577.26 грн
10+ 487.83 грн
25+ 384.91 грн
100+ 353.61 грн
240+ 331.64 грн
480+ 311.66 грн
1200+ 303.67 грн
IKW40N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+825.43 грн
16+ 737.14 грн
50+ 636.93 грн
100+ 581.66 грн
200+ 516.43 грн
960+ 493.22 грн
1920+ 435.39 грн
Мінімальне замовлення: 15
IKW40N120H3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+558.61 грн
10+ 491.66 грн
25+ 376.92 грн
100+ 353.61 грн
240+ 310.33 грн
480+ 279.69 грн
1200+ 267.71 грн
IKW40N120H3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N120H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.4 V, 483 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 483W
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 13950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+643.2 грн
5+ 552.81 грн
10+ 461.67 грн
50+ 400.25 грн
100+ 342.57 грн
250+ 320.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120H3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 355 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns
Switching Energy: 4.4mJ
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 185 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 483 W
на замовлення 6551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+531.63 грн
30+ 408.32 грн
120+ 365.35 грн
510+ 302.53 грн
1020+ 272.28 грн
2010+ 255.13 грн
IKW40N120H3FKSA1
Код товару: 144428		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW40N120H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 80A
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW40N120H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 80A
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW40N120T2
Код товару: 150870		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW40N120T2Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+528.14 грн
25+ 505.45 грн
50+ 486.19 грн
100+ 452.92 грн
250+ 406.65 грн
500+ 379.77 грн
Мінімальне замовлення: 23
IKW40N120T2Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+624.65 грн
10+ 527.65 грн
25+ 416.21 грн
100+ 382.25 грн
240+ 359.61 грн
480+ 337.63 грн
1200+ 303.67 грн
IKW40N120T2
Код товару: 73806		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW40N120T2InfineonTrans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+401.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW40N120T2FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+743.16 грн
2+ 551.51 грн
5+ 501.95 грн
IKW40N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+718.28 грн
18+ 648.84 грн
50+ 569.47 грн
100+ 522.34 грн
200+ 465.93 грн
960+ 413.28 грн
1920+ 368.21 грн
Мінімальне замовлення: 17
IKW40N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N120T2FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N120T2FKSA1 - IGBT, 75 A, 1.75 V, 480 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+648.43 грн
5+ 558.04 грн
10+ 466.9 грн
50+ 404.42 грн
100+ 345.77 грн
250+ 291.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120T2FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 75A 480W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 258 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/314ns
Switching Energy: 5.25mJ
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 192 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 480 W
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+575.57 грн
30+ 442.38 грн
120+ 395.83 грн
510+ 327.76 грн
1020+ 294.99 грн
IKW40N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+546.81 грн
10+ 484.28 грн
25+ 456.47 грн
100+ 392.32 грн
240+ 347.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120T2FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+619.3 грн
2+ 442.57 грн
5+ 418.29 грн
IKW40N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N120T2FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+624.65 грн
10+ 606.53 грн
25+ 427.53 грн
100+ 382.25 грн
240+ 380.25 грн
480+ 303 грн
1200+ 290.35 грн
IKW40N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+390.32 грн
32+ 373.55 грн
50+ 359.32 грн
100+ 334.73 грн
250+ 300.53 грн
Мінімальне замовлення: 30
IKW40N60DTPInfineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW40N60DTPInfineon
на замовлення 21840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW40N60DTPXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N60DTPXKSA1 - IGBT, 67 A, 1.6 V, 246 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6
Verlustleistung Pd: 246
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP
DC-Kollektorstrom: 67
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IKW40N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 67A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 87 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/222ns
Switching Energy: 1.06mJ (on), 610µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10.1Ohm, 15V
Gate Charge: 177 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 246 W
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.58 грн
30+ 156.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesIKW40N60DT Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306mW TO-247
на замовлення 20 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IKW40N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 67A 246W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+112.97 грн
109+ 107.92 грн
Мінімальне замовлення: 104
IKW40N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 67A 246W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 67A 246W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+221.7 грн
10+ 192.97 грн
25+ 187.27 грн
100+ 147.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW40N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW40N60H3Infineon TechnologiesIGBT Transistors 600V 40A 306W
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+379.92 грн
10+ 314.75 грн
25+ 249.73 грн
100+ 227.75 грн
240+ 193.12 грн
1200+ 168.48 грн
2640+ 167.82 грн
IKW40N60H3Infineon TechnologiesDescription: IKW40N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
товар відсутній
IKW40N60H3
Код товару: 128556		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW40N60H3Infineon technologies
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW40N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+492.15 грн
3+ 427.03 грн
4+ 314.65 грн
9+ 297.17 грн
IKW40N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N60H3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW40N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+410.13 грн
3+ 342.68 грн
4+ 262.21 грн
9+ 247.64 грн
IKW40N60H3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 124 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/197ns
Switching Energy: 1.68mJ
Test Condition: 400V, 40A, 7.9Ohm, 15V
Gate Charge: 223 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 306 W
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+350.1 грн
30+ 267.25 грн
120+ 229.07 грн
510+ 191.09 грн
1020+ 163.62 грн
IKW40N60H3FKSA1Infineon TechnologiesIKW40N60H3 IGBT 600V 80A 306.0W TO247-3
на замовлення 50 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IKW40N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+500.02 грн
27+ 445.46 грн
50+ 406.76 грн
100+ 356.83 грн
200+ 327.75 грн
Мінімальне замовлення: 24
IKW40N60H3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N60H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.4 V, 306 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+417.6 грн
10+ 301.06 грн
100+ 194.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N60H3FKSA1 (TO-247, Infineon) IGBT N-ch 600V/80A
Код товару: 160842		Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
товар відсутній
IKW40N65ES5Infineon TechnologiesIGBT Transistors Trenchstop 5 IGBT
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+350.39 грн
10+ 290.25 грн
25+ 238.4 грн
100+ 204.44 грн
240+ 192.46 грн
480+ 181.13 грн
1200+ 161.16 грн
IKW40N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+385.26 грн
10+ 338 грн
25+ 309.32 грн
50+ 289.63 грн
100+ 179.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65ES5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N65ES5XKSA1 - IGBT, 79 A, 1.7 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 79A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+463.91 грн
10+ 378.75 грн
25+ 310.02 грн
240+ 244.87 грн
720+ 217.07 грн
1200+ 206.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+340.29 грн
10+ 306.33 грн
25+ 227.08 грн
100+ 195.79 грн
240+ 191.79 грн
480+ 150.5 грн
1200+ 141.84 грн
IKW40N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+414.89 грн
33+ 364 грн
36+ 333.11 грн
50+ 311.91 грн
100+ 192.86 грн
Мінімальне замовлення: 29
IKW40N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW40N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW40N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 79A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 79 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+313.36 грн
30+ 239.3 грн
120+ 205.11 грн
510+ 171.1 грн
IKW40N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesIKW40N65ET7XKSA1
товар відсутній
IKW40N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 76A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/310ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 590µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 235 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 76 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 230.8 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+301.11 грн
30+ 230.05 грн
120+ 197.17 грн
510+ 164.48 грн
IKW40N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesIKW40N65ET7XKSA1
товар відсутній
IKW40N65ET7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N65ET7XKSA1 - IGBT, 76 A, 1.35 V, 230.8 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 230.8W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+385.47 грн
10+ 345.13 грн
25+ 283.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 12362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+337.19 грн
10+ 279.53 грн
25+ 229.75 грн
100+ 171.81 грн
240+ 165.82 грн
480+ 145.17 грн
1200+ 140.51 грн
IKW40N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesSP005403468
товар відсутній
IKW40N65F5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW40N65F5AXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/165ns
Switching Energy: 350µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IKW40N65F5AXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IKW40N65F5AXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N65F5FInfineon TechnologiesDescription: IGBT WITH ANTI-PARALLEL DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 360µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 255 W
товар відсутній
IKW40N65F5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW40N65F5FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 74A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 360µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 255 W
на замовлення 1722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.26 грн
30+ 218.02 грн
120+ 186.87 грн
510+ 155.88 грн
1020+ 133.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65F5FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+424.02 грн
3+ 368.25 грн
4+ 271.37 грн
10+ 256.39 грн
IKW40N65F5FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+353.35 грн
3+ 295.51 грн
4+ 226.14 грн
10+ 213.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65F5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+361.12 грн
10+ 325.14 грн
25+ 324.72 грн
50+ 293.82 грн
100+ 230.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65F5FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N65F5FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.6 V, 255 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 255W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+321.23 грн
10+ 258.48 грн
100+ 191.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW40N65F5FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 727 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
2+297.56 грн
10+ 279.53 грн
25+ 207.11 грн
100+ 178.47 грн
240+ 174.48 грн
480+ 137.18 грн
1200+ 129.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65F5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+408.75 грн
34+ 346.24 грн
50+ 263.9 грн
200+ 238.21 грн
Мінімальне замовлення: 29
IKW40N65H5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW40N65H5InfineonIGBT Chip N-CH Trench Field Stop 650V 74A 255W   IKW40N65H5FKSA1 TIKW40n65h5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+205.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW40N65H5Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+281.47 грн
44+ 269.38 грн
50+ 259.11 грн
100+ 241.38 грн
250+ 216.72 грн
500+ 202.4 грн
Мінімальне замовлення: 42
IKW40N65H5Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3
товар відсутній
IKW40N65H5Infineon technologies
на замовлення 242 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW40N65H5AXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/153ns
Switching Energy: 380µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 92 nC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IKW40N65H5AXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N65H5AXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IKW40N65H5FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 74A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/165ns
Switching Energy: 390µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 255 W
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+315.52 грн
30+ 240.75 грн
120+ 206.37 грн
510+ 172.15 грн
IKW40N65H5FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW40N65H5FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N65H5FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 255 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
на замовлення 20874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+368.29 грн
10+ 280.14 грн
100+ 212.91 грн
500+ 181.74 грн
1000+ 153.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW40N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+201.3 грн
10+ 195.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW40N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKW40N65H5FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+342.62 грн
10+ 288.72 грн
25+ 233.08 грн
100+ 199.78 грн
240+ 188.46 грн
480+ 177.14 грн
1200+ 143.18 грн
IKW40N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+369.06 грн
38+ 312.52 грн
50+ 238.1 грн
200+ 215.25 грн
Мінімальне замовлення: 32
IKW40N65H5FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW40N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+453.72 грн
10+ 376.02 грн
25+ 308.33 грн
100+ 264.38 грн
240+ 249.06 грн
480+ 234.41 грн
1200+ 200.45 грн
IKW40N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/165ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+417.81 грн
30+ 318.82 грн
120+ 273.28 грн
IKW40N65RH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 74A, 250W, To-247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+558.04 грн
5+ 478.11 грн
10+ 397.43 грн
50+ 335.74 грн
100+ 279.82 грн
250+ 249.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesSP004038146
товар відсутній
IKW40N65WR5Infineon technologies
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW40N65WR5Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IKW40N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N65WR5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N65WR5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+263.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW40N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/432ns
Switching Energy: 770µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 193 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 230 W
товар відсутній
IKW40N65WR5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 448ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+366.65 грн
3+ 318.11 грн
5+ 234.74 грн
12+ 221.42 грн
IKW40N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+248.62 грн
10+ 231.28 грн
25+ 174.48 грн
100+ 159.82 грн
240+ 128.53 грн
480+ 101.22 грн
1200+ 95.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+184.18 грн
70+ 167.3 грн
72+ 162.55 грн
73+ 155.17 грн
Мінімальне замовлення: 64
IKW40N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+385.92 грн
35+ 341.28 грн
50+ 301.6 грн
100+ 263.09 грн
200+ 241.83 грн
Мінімальне замовлення: 31
IKW40N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW40N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+171.03 грн
10+ 155.35 грн
25+ 150.94 грн
50+ 144.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW40N65WR5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 448ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+305.54 грн
3+ 255.28 грн
5+ 195.62 грн
12+ 184.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKW40N65WR5XKSA1
Код товару: 200399		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW40N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+203.6 грн
10+ 176.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW40T120Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+584.51 грн
25+ 559.4 грн
50+ 538.09 грн
100+ 501.26 грн
Мінімальне замовлення: 20
IKW40T120INFINEON10+ TO-247
на замовлення 3240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW40T120
Код товару: 48060		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW40T120Infineon technologies
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW40T120INFINEON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW40T120Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+575.7 грн
10+ 486.3 грн
25+ 383.58 грн
100+ 352.28 грн
240+ 331.64 грн
480+ 310.33 грн
1200+ 279.03 грн
IKW40T120INFINEONMODULE
на замовлення 500094 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW40T120FKSA1
Код товару: 152618		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW40T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+740.11 грн
18+ 668.68 грн
50+ 586.33 грн
100+ 538.61 грн
200+ 480.11 грн
Мінімальне замовлення: 16
IKW40T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40T120FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Gate charge: 203nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 92ns
Turn-off time: 700ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+474.37 грн
3+ 381.53 грн
6+ 360.72 грн
IKW40T120FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Gate charge: 203nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 92ns
Turn-off time: 700ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+569.25 грн
3+ 475.44 грн
6+ 432.86 грн
30+ 416.21 грн
IKW40T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+298.46 грн
41+ 285.63 грн
50+ 274.75 грн
100+ 255.95 грн
Мінімальне замовлення: 40
IKW40T120FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+574.92 грн
10+ 542.2 грн
25+ 381.58 грн
100+ 351.61 грн
240+ 345.62 грн
480+ 279.03 грн
1200+ 267.04 грн
IKW40T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40T120FKSA1InfineonIGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 75A 270W IKW40T120FKSA1 IKW40T120 TIKW40t120
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+372.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40T120FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40T120FKSA1 - IGBT, Universal, 75 A, 2.3 V, 270 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+599.88 грн
5+ 515.46 грн
10+ 430.3 грн
50+ 391.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40T120FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT FS 1200V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 240 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/480ns
Switching Energy: 6.5mJ
Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 203 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+529.47 грн
30+ 407.19 грн
120+ 364.34 грн
510+ 301.69 грн
IKW40T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+473.55 грн
10+ 421.03 грн
25+ 382.17 грн
100+ 251.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40T120XKInfineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
товар відсутній
IKW40TI20FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT, 75A, 1200V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 240 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/480ns
Switching Energy: 3.3mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 203 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 270 W
товар відсутній
IKW50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 398W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+666.3 грн
21+ 573.16 грн
25+ 520.72 грн
30+ 497.09 грн
100+ 427.48 грн
120+ 410.25 грн
240+ 386.17 грн
Мінімальне замовлення: 18
IKW50N120CH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N120CH7XKSA1 - IGBT, 86 A, 1.7 V, 398 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 398W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 86A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+648.43 грн
5+ 558.04 грн
10+ 467.65 грн
50+ 404.42 грн
100+ 345.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 398W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+618.71 грн
10+ 532.22 грн
25+ 483.52 грн
30+ 461.59 грн
100+ 396.95 грн
120+ 380.94 грн
240+ 358.59 грн
IKW50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+606.78 грн
10+ 513.1 грн
25+ 404.22 грн
100+ 371.59 грн
240+ 348.95 грн
480+ 326.97 грн
1200+ 294.34 грн
IKW50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 398W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 398W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 86A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 116 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/319ns
Switching Energy: 2.33mJ (on), 1.12mJ (off)
Gate Charge: 375 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 86 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 398 W
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+558.28 грн
30+ 429.04 грн
120+ 383.87 грн
IKW50N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+770.35 грн
18+ 660.08 грн
25+ 587.08 грн
100+ 530.92 грн
240+ 462.47 грн
Мінімальне замовлення: 16
IKW50N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 1549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+638.63 грн
10+ 579.73 грн
25+ 430.86 грн
100+ 391.57 грн
240+ 377.59 грн
480+ 352.28 грн
1200+ 310.33 грн
IKW50N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesSP005419710
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+326.31 грн
IKW50N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+451.95 грн
10+ 437.57 грн
25+ 412.64 грн
100+ 378.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 165 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/170ns
Switching Energy: 2.8mJ (on), 2.2mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 2.3Ohm, 15V
Gate Charge: 290 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 82 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 428 W
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+587.82 грн
30+ 452.03 грн
120+ 404.46 грн
IKW50N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+486.71 грн
25+ 471.23 грн
27+ 444.38 грн
100+ 407.8 грн
Мінімальне замовлення: 24
IKW50N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+574.9 грн
10+ 537.56 грн
25+ 486.98 грн
30+ 461.59 грн
100+ 405.27 грн
120+ 374.01 грн
240+ 359.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N120CS7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N120CS7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.65 V, 428 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+737.33 грн
5+ 631.25 грн
10+ 525.17 грн
50+ 459.22 грн
100+ 397 грн
250+ 372.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N60DTPInfineon
на замовлення 15600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW50N60DTPInfineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW50N60DTPInfineon technologies
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW50N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/215ns
Switching Energy: 1.53mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 249 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 319.2 W
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.2 грн
30+ 186.44 грн
120+ 159.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+243.95 грн
10+ 215.2 грн
25+ 157.16 грн
100+ 155.16 грн
240+ 133.19 грн
480+ 132.52 грн
1200+ 117.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N60DTPXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 163 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+305.69 грн
3+ 260.2 грн
5+ 217.26 грн
13+ 205.61 грн
IKW50N60DTPXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N60DTPXKSA1 - IGBT, 80 A, 1.6 V, 319.2 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 319.2
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
Kollektorstrom: 80
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+312.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW50N60DTPXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.74 грн
3+ 208.8 грн
5+ 181.05 грн
13+ 171.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N60H3Infineon TechnologiesIGBT Transistors HIGH SPEED SWITCHING
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+480.14 грн
10+ 397.46 грн
25+ 326.31 грн
100+ 279.69 грн
240+ 264.38 грн
480+ 248.39 грн
1200+ 213.1 грн
IKW50N60H3Infineon100A; 600V; 333W; IGBT w/ Diode   IKW50N60H3 TIKW50n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+184.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW50N60H3Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+355.36 грн
35+ 340.09 грн
50+ 327.14 грн
100+ 304.75 грн
Мінімальне замовлення: 33
IKW50N60H3
Код товару: 94376		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW50N60H3Infineon100A; 600V; 333W; IGBT w/ Diode   IKW50N60H3 TIKW50n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+184.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW50N60H3Infineon TechnologiesDescription: IKW50N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
товар відсутній
IKW50N60H3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N60H3FKSA1 - IGBT, 100 A, 1.85 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+490.81 грн
10+ 354.1 грн
100+ 239.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+332.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+487.67 грн
3+ 359.61 грн
8+ 327.97 грн
IKW50N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+406.39 грн
3+ 288.57 грн
8+ 273.31 грн
IKW50N60H3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 130 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/235ns
Switching Energy: 2.36mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 315 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+430.06 грн
30+ 327.79 грн
120+ 280.96 грн
IKW50N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+357.62 грн
34+ 351.32 грн
37+ 317.63 грн
100+ 275.45 грн
Мінімальне замовлення: 33
IKW50N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N60H3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HIGH SPEED SWITCHING
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+465.38 грн
10+ 429.63 грн
25+ 312.32 грн
100+ 261.71 грн
240+ 261.05 грн
480+ 206.44 грн
1200+ 194.45 грн
IKW50N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+440.61 грн
32+ 373.5 грн
50+ 284.01 грн
100+ 272.93 грн
200+ 238.82 грн
Мінімальне замовлення: 27
IKW50N60T
Код товару: 145126		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW50N60TInfineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 50A
на замовлення 741 шт:
термін постачання 236-245 дні (днів)
1+469.26 грн
10+ 395.93 грн
25+ 312.32 грн
100+ 287.02 грн
240+ 269.7 грн
IKW50N60TInfineonTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+264.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW50N60TInfineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+438.2 грн
28+ 419.37 грн
50+ 403.39 грн
100+ 375.79 грн
Мінімальне замовлення: 27
IKW50N60TInfineonTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+264.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW50N60TInfineon TechnologiesDescription: IKW50N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
товар відсутній
IKW50N60TAInfineon TechnologiesDescription: IKW50N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
товар відсутній
IKW50N60TA
Код товару: 139366		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW50N60TAFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N60TAFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
товар відсутній
IKW50N60TAFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+585.91 грн
10+ 536.85 грн
25+ 506.36 грн
100+ 473.08 грн
IKW50N60TAFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 9853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+294.01 грн
Мінімальне замовлення: 68
IKW50N60TAFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N60TFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW50N60TFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+431.5 грн
30+ 332 грн
120+ 297.03 грн
IKW50N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+653.8 грн
22+ 530.78 грн
50+ 458.35 грн
100+ 419.02 грн
200+ 372.04 грн
Мінімальне замовлення: 18
IKW50N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+424.32 грн
32+ 372.23 грн
35+ 340.9 грн
100+ 303.5 грн
240+ 265.19 грн
Мінімальне замовлення: 28
IKW50N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N60TFKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N60TFKSA1 - IGBT, Universal, 80 A, 2 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 333W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 5189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+551.32 грн
5+ 472.13 грн
10+ 392.2 грн
50+ 339.9 грн
100+ 290.71 грн
250+ 272.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N60TFKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 50A
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+512.77 грн
10+ 471.75 грн
25+ 350.95 грн
240+ 332.3 грн
480+ 253.06 грн
1200+ 227.75 грн
2640+ 217.09 грн
IKW50N60TFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW50N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+424.4 грн
10+ 372.3 грн
25+ 340.97 грн
100+ 303.56 грн
240+ 265.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65EH5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW50N65EH5Infineon
на замовлення 12360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+421.09 грн
10+ 381.38 грн
25+ 286.35 грн
100+ 243.73 грн
240+ 231.08 грн
480+ 186.46 грн
1200+ 175.14 грн
IKW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N65EH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 138W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 207ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+461.89 грн
31+ 385.87 грн
33+ 360.27 грн
100+ 276.57 грн
Мінімальне замовлення: 26
IKW50N65EH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N65EH5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 275 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 275
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IKW50N65EH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 138W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 207ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+428.9 грн
10+ 358.31 грн
25+ 334.54 грн
100+ 256.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+560.54 грн
24+ 506.96 грн
50+ 444.46 грн
100+ 408.5 грн
200+ 364.06 грн
Мінімальне замовлення: 21
IKW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 81 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/172ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 275 W
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+387.56 грн
30+ 295.76 грн
120+ 253.5 грн
IKW50N65ES5Infineon TechnologiesIGBT Transistors Trenchstop 5 IGBT
на замовлення 239 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
1+433.52 грн
10+ 359.17 грн
25+ 295.01 грн
100+ 252.39 грн
240+ 238.4 грн
480+ 224.42 грн
IKW50N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 161ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+393.01 грн
35+ 340.2 грн
38+ 310.85 грн
100+ 271.44 грн
240+ 249.48 грн
Мінімальне замовлення: 30
IKW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 236 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
1+421.09 грн
25+ 330.07 грн
100+ 245.73 грн
480+ 193.79 грн
IKW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+422.13 грн
33+ 356.96 грн
50+ 272.34 грн
100+ 261.68 грн
200+ 228.4 грн
Мінімальне замовлення: 28
IKW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/127ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
товар відсутній
IKW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+366 грн
10+ 316.82 грн
25+ 289.48 грн
100+ 252.78 грн
240+ 232.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 161ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65ES5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 274 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 274W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+479.6 грн
10+ 345.88 грн
100+ 224.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 93 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/350ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 290 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 273 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+336.41 грн
30+ 256.64 грн
IKW50N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+471.25 грн
29+ 412.71 грн
50+ 374.03 грн
Мінімальне замовлення: 25
IKW50N65ET7XKSA1
Код товару: 178408		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW50N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N65ET7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N65ET7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 273 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 273W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+389.21 грн
10+ 277.9 грн
100+ 212.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+341.85 грн
10+ 322.41 грн
25+ 243.73 грн
100+ 216.43 грн
240+ 215.1 грн
480+ 174.48 грн
1200+ 164.49 грн
IKW50N65F5
Код товару: 187321		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товар відсутній
IKW50N65F5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW50N65F5Infineon
на замовлення 960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW50N65F5Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
товар відсутній
IKW50N65F5AXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N65F5AXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 77 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns
Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IKW50N65F5AXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
товар відсутній
IKW50N65F5FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Manufacturer series: F5
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 305W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW50N65F5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+419.21 грн
33+ 355.02 грн
50+ 270.4 грн
100+ 259.8 грн
200+ 226.66 грн
Мінімальне замовлення: 28
IKW50N65F5FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N65F5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
на замовлення 14315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+376.51 грн
10+ 284.62 грн
100+ 171.07 грн
500+ 156.08 грн
1000+ 141.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65F5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N65F5FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+327.86 грн
10+ 322.41 грн
25+ 223.09 грн
100+ 191.12 грн
240+ 176.47 грн
480+ 142.51 грн
1200+ 134.52 грн
IKW50N65F5FKSA1
Код товару: 162192		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW50N65F5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N65F5FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Manufacturer series: F5
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 305W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товар відсутній
IKW50N65F5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N65F5FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 52 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns
Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W
товар відсутній
IKW50N65H5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW50N65H5AInfineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
товар відсутній
IKW50N65H5AXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N65H5AXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N65H5AXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
товар відсутній
IKW50N65H5AXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/173ns
Switching Energy: 450µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 116 nC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IKW50N65H5AXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+230.78 грн
10+ 228.47 грн
25+ 210.76 грн
100+ 181.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 57 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns
Switching Energy: 520µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+321.28 грн
30+ 245.29 грн
120+ 210.24 грн
IKW50N65H5FKSA1
Код товару: 125871		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKW50N65H5FKSA1Infineon80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode   IKW50N65H5 TIKW50n65h5
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 101 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+236.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW50N65H5FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+288.36 грн
3+ 236.55 грн
4+ 205.33 грн
10+ 204.64 грн
11+ 193.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+354.48 грн
10+ 350.94 грн
25+ 280.85 грн
100+ 201.98 грн
480+ 156.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+307.01 грн
10+ 305.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+377.93 грн
39+ 302.46 грн
100+ 217.52 грн
480+ 168.13 грн
Мінімальне замовлення: 31
IKW50N65H5FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+346.03 грн
3+ 294.77 грн
4+ 246.4 грн
10+ 245.56 грн
11+ 232.24 грн
IKW50N65H5FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N65H5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+408.63 грн
10+ 307.03 грн
100+ 194.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+468.82 грн
28+ 417.27 грн
50+ 381.28 грн
100+ 333.9 грн
200+ 307.43 грн
Мінімальне замовлення: 25
IKW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+248.53 грн
48+ 246.04 грн
52+ 226.98 грн
100+ 195.99 грн
Мінімальне замовлення: 47
IKW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+376.03 грн
10+ 361.47 грн
25+ 260.38 грн
100+ 209.77 грн
480+ 185.13 грн
IKW50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
товар відсутній
IKW50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1002.02 грн
13+ 911.74 грн
50+ 810.55 грн
100+ 712.72 грн
200+ 636.89 грн
Мінімальне замовлення: 12
IKW50N65RH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 305W, To-247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 305W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+678.32 грн
5+ 602.12 грн
10+ 525.92 грн
50+ 453.67 грн
100+ 386.11 грн
250+ 327.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesSP004038142
товар відсутній
IKW50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 1074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+480.14 грн
10+ 405.89 грн
25+ 320.31 грн
100+ 294.34 грн
240+ 276.36 грн
480+ 269.04 грн
2640+ 222.42 грн
IKW50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
товар відсутній
IKW50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/180ns
Switching Energy: 230µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+577.73 грн
30+ 444.21 грн
IKW50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesSP001668430
товар відсутній
IKW50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+713.22 грн
10+ 603.47 грн
25+ 475.48 грн
100+ 436.85 грн
240+ 410.88 грн
480+ 384.91 грн
1200+ 346.29 грн
IKW50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/140ns
Switching Energy: 320µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+656.25 грн
30+ 504.79 грн
120+ 451.65 грн
IKW50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
товар відсутній
IKW50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1240.13 грн
11+ 1121.08 грн
50+ 1002.02 грн
100+ 881.09 грн
200+ 788.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
IKW50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
товар відсутній
IKW50N65SS5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 274W, To-247, 1.35Vsat
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 274W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+834.45 грн
5+ 756.01 грн
10+ 677.57 грн
50+ 594.49 грн
100+ 499.45 грн
IKW50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
на замовлення 20160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+672.24 грн
Мінімальне замовлення: 240
IKW50N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N65WR5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N65WR5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 282 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 282W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+302.55 грн
10+ 213.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW50N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+272.7 грн
10+ 225.92 грн
25+ 184.46 грн
100+ 158.49 грн
240+ 135.85 грн
480+ 119.87 грн
1200+ 113.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+496.05 грн
27+ 434.54 грн
50+ 392.87 грн
100+ 340.57 грн
200+ 312.69 грн
Мінімальне замовлення: 24
IKW50N65WR5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 112 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+438.36 грн
3+ 380.35 грн
4+ 280.53 грн
10+ 264.71 грн
IKW50N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/417ns
Switching Energy: 840µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 16Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 282 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.69 грн
30+ 191.39 грн
120+ 164.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65WR5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+365.3 грн
3+ 305.22 грн
4+ 233.77 грн
10+ 220.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW60N60H3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+543.07 грн
10+ 459.5 грн
25+ 362.27 грн
100+ 332.3 грн
240+ 312.99 грн
480+ 293.01 грн
1200+ 277.03 грн
IKW60N60H3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW60N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 416 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Produktreihe TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+621.54 грн
5+ 534.14 грн
10+ 445.98 грн
50+ 378.75 грн
100+ 316.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW60N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW60N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW60N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+625.72 грн
3+ 415.79 грн
7+ 378.75 грн
IKW60N60H3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 375 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 416 W
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+499.93 грн
10+ 412.67 грн
IKW60N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+521.44 грн
3+ 333.66 грн
7+ 315.63 грн
IKW60N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW60N60H3FKSA1
Код товару: 198550		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW60N60H3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
товар відсутній
IKW60N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+403.88 грн
Мінімальне замовлення: 240
IKW75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 92A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/461ns
Switching Energy: 4.22mJ (on), 1.66mJ (off)
Gate Charge: 535 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 92 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 549 W
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+698.03 грн
30+ 536.24 грн
120+ 479.8 грн
IKW75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 92A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+780.85 грн
10+ 609.82 грн
100+ 494.94 грн
IKW75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 92A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+731.86 грн
10+ 618.79 грн
25+ 488.13 грн
100+ 448.17 грн
240+ 420.87 грн
480+ 394.9 грн
1200+ 355.61 грн
IKW75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 92A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+840.91 грн
18+ 656.73 грн
100+ 533.01 грн
Мінімальне замовлення: 14
IKW75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 92A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N60H3Infineon technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW75N60H3Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW75N60H3Infineon TechnologiesDescription: IKW75N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 190 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/265ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.7mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.2Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
товар відсутній
IKW75N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+664.12 грн
2+ 471.7 грн
5+ 446.04 грн
IKW75N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+486.4 грн
26+ 455.74 грн
27+ 448.9 грн
100+ 402.93 грн
240+ 353.56 грн
Мінімальне замовлення: 24
IKW75N60H3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 80A 428W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 190 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/265ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.7mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.2Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
товар відсутній
IKW75N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+460.74 грн
Мінімальне замовлення: 240
IKW75N60H3FKSA1
Код товару: 138035		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW75N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+796.95 грн
2+ 587.82 грн
5+ 535.25 грн
IKW75N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+698.44 грн
23+ 508.95 грн
50+ 451.4 грн
100+ 408.5 грн
200+ 356.98 грн
Мінімальне замовлення: 17
IKW75N60H3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW75N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 428W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+485.58 грн
5+ 440.01 грн
10+ 394.44 грн
50+ 330.89 грн
100+ 272.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N60H3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+623.87 грн
10+ 612.66 грн
25+ 426.86 грн
100+ 382.25 грн
480+ 329.64 грн
1200+ 278.36 грн
IKW75N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+451.66 грн
10+ 423.19 грн
25+ 416.83 грн
100+ 374.15 грн
240+ 328.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N60TInfineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 75A
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+620.76 грн
10+ 523.82 грн
25+ 413.55 грн
100+ 379.58 грн
240+ 357.61 грн
480+ 334.97 грн
1200+ 301.67 грн
IKW75N60TInfineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+579.36 грн
25+ 554.47 грн
50+ 533.35 грн
100+ 496.85 грн
250+ 446.09 грн
500+ 416.6 грн
1000+ 406.41 грн
Мінімальне замовлення: 21
IKW75N60T
Код товару: 40498		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IKW75N60TAInfineon TechnologiesDescription: IKW75N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 121 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 2mJ (on), 2.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
товар відсутній
IKW75N60TAInfineon TechnologiesIGBT Transistors 600V 75A 100nA
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IKW75N60TAFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N60TAFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 121 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 4.5mJ
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
товар відсутній
IKW75N60TAFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N60TAFKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors 600V 75A 100nA
товар відсутній
IKW75N60TFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 121 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 4.5mJ
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
на замовлення 3683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+554.68 грн
30+ 426.36 грн
120+ 381.49 грн
510+ 315.9 грн
1020+ 284.31 грн
2010+ 266.41 грн
IKW75N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N60TFKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 75A
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+621.54 грн
10+ 598.11 грн
25+ 414.21 грн
100+ 380.25 грн
240+ 376.25 грн
480+ 301.67 грн
1200+ 282.36 грн
IKW75N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+584.44 грн
10+ 551.62 грн
25+ 430.49 грн
IKW75N60TFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+812.19 грн
2+ 599.92 грн
5+ 546.07 грн
IKW75N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N60TFKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW75N60TFKSA1 - IGBT, Universal, 80 A, 2 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+657.4 грн
5+ 565.51 грн
10+ 472.88 грн
50+ 409.97 грн
100+ 350.9 грн
250+ 328.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+631.51 грн
20+ 596.06 грн
26+ 465.16 грн
Мінімальне замовлення: 19
IKW75N60TFKSA1
Код товару: 169611		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IKW75N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+307.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N60TFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+676.82 грн
2+ 481.42 грн
5+ 455.06 грн
IKW75N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKW75N60TFKSA1Infineon80A; 600V; 428W; IGBT w/ Diode   IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+341.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW75N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+729.49 грн
22+ 532.04 грн
50+ 471.74 грн
100+ 427.69 грн
200+ 372.56 грн
Мінімальне замовлення: 16
IKW75N60TXKInfineon TechnologiesDescription: IKW75N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
IKW75N65EH5Infineon TechnologiesIKW75N65EH5XKSA1 IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3
на замовлення 81 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IKW75N65EH5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW75N65EH5Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+519.68 грн
25+ 497.36 грн
50+ 478.41 грн
100+ 445.67 грн
Мінімальне замовлення: 23
IKW75N65EH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+786.73 грн
21+ 573.44 грн
50+ 508.95 грн
100+ 461.12 грн
200+ 402.16 грн
Мінімальне замовлення: 15
IKW75N65EH5XKSA1
Код товару: 177738		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+443.02 грн
30+ 340.51 грн
120+ 304.67 грн
IKW75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 240 шт:
термін постачання 296-305 дні (днів)
1+480.92 грн
10+ 437.29 грн
25+ 324.31 грн
100+ 295.01 грн
240+ 263.71 грн
IKW75N65EH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+442.67 грн
30+ 400.5 грн
32+ 375.91 грн
100+ 339.9 грн
Мінімальне замовлення: 27
IKW75N65EH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW75N65EH5XKSA1 - IGBT, 90 A, 1.65 V, 395 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 90A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 14628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+567.75 грн
5+ 495.29 грн
10+ 422.08 грн
50+ 347.54 грн
100+ 279.18 грн
250+ 273.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+411.05 грн
10+ 371.89 грн
25+ 349.06 грн
100+ 315.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65EL5Infineon technologies
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW75N65EL5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW75N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+717.74 грн
19+ 643.04 грн
100+ 410.07 грн
Мінімальне замовлення: 17
IKW75N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors 650V IGBT Trenchstop 5
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+480.92 грн
10+ 462.56 грн
25+ 352.28 грн
100+ 310.33 грн
240+ 305.66 грн
480+ 287.02 грн
1200+ 270.37 грн
IKW75N65EL5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW75N65EL5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.1 V, 536 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 536W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+664.87 грн
5+ 572.98 грн
10+ 481.1 грн
50+ 409.27 грн
100+ 342.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+482.42 грн
26+ 461.7 грн
50+ 444.1 грн
100+ 413.72 грн
250+ 371.45 грн
500+ 346.89 грн
Мінімальне замовлення: 25
IKW75N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+666.47 грн
10+ 597.11 грн
100+ 380.78 грн
IKW75N65EL5XKSA1
Код товару: 190876		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW75N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/275ns
Switching Energy: 1.61mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 436 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 536 W
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+536.67 грн
30+ 412.81 грн
IKW75N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+576.12 грн
10+ 526.73 грн
100+ 363.45 грн
500+ 350.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65ES5Infineon TechnologiesIGBT Transistors Trenchstop 5 IGBT
на замовлення 2248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+511.22 грн
10+ 431.93 грн
25+ 340.96 грн
100+ 312.99 грн
240+ 294.34 грн
480+ 276.36 грн
1200+ 248.39 грн
IKW75N65ES5Infineon technologies
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW75N65ES5
Код товару: 169192		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW75N65ES5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW75N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.42 V, 395 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.42
DC-Kollektorstrom: 80
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Verlustleistung Pd: 395
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP™ 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IKW75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+734.16 грн
22+ 534.75 грн
50+ 474.23 грн
100+ 429.55 грн
200+ 374.7 грн
Мінімальне замовлення: 16
IKW75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/144ns
Switching Energy: 2.4mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 14509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+456.71 грн
30+ 351.21 грн
120+ 314.25 грн
510+ 260.22 грн
1020+ 234.2 грн
2010+ 219.45 грн
IKW75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+480.92 грн
10+ 409.72 грн
25+ 289.02 грн
240+ 245.06 грн
1200+ 235.08 грн
2640+ 230.41 грн
IKW75N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 86ns
Turn-off time: 185ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW75N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 86ns
Turn-off time: 185ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW75N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+525.98 грн
10+ 472.51 грн
25+ 314.32 грн
100+ 293.68 грн
240+ 287.68 грн
480+ 261.71 грн
1200+ 245.06 грн
IKW75N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+532.22 грн
10+ 492.19 грн
25+ 384.82 грн
50+ 367.39 грн
100+ 317.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+759.95 грн
17+ 687.53 грн
50+ 603.2 грн
100+ 553.91 грн
200+ 493.4 грн
Мінімальне замовлення: 16
IKW75N65ET7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW75N65ET7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 333 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+564.76 грн
5+ 472.13 грн
10+ 378.75 грн
50+ 336.44 грн
100+ 295.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+573.16 грн
23+ 530.06 грн
29+ 414.43 грн
50+ 395.65 грн
100+ 341.4 грн
Мінімальне замовлення: 21
IKW75N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/310ns
Switching Energy: 2.17mJ (on), 1.23mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 435 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 333 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+481.92 грн
30+ 370.01 грн
120+ 331.04 грн
IKW75N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333000mW Tube
товар відсутній
IKW75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1031.79 грн
16+ 768.88 грн
50+ 719.28 грн
100+ 614.18 грн
Мінімальне замовлення: 12
IKW75N65RH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW75N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 395W, To-247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 395W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+805.31 грн
5+ 732.85 грн
10+ 659.64 грн
IKW75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/180ns
Switching Energy: 360µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+603.66 грн
30+ 463.61 грн
120+ 414.8 грн
IKW75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+655.72 грн
10+ 553.69 грн
25+ 436.85 грн
100+ 401.56 грн
240+ 376.92 грн
480+ 353.61 грн
1200+ 303.67 грн
IKW75N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+908.3 грн
25+ 905.03 грн
50+ 852.98 грн
100+ 762.63 грн
Мінімальне замовлення: 13
IKW75N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/145ns
Switching Energy: 450µJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
товар відсутній
IKW75N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesSP004038158
товар відсутній
IKW75N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+933.09 грн
10+ 911.33 грн
25+ 709.22 грн
50+ 626.65 грн
100+ 587.36 грн
240+ 570.04 грн
1200+ 488.13 грн
IKW75N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+886.7 грн
10+ 843.42 грн
25+ 840.39 грн
50+ 792.05 грн
100+ 708.15 грн
IKW75N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1805.63 грн
9+ 1458.39 грн
10+ 1448.47 грн
50+ 1234.11 грн
100+ 1062.97 грн
200+ 994.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
IKW75N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
товар відсутній
IKW75N65SS5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW75N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 395W, To-247, 1.35Vsat
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 395W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1166.13 грн
5+ 1089.19 грн
10+ 1012.24 грн
50+ 920.52 грн
100+ 746.62 грн
IKWH100N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+661.16 грн
10+ 559.05 грн
25+ 440.85 грн
100+ 404.89 грн
240+ 380.25 грн
480+ 356.94 грн
1200+ 320.98 грн
IKWH100N65EH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKWH100N65EH7XKSA1 - IGBT, 140 A, 1.4 V, 427 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 427W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 140A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+726.13 грн
5+ 629.76 грн
10+ 548.33 грн
50+ 477.25 грн
100+ 397 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH100N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 140A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 106 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 100A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/240ns
Switching Energy: 3.58mJ (on), 2.37mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 199 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 427 W
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+608.71 грн
10+ 502.3 грн
IKWH100N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 140A 427W
товар відсутній
IKWH20N65WR6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKWH20N65WR6XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 140 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.88 грн
10+ 162.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKWH20N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 97 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 136 W
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.81 грн
30+ 139.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH20N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesSP005545963
товар відсутній
IKWH20N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+196.56 грн
10+ 156.23 грн
100+ 111.21 грн
240+ 101.89 грн
480+ 93.9 грн
1200+ 75.25 грн
5040+ 73.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH30N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.99 грн
10+ 173.08 грн
25+ 141.84 грн
100+ 121.2 грн
240+ 114.54 грн
480+ 107.88 грн
1200+ 92.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH30N65WR5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKWH30N65WR5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.4 V, 190 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 190
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IKWH30N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 41ns/398ns
Switching Energy: 870µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 27Ohm, 15V
Gate Charge: 133 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 190 W
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.34 грн
30+ 146.92 грн
120+ 125.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH30N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesSP005430891
товар відсутній
IKWH30N65WR6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKWH30N65WR6XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.45 V, 165 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 165
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IKWH30N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 67A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 97 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 136 W
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.34 грн
30+ 148.77 грн
120+ 122.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH30N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesSP005430886
товар відсутній
IKWH30N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.99 грн
10+ 166.18 грн
100+ 119.2 грн
240+ 109.21 грн
480+ 101.89 грн
1200+ 80.58 грн
5040+ 77.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH40N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 40A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/141ns
Switching Energy: 970µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 12.5Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+355.86 грн
10+ 287.81 грн
IKWH40N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKWH40N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+386.91 грн
10+ 320.88 грн
25+ 263.04 грн
100+ 225.75 грн
240+ 212.43 грн
480+ 199.78 грн
1200+ 171.15 грн
IKWH40N65EH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKWH40N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 208 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+413.11 грн
10+ 354.1 грн
100+ 306.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH40N65WR6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKWH40N65WR6XKSA1 - IGBT, 75 A, 1.55 V, 175 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.04 грн
10+ 171.07 грн
100+ 129.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKWH40N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 79 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/353ns
Switching Energy: 1.09mJ (on), 570µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 27Ohm, 15V
Gate Charge: 117 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 175 W
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.54 грн
30+ 152.33 грн
120+ 130.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH40N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesSP005542785
товар відсутній
IKWH40N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+216.76 грн
10+ 195.29 грн
25+ 147.17 грн
100+ 126.53 грн
240+ 119.2 грн
480+ 114.54 грн
1200+ 90.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH50N65EH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKWH50N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 249 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 249W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+472.88 грн
10+ 405.64 грн
100+ 350.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH50N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/147ns
Switching Energy: 1.27mJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 249 W
Package / Case: TO-247-3
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+407.01 грн
10+ 329.22 грн
IKWH50N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesINDUSTRY 14
товар відсутній
IKWH50N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+442.07 грн
10+ 366.06 грн
25+ 301 грн
100+ 257.72 грн
240+ 243.07 грн
480+ 228.42 грн
1200+ 195.79 грн
IKWH50N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+269.59 грн
10+ 242 грн
25+ 183.13 грн
100+ 157.16 грн
240+ 151.83 грн
480+ 142.51 грн
1200+ 112.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH50N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/351ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 730µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 144 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 205 W
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.8 грн
30+ 189.31 грн
120+ 162.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH50N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesSP005542787
товар відсутній
IKWH60N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/311ns
Switching Energy: 1.82mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 174 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 240 W
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.1 грн
30+ 216.13 грн
120+ 185.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH60N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesSP005430894
товар відсутній
IKWH60N65WR6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKWH60N65WR6XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.55 V, 240 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+339.9 грн
10+ 242.04 грн
100+ 183.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKWH60N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+307.66 грн
10+ 276.46 грн
25+ 209.1 грн
100+ 179.8 грн
240+ 173.14 грн
480+ 159.16 грн
1200+ 128.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH70N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 122A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/378ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.07mJ (off)
Test Condition: 400V, 70A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 269 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 122 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 210 A
Power - Max: 290 W
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+318.4 грн
30+ 243.34 грн
120+ 208.59 грн
IKWH70N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesSP005430896
товар відсутній
IKWH70N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+346.51 грн
10+ 287.18 грн
25+ 235.08 грн
100+ 153.83 грн
IKWH75N65EH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKWH75N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 341 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+588.67 грн
5+ 504.25 грн
10+ 436.27 грн
50+ 380.83 грн
100+ 313.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH75N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 89 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/45ns
Switching Energy: 2.42mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 341 W
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+464.63 грн
10+ 383.61 грн
IKWH75N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 341W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKWH75N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+505 грн
10+ 426.56 грн
25+ 336.96 грн
100+ 308.99 грн
240+ 290.35 грн
480+ 272.37 грн
1200+ 245.06 грн