Результат пошуку "2N55" : > 120

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
2N5551BU 2N5551BU ONSEMI ONSMS13513-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5551BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.45 грн
39+ 19.19 грн
100+ 8 грн
500+ 5.5 грн
1000+ 3.3 грн
5000+ 3.24 грн
Мінімальне замовлення: 27
2N5551BU 2N5551BU ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1499+7.81 грн
2627+ 4.45 грн
2891+ 4.05 грн
10000+ 3.17 грн
Мінімальне замовлення: 1499
2N5551BU 2N5551BU ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 20013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 127
2N5551BU 2N5551BU onsemi / Fairchild 2N5551T_D-2997661.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 16886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+25.81 грн
18+ 17.39 грн
100+ 6.08 грн
1000+ 3.76 грн
2500+ 3.43 грн
10000+ 2.84 грн
30000+ 2.64 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N5551BU 2N5551BU ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 20013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+23.87 грн
36+ 16.15 грн
100+ 6.64 грн
1000+ 3.79 грн
2500+ 3.18 грн
10000+ 2.48 грн
Мінімальне замовлення: 25
2N5551G ONSEMI ONSMS13513-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - 2N5551G - TRANSISTOR, NPN, 160V, 0.6A, TO92
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 201370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
2N5551G 2N5551G onsemi 2n5550-d.pdf description Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 201370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3806+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 3806
2N5551RL1G 2N5551RL1G onsemi 2n5550-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 110143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3806+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 3806
2N5551RL1G ONSEMI ONSMS13513-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5551RL1G - 2N5551RL1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 110143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N5551RLRPG ONSEMI ONSMS13513-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5551RLRPG - 2N5551RLRPG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 416513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N5551RLRPG 2N5551RLRPG ON Semiconductor 2n5550-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 362000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2273+5.15 грн
2679+ 4.37 грн
4001+ 3.12 грн
20001+ 2.86 грн
40001+ 2.44 грн
Мінімальне замовлення: 2273
2N5551RLRPG 2N5551RLRPG ON Semiconductor 2n5550-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 362000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+4.78 грн
2001+ 3.91 грн
4001+ 2.59 грн
20001+ 2.36 грн
40001+ 2.17 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N5551RLRPG 2N5551RLRPG ON Semiconductor 2n5550-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N5551RLRPG 2N5551RLRPG onsemi 2n5550-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 416513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3806+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 3806
2N5551RLRPG 2N5551RLRPG ON Semiconductor 2n5550-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+7.53 грн
251+ 7.1 грн
501+ 4.78 грн
Мінімальне замовлення: 77
2N5551TA 2N5551TA ONSEMI 2N5551.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 30...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
2N5551TA 2N5551TA onsemi technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+3.99 грн
6000+ 3.56 грн
10000+ 2.95 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N5551TA 2N5551TA onsemi technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 5479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.58 грн
18+ 15.69 грн
100+ 7.64 грн
500+ 5.98 грн
1000+ 4.16 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N5551TA 2N5551TA ONSEMI ONSM-S-A0013908840-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5551TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+26.82 грн
40+ 18.89 грн
102+ 7.28 грн
500+ 6.63 грн
Мінімальне замовлення: 28
2N5551TA 2N5551TA onsemi / Fairchild 2N5551T_D-2997661.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 12332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.66 грн
19+ 16.41 грн
100+ 6.08 грн
1000+ 4.1 грн
2000+ 3.24 грн
10000+ 2.77 грн
24000+ 2.64 грн
Мінімальне замовлення: 14
2N5551TF 2N5551TF ONSEMI technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 30...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
70+5.56 грн
100+ 3.89 грн
260+ 3.12 грн
705+ 2.94 грн
Мінімальне замовлення: 70
2N5551TF 2N5551TF ONSEMI technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 30...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 720 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
40+6.67 грн
100+ 4.84 грн
260+ 3.74 грн
705+ 3.53 грн
10000+ 3.46 грн
Мінімальне замовлення: 40
2N5551TF 2N5551TF ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 13253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+22.83 грн
36+ 16.25 грн
37+ 16.09 грн
100+ 6.92 грн
250+ 6.01 грн
500+ 5.71 грн
1000+ 3.07 грн
3000+ 3.04 грн
6000+ 2.12 грн
Мінімальне замовлення: 26
2N5551TF 2N5551TF onsemi technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 48720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.58 грн
18+ 15.69 грн
100+ 7.64 грн
500+ 5.98 грн
1000+ 4.16 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N5551TF 2N5551TF ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+3.52 грн
10000+ 2.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N5551TF 2N5551TF ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3081+3.8 грн
10000+ 3.16 грн
Мінімальне замовлення: 3081
2N5551TF 2N5551TF ON Semiconductor 2n5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N5551TF 2N5551TF ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 13253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1516+7.72 грн
1613+ 7.25 грн
1633+ 7.17 грн
3037+ 3.72 грн
3062+ 3.41 грн
6000+ 2.29 грн
Мінімальне замовлення: 1516
2N5551TF 2N5551TF onsemi technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+2.8 грн
6000+ 2.5 грн
10000+ 2.15 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N5551TF 2N5551TF onsemi / Fairchild 2N5551T_D-2997661.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 6946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.12 грн
18+ 17.01 грн
100+ 6.08 грн
1000+ 4.1 грн
2000+ 2.38 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N5551TFR 2N5551TFR ONSEMI technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 30...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
80+4.63 грн
100+ 3.71 грн
275+ 2.92 грн
500+ 2.91 грн
755+ 2.75 грн
Мінімальне замовлення: 80
2N5551TFR 2N5551TFR ONSEMI technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 30...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
50+5.56 грн
100+ 4.62 грн
275+ 3.5 грн
500+ 3.49 грн
755+ 3.3 грн
10000+ 3.29 грн
Мінімальне замовлення: 50
2N5551TFR 2N5551TFR ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3139+3.73 грн
6000+ 2.84 грн
12000+ 2.8 грн
Мінімальне замовлення: 3139
2N5551TFR 2N5551TFR ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 17546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+22.43 грн
39+ 14.86 грн
40+ 14.71 грн
100+ 5.66 грн
250+ 5.19 грн
500+ 4.93 грн
1000+ 4.45 грн
3000+ 3.96 грн
6000+ 3.48 грн
Мінімальне замовлення: 26
2N5551TFR 2N5551TFR ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 17546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1852+6.32 грн
1871+ 6.26 грн
1890+ 6.19 грн
2095+ 5.39 грн
3000+ 4.44 грн
6000+ 3.75 грн
15000+ 3.23 грн
Мінімальне замовлення: 1852
2N5551TFR 2N5551TFR ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+2.52 грн
18000+ 2.5 грн
Мінімальне замовлення: 16000
2N5551TFR 2N5551TFR onsemi / Fairchild 2N5551T_D-2997661.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 17984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+25.81 грн
19+ 16.71 грн
100+ 5.94 грн
1000+ 4.23 грн
2000+ 2.38 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N5551TFR 2N5551TFR onsemi technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 5272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.29 грн
18+ 15.69 грн
100+ 7.67 грн
500+ 6.01 грн
1000+ 4.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N5551TFR 2N5551TFR ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+3.46 грн
6000+ 2.64 грн
12000+ 2.6 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N5551TFR 2N5551TFR ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2488+4.7 грн
4000+ 4.3 грн
8000+ 4 грн
Мінімальне замовлення: 2488
2N5551TFR 2N5551TFR onsemi technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N5551YBU 2N5551YBU onsemi technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 19899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.29 грн
18+ 15.69 грн
100+ 7.67 грн
500+ 6.01 грн
1000+ 4.17 грн
2000+ 3.62 грн
5000+ 3.3 грн
10000+ 2.74 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N5551YTA 2N5551YTA onsemi technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.58 грн
18+ 15.76 грн
100+ 7.99 грн
500+ 6.11 грн
1000+ 4.54 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N5551ZL1G 2N5551ZL1G onsemi 2n5550-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 31679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3806+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 3806
2N5551ZL1G ONSEMI ONSMS04000-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5551ZL1G - 2N5551ZL1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 31679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N5564 TO-71 6L ROHS 2N5564 TO-71 6L ROHS Linear Integrated Systems, Inc. 7e8069_c792d77773214613aa93c0acdf157606.pdf Description: JFET 2N-CH 40V TO71
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-71-6 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Supplier Device Package: TO-71
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 50 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 2 mA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7 mA @ 15 V
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+736.64 грн
10+ 624.73 грн
100+ 540.29 грн
2N5582 2N5582 Microchip Technology 2n5581.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-46 Bag
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1283.72 грн
25+ 877.96 грн
50+ 793.54 грн
100+ 704.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N5598 General Semiconductor SOLDC001-B-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: LOW FREQUENCY SILICON POWER NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 850mV @ 200µA, 1mA
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+2772.24 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N55 CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N550 MOTOROLA
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N550 MOT CAN
на замовлення 246 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5505 MOTOROLA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5505 VISHAY CAN
на замовлення 918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5506 NS CAN
на замовлення 329 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5506 MOTOROLA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5507 MOTOROLA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5507 NS CAN
на замовлення 841 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5508 MOTOROLA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5508 NS CAN
на замовлення 657 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5509 MOTOROLA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5551BU ONSMS13513-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N5551BU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5551BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+28.45 грн
39+ 19.19 грн
100+ 8 грн
500+ 5.5 грн
1000+ 3.3 грн
5000+ 3.24 грн
Мінімальне замовлення: 27
2N5551BU 2n5551t-d.pdf
2N5551BU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1499+7.81 грн
2627+ 4.45 грн
2891+ 4.05 грн
10000+ 3.17 грн
Мінімальне замовлення: 1499
2N5551BU 2n5551t-d.pdf
2N5551BU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 20013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
127+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 127
2N5551BU 2N5551T_D-2997661.pdf
2N5551BU
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 16886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.81 грн
18+ 17.39 грн
100+ 6.08 грн
1000+ 3.76 грн
2500+ 3.43 грн
10000+ 2.84 грн
30000+ 2.64 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N5551BU 2n5551t-d.pdf
2N5551BU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 20013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+23.87 грн
36+ 16.15 грн
100+ 6.64 грн
1000+ 3.79 грн
2500+ 3.18 грн
10000+ 2.48 грн
Мінімальне замовлення: 25
2N5551G description ONSMS13513-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5551G - TRANSISTOR, NPN, 160V, 0.6A, TO92
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 201370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
2N5551G description 2n5550-d.pdf
2N5551G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 201370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3806+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 3806
2N5551RL1G 2n5550-d.pdf
2N5551RL1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 110143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3806+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 3806
2N5551RL1G ONSMS13513-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5551RL1G - 2N5551RL1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 110143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N5551RLRPG ONSMS13513-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5551RLRPG - 2N5551RLRPG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 416513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N5551RLRPG 2n5550-d.pdf
2N5551RLRPG
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 362000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2273+5.15 грн
2679+ 4.37 грн
4001+ 3.12 грн
20001+ 2.86 грн
40001+ 2.44 грн
Мінімальне замовлення: 2273
2N5551RLRPG 2n5550-d.pdf
2N5551RLRPG
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 362000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+4.78 грн
2001+ 3.91 грн
4001+ 2.59 грн
20001+ 2.36 грн
40001+ 2.17 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N5551RLRPG 2n5550-d.pdf
2N5551RLRPG
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N5551RLRPG 2n5550-d.pdf
2N5551RLRPG
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 416513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3806+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 3806
2N5551RLRPG 2n5550-d.pdf
2N5551RLRPG
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
77+7.53 грн
251+ 7.1 грн
501+ 4.78 грн
Мінімальне замовлення: 77
2N5551TA 2N5551.PDF
2N5551TA
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 30...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
2N5551TA technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF
2N5551TA
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+3.99 грн
6000+ 3.56 грн
10000+ 2.95 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N5551TA technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF
2N5551TA
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 5479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.58 грн
18+ 15.69 грн
100+ 7.64 грн
500+ 5.98 грн
1000+ 4.16 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N5551TA ONSM-S-A0013908840-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N5551TA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5551TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
28+26.82 грн
40+ 18.89 грн
102+ 7.28 грн
500+ 6.63 грн
Мінімальне замовлення: 28
2N5551TA 2N5551T_D-2997661.pdf
2N5551TA
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 12332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+23.66 грн
19+ 16.41 грн
100+ 6.08 грн
1000+ 4.1 грн
2000+ 3.24 грн
10000+ 2.77 грн
24000+ 2.64 грн
Мінімальне замовлення: 14
2N5551TF technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF
2N5551TF
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 30...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
70+5.56 грн
100+ 3.89 грн
260+ 3.12 грн
705+ 2.94 грн
Мінімальне замовлення: 70
2N5551TF technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF
2N5551TF
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 30...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 720 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+6.67 грн
100+ 4.84 грн
260+ 3.74 грн
705+ 3.53 грн
10000+ 3.46 грн
Мінімальне замовлення: 40
2N5551TF 2n5551t-d.pdf
2N5551TF
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 13253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+22.83 грн
36+ 16.25 грн
37+ 16.09 грн
100+ 6.92 грн
250+ 6.01 грн
500+ 5.71 грн
1000+ 3.07 грн
3000+ 3.04 грн
6000+ 2.12 грн
Мінімальне замовлення: 26
2N5551TF technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF
2N5551TF
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 48720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.58 грн
18+ 15.69 грн
100+ 7.64 грн
500+ 5.98 грн
1000+ 4.16 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N5551TF 2n5551t-d.pdf
2N5551TF
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+3.52 грн
10000+ 2.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N5551TF 2n5551t-d.pdf
2N5551TF
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3081+3.8 грн
10000+ 3.16 грн
Мінімальне замовлення: 3081
2N5551TF 2n5551-d.pdf
2N5551TF
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N5551TF 2n5551t-d.pdf
2N5551TF
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 13253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1516+7.72 грн
1613+ 7.25 грн
1633+ 7.17 грн
3037+ 3.72 грн
3062+ 3.41 грн
6000+ 2.29 грн
Мінімальне замовлення: 1516
2N5551TF technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF
2N5551TF
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+2.8 грн
6000+ 2.5 грн
10000+ 2.15 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N5551TF 2N5551T_D-2997661.pdf
2N5551TF
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 6946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+25.12 грн
18+ 17.01 грн
100+ 6.08 грн
1000+ 4.1 грн
2000+ 2.38 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N5551TFR technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF
2N5551TFR
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 30...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
80+4.63 грн
100+ 3.71 грн
275+ 2.92 грн
500+ 2.91 грн
755+ 2.75 грн
Мінімальне замовлення: 80
2N5551TFR technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF
2N5551TFR
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 30...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+5.56 грн
100+ 4.62 грн
275+ 3.5 грн
500+ 3.49 грн
755+ 3.3 грн
10000+ 3.29 грн
Мінімальне замовлення: 50
2N5551TFR 2n5551t-d.pdf
2N5551TFR
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3139+3.73 грн
6000+ 2.84 грн
12000+ 2.8 грн
Мінімальне замовлення: 3139
2N5551TFR 2n5551t-d.pdf
2N5551TFR
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 17546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+22.43 грн
39+ 14.86 грн
40+ 14.71 грн
100+ 5.66 грн
250+ 5.19 грн
500+ 4.93 грн
1000+ 4.45 грн
3000+ 3.96 грн
6000+ 3.48 грн
Мінімальне замовлення: 26
2N5551TFR 2n5551t-d.pdf
2N5551TFR
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 17546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1852+6.32 грн
1871+ 6.26 грн
1890+ 6.19 грн
2095+ 5.39 грн
3000+ 4.44 грн
6000+ 3.75 грн
15000+ 3.23 грн
Мінімальне замовлення: 1852
2N5551TFR 2n5551t-d.pdf
2N5551TFR
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16000+2.52 грн
18000+ 2.5 грн
Мінімальне замовлення: 16000
2N5551TFR 2N5551T_D-2997661.pdf
2N5551TFR
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 17984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.81 грн
19+ 16.71 грн
100+ 5.94 грн
1000+ 4.23 грн
2000+ 2.38 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N5551TFR technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF
2N5551TFR
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 5272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+24.29 грн
18+ 15.69 грн
100+ 7.67 грн
500+ 6.01 грн
1000+ 4.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N5551TFR 2n5551t-d.pdf
2N5551TFR
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+3.46 грн
6000+ 2.64 грн
12000+ 2.6 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N5551TFR 2n5551t-d.pdf
2N5551TFR
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2488+4.7 грн
4000+ 4.3 грн
8000+ 4 грн
Мінімальне замовлення: 2488
2N5551TFR technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF
2N5551TFR
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N5551YBU technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF
2N5551YBU
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 19899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+24.29 грн
18+ 15.69 грн
100+ 7.67 грн
500+ 6.01 грн
1000+ 4.17 грн
2000+ 3.62 грн
5000+ 3.3 грн
10000+ 2.74 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N5551YTA technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF
2N5551YTA
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.58 грн
18+ 15.76 грн
100+ 7.99 грн
500+ 6.11 грн
1000+ 4.54 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N5551ZL1G 2n5550-d.pdf
2N5551ZL1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 31679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3806+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 3806
2N5551ZL1G ONSMS04000-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5551ZL1G - 2N5551ZL1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 31679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N5564 TO-71 6L ROHS 7e8069_c792d77773214613aa93c0acdf157606.pdf
2N5564 TO-71 6L ROHS
Виробник: Linear Integrated Systems, Inc.
Description: JFET 2N-CH 40V TO71
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-71-6 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Supplier Device Package: TO-71
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 50 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 2 mA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7 mA @ 15 V
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+736.64 грн
10+ 624.73 грн
100+ 540.29 грн
2N5582 2n5581.pdf
2N5582
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-46 Bag
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+1283.72 грн
25+ 877.96 грн
50+ 793.54 грн
100+ 704.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N5598 SOLDC001-B-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: General Semiconductor
Description: LOW FREQUENCY SILICON POWER NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 850mV @ 200µA, 1mA
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+2772.24 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N55
CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N550
Виробник: MOTOROLA
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N550
Виробник: MOT
CAN
на замовлення 246 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5505
Виробник: MOTOROLA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5505
Виробник: VISHAY
CAN
на замовлення 918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5506
Виробник: NS
CAN
на замовлення 329 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5506
Виробник: MOTOROLA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5507
Виробник: MOTOROLA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5507
Виробник: NS
CAN
на замовлення 841 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5508
Виробник: MOTOROLA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5508
Виробник: NS
CAN
на замовлення 657 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5509
Виробник: MOTOROLA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]