Продукція > SiS

BGA

на замовлення 25 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS 112 12VDC SEN

Relays with Forcibly Guided Contact

товар відсутній

SIS 112 18VDC SEN

Power Relay 18VDC 6A SPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

товар відсутній

SIS 112 24VDC SEN

Power Relay 24VDC 6A SPST-NO/SPST-NC(29.2mm 16.6mm 16.5mm) THT

товар відсутній

SIS 112 5VDC SEN

Relays with forcibly guided contacts

товар відсутній

SIS 11212VDC

PCB Power Relay

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIS 11224VDC

PCB Power Relay

на замовлення 2229 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	957.46 грн
10+	873.49 грн
41+	843.06 грн
100+	742.13 грн
128+	689.44 грн

SIS 11248VDC

Power Relay 48VDC 6A SPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

товар відсутній

SIS-163-U

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS-163U

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS-6801-A1-AX

на замовлення 907 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS03VA

Description: CONV DC-DC 5V IN 1.5V OUT 4.5W

товар відсутній

SIS03VB

Description: CONV DC-DC 5V IN 1.8V OUT 5.4W

товар відсутній

SIS03VD

Description: CONV DC-DC 5V IN 2.5V OUT 7.5W

товар відсутній

SIS03VE

Description: CONV DC-DC 5V IN 3.3V OUT 9.9W

товар відсутній

SIS03VY

Description: CONV DC-DC 5V IN 1.2V OUT 8.4W

товар відсутній

SIS044200SPL-1

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS07VA

Description: CONV DC-DC 5V IN 1.5V OUT 10.5W

товар відсутній

SIS07VB

Description: CONV DC-DC 5V IN 1.8V OUT 12.6W

товар відсутній

SIS07VD

Description: CONV DC-DC 5V IN 2.5V OUT 17.5W

товар відсутній

SIS07VE

Description: CONV DC-DC 5V IN 3.3V OUT 23.1W

товар відсутній

SIS106DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 9.8A/16A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V

на замовлення 4890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.18 грн
10+	54.02 грн
100+	42.03 грн
500+	33.43 грн
1000+	27.23 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIS106DN-T1-GE3

MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 26286 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.65 грн
10+	58.69 грн
100+	39.8 грн
500+	33.7 грн
1000+	27.47 грн
3000+	27.4 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIS106DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 9.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	30.93 грн

Мінімальне замовлення: 6000

SIS106DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 9.8A/16A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS106DN-T1-GE3

SIS106DN-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SIS108DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS108DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.028 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm

на замовлення 16876 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	54.87 грн
17+	47.18 грн
100+	44.96 грн
500+	40.89 грн
1000+	37.02 грн
5000+	36.23 грн

Мінімальне замовлення: 15

SIS108DN-T1-GE3

SIS108DN-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SIS108DN-T1-GE3

MOSFET Nch 80V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 25116 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.38 грн
10+	52.63 грн
100+	35.62 грн
500+	30.21 грн
1000+	24.59 грн
3000+	22.67 грн
6000+	22.61 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIS110DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 14.2A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	14.07 грн

Мінімальне замовлення: 6000

SIS110DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 14.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V

на замовлення 11108 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	43.72 грн
10+	36.46 грн
100+	25.27 грн
500+	19.82 грн
1000+	16.86 грн

Мінімальне замовлення: 7

SIS110DN-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 126091 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.55 грн
10+	39.55 грн
100+	24.46 грн
500+	20.48 грн
1000+	17.4 грн
3000+	15.14 грн
6000+	14.59 грн

Мінімальне замовлення: 7

SIS110DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS110DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14.2 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 24W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 28085 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.97 грн
500+	20.55 грн
1000+	15.15 грн
3000+	14.03 грн
6000+	13.77 грн
12000+	13.44 грн

Мінімальне замовлення: 100

SIS110DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 14.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.62 грн
6000+	15.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS110DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS110DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14.2 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 24W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 28085 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	41.11 грн
22+	36.43 грн
100+	27.97 грн
500+	20.55 грн
1000+	15.15 грн
3000+	14.03 грн
6000+	13.77 грн
12000+	13.44 грн

Мінімальне замовлення: 19

SIS110DN-T1-GE3

SIS110DN-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SIS112 3.3VDC SEN

H320934

товар відсутній

SIS112 5VDC L38

H320845

товар відсутній

SIS112-21VDC

Relay

товар відсутній

SIS112-5VDC REDESIGN

Power Relay 5VDC 6A SPST-NO/SPST-NC (( 29.2mm 16.6mm 16.5mm)) Through Hole

товар відсутній

SIS112-6VDC SEN

Power Relay

товар відсутній

SIS112LDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS112LDN-T1-GE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 8.8A/POWERPAK 1212-8
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

SIS112LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товар відсутній

SIS112LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 50 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	45.94 грн
10+	38.18 грн
100+	26.42 грн
500+	20.72 грн
1000+	17.63 грн

Мінімальне замовлення: 7

SIS112LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товар відсутній

SIS112LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 50 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.38 грн
6000+	15.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS112LDN-T1-GE3

товар відсутній

SIS1206L-4R6FT

на замовлення 142 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS126DN-T1-GE3

SIS126DN-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SIS126DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 12A/45.1A PPAK

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIS126DN-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET

товар відсутній

SIS126DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 12A/45.1A PPAK

на замовлення 9215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIS128LDN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 26.9A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 26.9A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 25W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SIS128LDN-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET

на замовлення 16413 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.85 грн
10+	58.45 грн
100+	36.1 грн
500+	30.21 грн
1000+	25.69 грн
3000+	22.33 грн
6000+	21.44 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIS128LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 10.2A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	24.14 грн

Мінімальне замовлення: 6000

SIS128LDN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 10.2A/33.7A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 33.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 40 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.56 грн
6000+	22.4 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS128LDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS128LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33.7 A, 0.013 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm

на замовлення 7675 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	63.71 грн
14+	56.18 грн
100+	43.11 грн
500+	31.68 грн
1000+	23.38 грн
5000+	22.92 грн

Мінімальне замовлення: 13

SIS128LDN-T1-GE3

товар відсутній

SIS128LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 10.2A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товар відсутній

SIS128LDN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 10.2A/33.7A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 33.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 40 V

на замовлення 7612 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.47 грн
10+	53.95 грн
100+	37.34 грн
500+	29.28 грн
1000+	24.92 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIS150-40-TG-N5

Description: NATURAL GAS HEATER INFRARED VACU
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Fuel Type: Natural Gas
Length (Inches): 513
Width (Inches): 13
BTU's: 150000
Ignition Type: Direct Spark

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	184564.54 грн

SIS150E

на замовлення 21 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS160

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS162U

LFBGA

на замовлення 1494 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS163

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS163A

на замовлення 700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS163A1DA

05+

на замовлення 1020 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS163U

на замовлення 227 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS163UZ

0750+/

на замовлення 1177 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS168C1AD

на замовлення 188 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS175-40-L5

Description: PROPANE HEATER INFRARED STANDARD
Packaging: Bulk
Voltage: 120V
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 2.4
Fuel Type: Propane
Length (Inches): 513
Width (Inches): 13
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	148196.15 грн

SIS175-40-N5

Description: NATURAL GAS HEATER INFRARED TUBE
Packaging: Bulk
Voltage: 120V
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 2.4
Fuel Type: Natural Gas
Length (Inches): 513
Width (Inches): 13
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	142001.12 грн

SIS175-40-TG-L5

Description: PROPANE HEATER INFRARED TOUGHGUY
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Fuel Type: Propane
Length (Inches): 513
Width (Inches): 13
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	162379.51 грн

SIS175-40-TG-N5

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	182789.03 грн

SIS175-50-L5

Description: PROPANE HEATER INFRARED TUBE
Packaging: Bulk
Voltage: 120V
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 2.4
Fuel Type: Propane
Length (Inches): 633
Width (Inches): 13
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	168950.98 грн

SIS175-50-N5

Description: NATURAL GAS HEATER INFRARED TUBE
Packaging: Bulk
Voltage: 120V
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 2.4
Fuel Type: Natural Gas
Length (Inches): 633
Width (Inches): 13
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	168950.98 грн

SIS175-50-TG-L5

Description: PROPANE HEATER INFRARED TOUGHGUY
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Fuel Type: Propane
Length (Inches): 633
Width (Inches): 13
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	173026.66 грн

SIS176LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Ta), 42.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 35 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.84 грн
6000+	23.69 грн
9000+	22.6 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS176LDN-T1-GE3

SIS176LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SIS176LDN-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 70-V (D-S)

на замовлення 40186 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.89 грн
10+	53.89 грн
100+	36.51 грн
500+	30.96 грн
1000+	25.21 грн
3000+	23.7 грн
6000+	22.74 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIS176LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Ta), 42.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 35 V

на замовлення 18692 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.25 грн
10+	49.24 грн
100+	38.28 грн
500+	30.45 грн
1000+	24.8 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIS178LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 45.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 35 V

товар відсутній

SIS178LDN-T1-GE3

SIS178LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SIS178LDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS178LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 45.3 A, 0.0078 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 5190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	53.18 грн
17+	47.03 грн
100+	36.12 грн
500+	26.47 грн
1000+	19.56 грн
5000+	19.17 грн

Мінімальне замовлення: 15

SIS178LDN-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 70-V (D-S)

на замовлення 43443 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.18 грн
10+	56.49 грн
100+	34.05 грн
500+	28.43 грн
1000+	24.18 грн
3000+	21.99 грн
6000+	20.83 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIS178LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 45.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 35 V

на замовлення 2802 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.95 грн
10+	55.02 грн
100+	38.09 грн
500+	29.87 грн
1000+	25.42 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIS180

на замовлення 45 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS184DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 17.4A/65.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 65.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V

на замовлення 14940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	105.23 грн
10+	82.78 грн
100+	64.37 грн
500+	51.2 грн
1000+	41.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIS184DN-T1-GE3

SIS184DN-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SIS184DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 17.4A/65.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 65.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	43.45 грн
6000+	39.85 грн
9000+	38.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS184DN-T1-GE3

MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 29811 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	105.5 грн
10+	85.08 грн
100+	57.54 грн
500+	48.71 грн
1000+	39.66 грн
3000+	37.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

SIS184LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta), 69.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V

на замовлення 5997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	114.86 грн
10+	91.7 грн
100+	72.96 грн
500+	57.93 грн
1000+	49.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIS184LDN-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 60 V MOSFET PWRPAK

на замовлення 17620 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	115.09 грн
10+	94.54 грн
100+	65.63 грн
3000+	55.42 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIS184LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta), 69.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	51.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS2038

DIP-471 SIS4047

на замовлення 112240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS2038 DIP-471 SIS4047

на замовлення 91240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS2038DIP-471

на замовлення 91240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS2038DIP-471SIS4047

на замовлення 110329 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS212 12VDC SEN

Power Relay 12VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2mm 16.6mm 16.5mm) THT

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIS212 18VDC SEN

Relays with forcibly guided contacts

товар відсутній

SIS212 24VDC SEN

Power Relay 24VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

товар відсутній

SIS212 5VDC SEN

Power Relay 5VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2mm 16.6mm 16.5mm) THT

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIS212 60VDC SEN

SIS212-60VDC SEN

товар відсутній

SIS212-12VDC SEN

Power Relay 12VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2mm 16.6mm 16.5mm) THT

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	1875.5 грн

Мінімальне замовлення: 15

SIS212-24VDC

Power Relay 24VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

на замовлення 845 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIS212-24VDC SEN

Power Switching Relay

на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	1662.55 грн

Мінімальне замовлення: 35

SIS212-24VDC SEN

Power Switching Relay

на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	1882.22 грн

Мінімальне замовлення: 35

SIS212-5VDC

Power Relay 5VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	1635.92 грн

Мінімальне замовлення: 35

SIS212-5VDC

Power Relay 5VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIS212-5VDC SEN

PCB Relay with Forcibly Guided Contacts

на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	1701.74 грн

Мінімальне замовлення: 35

SIS212-5VDC SEN

PCB Relay with Forcibly Guided Contacts

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	1926.02 грн

Мінімальне замовлення: 25

SIS212110VDC

Power Relay 110VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

товар відсутній

SIS21212VDC

Power Relay 12VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIS21218VDC

Power Relay 18VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

товар відсутній

SIS2125VDC

Power Relay 5VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIS222 18VDC SEN

Power Relay 18VDC 6A DPST-NO/DPST-NC(48x16.6x16.5)mm THT

товар відсутній

SIS222 24VDC

Power Relay 24VDC 6A DPST-NO/DPST-NC(48x16.6x16.5)mm THT

товар відсутній

SIS222 5VDC

PCB Relay with Forcibly Guided Contacts

товар відсутній

SIS222 5VDC SEN

Relays with forcibly guided contact

товар відсутній

SIS222-12VDC

Power Relay 12VDC 6A DPST-NO/DPST-NC(48x16.6x16.5)mm THT

товар відсутній

SIS22224V

ELESTA

0947

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS300

00+

на замовлення 18 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS301

00+

на замовлення 296 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS301-A1

TQFP100

на замовлення 63 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS301B

на замовлення 22300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SiS301B0EF-T-5

2002

на замовлення 587 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SiS301BO

на замовлення 11 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS301C2CA

03+

на замовлення 1355 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS301DH

01+

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS301DHMV

на замовлення 7323 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS301LVD0

на замовлення 214 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS301LVMV

на замовлення 214 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS301LVMVBO

на замовлення 542 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS301MV

на замовлення 449 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS301MV

02+

на замовлення 190 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS301MV

TQFP

на замовлення 130 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS301MVBOFF

02+

на замовлення 3745 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS301MVC

на замовлення 450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS301VB

QFP100

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS302ELC

на замовлення 66 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS302ELV

на замовлення 160 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS302ELV

05+

на замовлення 39 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS302ELVE

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS302ELVE0

на замовлення 152 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS302ELVMV

на замовлення 13000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS302ELVZ

06+

на замовлення 520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS302ELVZE0CY

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS302LV

0602+

на замовлення 49 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS302LVE0

на замовлення 298 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS302LVE0CY-L-5

2004

на замовлення 730 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS302LVEOBF(CM.01)

на замовлення 2884 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS302LVMV

02+

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS302LVMV

на замовлення 2435 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS302LVZE0CY-5

QFP128

на замовлення 361 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS305

02+

на замовлення 320 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS305

на замовлення 403 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS305DOAA

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SiS307DV

на замовлення 31 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS307DVAOAA

на замовлення 20949 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS307ELV

на замовлення 450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS307ELVBO BA

08+

на замовлення 770 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS307ELVBOBA

на замовлення 770 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS312-24VDC SEN KV2

Relays with forcibly guided contacts

товар відсутній

SIS312-48VDC

Power Relay 48VDC 6A 3PST-NO/SPST-NC(48x16.6x16.5)mm THT

товар відсутній

SIS31212VDC

PCB Relay with Forcibly Guided Contacts

товар відсутній

SIS31218VDC

Power Relay 18VDC 6A 3PST-NO/SPST-NC(48x16.6x16.5)mm THT

товар відсутній

SIS31218VDC SEN

SIS31218VDC SEN

товар відсутній

SIS31224VDC

Power Relay 24VDC 6A 3PST-NO/SPST-NC(48x16.6x16.5)mm THT

товар відсутній

SIS315

02+

на замовлення 80 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS315AOGA

на замовлення 1098 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS315E

на замовлення 85 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS316MX

на замовлення 143 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS322DNT-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

товар відсутній

SIS322DNT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

на замовлення 3875 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIS322DNT-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

товар відсутній

SIS322DNT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 38.3A 8-Pin PowerPAK EP T/R

товар відсутній

SIS322DNT-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

товар відсутній

SIS322DNT-T1-GE3

SIS322DNT-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SIS330DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

товар відсутній

SIS332DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SIS333A1CA

на замовлення 223 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS333A1CACM02

на замовлення 210 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS334DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

товар відсутній

SIS334DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SIS4001X01-3070

на замовлення 3981 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS402DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товар відсутній

SIS402DN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 35A; Idm: 70A; 33W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SIS402DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS402DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	52.1 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS402DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS402DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

на замовлення 3720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	124.49 грн
10+	99.4 грн
100+	79.17 грн
500+	62.86 грн
1000+	53.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIS402DN-T1-GE3

товар відсутній

SIS402DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товар відсутній

SIS402DN-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 11181 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	135.07 грн
10+	110.29 грн
100+	77.41 грн
250+	70.56 грн
500+	64.33 грн
1000+	55.01 грн
3000+	50.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIS402DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	69.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS402DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	56.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS4047DIP-471SIS2038

на замовлення 110329 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS406DN-T1-E3

на замовлення 875 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS406DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIS406DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товар відсутній

SiS406DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.19 грн
6000+	18.42 грн
9000+	17.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SiS406DN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12.2A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.2A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 2997 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	55.48 грн
8+	46.38 грн
25+	33.54 грн
68+	32.11 грн

Мінімальне замовлення: 7

SiS406DN-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 113571 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	57.94 грн
10+	49.32 грн
100+	22.54 грн

Мінімальне замовлення: 6

SIS406DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS406DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0088 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0088ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 3015 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	22.59 грн
500+	20.55 грн
1000+	18.58 грн
3000+	18.18 грн

Мінімальне замовлення: 100

SiS406DN-T1-GE3

на замовлення 2997 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	57.8 грн
25+	40.25 грн
68+	38.53 грн

Мінімальне замовлення: 5

SiS406DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

на замовлення 15971 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53.35 грн
10+	44.31 грн
100+	30.7 грн
500+	24.07 грн
1000+	20.49 грн

Мінімальне замовлення: 6

SIS406DN-T1-GE3

на замовлення 3015 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	44.57 грн
20+	39.04 грн
100+	22.59 грн
500+	20.55 грн
1000+	18.58 грн
3000+	18.18 грн

Мінімальне замовлення: 18

SiS406DN-T1-GE3

на замовлення 71200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS407ADN-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -18A; Idm: -70A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 25W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SIS407ADN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 10 V

товар відсутній

SIS407ADN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SIS407ADN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	22.22 грн

Мінімальне замовлення: 6000

SIS407ADN-T1-GE3

товар відсутній

SIS407ADN-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 11327 шт:

термін постачання 709-718 дні (днів)

6+	62.42 грн
10+	54.99 грн
100+	32.61 грн
500+	27.26 грн
1000+	23.22 грн
3000+	21.03 грн
6000+	20.55 грн

Мінімальне замовлення: 6

SIS407ADN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 10 V

товар відсутній

SIS407ADN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS407ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.0073 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 18
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 39.1
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	45.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS407DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93.8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 10 V

на замовлення 51712 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.69 грн
10+	52.09 грн
100+	40.53 грн
500+	32.24 грн
1000+	26.26 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIS407DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 25A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SIS407DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 25A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SIS407DN-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -25A; Idm: -40A; 21W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 21W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 93.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SIS407DN-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 13949 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.09 грн
10+	57.98 грн
100+	39.25 грн
500+	33.22 грн
1000+	27.06 грн
3000+	26.44 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIS407DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93.8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 10 V

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.36 грн
6000+	25.09 грн
9000+	23.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS407DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS407DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 25 A, 0.0082 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 11570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	55.56 грн
18+	43.88 грн
100+	30.97 грн
500+	28.69 грн
1000+	26.35 грн
5000+	26.28 грн

Мінімальне замовлення: 14

SIS407DN-T1-GE3

товар відсутній

SIS40C3208-20

на замовлення 48 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS40C3208-20

на замовлення 48 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS410DN-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 34777 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.57 грн
10+	61.92 грн
100+	41.92 грн
500+	35.55 грн
1000+	29.87 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIS410DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS410DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 0.004 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm

на замовлення 2701 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	83.76 грн
12+	65.32 грн
100+	47.03 грн
500+	37.04 грн
1000+	32.08 грн

Мінімальне замовлення: 10

SIS410DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V

на замовлення 27884 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.66 грн
10+	55.16 грн
100+	42.92 грн
500+	34.14 грн
1000+	27.81 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIS410DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 22A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

133+	89.6 грн
139+	85.6 грн
250+	82.17 грн

Мінімальне замовлення: 133

SIS410DN-T1-GE3

на замовлення 278 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS410DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.97 грн
6000+	26.57 грн
9000+	25.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS410DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 22A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SIS410DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 22A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.65 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS410DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 22A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	58.2 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS410DN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 35A; Idm: 60A; 33W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 41nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 35A
On-state resistance: 6.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 33W

товар відсутній

SIS410DN-T1-GE3

товар відсутній

SIS412DN

на замовлення 1556 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS412DN (SIS412DN-T1-GE3)
Код товару: 63212

товар відсутній

SIS412DN-T1-E3

09+ QFN-8

на замовлення 42 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS412DN-T1-E3
Код товару: 56990

товар відсутній

SIS412DN-T1-E3

QFN-8 09+

на замовлення 42 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS412DN-T1-GE3
Код товару: 173697

Мікросхеми > Інші мікросхеми

товар відсутній

SIS412DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 1071 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

342+	34.76 грн
345+	34.43 грн
480+	24.78 грн
485+	23.66 грн
545+	19.46 грн
1000+	13.47 грн

Мінімальне замовлення: 342

SIS412DN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
On-state resistance: 24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 10W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

7+	43.62 грн
25+	38.06 грн
36+	28.17 грн
97+	26.63 грн

Мінімальне замовлення: 7

SIS412DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V

на замовлення 67411 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.27 грн
10+	32.9 грн
100+	22.78 грн
500+	17.86 грн
1000+	15.2 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIS412DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS412DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 1071 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	36.85 грн
19+	32.58 грн
25+	32.28 грн
50+	30.83 грн
100+	20.54 грн
250+	19.52 грн
500+	17.35 грн
1000+	12.51 грн

Мінімальне замовлення: 16

SIS412DN-T1-GE3

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	36.35 грн
25+	30.54 грн
36+	23.48 грн
97+	22.19 грн

Мінімальне замовлення: 11

SIS412DN-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 14259 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.64 грн
10+	35.84 грн
100+	21.72 грн
500+	18.15 грн
1000+	15.76 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIS412DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS412DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.02 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm

на замовлення 39333 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	47.57 грн
20+	39.81 грн
100+	26.13 грн
500+	19.77 грн
1000+	16.93 грн
5000+	15.61 грн

Мінімальне замовлення: 17

SIS412DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V

на замовлення 66000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.98 грн
6000+	13.67 грн
9000+	12.65 грн
30000+	11.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SiS412DNS412

на замовлення 199 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS413DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V

на замовлення 56729 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.27 грн
10+	32.9 грн
100+	22.78 грн
500+	17.86 грн
1000+	15.2 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIS413DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS413DN-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -18A; Idm: -70A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SIS413DN-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 69666 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.64 грн
10+	35.37 грн
100+	21.72 грн
500+	18.15 грн
1000+	15.48 грн
3000+	13.22 грн
6000+	12.74 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIS413DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS413DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0076 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076ohm

на замовлення 7951 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	35.27 грн
50+	29.66 грн
100+	24.05 грн
500+	16.13 грн
1500+	14.56 грн

Мінімальне замовлення: 22

SIS413DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SIS413DN-T1-GE3

товар відсутній

SIS413DN-T1-GE3
Код товару: 151913

Транзистори > Польові P-канальні

товар відсутній

SIS413DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V

на замовлення 56010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.98 грн
6000+	13.67 грн
9000+	12.65 грн
30000+	11.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS413DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SIS414DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795 pF @ 15 V

товар відсутній

SIS414DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SIS414DN-T1-GE3

MOSFET 20V 20A N-CH MOSFET

на замовлення 5061 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIS415DNT-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -35A; Idm: -80A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -35A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 180nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SIS415DNT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 22.6A 8-Pin PowerPAK 1212-T T/R

на замовлення 1780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

318+	37.45 грн
382+	31.1 грн
384+	30.99 грн
500+	24.43 грн
1000+	20.55 грн

Мінімальне замовлення: 318

SIS415DNT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 22.6A 8-Pin PowerPAK 1212-T T/R

товар відсутній

SIS415DNT-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8S

на замовлення 17108 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	57.94 грн
10+	47.27 грн
100+	32.47 грн
500+	26.31 грн
1000+	21.03 грн
3000+	18.7 грн
6000+	18.22 грн

Мінімальне замовлення: 6

SIS415DNT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5460 pF @ 10 V

товар відсутній

SIS415DNT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS415DNT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 0.0033 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 2995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	36.43 грн
500+	27.4 грн
1000+	17.98 грн

Мінімальне замовлення: 100

SIS415DNT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 22.6A 8-Pin PowerPAK 1212-T T/R

на замовлення 1650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	49.7 грн
14+	43.2 грн
25+	42.26 грн
100+	33.89 грн
250+	31.28 грн
500+	24.42 грн
1000+	16.17 грн

Мінімальне замовлення: 12

SIS415DNT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 22.6A 8-Pin PowerPAK 1212-T T/R

на замовлення 1650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

256+	46.52 грн
262+	45.51 грн
314+	37.85 грн
315+	36.38 грн
500+	27.4 грн
1000+	17.41 грн

Мінімальне замовлення: 256

SIS415DNT-T1-GE3

товар відсутній

SIS415DNT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5460 pF @ 10 V

товар відсутній

SIS415DNT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS415DNT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 0.0033 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm

на замовлення 2995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	63.71 грн
16+	50.57 грн
100+	36.43 грн
500+	27.4 грн
1000+	17.98 грн

Мінімальне замовлення: 13

SIS415DNT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 22.6A 8-Pin PowerPAK 1212-T T/R

товар відсутній

SIS422 12VDC SEN

H321069

товар відсутній

SIS422 24VDC SP

H301369

товар відсутній

SIS422 5VDC SEN

Relays with Forcibly Guided Contact

товар відсутній

SIS422-12VDC

Power Relay 12VDC 6A 4PST-NO/DPST-NC(48x16.6x16.5)mm THT

товар відсутній

SIS422-21VDC

H300755

товар відсутній

SIS422-24VDC

Relays with forcibly guided contact

товар відсутній

SIS422-5VDC

Power Relay 5VDC 6A 4PST-NO/DPST-NC(48x16.6x16.5)mm THT

товар відсутній

SIS422110VDC

Relays with forcibly guided contact

товар відсутній

SIS424DN-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIS410DN-T1-GE3

товар відсутній

SIS424DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 19.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V

товар відсутній

SIS424DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 19.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SIS426DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK T/R

товар відсутній

SIS426DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 10 V

товар відсутній

SIS426DN-T1-GE3

VISHAY QFN 11+

на замовлення 110 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS426DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 10 V

товар відсутній

SIS426DN-T1-GE3

на замовлення 1620 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS427EDN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK EP T/R

товар відсутній

SIS427EDN-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -44.3A; 33W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -44.3A
Pulsed drain current: -110A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 21.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SIS427EDN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 15 V

на замовлення 25006 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.43 грн
10+	39.46 грн
100+	27.32 грн
500+	21.43 грн
1000+	18.24 грн

Мінімальне замовлення: 7

SIS427EDN-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 3775 шт:

термін постачання 299-308 дні (днів)

7+	50.51 грн
10+	43.33 грн
100+	26.03 грн
500+	21.78 грн
1000+	18.98 грн
3000+	17.33 грн
6000+	16.58 грн

Мінімальне замовлення: 7

SIS427EDN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK EP T/R

товар відсутній

SIS427EDN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 15 V

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.97 грн
6000+	16.4 грн
9000+	15.18 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS427EDN-T1-GE3

товар відсутній

SIS429DNT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V

товар відсутній

SIS429DNT-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	29.73 грн
13+	25.13 грн
100+	16.3 грн
500+	12.88 грн
1000+	9.93 грн
3000+	9.04 грн
9000+	7.54 грн

Мінімальне замовлення: 11

SIS429DNT-T1-GE3

P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET

товар відсутній

SIS429DNT-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -20A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 17.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SIS429DNT-T1-GE3

товар відсутній

SIS430DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 21.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SIS430DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 12.5 V

товар відсутній

SIS430DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 12.5 V

товар відсутній

SIS430DN-T1-GE3

MOSFET 25V 35A 52W

на замовлення 2471 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIS434DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 17.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	52.79 грн
6000+	48.24 грн
12000+	44.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS434DN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 17.6A; Idm: 60A; 33W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 17.6A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SIS434DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS434DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 0.0063 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 13580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	67.86 грн
50+	58.17 грн
100+	48.49 грн
500+	40.89 грн
1500+	33.79 грн

Мінімальне замовлення: 12

SIS434DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 17.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SIS434DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 16.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 20 V

на замовлення 1677 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.73 грн
10+	50.31 грн
100+	39.13 грн
500+	31.13 грн
1000+	25.36 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIS434DN-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 166100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.13 грн
10+	55.93 грн
100+	37.81 грн
500+	32.13 грн
1000+	29.39 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIS434DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 17.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SIS434DN-T1-GE3

товар відсутній

SIS434DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 17.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS434DN-T1-GE3

на замовлення 14252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.57 грн
500+	35.25 грн
1000+	30.76 грн
5000+	28.98 грн

Мінімальне замовлення: 100

SIS434DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 16.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 20 V

товар відсутній

SIS434DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 17.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SIS435DNT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 13A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 10 V

на замовлення 4378 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	51.87 грн
10+	43.24 грн
100+	29.95 грн
500+	23.48 грн
1000+	19.99 грн

Мінімальне замовлення: 6

SIS435DNT-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8T

на замовлення 4082 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	49.07 грн
10+	41.99 грн
100+	26.58 грн
500+	22.74 грн
1000+	19.46 грн
3000+	18.63 грн
6000+	17.67 грн

Мінімальне замовлення: 7

SIS435DNT-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -30A; Idm: -80A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -30A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 25W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 180nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SIS435DNT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SIS435DNT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 13A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 10 V

товар відсутній

SIS435DNT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 2940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	34.53 грн
19+	31.78 грн
25+	31.46 грн
100+	25 грн
250+	22.92 грн
500+	19.68 грн
1000+	16.17 грн

Мінімальне замовлення: 18

SIS435DNT-T1-GE3

товар відсутній

SIS435DNT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SIS435DNT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 2940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

348+	34.22 грн
351+	33.88 грн
426+	27.92 грн
430+	26.66 грн
500+	22.07 грн
1000+	17.41 грн

Мінімальне замовлення: 348

SIS436DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855 pF @ 10 V

товар відсутній

SIS436DN-T1-GE3

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS436DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 13.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SIS436DN-T1-GE3

MOSFET 25V 16A 27.7W 10.5mohm @ 10V

на замовлення 2031 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIS436DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855 pF @ 10 V

товар відсутній

SIS438DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 14.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

361+	32.92 грн
394+	30.18 грн
406+	29.28 грн
500+	27.16 грн
1000+	24.25 грн

Мінімальне замовлення: 361

SiS438DN-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 15442 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.18 грн
10+	51.76 грн
100+	31.17 грн
500+	26.03 грн
1000+	22.2 грн
3000+	20.41 грн
6000+	19.59 грн

Мінімальне замовлення: 6

SIS438DN-T1-GE3
Код товару: 186242

товар відсутній

SIS438DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS438DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 16 A, 0.0079 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 12030 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	52.1 грн
17+	46.11 грн
100+	33.2 грн
500+	25.12 грн
1000+	19.23 грн
3000+	17.39 грн

Мінімальне замовлення: 15

SiS438DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 10 V

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS438DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 14.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SiS438DN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 16A; Idm: 32A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 16A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 17.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 32A
Case: PowerPAK® 1212-8
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SiS438DN-T1-GE3

товар відсутній

SiS438DN-T1-GE3

на замовлення 162 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS438DN-T1-GE3

на замовлення 12030 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	33.2 грн
500+	25.12 грн
1000+	19.23 грн
3000+	17.39 грн

Мінімальне замовлення: 100

SIS438DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 14.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SiS438DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 10 V

на замовлення 61769 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.27 грн
10+	32.68 грн
100+	22.63 грн
500+	17.75 грн
1000+	16.62 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIS439DNT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 15 V

товар відсутній

SIS439DNT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK EP T/R

товар відсутній

SIS439DNT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 15 V

товар відсутній

SIS439DNT-T1-GE3

MOSFET -30V 11mOhm@-10V -50A P-CH

на замовлення 4456 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIS4406DN-T1-GE3

MOSFET 40V Vds +20, -16V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 119-128 дні (днів)

6+	62.42 грн
10+	50.81 грн
100+	34.39 грн
500+	29.11 грн
1000+	23.77 грн
3000+	22.33 грн
6000+	21.3 грн

Мінімальне замовлення: 6

SIS4410DC-T1

на замовлення 78000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS443DN-T1-GE3

MOSFET -40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 44707 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	113.49 грн
10+	90.6 грн
100+	62.2 грн
500+	52.68 грн
1000+	42.95 грн
3000+	40.42 грн
6000+	38.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIS443DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	46.68 грн
6000+	44.3 грн
9000+	42.5 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS443DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS443DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.0097 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 53360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	126.8 грн
10+	94.52 грн
100+	71.16 грн
500+	55.95 грн
1000+	39.19 грн
5000+	37.35 грн

Мінімальне замовлення: 7

SIS443DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	39.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS443DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	102.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS443DN-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -35A; Idm: -80A; 33W
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 135nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -35A
On-state resistance: 11.7mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 33W
Polarisation: unipolar

на замовлення 2928 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	164.45 грн
10+	129.87 грн
18+	47.1 грн
49+	44.24 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIS443DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 20 V

на замовлення 51000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	43.39 грн
6000+	39.79 грн
9000+	37.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS443DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	45.74 грн
6000+	43.4 грн
9000+	41.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS443DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS443DN-T1-GE3 - MOSFET, P-CH, -40V, -35A, 150DEG C, 52W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead

на замовлення 24256 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	129.1 грн
25+	113.73 грн
50+	101.44 грн
100+	82.78 грн
250+	70.48 грн
500+	65.01 грн

Мінімальне замовлення: 6

SIS443DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	67.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS443DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	109.93 грн
10+	74.62 грн
25+	73.88 грн
100+	70.85 грн
250+	40.53 грн

Мінімальне замовлення: 6

SIS443DN-T1-GE3

на замовлення 2928 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	197.35 грн
10+	161.84 грн
18+	56.52 грн
49+	53.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

SIS443DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 20 V

на замовлення 51216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	104.49 грн
10+	82.63 грн
100+	64.28 грн
500+	51.13 грн
1000+	41.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIS443DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

148+	80.36 грн
150+	79.56 грн
151+	79.13 грн
250+	47.14 грн

Мінімальне замовлення: 148

SIS443DN-T1-GE3-X

MOSFET

товар відсутній

SIS444DN-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 3472 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.55 грн
10+	42.94 грн
100+	29.59 грн
500+	26.85 грн
1000+	23.7 грн
3000+	21.1 грн
6000+	19.87 грн

Мінімальне замовлення: 7

SIS444DN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 35A; Idm: 70A; 33W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SIS444DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SIS444DN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 35A; Idm: 70A; 33W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SIS444DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3065 pF @ 15 V

товар відсутній

SIS447DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V

на замовлення 3830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	60.76 грн
10+	51.09 грн
100+	35.34 грн
500+	27.71 грн
1000+	23.58 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIS447DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 11274 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

279+	42.7 грн
281+	42.28 грн
301+	39.57 грн
364+	31.54 грн
366+	28.99 грн
500+	25.26 грн
1000+	23.16 грн
3000+	21.56 грн
6000+	21.5 грн

Мінімальне замовлення: 279

SIS447DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товар відсутній

SIS447DN-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -18A; Idm: -100A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 181nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SIS447DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS447DN-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 15810 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	54.99 грн
10+	48.29 грн
100+	30.55 грн
500+	26.24 грн
1000+	23.09 грн
3000+	20.41 грн
6000+	19.52 грн

Мінімальне замовлення: 6

SIS447DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 11274 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	39.65 грн
25+	39.26 грн
50+	35.43 грн
100+	27.11 грн
250+	25.84 грн
500+	23.45 грн
1000+	21.5 грн
3000+	20.02 грн

Мінімальне замовлення: 15

SIS447DN-T1-GE3

товар відсутній

SIS448DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 15 V

товар відсутній

SIS448DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SIS452DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 6 V

товар відсутній

SIS452DN-T1-GE3

MOSFET 12V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 4171 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIS452DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 12V 27.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SIS452DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 6 V

товар відсутній

SIS454DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SIS454DN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 35A; Idm: 100A; 33W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SIS454DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V

на замовлення 8731 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.69 грн
10+	52.09 грн
100+	40.53 грн
500+	32.24 грн
1000+	26.26 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIS454DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SIS454DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	54.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS454DN-T1-GE3

товар відсутній

SIS454DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V

на замовлення 8400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.36 грн
6000+	25.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS454DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS454DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 0.003 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 5814 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	55.48 грн
17+	45.26 грн
100+	35.2 грн
500+	27.69 грн
1000+	24.96 грн
3000+	24.11 грн

Мінімальне замовлення: 14

SIS454DN-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 20695 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.09 грн
10+	57.98 грн
100+	39.25 грн
500+	33.22 грн
1000+	27.4 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIS456DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V

товар відсутній

SIS456DN-T1-GE3

MOSFET 30V 35A N-CH MOSFET

на замовлення 3853 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIS456DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V

товар відсутній

SIS456DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SIS4604DN-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 60 V MOSFET PWRPAK

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.13 грн
10+	60.19 грн
100+	35.76 грн
500+	32.06 грн
3000+	27.2 грн
6000+	26.72 грн
9000+	26.17 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIS4604DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS4604DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 44.4 A, 0.0079 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 4058 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	47.34 грн
500+	34.75 грн
1000+	25.62 грн
3000+	23.25 грн

Мінімальне замовлення: 100

SIS4604DN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta), 44.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 30 V

на замовлення 10520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.99 грн
10+	52.73 грн
100+	36.54 грн
500+	28.65 грн
1000+	24.38 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIS4604DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 14.6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товар відсутній

SIS4604DN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta), 44.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 30 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.03 грн
6000+	21.92 грн
9000+	20.3 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS4604DN-T1-GE3

на замовлення 4058 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	80.69 грн
12+	66.78 грн
100+	47.34 грн
500+	34.75 грн
1000+	25.62 грн
3000+	23.25 грн

Мінімальне замовлення: 10

SIS4604LDN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 36.7A; Idm: 100A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36.7A
On-state resistance: 12.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 21.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 28nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Case: PowerPAK® 1212-8
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SIS4604LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Ta), 45.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.05 грн
6000+	22.98 грн
9000+	21.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS4604LDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS4604LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45.9 A, 0.0074 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 5437 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	46.88 грн
500+	35.96 грн
1000+	26.22 грн
3000+	24.44 грн

Мінімальне замовлення: 100

SIS4604LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 15.1A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIS4604LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 15.1A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товар відсутній

SIS4604LDN-T1-GE3

на замовлення 5437 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	76.85 грн
12+	65.09 грн
100+	46.88 грн
500+	35.96 грн
1000+	26.22 грн
3000+	24.44 грн

Мінімальне замовлення: 10

SIS4604LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Ta), 45.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V

на замовлення 14847 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	60.02 грн
10+	47.74 грн
100+	37.12 грн
500+	29.52 грн
1000+	24.05 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIS4604LDN-T1-GE3

товар відсутній

SIS4604LDN-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 60 V MOSFET PWRPAK

товар відсутній

SIS4604LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 15.1A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	36.13 грн
18+	33.54 грн
25+	33.2 грн
50+	22.38 грн

Мінімальне замовлення: 17

SIS4608DN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 35.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.72 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS4608DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS4608DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35.7 A, 0.0099 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.1W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 5846 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	71.47 грн
13+	59.4 грн
100+	41.81 грн
500+	30.68 грн
1000+	22.66 грн
3000+	20.49 грн

Мінімальне замовлення: 11

SIS4608DN-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 60 V MOSFET PWRPAK

на замовлення 2850 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.98 грн
10+	53.1 грн
100+	31.51 грн
500+	27.26 грн
3000+	23.15 грн

Мінімальне замовлення: 6

SIS4608DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12.4A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIS4608DN-T1-GE3

на замовлення 5846 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	41.81 грн
500+	30.68 грн
1000+	22.66 грн
3000+	20.49 грн

Мінімальне замовлення: 100

SIS4608DN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 35.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 30 V

на замовлення 5855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	57.06 грн
10+	47.74 грн
100+	33.02 грн
500+	25.89 грн
1000+	22.04 грн

Мінімальне замовлення: 6

SIS4608DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12.4A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	26.84 грн
23+	25.9 грн
25+	25.64 грн
50+	18.14 грн

Мінімальне замовлення: 22

SIS4608LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 36.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 30 V

на замовлення 5985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	61.51 грн
10+	51.24 грн
100+	35.47 грн
500+	27.81 грн
1000+	23.67 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIS4608LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12.6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	33.78 грн
19+	32.12 грн
25+	31.79 грн
50+	19.96 грн

Мінімальне замовлення: 18

SIS4608LDN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 28.9A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 28.9A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 17.4W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SIS4608LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 36.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS4608LDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS4608LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36.2 A, 0.0094 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.1W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 5996 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	77.62 грн
12+	65.01 грн
100+	45.96 грн
500+	33.75 грн
1000+	24.9 грн
3000+	22.59 грн

Мінімальне замовлення: 10

SIS4608LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12.6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIS4608LDN-T1-GE3

товар відсутній

SIS4608LDN-T1-GE3

на замовлення 5996 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	45.96 грн
500+	33.75 грн
1000+	24.9 грн
3000+	22.59 грн

Мінімальне замовлення: 100

SIS4608LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12.6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товар відсутній

SIS4608LDN-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 60 V MOSFET PWRPAK

товар відсутній

SIS4634LDN

SIS4634LDN

товар відсутній

SIS4634LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.69 грн
10+	38.82 грн
100+	26.91 грн
500+	21.1 грн
1000+	17.96 грн

Мінімальне замовлення: 7

SIS4634LDN-T1-GE3

MOSFET Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175C MOSFET SOT-23, 24 mohm a. 10V, 32 mohm a. 4.5V

товар відсутній

SIS4634LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.7 грн
6000+	16.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS463EDC-T1

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS468DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS468DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.016 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 30
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 52
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
Verlustleistung: 52
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товар відсутній

SIS468DN-T1-GE3

MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 849-858 дні (днів)

4+	94.31 грн
10+	83.51 грн
100+	56.24 грн
500+	46.51 грн
1000+	46.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

SIS468DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товар відсутній

SIS468DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 40 V

товар відсутній

SIS468DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товар відсутній

SIS468DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS468DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.016 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 52
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
Qualifikation: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товар відсутній

SIS468DN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 29.2A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 29.2A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 33.3W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SIS468DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 40 V

товар відсутній

SIS468DN-T1-GE3
Код товару: 148149

Мікросхеми > Інші мікросхеми

товар відсутній

SIS468DN-T1-GE3

товар відсутній

SIS472ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V

товар відсутній

SIS472ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товар відсутній

SIS472ADN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS472ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.007 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	29.97 грн
29+	26.59 грн
100+	20.44 грн
500+	15.98 грн
1000+	13.44 грн
3000+	12.38 грн

Мінімальне замовлення: 26

SIS472ADN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24A; Idm: 60A; 18W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 18W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate charge: 44nC
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SIS472ADN-T1-GE3

товар відсутній

SIS472ADN-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 2970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	34.93 грн
11+	29.23 грн
100+	18.98 грн
500+	14.93 грн
1000+	11.51 грн
3000+	9.45 грн
9000+	9.18 грн

Мінімальне замовлення: 10

SIS472ADN-T1-GE3

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	20.44 грн
500+	15.98 грн
1000+	13.44 грн
3000+	12.38 грн

Мінімальне замовлення: 150

SIS472BDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS472BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.3 A, 0.006 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm

на замовлення 11300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	22.59 грн
500+	16.48 грн
1000+	10.74 грн

Мінімальне замовлення: 100

SIS472BDN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30.6A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30.6A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 12.7W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SIS472BDN-T1-GE3

товар відсутній

SIS472BDN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15.3A/38.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 38.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V

на замовлення 5450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.24 грн
10+	34.39 грн
100+	23.91 грн
500+	17.53 грн
1000+	14.24 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIS472BDN-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 4247 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	45.32 грн
10+	38.76 грн
100+	25.14 грн
500+	19.8 грн
1000+	15.28 грн
3000+	13.97 грн
9000+	12.13 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIS472BDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS472BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.3 A, 0.006 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 13240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	39.88 грн
23+	33.51 грн
100+	22.59 грн
500+	16.48 грн
1000+	10.74 грн

Мінімальне замовлення: 20

SIS472BDN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15.3A/38.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 38.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V

товар відсутній

SIS472BDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	14.39 грн

Мінімальне замовлення: 6000

SIS472BDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товар відсутній

SIS472DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товар відсутній

SIS472DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 15 V

на замовлення 17606 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	45.94 грн
10+	38.46 грн
100+	26.61 грн
500+	20.87 грн
1000+	17.76 грн

Мінімальне замовлення: 7

SIS472DN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 18W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 18W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SIS472DN-T1-GE3

товар відсутній

SIS472DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 15 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.5 грн
6000+	15.97 грн
9000+	14.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS472DN-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.51 грн
10+	43.33 грн
100+	26.03 грн
500+	21.78 грн
1000+	18.56 грн
3000+	16.3 грн
6000+	15.55 грн

Мінімальне замовлення: 7

SIS476DN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 80A; 43W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 43W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SIS476DN-T1-GE3

товар відсутній

SIS476DN-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 70519 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	83.92 грн
10+	67.91 грн
100+	45.97 грн
500+	38.91 грн
1000+	31.72 грн
3000+	28.84 грн
6000+	28.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

SIS476DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SIS476DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V

на замовлення 16427 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	77.07 грн
10+	61.08 грн
100+	47.52 грн
500+	37.8 грн
1000+	30.79 грн

Мінімальне замовлення: 4

SIS476DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS476DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.00205 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00205ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 542 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	92.22 грн
11+	71.16 грн
100+	51.56 грн
500+	40.6 грн

Мінімальне замовлення: 9

SIS476DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SIS476DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.07 грн
6000+	29.42 грн
9000+	28.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS478DN-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIS478DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 15 V

товар відсутній

SIS478DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товар відсутній

SIS478DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 15 V

товар відсутній

SIS478DN-T1-GE3

на замовлення 6140 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS488DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH Si 40V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP

товар відсутній

SIS488DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH Si 40V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP

товар відсутній

SIS488DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS488DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 52
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Verlustleistung: 52
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	104.51 грн
10+	90.68 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIS488DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V

товар відсутній

SIS488DN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 40A; Idm: 100A; 33W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SIS488DN-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIS434DN-GE3

на замовлення 5989 шт:

термін постачання 566-575 дні (днів)

5+	68.41 грн
10+	55.86 грн
100+	37.75 грн
500+	32.06 грн
1000+	26.1 грн
3000+	26.03 грн
9000+	25.55 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIS488DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH Si 40V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP

товар відсутній

SIS488DN-T1-GE3

товар відсутній

SIS488DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V

товар відсутній

SIS496EDNT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

на замовлення 306 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIS496EDNT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 1198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

46+	12.93 грн
64+	9.2 грн
72+	8.24 грн
98+	5.8 грн
114+	4.63 грн
250+	4 грн
500+	3.13 грн
1000+	2.63 грн

Мінімальне замовлення: 46

SIS496EDNT-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V

товар відсутній

SIS496EDNT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товар відсутній

SIS496EDNT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 1198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIS5101

07+

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5101

на замовлення 960 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5101B30T-TO

на замовлення 960 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5102

07+

на замовлення 28 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5102

на замовлення 960 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5102AOAT-F

на замовлення 960 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5102QP1HT1G

onsemi

Description: IC SMART HOTPLUG HI SIDE 12PLLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Applications: General Purpose

товар відсутній

SIS5102QP1HT1G

ON Semiconductor

IC Smart Hotplug High Side

товар відсутній

SIS5102QP1HT1G

ON Semiconductor

IC Smart Hotplug High Side

на замовлення 4630 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1002.6 грн
1501+	716.28 грн

SIS5102QP2HT1G

onsemi

Description: IC SMART HOTPLUG HI SIDE 12PLLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Applications: General Purpose

товар відсутній

SIS5103

07+

на замовлення 34 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5103

на замовлення 960 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5103B1BT

на замовлення 960 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5107

на замовлення 600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5131

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5142D2R2G

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5159A-F-A.SIS85

на замовлення 1009 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS530

BGA

на замовлення 154 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS530

на замовлення 210 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS530(A3)

на замовлення 47 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS530A2

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS530A2 DW

BGA

на замовлення 440 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS540

BGA

на замовлення 216 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS540

00+

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS540A1

на замовлення 31 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS540A1CX-AB-1

BGA

на замовлення 49 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS540A1DX-AB-1

BGA

на замовлення 547 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS550

на замовлення 23 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5501

1995

на замовлення 209 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5502

1995

на замовлення 210 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5502

на замовлення 210 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS55033C

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5511

на замовлення 263 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5511B4ET-F-8

на замовлення 240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5511E3DT

на замовлення 240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SiS5511F2CT-F-0

1996

на замовлення 264 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5512

QFP

на замовлення 33 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5512

1996

на замовлення 280 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5512B1BT

на замовлення 360 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5512DCA2

на замовлення 140 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5513

1996

на замовлення 280 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5513A6NT

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5513A8IT

на замовлення 230 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5513A8NS-F-O

на замовлення 720 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5513A8NS-FO

на замовлення 720 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5513ABNS-F-0

на замовлення 240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS551E3DT

на замовлення 240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS552LV-A4

03+

на замовлення 34 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SiS5571

1998

на замовлення 226 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5571B1

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5571B1CE-B-O

на замовлення 210 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5581

97+

на замовлення 210 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5581

на замовлення 49 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SiS5582

1998

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SiS5591

BGA

на замовлення 32 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SiS5591

1998

на замовлення 1379 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5591A2

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5591A2CR-B-2

на замовлення 210 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5595

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5595

07+

на замовлення 1077 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5595

QFP208

на замовлення 109 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5595

00+

на замовлення 320 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5595

QFP

на замовлення 9 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5595(B2)

на замовлення 972 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5595B2

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5597B2CR

на замовлення 194 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5598

1998

на замовлення 36 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5598

на замовлення 117 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5598B

BGA

на замовлення 372 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5598B6

на замовлення 110 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5598B60F

BGA

на замовлення 4 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5598B60F-B-O

на замовлення 502 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5598BC2CR

на замовлення 210 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5600

на замовлення 64 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5600A0

на замовлення 29 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5600B2DF-B-0

BGA

на замовлення 5819 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS57051

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS5712DN-T1-GE3

MOSFET N-Channel 150 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8, 55.5 mohm a. 10V 62.4 mohm a. 7.5V

на замовлення 11740 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.31 грн
10+	76.18 грн
100+	51.99 грн
500+	44.12 грн
1000+	35.9 грн
3000+	33.77 грн
6000+	32.2 грн

Мінімальне замовлення: 4

SIS590DN-T1-GE3

Description: COMBO N- & P-CHANNEL 100 V (D-S)

товар відсутній

SIS590DN-T1-GE3

MOSFET N- AND P-CHANNEL 100-V (D-S)

на замовлення 2883 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.65 грн
10+	56.8 грн
100+	39.18 грн
500+	33.22 грн
1000+	27.06 грн
3000+	26.51 грн
9000+	26.03 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIS590DN-T1-GE3

Description: COMBO N- & P-CHANNEL 100 V (D-S)

на замовлення 49 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.29 грн
10+	68.58 грн

Мінімальне замовлення: 4

SIS606BDN-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 128425 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	106.3 грн
10+	86.66 грн
100+	58.09 грн
500+	49.25 грн
1000+	40.08 грн
3000+	35.62 грн

Мінімальне замовлення: 4

SIS606BDN-T1-GE3

SIS606BDN-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SIS606BDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIS612EDNT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 50A 8-Pin PowerPAK 1212 EP

товар відсутній

SIS612EDNT-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 50A SMT

товар відсутній

SIS612EDNT-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8S

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIS620

BGA

на замовлення 58 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS620

1999

на замовлення 40 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS620

на замовлення 1442 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS6202

QFP

на замовлення 160 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS6205

96+

на замовлення 1488 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS6205A5FT

на замовлення 240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS6205A5FT-F-6

на замовлення 240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS6205B2MS-F-0

1996

на замовлення 2675 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS620A2FX

99+

на замовлення 2644 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS620A2HF-CB-1

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS6215

QFP

на замовлення 120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS6215

9942

на замовлення 356 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS626DN-T1-GE3

MOSFET 25V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

товар відсутній

SIS630

00+

на замовлення 40 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS630

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS630BODX

BGA

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS630E

07+

на замовлення 1010 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS630E

02+

на замовлення 982 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS630E

на замовлення 212 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS630ET

03+

на замовлення 93 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS630ET

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS630ET

07+

на замовлення 1050 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS630S

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS630ST

08+ BGA

на замовлення 189 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS630ST

02+

на замовлення 108 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS630ST

BGA 08+

на замовлення 189 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS630ST

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS6326

на замовлення 250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS6326

QFP

на замовлення 61 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS6326

01+

на замовлення 189 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS6326AGP

N/A

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS6326AGP

00+

на замовлення 214 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS6326AGP

на замовлення 89 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS6326AGP

QFP

на замовлення 4 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS6326DVD

00+

на замовлення 240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS635A0

BGA

на замовлення 95 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS645

07+

на замовлення 1053 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS645

на замовлення 360 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS645A2EA-AB-1

BGA

на замовлення 907 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS645A2EA-DB-1

BGA

на замовлення 420 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS645DX

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS645DX

02+ BGA

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS646A0

BGA702

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS648

07+

на замовлення 1049 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS648

05+

на замовлення 2308 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS648

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS648-C0

2004

на замовлення 12 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS648A2CA

BGA

на замовлення 3360 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS648A2CA-AH-1

BGA

на замовлення 351 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS648A2CA-DH-1

BGA

на замовлення 3360 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS648BODA-DH-1

BGA

на замовлення 94 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS648FX

2003

на замовлення 73 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS648FX

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS648UA

BGA

на замовлення 78 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS648UAA2CA-AH-1

BGA

на замовлення 135 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS648UAA2CA-DH-1

BGA

на замовлення 65 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS649

на замовлення 984 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS649BO DA

BGA

на замовлення 1240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS649BODA

09+

на замовлення 88 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS650

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS650

07+

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS650A1

на замовлення 406 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS650GL

на замовлення 537 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS650GX

02+ BGA

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS650GX

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS650GX

07+

на замовлення 1063 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS651

03+

на замовлення 81 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS651

07+

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS651

на замовлення 250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS651

0415

на замовлення 74 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS651

BGA

на замовлення 2215 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS651-BO

MOT

QFP132

на замовлення 2215 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS651A1

на замовлення 560 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS651B0DA

на замовлення 700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS651BO

на замовлення 3181 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS651UA

на замовлення 37 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS651Z

на замовлення 1050 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS6532

на замовлення 420 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS655

на замовлення 588 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS655A0

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS655B0

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS655FX

00+

на замовлення 208 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS661

на замовлення 412 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS661FX

06+

на замовлення 1109 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS661FX

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS661FX B1

03+

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS661FXZ

0611

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS661GX

09+

на замовлення 353 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS661GX

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS661MX

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS671

на замовлення 792 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS671 A1 BD

BGA

на замовлення 5366 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS671A1BD

на замовлення 264 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS671BD/A1

на замовлення 99 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS671DX

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS671DXA1

на замовлення 12 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS671FXA1

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS672

на замовлення 225 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS6801

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS6801A1AX

QFP100

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS6801A1AX

99+

на замовлення 2359 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS6801A1BX

на замовлення 2479 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS6801A1BX-F-0

на замовлення 2479 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS6801AIAX

на замовлення 2479 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS681

на замовлення 75 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS698DN-T1-GE3

SIS698DN-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SIS698DN-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

товар відсутній

SIS730S

на замовлення 154 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS730S-B1-DT

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS740

BGA

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS740

2002

на замовлення 87 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS740

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS740A1

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS741

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS741CX

на замовлення 210 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS741GX

на замовлення 2120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS741GX/A3

на замовлення 810 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS741GXA3

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS741GXЎЎA3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS745

на замовлення 210 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS745A1

02+

на замовлення 140 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS746

на замовлення 906 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS746FX

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS748AO AA

BGA

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS755

на замовлення 40 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS756

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS756A2

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS760

BGA

на замовлення 49 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS760

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS7600

на замовлення 350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS760GXLV

на замовлення 211 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS760LV

05+

на замовлення 297 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS761GX

на замовлення 201 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS761GX A1BA-FB-1

BGA

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS761GX A1CA-FB-1

BGA

на замовлення 460 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS761GXA1BA-FB-1

05+

на замовлення 3410 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS776DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

товар відсутній

SIS778DN-T1-GE3

MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts

на замовлення 2675 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIS780DN-T1-GE3

SIS780DN-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SIS780DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товар відсутній

SIS780DN-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 7452 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	49.07 грн
10+	41.28 грн
100+	25.83 грн
500+	20.28 грн
1000+	16.03 грн
3000+	14.73 грн

Мінімальне замовлення: 7

SIS780DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товар відсутній

SIS780DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 18A PPAK1212-8

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIS780DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 18A PPAK1212-8

товар відсутній

SIS782DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8

товар відсутній

SIS782DN-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 2971 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	45.32 грн
10+	39 грн
100+	23.43 грн
500+	19.59 грн
1000+	16.78 грн
6000+	16.65 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIS782DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SIS782DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8

товар відсутній

SIS8132

на замовлення 46 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS8205

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS8205A

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS822DNT-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A POWERPAK1212

товар відсутній

SIS822DNT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 87-96 дні (днів)

11+	30.93 грн
13+	24.89 грн
100+	14.73 грн
500+	11.1 грн
1000+	8.97 грн
3000+	7.67 грн
6000+	7.12 грн

Мінімальне замовлення: 11

SIS822DNT-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 10W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
кількість в упаковці: 5 шт

товар відсутній

SIS822DNT-T1-GE3

товар відсутній

SIS822DNT-T1-GE3

N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET

товар відсутній

SIS82C450

89+

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS82C451

на замовлення 3256 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS82C452

на замовлення 4580 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SiS82C452A

на замовлення 859 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS82C50A

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS82C50B

на замовлення 480 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS82C605

на замовлення 859 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS8333B-F-B000

на замовлення 202 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS83C611

07+

на замовлення 58 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS83C611

на замовлення 240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS83C747

на замовлення 660 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS85-100

на замовлення 600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS85-2R2PF

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS85-3R3

на замовлення 22400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS85-470

на замовлення 3466 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS85-6R8

на замовлення 700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS85-6R8M

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS8513C-F-A000

на замовлення 240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS85C206

PLCC84

на замовлення 341 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS85C206

N/A

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS85C402

1993

на замовлення 119 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS85C407

1994

на замовлення 26 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS85C407QT

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS85C420

на замовлення 147 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS85C461

1993

на замовлення 11 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS85C496PR

на замовлення 414 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS85C497NU

на замовлення 404 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS85C501

1995

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS85C502

QFP208

на замовлення 80 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS85C502

1995

на замовлення 11 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS85C502NR

на замовлення 240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS85C503

1995

на замовлення 8 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS862ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 15.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.9 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS862ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V

на замовлення 12703 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.47 грн
10+	54.02 грн
100+	37.43 грн
500+	29.35 грн
1000+	24.98 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIS862ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 15.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товар відсутній

SIS862ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.62 грн
6000+	22.46 грн
9000+	20.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS862ADN-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET

на замовлення 60223 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.13 грн
10+	58.85 грн
100+	35.07 грн
500+	29.25 грн
1000+	24.87 грн
3000+	21.3 грн
6000+	21.17 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIS862ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 15.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товар відсутній

SIS862ADN-T1-GE3

SIS862ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SIS862DN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 40A; Idm: 100A; 52W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20.8nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8

товар відсутній

SIS862DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	71.82 грн
10+	63.23 грн
25+	61.65 грн
100+	48.03 грн
250+	42.74 грн
500+	35.02 грн
1000+	29.66 грн
3000+	28.15 грн

Мінімальне замовлення: 9

SIS862DN-T1-GE3

MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 53000 шт:

термін постачання 245-254 дні (днів)

4+	83.92 грн
10+	67.44 грн
100+	46.1 грн
500+	41.1 грн
1000+	35.96 грн
3000+	35.9 грн

Мінімальне замовлення: 4

SIS862DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V

товар відсутній

SIS862DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SIS862DN-T1-GE3

товар відсутній

SIS862DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SIS862DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V

товар відсутній

SIS888DN-T1-GE3

MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

на замовлення 7121 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	116.69 грн
10+	94.54 грн
100+	64.33 грн
500+	54.19 грн
1000+	44.12 грн
2500+	42.34 грн
6000+	39.6 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIS888DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 75 V

товар відсутній

SIS888DN-T1-GE3

SIS888DN-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SIS888DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 75 V

на замовлення 2135 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	105.97 грн
10+	83.85 грн
100+	65.2 грн
500+	51.86 грн
1000+	42.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIS890ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 7.6A/24.7A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 24.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.19 грн
6000+	22.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS890ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 7.6A T/R

товар відсутній

SIS890ADN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS890ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24.7 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 39W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 14615 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	41.88 грн
500+	30.68 грн
1000+	22.72 грн
5000+	22.26 грн

Мінімальне замовлення: 100

SIS890ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 7.6A T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS890ADN-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

на замовлення 110810 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	54.99 грн
10+	48.06 грн
100+	30.62 грн
500+	26.79 грн
1000+	23.57 грн
3000+	21.58 грн
6000+	20.69 грн

Мінімальне замовлення: 6

SIS890ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 7.6A T/R

товар відсутній

SIS890ADN-T1-GE3

SIS890ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SIS890ADN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS890ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24.7 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 14615 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	61.79 грн
15+	54.56 грн
100+	41.88 грн
500+	30.68 грн
1000+	22.72 грн
5000+	22.26 грн

Мінімальне замовлення: 13

SIS890ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 7.6A/24.7A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 24.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V

на замовлення 6385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.73 грн
10+	53.09 грн
100+	36.77 грн
500+	28.83 грн
1000+	24.54 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIS890DN

MOSFET

товар відсутній

SIS890DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 802 pF @ 50 V

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	38.21 грн
6000+	35.04 грн
9000+	33.42 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS890DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SIS890DN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 60A; 33W
On-state resistance: 23.5mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 33W
Gate charge: 29nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SIS890DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 802 pF @ 50 V

на замовлення 31870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.63 грн
10+	72.71 грн
100+	56.6 грн
500+	45.02 грн
1000+	36.68 грн

Мінімальне замовлення: 4

SIS890DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SIS890DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS890DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0195 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 52W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

SIS890DN-T1-GE3

товар відсутній

SIS890DN-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 61725 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	82.32 грн
10+	69.25 грн
100+	48.16 грн
500+	42.61 грн
1000+	40.76 грн
6000+	39.94 грн
9000+	39.12 грн

Мінімальне замовлення: 4

SIS890DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SIS890DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS890DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0195 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 27257 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	110.66 грн
10+	83 грн
100+	61.4 грн
500+	48.38 грн
1000+	39.19 грн
5000+	37.61 грн

Мінімальне замовлення: 7

SIS892ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SIS892ADN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS892ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.027 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 28
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 52
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товар відсутній

SIS892ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8

на замовлення 403 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIS892ADN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; 52W; PowerPAK® 1212-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Power dissipation: 52W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SIS892ADN-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 5378 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIS892ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8

товар відсутній

SIS892ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS892ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 504 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	57.99 грн
25+	56.83 грн
100+	43.24 грн
250+	39.65 грн
500+	34.11 грн

Мінімальне замовлення: 11

SIS892ADN-T1-GE3

товар відсутній

SIS892ADN-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.8 грн
10+	62.39 грн
100+	46.86 грн
500+	39.6 грн
1000+	32.95 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIS892DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	47.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS892DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8

на замовлення 3947 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIS892DN-T1-GE3

SIS892DN-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SIS892DN-T1-GE3

MOSFET 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V

на замовлення 1815 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIS892DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS892DN-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 100V, 30A, POWERPAK 1
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	60.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS892DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIS892DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 2760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	101.45 грн
10+	90.96 грн
25+	87.81 грн
100+	65.46 грн
250+	59.75 грн
500+	49.5 грн
1000+	40.06 грн

Мінімальне замовлення: 6

SIS894DN-T1-E3

на замовлення 15 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS894DN-T1-GE3

на замовлення 25500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS900

на замовлення 11500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS900A2CN-F-D

на замовлення 11500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS902DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 75V 4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SIS902DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 38V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 186mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual

товар відсутній

SIS902DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 38V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 186mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual

товар відсутній

SIS903DN-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 52423 шт:

термін постачання 696-705 дні (днів)

5+	70.49 грн
10+	62.24 грн
100+	42.27 грн
500+	34.87 грн
1000+	27.54 грн
3000+	25.69 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIS903DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.1mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.74 грн
6000+	24.52 грн
9000+	23.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS903DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS903DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0167 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 23
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen III
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0167
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

SIS903DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товар відсутній

SIS903DN-T1-GE3
Код товару: 182732

Транзистори > Польові P-канальні

товар відсутній

SIS903DN-T1-GE3

SIS903DN-T1-GE3 SMD P channel transistors

товар відсутній

SIS903DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.1mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual

на замовлення 9244 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.47 грн
10+	50.95 грн
100+	39.61 грн
500+	31.51 грн
1000+	25.67 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIS903DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товар відсутній

SIS903DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS903DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0167 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

SIS932EDN-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 14.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SIS932EDN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active

товар відсутній

SIS932EDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS932EDN-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 17787 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.64 грн
10+	35.37 грн
100+	22.95 грн
500+	18.43 грн
1000+	15.55 грн
9000+	12.13 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIS932EDN-T1-GE3

товар відсутній

SIS932EDN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active

товар відсутній

SIS9446DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS9446DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 34 A, 0.0098 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIS9446DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS9446DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 34 A, 0.0098 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 34A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0098ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	97.6 грн
10+	83.76 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIS950

на замовлення 522 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS961

BGA

на замовлення 42 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS961

на замовлення 8502 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS961

07+

на замовлення 1055 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS961

02+

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS961A1CA

BGA

на замовлення 46 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS961A2EA-AB-1

BGA

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS961BOIA

BGA

на замовлення 122 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS962

03+

на замовлення 1047 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS962

на замовлення 250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS962 A2 IA

BGA

на замовлення 900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS962A2

на замовлення 265 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS962A2IA(CM02)

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS962L

BGA

на замовлення 3325 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS962L

08+ BGA

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS962L

BGA371

на замовлення 13 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SiS962LRev:A2

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SiS962LRev:C1

на замовлення 52 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS962LU

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS962LUA

0415+

на замовлення 16 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS962LUA

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS962LUA-C1

0348+

на замовлення 12 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS962UA

04+

на замовлення 652 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS962UA B1 OA

BGA

на замовлення 260 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS962UA B1 PA

BGA

на замовлення 457 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS963

2003

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS9634LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIS9634LDN-T1-GE3

Description: DUAL N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 17.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active

на замовлення 11930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.66 грн
10+	70.79 грн
100+	55.05 грн
500+	43.79 грн
1000+	35.67 грн

Мінімальне замовлення: 4

SIS9634LDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS9634LDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.031 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung Pd: 17.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 17.9W
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	90.68 грн
10+	76.85 грн

Мінімальне замовлення: 9

SIS9634LDN-T1-GE3

товар відсутній

SIS9634LDN-T1-GE3

Description: DUAL N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 17.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	37.16 грн
6000+	34.08 грн
9000+	32.5 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS9634LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	111.73 грн
10+	104.56 грн
25+	94.78 грн
50+	81.4 грн

Мінімальне замовлення: 6

SIS9634LDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS9634LDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.031 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 17.9W
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm
Dauer-Drainstrom Id: 6A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 17.9W
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIS963A2IA-AB-1

BGA

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS963LUA

0502+

на замовлення 980 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS963LUA

BGA

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS963LUA

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS963LUA

07+

на замовлення 1020 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS963LUA-C1

2006

на замовлення 88 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS963LUAC1

на замовлення 86 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS963LUAZ

07+

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS963LUAZC1

на замовлення 207 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS963UA

03+

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS963UA/B1

на замовлення 120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS963UAA2IA-AB-1

BGA

на замовлення 180 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS963UAB1PA-B-1

2003

на замовлення 158 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS964

BGA

на замовлення 1056 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS964

06+

на замовлення 1160 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS964

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS964 A2

03+

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS964A2

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS964A2GA

на замовлення 1691 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS964A2GA-B-1

06+PB

на замовлення 10398 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS964L

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS964L

09+

на замовлення 153 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS964L

05+

на замовлення 21 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS964LA2G-A-B-1

BGA

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS964Z

0601

на замовлення 23 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS964ZA2

на замовлення 29 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS965

09+

на замовлення 153 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS965

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS965

SISI

0548+

на замовлення 370 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS965/B1

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS965B1

на замовлення 15 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS965B1FA-H-1

на замовлення 2022 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS965L

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS965L

09+

на замовлення 103 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS966

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS966

06+

на замовлення 123 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS966L

на замовлення 23 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS966Z(A1)

на замовлення 326 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS968

N/A

на замовлення 204 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS968BO

на замовлення 26 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS968BOAA

08+

на замовлення 784 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS9806

на замовлення 181 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIS990DN-T1-GE3

SIS990DN-T1-GE3 Multi channel transistors

товар відсутній

SIS990DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active

на замовлення 13969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	60.02 грн
10+	47.31 грн
100+	36.83 грн
500+	29.3 грн
1000+	23.87 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIS990DN-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 18830 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.18 грн
10+	53.1 грн
100+	35.96 грн
500+	30.48 грн
1000+	24.87 грн
3000+	23.36 грн
6000+	22.33 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIS990DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.86 грн
6000+	22.8 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIS990DN-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 27791 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SISA01DN-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 32915 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.65 грн
10+	61.84 грн
100+	41.24 грн
500+	32.61 грн

Мінімальне замовлення: 5

SISA01DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V

на замовлення 5217 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.25 грн
10+	52.52 грн
100+	36.34 грн
500+	28.5 грн
1000+	24.25 грн

Мінімальне замовлення: 5

SISA01DN-T1-GE3

SISA01DN-T1-GE3 SMD P channel transistors

товар відсутній

SISA01DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA01DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0041 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm

на замовлення 9698 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	72.7 грн
13+	60.33 грн
100+	38.35 грн
500+	29.83 грн
1000+	21.01 грн
5000+	20.02 грн

Мінімальне замовлення: 11

SISA01DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.9 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SISA01DN-T1-GE3

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.7 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SISA04DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.96 грн
6000+	31.15 грн
9000+	29.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SISA04DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 639 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	70.9 грн
10+	67.94 грн
25+	67.23 грн
100+	53.27 грн
250+	48.38 грн
500+	38.55 грн

Мінімальне замовлення: 9

SISA04DN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 80A; 43W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 43W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SISA04DN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 80A; 43W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 43W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SISA04DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 9205 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	98.37 грн
11+	75 грн
100+	54.64 грн
500+	43.03 грн
1000+	30.37 грн
5000+	28.72 грн

Мінімальне замовлення: 8

SISA04DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SISA04DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V

на замовлення 32317 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.25 грн
10+	64.72 грн
100+	50.32 грн
500+	40.02 грн
1000+	32.6 грн

Мінімальне замовлення: 4

SISA04DN-T1-GE3

MOSFET For New Design See: 78-SISHA04DN-T1-GE3

на замовлення 41756 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	89.51 грн
10+	71.85 грн
100+	48.71 грн
500+	41.31 грн
1000+	33.64 грн
3000+	31.17 грн
6000+	30.55 грн

Мінімальне замовлення: 4

SISA04DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SISA10BDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA10BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 104 A, 0.0023 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 5726 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	71.08 грн
14+	55.71 грн
100+	39.73 грн
500+	31.26 грн
1000+	22.07 грн
5000+	21.61 грн

Мінімальне замовлення: 11

SISA10BDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SISA10BDN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30-V MSFT

на замовлення 11292 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	64.66 грн
10+	52.31 грн
100+	35.42 грн
500+	30 грн
1000+	27.06 грн
3000+	22.95 грн

Мінімальне замовлення: 5

SISA10BDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA10BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 104 A, 0.0023 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 63W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 5726 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	39.73 грн
500+	31.26 грн
1000+	22.07 грн
5000+	21.61 грн

Мінімальне замовлення: 100

SISA10BDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE

на замовлення 5770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.95 грн
10+	56.87 грн
100+	44.32 грн
500+	34.36 грн
1000+	27.13 грн

Мінімальне замовлення: 5

SISA10DN

MOSFET

товар відсутній

SISA10DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V

на замовлення 5263 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	77.07 грн
10+	66.29 грн
100+	51.7 грн
500+	40.08 грн
1000+	31.64 грн

Мінімальне замовлення: 4

SISA10DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SISA10DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SISA10DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SISA10DN-T1-GE3

MOSFET For New Design See: 78-SISHA10DN-T1-GE3

на замовлення 2153 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.33 грн
10+	59.95 грн
100+	40.55 грн
500+	34.39 грн
1000+	28.02 грн
3000+	26.31 грн
6000+	25 грн

Мінімальне замовлення: 5

SISA10DN-T1-GE3

SISA10DN-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SISA10DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SISA12ADN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; Idm: 80A; 18W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 18W
Case: PowerPAK® 1212-8
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SISA12ADN-T1-GE3

MOSFET For New Design See: 78-SISHA12ADN-T1-GE3

на замовлення 18549 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.18 грн
10+	50.26 грн
100+	33.77 грн
500+	28.02 грн
1000+	22.67 грн
3000+	22.26 грн

Мінімальне замовлення: 6

SISA12ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 15 V

на замовлення 19568 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	57.06 грн
10+	47.6 грн
100+	32.94 грн
500+	25.83 грн
1000+	21.98 грн

Мінімальне замовлення: 6

SISA12ADN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA12ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.0032 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 2833 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	67.78 грн
14+	56.25 грн
100+	35.73 грн
500+	27.76 грн
1000+	23.98 грн

Мінімальне замовлення: 12

SISA12ADN-T1-GE3

товар відсутній

SISA12ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 15 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.66 грн
6000+	19.76 грн
9000+	18.3 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SISA12ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товар відсутній

SISA12BDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 15 V

на замовлення 6024 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.95 грн
10+	54.95 грн
100+	38.06 грн
500+	29.85 грн
1000+	25.4 грн

Мінімальне замовлення: 5

SISA12BDN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30-V MSFT

на замовлення 11899 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.85 грн
10+	60.58 грн
100+	35.96 грн
500+	30 грн
1000+	26.24 грн
3000+	22.33 грн
6000+	21.78 грн

Мінімальне замовлення: 5

SISA12BDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.04 грн
6000+	22.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SISA12DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8

товар відсутній

SISA12DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8

товар відсутній

SISA12DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8

товар відсутній

SISA14BDN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 58A; Idm: 130A; 29W
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Power dissipation: 29W
Pulsed drain current: 130A
Gate-source voltage: ±20/±-16V
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 58A
On-state resistance: 7.02mΩ
Gate charge: 22nC
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SISA14BDN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30-V MSFT

на замовлення 34645 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.51 грн
10+	43.88 грн
100+	26.03 грн
500+	21.78 грн
1000+	19.04 грн
3000+	16.1 грн
6000+	15.82 грн

Мінімальне замовлення: 7

SISA14BDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerPAK 1212-PT EP T/R

товар відсутній

SISA14BDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 917 pF @ 15 V

на замовлення 14025 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.69 грн
10+	38.75 грн
100+	26.85 грн
500+	21.06 грн
1000+	17.92 грн

Мінімальне замовлення: 7

SISA14BDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA14BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 0.0037 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 72
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	35.2 грн
500+	25.83 грн

Мінімальне замовлення: 100

SISA14BDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerPAK 1212-PT EP T/R

товар відсутній

SISA14BDN-T1-GE3

товар відсутній

SISA14BDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 917 pF @ 15 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.66 грн
6000+	16.11 грн
9000+	14.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SISA14BDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA14BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 0.0037 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 5970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	55.56 грн
17+	47.11 грн
100+	29.2 грн
500+	22.69 грн
1000+	15.48 грн
5000+	15.22 грн

Мінімальне замовлення: 14

SISA14DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V

на замовлення 19073 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	43.72 грн
10+	36.75 грн
100+	25.45 грн
500+	19.96 грн
1000+	16.98 грн

Мінімальне замовлення: 7

SISA14DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	38.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SISA14DN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 80A; 17W
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Power dissipation: 17W
Pulsed drain current: 80A
Gate-source voltage: ±20/±-16V
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
On-state resistance: 8.5mΩ
Gate charge: 29nC
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SISA14DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SISA14DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.74 грн
6000+	15.27 грн
9000+	14.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SISA14DN-T1-GE3

товар відсутній

SISA14DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

283+	42.02 грн
361+	32.98 грн
364+	32.68 грн
500+	25.21 грн
1000+	18.83 грн
3000+	16.32 грн

Мінімальне замовлення: 283

SISA14DN-T1-GE3

MOSFET For New Design See: 78-SISHA14DN-T1-GE3

на замовлення 56193 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	46.11 грн
10+	40.1 грн
100+	24.66 грн
500+	20.83 грн
1000+	17.13 грн
3000+	15.48 грн
6000+	14.73 грн

Мінімальне замовлення: 7

SISA14DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SISA14DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	44.32 грн
15+	39.36 грн
25+	39.01 грн
100+	29.53 грн
250+	27.09 грн
500+	20.8 грн
1000+	16.79 грн
3000+	15.15 грн

Мінімальне замовлення: 14

SISA16DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8

товар відсутній

SISA16DN-T1-GE3

MOSFET N-Ch PowerPAK1212

товар відсутній

SISA16DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8

товар відсутній

SISA18ADN-T1-GE3
Код товару: 117652

товар відсутній

SISA18ADN-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 45032 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	46.11 грн
10+	37.03 грн
100+	18.5 грн
500+	13.36 грн
1000+	11.85 грн
9000+	11.65 грн

Мінімальне замовлення: 7

SISA18ADN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA18ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.3 A, 0.006 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.8W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm

на замовлення 15582 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	28.13 грн
34+	22.9 грн
100+	15.83 грн
500+	11.99 грн
1000+	9.81 грн
5000+	9.35 грн

Мінімальне замовлення: 28

SISA18ADN-T1-GE3