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FAN53541UCX FAN53541UCX ONSEMI 2729271.pdf Description: ONSEMI - FAN53541UCX - DC/DC-Abwärtsregler (Buck), synchron, einstellbar, 2.7V-5.5Vin, 0.8V-4.95V/5Aout, 2.4MHz, WLCSP-20
Schaltfrequenz: 2.4
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: WLCSP
Ausgangsspannung, min.: 800
Ausgangsspannung, max.: 4.95
Ausgangsstrom: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Eingangsspannung, max.: 5.5
Eingangsspannung, min.: 2.7
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FAN53541UCX FAN53541UCX ONSEMI 2729271.pdf Description: ONSEMI - FAN53541UCX - DC/DC-Abwärtsregler (Buck), synchron, einstellbar, 2.7V-5.5Vin, 0.8V-4.95V/5Aout, 2.4MHz, WLCSP-20
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NTGS3446T1G NTGS3446T1G ONSEMI ONSM-S-A0013300807-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTGS3446T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.57 грн
23+ 34.14 грн
100+ 22.76 грн
500+ 17.04 грн
Мінімальне замовлення: 19
NTGS3446T1G NTGS3446T1G ONSEMI ONSM-S-A0013300807-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTGS3446T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.76 грн
500+ 17.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTGS4111PT1G NTGS4111PT1G ONSEMI 1921131.pdf Description: ONSEMI - NTGS4111PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.7 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 4.7
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.06 грн
20+ 39.79 грн
100+ 29.73 грн
500+ 16.75 грн
Мінімальне замовлення: 17
NTGS3443T1G NTGS3443T1G ONSEMI 1748760.pdf Description: ONSEMI - NTGS3443T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.058 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 3.1
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.058
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTGS4111PT1G NTGS4111PT1G ONSEMI 1921131.pdf Description: ONSEMI - NTGS4111PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.7 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 1.25
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.73 грн
500+ 16.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTGS5120PT1G NTGS5120PT1G ONSEMI ONSM-S-A0013708036-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTGS5120PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.072 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 2.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 1.1
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.68 грн
21+ 37.32 грн
100+ 24.85 грн
Мінімальне замовлення: 17
NTGS3136PT1G NTGS3136PT1G ONSEMI 2578361.pdf Description: ONSEMI - NTGS3136PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.1 A, 0.025 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 5.1
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NTGS3136PT1G NTGS3136PT1G ONSEMI 2578361.pdf Description: ONSEMI - NTGS3136PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.1 A, 0.025 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 1.25
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NTGS3130NT1G NTGS3130NT1G ONSEMI NTGS3130N-D.PDF Description: ONSEMI - NTGS3130NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.019 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 5.6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600
Verlustleistung: 1.1
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
TCP-5082UB-DT TCP-5082UB-DT ONSEMI TCP-5082UB-D.PDF Description: ONSEMI - TCP-5082UB-DT - SPECIAL FUNCTION IC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
TCP-5068UB-DT TCP-5068UB-DT ONSEMI TCP-5068UB-D.PDF Description: ONSEMI - TCP-5068UB-DT - SPECIAL FUNCTION IC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
TCP-5033UB-DT TCP-5033UB-DT ONSEMI TCP-5033UB-D.PDF Description: ONSEMI - TCP-5033UB-DT - SPECIAL FUNCTION IC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
TCP-5039UB-DT TCP-5039UB-DT ONSEMI TCP-5039UB-D.PDF Description: ONSEMI - TCP-5039UB-DT - SPECIAL FUNCTION IC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
TCP-5047UB-DT TCP-5047UB-DT ONSEMI TCP-5047UB-D.PDF Description: ONSEMI - TCP-5047UB-DT - SPECIAL FUNCTION IC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
BUL45D2G BUL45D2G ONSEMI 1917431.pdf description Description: ONSEMI - BUL45D2G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 5 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 13MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.48 грн
10+ 100.64 грн
100+ 77.42 грн
500+ 62.69 грн
1000+ 44.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
BCV71 BCV71 ONSEMI ONSM-S-A0003590335-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BCV71 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+19.82 грн
57+ 13.63 грн
125+ 6.22 грн
500+ 5.66 грн
Мінімальне замовлення: 40
BZX85-C3V6 BZX85-C3V6 ONSEMI 2303870.pdf Description: ONSEMI - BZX85-C3V6 - Zener-Diode, 3.6 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 3.6
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: BZX85C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
NC7SZU04FHX NC7SZU04FHX ONSEMI NC7SZU04-D.PDF Description: ONSEMI - NC7SZU04FHX - Logik-IC, Wechselrichter, Eins, 1 Inputs, 6 Pin(s), UDFN, NC7SZU04
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: NC7SZU
Bauform - Logikbaustein: UDFN
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: NC7SZU04
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FCPF380N65FL1. FCPF380N65FL1. ONSEMI FCPF380N65FL1-D.pdf Description: ONSEMI - FCPF380N65FL1. - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
BZX85-C30 BZX85-C30 ONSEMI 2303870.pdf Description: ONSEMI - BZX85-C30 - Zener-Diode, 30 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 30
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: BZX85C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
NCV891330PD40R2G NCV891330PD40R2G ONSEMI ncv891330-d.pdf Description: ONSEMI - NCV891330PD40R2G - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), AEC-Q100, 3.7V bis 36Vin, 4V/3Aout, 2MHz, HSOIC-8
Schaltfrequenz: 2
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: HSOIC
Ausgangsstrom: 3
Nennausgangsspannung: 4
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Eingangsspannung, max.: 36
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsspannung, min.: 3.7
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
FDA38N30 FDA38N30 ONSEMI fda38n30-d.pdf Description: ONSEMI - FDA38N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.07 ohm, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+245.42 грн
10+ 155.61 грн
100+ 116.9 грн
500+ 105.68 грн
1000+ 94.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDA20N50F FDA20N50F ONSEMI 2572497.pdf Description: ONSEMI - FDA20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.22 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 22
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 388
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 388
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FSA4157P6X FSA4157P6X ONSEMI 2299501.pdf Description: ONSEMI - FSA4157P6X - Analogschalter, 1 Kanäle, SPDT, 1.15 ohm, 1.65V bis 5.5V, SC-70, 6 Pin(s)
Bauform - Analogschalter: SC-70
Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V
Analogschalter: SPDT
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 1.15
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
BZX85-C33 BZX85-C33 ONSEMI 2303870.pdf Description: ONSEMI - BZX85-C33 - Zener-Diode, 33 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 33
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: BZX85C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
NLV74VHC595DTR2G NLV74VHC595DTR2G ONSEMI MC74VHC595-D.PDF Description: ONSEMI - NLV74VHC595DTR2G - SHIFT REGISTERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NB3L553DR2G NB3L553DR2G ONSEMI 2354008.pdf Description: ONSEMI - NB3L553DR2G - Takt-Fanout-Puffer 1:4, bis zu 200MHz, Three-State-Modus, 4 Ausgänge, 2.375V bis 5.25V, SOIC-8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Takt-IC: SOIC
Frequenz: 200
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.375
Takt-IC: Fanout-Puffer
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 4
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NB3L553DR2G NB3L553DR2G ONSEMI 2354008.pdf Description: ONSEMI - NB3L553DR2G - Takt-Fanout-Puffer 1:4, bis zu 200MHz, Three-State-Modus, 4 Ausgänge, 2.375V bis 5.25V, SOIC-8
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NC7SZ74L8X NC7SZ74L8X ONSEMI 1727525.pdf Description: ONSEMI - NC7SZ74L8X - Flipflop, Komplementär-Ausgang, positive Taktflanke, NC7S74, D, 250 MHz, MLP
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 7474
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: MLP
IC-Ausgang: Komplementär
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz: 250MHz
Flip-Flop-Typ: D
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S74
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: -
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 11110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+25.24 грн
39+ 19.97 грн
100+ 12.62 грн
500+ 11.21 грн
Мінімальне замовлення: 31
FDS8984 FDS8984 ONSEMI ONSM-S-A0014832183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8984 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+60.77 грн
16+ 51.17 грн
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500+ 26.31 грн
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Мінімальне замовлення: 13
FDS8978 FDS8978 ONSEMI ONSM-S-A0014832224-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8978 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.74 грн
13+ 62.48 грн
100+ 44.75 грн
500+ 28.4 грн
2500+ 24.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDS8984 FDS8984 ONSEMI ONSM-S-A0014832183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8984 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.69 грн
500+ 26.31 грн
1000+ 19.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDS8949-F085 FDS8949-F085 ONSEMI 2277575.pdf Description: ONSEMI - FDS8949-F085 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.021 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
KSE44H11 KSE44H11 ONSEMI KSE44H-D.pdf Description: ONSEMI - KSE44H11 - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
KSE44H11TU KSE44H11TU ONSEMI 694309.pdf Description: ONSEMI - KSE44H11TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 1.67 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60
DC-Stromverstärkung hFE: 60
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.67
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товар відсутній
FQT5P10TF FQT5P10TF ONSEMI 2285753.pdf Description: ONSEMI - FQT5P10TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.82 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.82
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDBL9403-F085T6 FDBL9403-F085T6 ONSEMI ONSM-S-A0015368698-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDBL9403-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 0.00084 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 159.6W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 840µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+408.77 грн
10+ 303.48 грн
100+ 246.19 грн
500+ 179.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDBL9403L-F085 FDBL9403L-F085 ONSEMI ONSM-S-A0015368341-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDBL9403L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 590 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357.1W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 590µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+282.58 грн
10+ 259.35 грн
100+ 236.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDBL9403L-F085 FDBL9403L-F085 ONSEMI ONSM-S-A0015368341-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDBL9403L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 590 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 357.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357.1W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 590µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 590µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+236.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDBL0090N40 FDBL0090N40 ONSEMI FDBL0090N40-D.pdf Description: ONSEMI - FDBL0090N40 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
SHN1B01FDW1T1G SHN1B01FDW1T1G ONSEMI hn1b01fdw1t1-d.pdf Description: ONSEMI - SHN1B01FDW1T1G - NPN PNP BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NCS21801SQ3T2G NCS21801SQ3T2G ONSEMI ncs21801-d.pdf Description: ONSEMI - NCS21801SQ3T2G - Operationsverstärker, 1.5 MHz, 0.7 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Spannungsanstieg: 0.7V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -888
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -888
Bandbreite: 1.5MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.25 грн
500+ 40.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
FQP45N15V2 FQP45N15V2 ONSEMI ONSM-S-A0003588017-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP45N15V2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+200.51 грн
10+ 159.48 грн
100+ 124.64 грн
500+ 112.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
2SD1803S-H. 2SD1803S-H. ONSEMI EN2085-D.PDF Description: ONSEMI - 2SD1803S-H. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1803
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
2SD1803S-TL-E. 2SD1803S-TL-E. ONSEMI EN2085-D.PDF Description: ONSEMI - 2SD1803S-TL-E. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1803
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
2SD1803T-E. 2SD1803T-E. ONSEMI EN2085-D.PDF Description: ONSEMI - 2SD1803T-E. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1803
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
NC7WZ04P6X NC7WZ04P6X ONSEMI 2304084.pdf Description: ONSEMI - NC7WZ04P6X - Inverter, NC7W04, 1 Eingang, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SC-70-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 16958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+27.56 грн
42+ 18.66 грн
104+ 7.45 грн
500+ 6.78 грн
Мінімальне замовлення: 29
NC7WZ04P6X. NC7WZ04P6X. ONSEMI 2277582.pdf Description: ONSEMI - NC7WZ04P6X. - LOGIC, INVERTER, SINGLE, SC-70-6, FULL REEL
Logik-IC-Familie: NC7W
Bauform - Logikbaustein: SC-70
Ausgangsstrom: 32
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 1
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDS9431A FDS9431A ONSEMI 2304010.pdf Description: ONSEMI - FDS9431A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.13 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.34 грн
500+ 31.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDS9400A FDS9400A ONSEMI 2304004.pdf Description: ONSEMI - FDS9400A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
FPDB40PH60B FPDB40PH60B ONSEMI 2859371.pdf Description: ONSEMI - FPDB40PH60B - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 40 A, 2.5 kV, SPMGC-027, SPM3
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
IPM-Baureihe: SPM3
Isolationsspannung: 2.5
Nennstrom (Ic/Id): 40
Nennspannung (Vces / Vdss): 600
Bauform - IPM: SPMGC-027
Produktpalette: PFC SPM 3 Series
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FPDB60PH60B FPDB60PH60B ONSEMI FPDB60PH60B-D.pdf Description: ONSEMI - FPDB60PH60B - PFC INTELLIGENT POWER MODULE, 600V, 60A
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FCD360N65S3R0 FCD360N65S3R0 ONSEMI ONSM-S-A0014832373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCD360N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.31 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.55 грн
10+ 121.55 грн
100+ 96.77 грн
500+ 75.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
FCD380N60E FCD380N60E ONSEMI fcd380n60e-d.pdf Description: ONSEMI - FCD380N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.2 A, 0.32 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 4374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+189.68 грн
10+ 139.35 грн
100+ 102.19 грн
500+ 75.48 грн
2500+ 68.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
FCD850N80Z FCD850N80Z ONSEMI FCU850N80Z-D.pdf Description: ONSEMI - FCD850N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.71 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 75
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.71
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FCD850N80Z FCD850N80Z ONSEMI FCU850N80Z-D.pdf Description: ONSEMI - FCD850N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.71 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 75
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 75
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.71
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.71
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FCD1300N80Z FCD1300N80Z ONSEMI 2859337.pdf Description: ONSEMI - FCD1300N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 52
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 52
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FCD600N65S3R0 FCD600N65S3R0 ONSEMI FCD600N65S3R0-D.PDF Description: ONSEMI - FCD600N65S3R0 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FAN53541UCX 2729271.pdf
FAN53541UCX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN53541UCX - DC/DC-Abwärtsregler (Buck), synchron, einstellbar, 2.7V-5.5Vin, 0.8V-4.95V/5Aout, 2.4MHz, WLCSP-20
Schaltfrequenz: 2.4
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: WLCSP
Ausgangsspannung, min.: 800
Ausgangsspannung, max.: 4.95
Ausgangsstrom: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Eingangsspannung, max.: 5.5
Eingangsspannung, min.: 2.7
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FAN53541UCX 2729271.pdf
FAN53541UCX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN53541UCX - DC/DC-Abwärtsregler (Buck), synchron, einstellbar, 2.7V-5.5Vin, 0.8V-4.95V/5Aout, 2.4MHz, WLCSP-20
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NTGS3446T1G ONSM-S-A0013300807-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTGS3446T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGS3446T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+41.57 грн
23+ 34.14 грн
100+ 22.76 грн
500+ 17.04 грн
Мінімальне замовлення: 19
NTGS3446T1G ONSM-S-A0013300807-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTGS3446T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGS3446T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+22.76 грн
500+ 17.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTGS4111PT1G 1921131.pdf
NTGS4111PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGS4111PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.7 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 4.7
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+46.06 грн
20+ 39.79 грн
100+ 29.73 грн
500+ 16.75 грн
Мінімальне замовлення: 17
NTGS3443T1G 1748760.pdf
NTGS3443T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGS3443T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.058 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 3.1
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.058
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTGS4111PT1G 1921131.pdf
NTGS4111PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGS4111PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.7 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 1.25
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+29.73 грн
500+ 16.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTGS5120PT1G ONSM-S-A0013708036-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTGS5120PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGS5120PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.072 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 2.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 1.1
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+46.68 грн
21+ 37.32 грн
100+ 24.85 грн
Мінімальне замовлення: 17
NTGS3136PT1G 2578361.pdf
NTGS3136PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGS3136PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.1 A, 0.025 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 5.1
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NTGS3136PT1G 2578361.pdf
NTGS3136PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGS3136PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.1 A, 0.025 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 1.25
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NTGS3130NT1G NTGS3130N-D.PDF
NTGS3130NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGS3130NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.019 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 5.6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600
Verlustleistung: 1.1
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
TCP-5082UB-DT TCP-5082UB-D.PDF
TCP-5082UB-DT
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TCP-5082UB-DT - SPECIAL FUNCTION IC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
TCP-5068UB-DT TCP-5068UB-D.PDF
TCP-5068UB-DT
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TCP-5068UB-DT - SPECIAL FUNCTION IC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
TCP-5033UB-DT TCP-5033UB-D.PDF
TCP-5033UB-DT
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TCP-5033UB-DT - SPECIAL FUNCTION IC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
TCP-5039UB-DT TCP-5039UB-D.PDF
TCP-5039UB-DT
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TCP-5039UB-DT - SPECIAL FUNCTION IC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
TCP-5047UB-DT TCP-5047UB-D.PDF
TCP-5047UB-DT
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TCP-5047UB-DT - SPECIAL FUNCTION IC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
BUL45D2G description 1917431.pdf
BUL45D2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BUL45D2G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 5 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 13MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+135.48 грн
10+ 100.64 грн
100+ 77.42 грн
500+ 62.69 грн
1000+ 44.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
BCV71 ONSM-S-A0003590335-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCV71
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCV71 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+19.82 грн
57+ 13.63 грн
125+ 6.22 грн
500+ 5.66 грн
Мінімальне замовлення: 40
BZX85-C3V6 2303870.pdf
BZX85-C3V6
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX85-C3V6 - Zener-Diode, 3.6 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 3.6
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: BZX85C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
NC7SZU04FHX NC7SZU04-D.PDF
NC7SZU04FHX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZU04FHX - Logik-IC, Wechselrichter, Eins, 1 Inputs, 6 Pin(s), UDFN, NC7SZU04
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: NC7SZU
Bauform - Logikbaustein: UDFN
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: NC7SZU04
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FCPF380N65FL1. FCPF380N65FL1-D.pdf
FCPF380N65FL1.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCPF380N65FL1. - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
BZX85-C30 2303870.pdf
BZX85-C30
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX85-C30 - Zener-Diode, 30 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 30
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: BZX85C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
NCV891330PD40R2G ncv891330-d.pdf
NCV891330PD40R2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV891330PD40R2G - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), AEC-Q100, 3.7V bis 36Vin, 4V/3Aout, 2MHz, HSOIC-8
Schaltfrequenz: 2
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: HSOIC
Ausgangsstrom: 3
Nennausgangsspannung: 4
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Eingangsspannung, max.: 36
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsspannung, min.: 3.7
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
FDA38N30 fda38n30-d.pdf
FDA38N30
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDA38N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.07 ohm, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+245.42 грн
10+ 155.61 грн
100+ 116.9 грн
500+ 105.68 грн
1000+ 94.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDA20N50F 2572497.pdf
FDA20N50F
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDA20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.22 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 22
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 388
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 388
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FSA4157P6X 2299501.pdf
FSA4157P6X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSA4157P6X - Analogschalter, 1 Kanäle, SPDT, 1.15 ohm, 1.65V bis 5.5V, SC-70, 6 Pin(s)
Bauform - Analogschalter: SC-70
Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V
Analogschalter: SPDT
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 1.15
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
BZX85-C33 2303870.pdf
BZX85-C33
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX85-C33 - Zener-Diode, 33 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 33
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: BZX85C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
NLV74VHC595DTR2G MC74VHC595-D.PDF
NLV74VHC595DTR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV74VHC595DTR2G - SHIFT REGISTERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NB3L553DR2G 2354008.pdf
NB3L553DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NB3L553DR2G - Takt-Fanout-Puffer 1:4, bis zu 200MHz, Three-State-Modus, 4 Ausgänge, 2.375V bis 5.25V, SOIC-8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Takt-IC: SOIC
Frequenz: 200
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.375
Takt-IC: Fanout-Puffer
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 4
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NB3L553DR2G 2354008.pdf
NB3L553DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NB3L553DR2G - Takt-Fanout-Puffer 1:4, bis zu 200MHz, Three-State-Modus, 4 Ausgänge, 2.375V bis 5.25V, SOIC-8
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NC7SZ74L8X 1727525.pdf
NC7SZ74L8X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ74L8X - Flipflop, Komplementär-Ausgang, positive Taktflanke, NC7S74, D, 250 MHz, MLP
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 7474
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: MLP
IC-Ausgang: Komplementär
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz: 250MHz
Flip-Flop-Typ: D
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S74
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: -
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 11110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
31+25.24 грн
39+ 19.97 грн
100+ 12.62 грн
500+ 11.21 грн
Мінімальне замовлення: 31
FDS8984 ONSM-S-A0014832183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS8984
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8984 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+60.77 грн
16+ 51.17 грн
100+ 35.69 грн
500+ 26.31 грн
1000+ 19.44 грн
Мінімальне замовлення: 13
FDS8978 ONSM-S-A0014832224-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS8978
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8978 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+79.74 грн
13+ 62.48 грн
100+ 44.75 грн
500+ 28.4 грн
2500+ 24.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDS8984 ONSM-S-A0014832183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS8984
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8984 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+35.69 грн
500+ 26.31 грн
1000+ 19.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDS8949-F085 2277575.pdf
FDS8949-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8949-F085 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.021 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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KSE44H11 KSE44H-D.pdf
KSE44H11
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSE44H11 - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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KSE44H11TU 694309.pdf
KSE44H11TU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSE44H11TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 1.67 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60
DC-Stromverstärkung hFE: 60
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.67
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
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FQT5P10TF 2285753.pdf
FQT5P10TF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQT5P10TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.82 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.82
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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FDBL9403-F085T6 ONSM-S-A0015368698-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDBL9403-F085T6
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL9403-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 0.00084 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 159.6W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 840µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+408.77 грн
10+ 303.48 грн
100+ 246.19 грн
500+ 179.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDBL9403L-F085 ONSM-S-A0015368341-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDBL9403L-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL9403L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 590 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357.1W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 590µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+282.58 грн
10+ 259.35 грн
100+ 236.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDBL9403L-F085 ONSM-S-A0015368341-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDBL9403L-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL9403L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 590 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 357.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357.1W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 590µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 590µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+236.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDBL0090N40 FDBL0090N40-D.pdf
FDBL0090N40
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL0090N40 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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SHN1B01FDW1T1G hn1b01fdw1t1-d.pdf
SHN1B01FDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SHN1B01FDW1T1G - NPN PNP BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NCS21801SQ3T2G ncs21801-d.pdf
NCS21801SQ3T2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS21801SQ3T2G - Operationsverstärker, 1.5 MHz, 0.7 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Spannungsanstieg: 0.7V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -888
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -888
Bandbreite: 1.5MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+63.25 грн
500+ 40.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
FQP45N15V2 ONSM-S-A0003588017-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQP45N15V2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP45N15V2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+200.51 грн
10+ 159.48 грн
100+ 124.64 грн
500+ 112.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
2SD1803S-H. EN2085-D.PDF
2SD1803S-H.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1803S-H. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1803
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
2SD1803S-TL-E. EN2085-D.PDF
2SD1803S-TL-E.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1803S-TL-E. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1803
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
2SD1803T-E. EN2085-D.PDF
2SD1803T-E.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1803T-E. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1803
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
NC7WZ04P6X 2304084.pdf
NC7WZ04P6X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ04P6X - Inverter, NC7W04, 1 Eingang, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SC-70-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 16958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+27.56 грн
42+ 18.66 грн
104+ 7.45 грн
500+ 6.78 грн
Мінімальне замовлення: 29
NC7WZ04P6X. 2277582.pdf
NC7WZ04P6X.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ04P6X. - LOGIC, INVERTER, SINGLE, SC-70-6, FULL REEL
Logik-IC-Familie: NC7W
Bauform - Logikbaustein: SC-70
Ausgangsstrom: 32
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 1
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDS9431A 2304010.pdf
FDS9431A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS9431A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.13 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+40.34 грн
500+ 31.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDS9400A 2304004.pdf
FDS9400A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS9400A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
FPDB40PH60B 2859371.pdf
FPDB40PH60B
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FPDB40PH60B - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 40 A, 2.5 kV, SPMGC-027, SPM3
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
IPM-Baureihe: SPM3
Isolationsspannung: 2.5
Nennstrom (Ic/Id): 40
Nennspannung (Vces / Vdss): 600
Bauform - IPM: SPMGC-027
Produktpalette: PFC SPM 3 Series
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FPDB60PH60B FPDB60PH60B-D.pdf
FPDB60PH60B
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FPDB60PH60B - PFC INTELLIGENT POWER MODULE, 600V, 60A
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FCD360N65S3R0 ONSM-S-A0014832373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FCD360N65S3R0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD360N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.31 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+145.55 грн
10+ 121.55 грн
100+ 96.77 грн
500+ 75.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
FCD380N60E fcd380n60e-d.pdf
FCD380N60E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD380N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.2 A, 0.32 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 4374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+189.68 грн
10+ 139.35 грн
100+ 102.19 грн
500+ 75.48 грн
2500+ 68.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
FCD850N80Z FCU850N80Z-D.pdf
FCD850N80Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD850N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.71 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 75
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.71
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FCD850N80Z FCU850N80Z-D.pdf
FCD850N80Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD850N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.71 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 75
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 75
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.71
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.71
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FCD1300N80Z 2859337.pdf
FCD1300N80Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD1300N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 52
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 52
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FCD600N65S3R0 FCD600N65S3R0-D.PDF
FCD600N65S3R0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD600N65S3R0 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
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