Результат пошуку "4n60" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 19
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 30
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 300
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SPU04N60C3 TO-251-3 Код товару: 161246 |
Транзистори > Польові N-канальні |
у наявності: 1 шт
|
|
||||||||||||||||
SPW24N60C3 Код товару: 37627 |
Infineon |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: PG-TO247 Uds,V: 650 V Idd,A: 24,3 A Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104 Монтаж: THT |
у наявності: 40 шт
|
|
|||||||||||||||
SSS4N60B Код товару: 27298 |
FS |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 600 V Idd,A: 2,3 A Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 710/22 Примітка: Ізольований корпус Монтаж: THT |
у наявності: 24 шт
|
|
|||||||||||||||
4N60 | to-220/f | AAT |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
4N60 AAT | TO-220/F 08+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
25C24-N60-I5-AD-DA | Advanced Energy | Non-Isolated DC/DC Converters HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -25kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Arc detection, Male DA-15 type connector |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOD4N60 | ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOT4N60 | ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOTF4N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: THT Gate charge: 15nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOTF4N60 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220F |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOTF4N60 | ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
APT94N60L2C3G | Microchip Technology | MOSFET MOSFET SUPERJUNCTION 600 V 94 A TO-264 MAX |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BXP4N60D | BRIDGELUX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 77W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 13.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 825 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BXP4N60D | BRIDGELUX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 77W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 13.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 825 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCD4N60TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCD4N60TM | onsemi / Fairchild | MOSFET N-CH/600V/7A/ SuperFET |
на замовлення 3656 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCH104N60F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCH104N60F | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel SuperFET |
на замовлення 3882 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCH104N60F-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFET 600V N-Channel SuperFET II MOSFET |
на замовлення 1344 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCP104N60 | onsemi / Fairchild | MOSFET SuperFET2 600V Fast ver |
на замовлення 1056 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCP104N60F | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO |
на замовлення 998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FQA24N60 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14.9A Power dissipation: 310W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Gate charge: 145nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FQA24N60 | onsemi / Fairchild | MOSFET 600V N-Channel QFET |
на замовлення 130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FQA24N60 | ON-Semicoductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGU04N60T | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop |
на замовлення 899 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGU04N60TAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 4A Power dissipation: 42W Case: TO251 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 12A Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of package: tube Turn-on time: 21ns Turn-off time: 207ns |
на замовлення 1155 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGU04N60TAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 4A Power dissipation: 42W Case: TO251 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 12A Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of package: tube Turn-on time: 21ns Turn-off time: 207ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1155 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKD04N60R | Infineon |
8A; 600V; 75W; IGBT w/ Diode IKD04N60R TIKD04n60r кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKD04N60RATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A |
на замовлення 4076 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKD04N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
на замовлення 10781 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKD04N60RFATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A |
на замовлення 2330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKN04N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
на замовлення 2994 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKP04N60T | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 4A |
на замовлення 1091 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKP04N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 4A Power dissipation: 42W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 12A Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of package: tube Turn-on time: 21ns Turn-off time: 207ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 338 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKP04N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 4A Power dissipation: 42W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 12A Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of package: tube Turn-on time: 21ns Turn-off time: 207ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 338 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFA14N60P | IXYS | MOSFET 600V 14A |
на замовлення 403 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFA24N60X | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 400W Case: TO263 On-state resistance: 0.175Ω Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 140ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFH14N60P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IXFH14N60P | IXYS | MOSFET 600V 14A |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFH24N60X | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO247-3; 140ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 400W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.175Ω Mounting: THT Gate charge: 47nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 140ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFH34N60X2A | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 540W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 56nC Technology: HiPerFET™; X2-Class Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 68A Mounting: THT Case: TO247-3 Reverse recovery time: 164ns Drain-source voltage: 600V Drain current: 34A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFK44N60 | IXYS | MOSFET DIODE Id44 BVdass600 |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFK64N60P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar3™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 64A Power dissipation: 1.13kW Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 145nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 250ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFK64N60P3 | IXYS | MOSFET 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET |
на замовлення 565 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFK64N60Q3 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 64A Power dissipation: 1.25kW Case: TO264 On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFN64N60P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin SOT-227B |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
IXFN64N60P | IXYS | Discrete Semiconductor Modules 600V 64A |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFP14N60P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Power dissipation: 300W Case: TO220AB On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFP14N60P | IXYS | MOSFET 600V 14A |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFX64N60P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 |
на замовлення 310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFX64N60P | IXYS | MOSFET MOSFET |
на замовлення 620 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFX64N60P3 | IXYS | MOSFET 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET |
на замовлення 502 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFX64N60P3 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 |
на замовлення 231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
IXTP14N60X2 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 180W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Gate charge: 16.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTY14N60X2 | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 180W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Gate charge: 16.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 39 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTY14N60X2 | IXYS | MOSFET MSFT N-CH THROUGH HOLE |
на замовлення 468 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PJMH074N60FRC | Panjit | MOSFET 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss |
на замовлення 1470 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PJMH074N60FRC_T0_00601 | Panjit | MOSFET 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET |
на замовлення 1491 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SiHA14N60E-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK |
на замовлення 799 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHD14N60E-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 600V |
на замовлення 2983 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
SPW24N60C3 Код товару: 37627 |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: PG-TO247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 24,3 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: PG-TO247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 24,3 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
Монтаж: THT
у наявності: 40 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 285 грн |
10+ | 269 грн |
SSS4N60B Код товару: 27298 |
Виробник: FS
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 24 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 35 грн |
10+ | 31.1 грн |
25C24-N60-I5-AD-DA |
Виробник: Advanced Energy
Non-Isolated DC/DC Converters HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -25kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Arc detection, Male DA-15 type connector
Non-Isolated DC/DC Converters HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -25kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Arc detection, Male DA-15 type connector
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 116363.73 грн |
AOD4N60 |
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 41.79 грн |
AOT4N60 |
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 22.35 грн |
AOTF4N60 |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 56.63 грн |
13+ | 27.12 грн |
25+ | 24.08 грн |
39+ | 20.83 грн |
107+ | 19.65 грн |
AOTF4N60 |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220F
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
19+ | 16.82 грн |
AOTF4N60 |
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 26.44 грн |
APT94N60L2C3G |
Виробник: Microchip Technology
MOSFET MOSFET SUPERJUNCTION 600 V 94 A TO-264 MAX
MOSFET MOSFET SUPERJUNCTION 600 V 94 A TO-264 MAX
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1842.1 грн |
10+ | 1807.38 грн |
25+ | 1568.31 грн |
100+ | 1393.61 грн |
BXP4N60D |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 20.72 грн |
25+ | 17.3 грн |
60+ | 13.78 грн |
165+ | 13.03 грн |
500+ | 12.8 грн |
BXP4N60D |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 825 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 24.86 грн |
25+ | 21.56 грн |
60+ | 16.54 грн |
165+ | 15.64 грн |
500+ | 15.36 грн |
2500+ | 15.03 грн |
FCD4N60TM |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 47.82 грн |
FCD4N60TM |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-CH/600V/7A/ SuperFET
MOSFET N-CH/600V/7A/ SuperFET
на замовлення 3656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 87.57 грн |
10+ | 73.18 грн |
100+ | 55.66 грн |
250+ | 55.53 грн |
500+ | 49.89 грн |
1000+ | 45.1 грн |
2500+ | 43.04 грн |
FCH104N60F |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 236.37 грн |
FCH104N60F |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Channel SuperFET
MOSFET N-Channel SuperFET
на замовлення 3882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 480.48 грн |
10+ | 407.92 грн |
25+ | 271.68 грн |
100+ | 255.74 грн |
250+ | 255.08 грн |
450+ | 222.53 грн |
FCH104N60F-F085 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V N-Channel SuperFET II MOSFET
MOSFET 600V N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 1344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 435.53 грн |
10+ | 368.2 грн |
25+ | 254.41 грн |
100+ | 212.56 грн |
250+ | 206.58 грн |
900+ | 205.92 грн |
2700+ | 201.27 грн |
FCP104N60 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET SuperFET2 600V Fast ver
MOSFET SuperFET2 600V Fast ver
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 431.66 грн |
10+ | 355.21 грн |
50+ | 225.18 грн |
100+ | 202.6 грн |
500+ | 179.35 грн |
FCP104N60F |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
MOSFET N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 428.56 грн |
10+ | 385.77 грн |
50+ | 230.5 грн |
100+ | 211.9 грн |
250+ | 211.23 грн |
500+ | 198.61 грн |
800+ | 180.68 грн |
FQA24N60 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 481.37 грн |
3+ | 357.04 грн |
7+ | 337.66 грн |
FQA24N60 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V N-Channel QFET
MOSFET 600V N-Channel QFET
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 535.5 грн |
10+ | 497.3 грн |
25+ | 363.35 грн |
100+ | 333.46 грн |
450+ | 309.54 грн |
900+ | 265.7 грн |
FQA24N60 |
Виробник: ON-Semicoductor
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
кількість в упаковці: 2 шт
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 263.38 грн |
IGU04N60T |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 74.24 грн |
10+ | 58.51 грн |
100+ | 40.32 грн |
500+ | 34.14 грн |
1000+ | 27.83 грн |
1500+ | 27.23 грн |
10500+ | 26.7 грн |
IGU04N60TAKMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 67.81 грн |
10+ | 52.59 грн |
22+ | 37.78 грн |
59+ | 35.7 грн |
IGU04N60TAKMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 81.37 грн |
10+ | 65.53 грн |
22+ | 45.34 грн |
59+ | 42.84 грн |
1800+ | 41.18 грн |
IKD04N60R |
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 43.5 грн |
IKD04N60RATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 4076 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 51.15 грн |
10+ | 43.69 грн |
100+ | 31.35 грн |
500+ | 27.7 грн |
1000+ | 23.91 грн |
2500+ | 23.25 грн |
5000+ | 22.72 грн |
IKD04N60RC2ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 10781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 67.03 грн |
10+ | 51.49 грн |
100+ | 33.88 грн |
500+ | 29.29 грн |
1000+ | 24.91 грн |
2500+ | 22.19 грн |
5000+ | 20.92 грн |
IKD04N60RFATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 74.94 грн |
10+ | 56.6 грн |
100+ | 40.52 грн |
500+ | 35.01 грн |
1000+ | 28.56 грн |
2500+ | 26.9 грн |
5000+ | 25.57 грн |
IKN04N60RC2ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 59.13 грн |
10+ | 50.26 грн |
100+ | 30.29 грн |
500+ | 25.31 грн |
1000+ | 21.59 грн |
3000+ | 19.13 грн |
6000+ | 18.07 грн |
IKP04N60T |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 4A
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 4A
на замовлення 1091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 96.1 грн |
10+ | 79.45 грн |
100+ | 55.6 грн |
500+ | 54.14 грн |
1000+ | 41.52 грн |
2500+ | 38.33 грн |
IKP04N60TXKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 75.42 грн |
10+ | 67.12 грн |
14+ | 60.89 грн |
37+ | 57.43 грн |
250+ | 56.05 грн |
IKP04N60TXKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 338 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 93.99 грн |
10+ | 80.54 грн |
14+ | 73.07 грн |
37+ | 68.92 грн |
250+ | 67.26 грн |
IXFA14N60P |
Виробник: IXYS
MOSFET 600V 14A
MOSFET 600V 14A
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 361.91 грн |
10+ | 299.45 грн |
50+ | 180.68 грн |
100+ | 161.41 грн |
IXFA24N60X |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 440.84 грн |
3+ | 382.84 грн |
4+ | 293.1 грн |
10+ | 277.33 грн |
IXFH14N60P |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH14N60P |
Виробник: IXYS
MOSFET 600V 14A
MOSFET 600V 14A
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 422.36 грн |
10+ | 360.56 грн |
30+ | 304.23 грн |
120+ | 249.76 грн |
270+ | 242.45 грн |
510+ | 217.88 грн |
1020+ | 189.31 грн |
IXFH24N60X |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO247-3; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO247-3; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 528.47 грн |
3+ | 369.91 грн |
8+ | 336.28 грн |
IXFH34N60X2A |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 540W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 68A
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 164ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 540W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 68A
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 164ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 564.24 грн |
3+ | 483.73 грн |
6+ | 440.9 грн |
10+ | 439.24 грн |
30+ | 424.29 грн |
IXFK44N60 |
Виробник: IXYS
MOSFET DIODE Id44 BVdass600
MOSFET DIODE Id44 BVdass600
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2021.12 грн |
10+ | 1853.98 грн |
25+ | 1370.36 грн |
100+ | 1345.79 грн |
250+ | 1256.11 грн |
500+ | 1160.46 грн |
1000+ | 1155.14 грн |
IXFK64N60P3 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1129.37 грн |
2+ | 782.93 грн |
4+ | 713.25 грн |
IXFK64N60P3 |
Виробник: IXYS
MOSFET 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
MOSFET 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1001.26 грн |
10+ | 869.31 грн |
25+ | 735.33 грн |
50+ | 694.15 грн |
100+ | 653.63 грн |
250+ | 633.04 грн |
500+ | 620.42 грн |
IXFK64N60Q3 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2367.82 грн |
2+ | 2159.09 грн |
25+ | 2042.59 грн |
IXFN64N60P |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin SOT-227B
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IXFN64N60P |
Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules 600V 64A
Discrete Semiconductor Modules 600V 64A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2496.17 грн |
10+ | 2226.76 грн |
20+ | 1929.01 грн |
50+ | 1845.31 грн |
100+ | 1693.19 грн |
200+ | 1659.32 грн |
IXFP14N60P |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 312.97 грн |
3+ | 270.75 грн |
5+ | 207.58 грн |
13+ | 195.96 грн |
IXFP14N60P |
Виробник: IXYS
MOSFET 600V 14A
MOSFET 600V 14A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 350.29 грн |
10+ | 290.28 грн |
50+ | 237.8 грн |
100+ | 178.69 грн |
250+ | 167.39 грн |
500+ | 166.06 грн |
1000+ | 154.11 грн |
IXFX64N60P |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
300+ | 313.09 грн |
IXFX64N60P |
Виробник: IXYS
MOSFET MOSFET
MOSFET MOSFET
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1548.39 грн |
10+ | 1356.68 грн |
30+ | 1001.04 грн |
60+ | 993.07 грн |
120+ | 957.86 грн |
270+ | 943.25 грн |
510+ | 885.46 грн |
IXFX64N60P3 |
Виробник: IXYS
MOSFET 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
MOSFET 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 979.56 грн |
10+ | 888.41 грн |
30+ | 651.64 грн |
60+ | 627.06 грн |
120+ | 598.5 грн |
510+ | 587.2 грн |
IXFX64N60P3 |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IXTP14N60X2 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 347.84 грн |
3+ | 302.65 грн |
5+ | 231.66 грн |
12+ | 218.37 грн |
IXTY14N60X2 |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 321.02 грн |
5+ | 221.6 грн |
13+ | 201.77 грн |
IXTY14N60X2 |
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH THROUGH HOLE
MOSFET MSFT N-CH THROUGH HOLE
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 358.81 грн |
10+ | 297.92 грн |
25+ | 243.78 грн |
70+ | 208.58 грн |
280+ | 193.96 грн |
560+ | 182.67 грн |
1050+ | 149.46 грн |
PJMH074N60FRC |
Виробник: Panjit
MOSFET 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss
MOSFET 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 589.75 грн |
10+ | 498.06 грн |
30+ | 392.58 грн |
120+ | 360.03 грн |
270+ | 339.44 грн |
510+ | 318.18 грн |
1020+ | 286.3 грн |
PJMH074N60FRC_T0_00601 |
Виробник: Panjit
MOSFET 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET
MOSFET 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET
на замовлення 1491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 574.25 грн |
10+ | 511.81 грн |
30+ | 399.22 грн |
120+ | 367.33 грн |
270+ | 348.07 грн |
510+ | 320.17 грн |
1020+ | 278.32 грн |
SiHA14N60E-E3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 164.29 грн |
10+ | 135.21 грн |
100+ | 69.08 грн |
SIHD14N60E-BE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 600V
MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 159.64 грн |
10+ | 126.81 грн |
100+ | 90.34 грн |
250+ | 83.7 грн |
500+ | 75.73 грн |
1000+ | 62.37 грн |
3000+ | 59.52 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]