Результат пошуку "nm50" : > 120

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
STF14NM50N STF14NM50N STMicroelectronics en.CD00257735.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 50 V
на замовлення 942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.64 грн
50+ 187.41 грн
100+ 160.63 грн
500+ 134 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF14NM50N ST en.CD00257735.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 25V; 320mOhm; 12A; 25W; -55°C ~ 150°C; STF14NM50N TSTF14NM50n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+64.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
STF19NM50N STF19NM50N STMicroelectronics stf19nm50n-1850513.pdf MOSFET POWER MOSFET N-CH 500V
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+316.99 грн
10+ 218.26 грн
25+ 179.14 грн
100+ 163.15 грн
250+ 161.82 грн
500+ 153.17 грн
1000+ 138.51 грн
STF19NM50N STF19NM50N STMicroelectronics 1513442964938983cd002.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 65495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+116.54 грн
Мінімальне замовлення: 50
STF19NM50N STF19NM50N STMicroelectronics en.CD00264734.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+291.75 грн
50+ 222.76 грн
100+ 190.94 грн
500+ 159.27 грн
STF23NM50N STF23NM50N STMicroelectronics stf23nm50n-1850567.pdf MOSFET N-Ch 500V 0.162 Ohm 17A MDmesh II PWR
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+391.57 грн
10+ 330.84 грн
25+ 181.8 грн
100+ 181.13 грн
1000+ 172.48 грн
2000+ 163.15 грн
STF28NM50N STF28NM50N STMicroelectronics stf28nm50n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 550V; 13A; Idm: 84A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 158mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+209.92 грн
3+ 175.5 грн
6+ 134.57 грн
17+ 126.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF28NM50N STF28NM50N STMicroelectronics stf28nm50n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 550V; 13A; Idm: 84A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 158mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+251.9 грн
3+ 218.7 грн
6+ 161.49 грн
17+ 152.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF28NM50N STF28NM50N STMicroelectronics stb28nm50n-1850044.pdf MOSFET N-Ch 500V 0.135 Ohm MDmesh II Power MO
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+443.62 грн
10+ 385.98 грн
25+ 256.39 грн
100+ 239.07 грн
250+ 237.07 грн
500+ 219.76 грн
1000+ 206.44 грн
STF28NM50N STF28NM50N STMicroelectronics en.CD00271786.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 21A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 25 V
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+408.45 грн
50+ 313.84 грн
100+ 280.8 грн
500+ 232.51 грн
STF8NM50N STF8NM50N STMicroelectronics en.DM00042596.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 790mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 50 V
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.82 грн
50+ 87.95 грн
100+ 72.36 грн
500+ 57.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP11NM50N STP11NM50N STMicroelectronics STP11NM50N.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 547 pF @ 50 V
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.86 грн
50+ 85.23 грн
100+ 80.77 грн
500+ 66.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12NM50 STP12NM50 STMicroelectronics STP12NM50.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.62 грн
9+ 93.65 грн
24+ 88.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12NM50 STP12NM50 STMicroelectronics STP12NM50.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+170.33 грн
3+ 147.82 грн
9+ 112.38 грн
24+ 105.72 грн
250+ 104.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP12NM50 STP12NM50 STMicroelectronics en.CD00002079.pdf description Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.26 грн
50+ 217.59 грн
100+ 186.51 грн
500+ 155.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP12NM50 STP12NM50 STMicroelectronics en.cd00002079.pdf description Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 21605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12NM50 STP12NM50 STMicroelectronics stb12nm50t4-2956181.pdf description MOSFET N-Ch 500 Volt 12 Amp
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+262.6 грн
10+ 251.19 грн
25+ 172.48 грн
100+ 155.83 грн
500+ 148.5 грн
1000+ 129.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP12NM50 ST en.CD00002079.pdf description N-MOSFET 12A 500V 160W 0.35Ω STP12NM50 TSTP12NM50
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+95.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
STP12NM50FP STP12NM50FP STMicroelectronics STP12NM50FP.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 7.5A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.57 грн
8+ 101.28 грн
22+ 95.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12NM50FP STP12NM50FP STMicroelectronics STP12NM50FP.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 7.5A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+189.15 грн
3+ 167.7 грн
8+ 121.53 грн
22+ 114.87 грн
250+ 113.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP12NM50FP STP12NM50FP STMicroelectronics stb12nm50t4-2956181.pdf MOSFET N-Ch 500 Volt 12 Amp
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+319.32 грн
10+ 287.95 грн
25+ 195.12 грн
100+ 171.81 грн
250+ 171.15 грн
500+ 155.16 грн
1000+ 135.85 грн
STP12NM50FP STP12NM50FP STMicroelectronics en.cd00002079.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12NM50FP STP12NM50FP STMicroelectronics en.CD00002079.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+293.91 грн
50+ 224.39 грн
100+ 192.34 грн
500+ 160.45 грн
STP12NM50FP ST en.CD00002079.pdf N-MOSFET 12A 500V 35W STP12NM50FP TSTP12NM50FP
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+96.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
STP14NM50N STP14NM50N STMicroelectronics STF14NM50N.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 8A; 90W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.1 грн
10+ 78.39 грн
12+ 67.98 грн
33+ 63.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
STP14NM50N STP14NM50N STMicroelectronics STF14NM50N.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 8A; 90W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+109.78 грн
10+ 94.06 грн
12+ 81.58 грн
33+ 76.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP14NM50N STP14NM50N STMicroelectronics 818112945102311cd00257735.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STP14NM50N STP14NM50N STMicroelectronics stf14nm50n-1850742.pdf MOSFET N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+278.14 грн
10+ 270.34 грн
25+ 189.79 грн
100+ 162.49 грн
500+ 144.51 грн
1000+ 121.2 грн
2000+ 115.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP14NM50N STP14NM50N STMicroelectronics en.CD00257735.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 50 V
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.45 грн
50+ 195.62 грн
100+ 167.68 грн
500+ 139.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP14NM50N ST en.CD00257735.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 25V; 320mOhm; 12A; 90W; -55°C ~ 150°C; STP14NM50N TSTP14NM50N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+52.84 грн
Мінімальне замовлення: 20
STP19NM50N STP19NM50N STMicroelectronics STx19NM50N-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 10A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.1 грн
5+ 83.94 грн
10+ 74.22 грн
13+ 63.82 грн
35+ 60.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
STP19NM50N STP19NM50N STMicroelectronics en.CD00264734.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.09 грн
50+ 202.19 грн
100+ 173.31 грн
500+ 144.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP19NM50N STP19NM50N STMicroelectronics stf19nm50n-1850513.pdf MOSFET N-Ch 500V 14A Mosfet Mdmesh II Power
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+226.09 грн
10+ 201.41 грн
25+ 157.16 грн
100+ 126.53 грн
250+ 123.2 грн
1000+ 120.53 грн
2000+ 119.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP20NM50 STP20NM50 STMicroelectronics stp20nm50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 20A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 20A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.48 грн
3+ 162.32 грн
7+ 125.56 грн
18+ 118.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP20NM50 STP20NM50 STMicroelectronics stp20nm50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 20A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 20A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+232.18 грн
3+ 202.28 грн
7+ 150.67 грн
18+ 142.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP20NM50 STP20NM50 STMicroelectronics stb20nm50-1850251.pdf MOSFET N-Ch 500 Volt 20 Amp
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+409.44 грн
10+ 349.98 грн
25+ 260.38 грн
100+ 226.42 грн
250+ 217.76 грн
500+ 204.44 грн
1000+ 174.48 грн
STP20NM50 STP20NM50 STMicroelectronics 7682.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP20NM50 STP20NM50 STMicroelectronics en.CD00002374.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+377.47 грн
50+ 288.24 грн
100+ 247.06 грн
500+ 206.09 грн
STP20NM50FD STP20NM50FD STMicroelectronics power-transistors.html Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; Idm: 80A; 192W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+204.69 грн
3+ 170.65 грн
7+ 133.88 грн
17+ 126.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP20NM50FD STP20NM50FD STMicroelectronics sgsts29971_1-2282276.pdf MOSFET N-Ch 500 Volt 20 Amp
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+484.8 грн
10+ 409.72 грн
25+ 322.98 грн
100+ 296.34 грн
250+ 279.03 грн
500+ 261.71 грн
1000+ 235.74 грн
STP20NM50FD STP20NM50FD STMicroelectronics power-transistors.html Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+447.35 грн
50+ 343.58 грн
100+ 307.41 грн
500+ 254.55 грн
1000+ 229.1 грн
STP23NM50N STP23NM50N STMicroelectronics stf23nm50n-1850567.pdf MOSFET N-Ch 500V 0.162 Ohm MDmesh II 17A Switch
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+365.93 грн
10+ 199.11 грн
25+ 152.5 грн
STP23NM50N STP23NM50N STMicroelectronics 812299290764112cd00259533.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP28NM50N STP28NM50N STMicroelectronics stp28nm50n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 550V; 21A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 21A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 158mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.68 грн
3+ 173.42 грн
6+ 137.35 грн
17+ 129.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP28NM50N STP28NM50N STMicroelectronics stp28nm50n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 550V; 21A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 21A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 158mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+249.21 грн
3+ 216.11 грн
6+ 164.82 грн
17+ 155.66 грн
250+ 154 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP28NM50N STP28NM50N STMicroelectronics stb28nm50n-1850044.pdf MOSFET N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+463.05 грн
25+ 402.82 грн
100+ 286.35 грн
500+ 250.39 грн
1000+ 220.42 грн
2000+ 210.44 грн
STP32NM50N STP32NM50N STMicroelectronics en.DM00060101.pdf Description: MOSFET N CH 500V 22A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1973 pF @ 50 V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+505.69 грн
STP8NM50N STP8NM50N STMicroelectronics STD8NM50N.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 3A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.79Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+59.02 грн
8+ 48.07 грн
10+ 42.8 грн
22+ 37.18 грн
60+ 35.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
STP8NM50N STP8NM50N STMicroelectronics STD8NM50N.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 3A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.79Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+70.82 грн
5+ 59.91 грн
10+ 51.36 грн
22+ 44.62 грн
60+ 42.2 грн
Мінімальне замовлення: 4
STP8NM50N STP8NM50N STMicroelectronics std8nm50n-1850478.pdf MOSFET N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II PWR MO
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.87 грн
10+ 102.62 грн
100+ 78.58 грн
250+ 77.91 грн
500+ 61.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP8NM50N STP8NM50N STMicroelectronics stp8nm50n.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 790mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 50 V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+151.28 грн
50+ 116.89 грн
100+ 96.17 грн
500+ 76.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP8NM50N STP8NM50N STMicroelectronics en.cd00271067.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
STP8NM50N ST stp8nm50n.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A STP8NM50N TSTP8NM50N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+33.01 грн
Мінімальне замовлення: 20
STW19NM50N STW19NM50N STMicroelectronics stf19nm50n-1850513.pdf MOSFET POWER MOSFET N-CH 500V 13A
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+481.69 грн
10+ 398.23 грн
25+ 265.04 грн
100+ 242.4 грн
250+ 225.75 грн
600+ 213.1 грн
1200+ 201.11 грн
STW20NM50FD STW20NM50FD STMicroelectronics sgsts26810_1-2282504.pdf MOSFET N-Ch 500 Volt 20 Amp
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+553.17 грн
25+ 353.81 грн
100+ 294.34 грн
250+ 281.02 грн
600+ 266.37 грн
1200+ 257.05 грн
STW20NM50FD STW20NM50FD STMicroelectronics cd0000247.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW20NM50FD ST STW20NM50FD_Jun2002.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 500V; 30V; 250mOhm; 20A; 214W; -65°C ~ 150°C; STW20NM50FD TSTW20NM50FD
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+158.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
STW26NM50 STW26NM50 STMicroelectronics STW26NM50-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.9A; 313W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18.9A
Power dissipation: 313W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+372.77 грн
3+ 311.46 грн
4+ 242.1 грн
10+ 228.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW26NM50 STW26NM50 STMicroelectronics STW26NM50-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.9A; 313W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18.9A
Power dissipation: 313W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+447.33 грн
3+ 388.13 грн
4+ 290.51 грн
10+ 274.7 грн
STW26NM50 STW26NM50 STMicroelectronics 232701829016600cd00002680.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+408.66 грн
STF14NM50N en.CD00257735.pdf
STF14NM50N
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 50 V
на замовлення 942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+245.64 грн
50+ 187.41 грн
100+ 160.63 грн
500+ 134 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF14NM50N en.CD00257735.pdf
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 25V; 320mOhm; 12A; 25W; -55°C ~ 150°C; STF14NM50N TSTF14NM50n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+64.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
STF19NM50N stf19nm50n-1850513.pdf
STF19NM50N
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET POWER MOSFET N-CH 500V
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+316.99 грн
10+ 218.26 грн
25+ 179.14 грн
100+ 163.15 грн
250+ 161.82 грн
500+ 153.17 грн
1000+ 138.51 грн
STF19NM50N 1513442964938983cd002.pdf
STF19NM50N
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 65495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+116.54 грн
Мінімальне замовлення: 50
STF19NM50N en.CD00264734.pdf
STF19NM50N
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+291.75 грн
50+ 222.76 грн
100+ 190.94 грн
500+ 159.27 грн
STF23NM50N stf23nm50n-1850567.pdf
STF23NM50N
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 500V 0.162 Ohm 17A MDmesh II PWR
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+391.57 грн
10+ 330.84 грн
25+ 181.8 грн
100+ 181.13 грн
1000+ 172.48 грн
2000+ 163.15 грн
STF28NM50N stf28nm50n.pdf
STF28NM50N
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 550V; 13A; Idm: 84A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 158mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+209.92 грн
3+ 175.5 грн
6+ 134.57 грн
17+ 126.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF28NM50N stf28nm50n.pdf
STF28NM50N
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 550V; 13A; Idm: 84A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 158mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+251.9 грн
3+ 218.7 грн
6+ 161.49 грн
17+ 152.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF28NM50N stb28nm50n-1850044.pdf
STF28NM50N
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 500V 0.135 Ohm MDmesh II Power MO
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+443.62 грн
10+ 385.98 грн
25+ 256.39 грн
100+ 239.07 грн
250+ 237.07 грн
500+ 219.76 грн
1000+ 206.44 грн
STF28NM50N en.CD00271786.pdf
STF28NM50N
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 21A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 25 V
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+408.45 грн
50+ 313.84 грн
100+ 280.8 грн
500+ 232.51 грн
STF8NM50N en.DM00042596.pdf
STF8NM50N
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 790mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 50 V
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.82 грн
50+ 87.95 грн
100+ 72.36 грн
500+ 57.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP11NM50N STP11NM50N.pdf
STP11NM50N
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 547 pF @ 50 V
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.86 грн
50+ 85.23 грн
100+ 80.77 грн
500+ 66.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12NM50 description STP12NM50.pdf
STP12NM50
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.62 грн
9+ 93.65 грн
24+ 88.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12NM50 description STP12NM50.pdf
STP12NM50
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+170.33 грн
3+ 147.82 грн
9+ 112.38 грн
24+ 105.72 грн
250+ 104.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP12NM50 description en.CD00002079.pdf
STP12NM50
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+285.26 грн
50+ 217.59 грн
100+ 186.51 грн
500+ 155.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP12NM50 description en.cd00002079.pdf
STP12NM50
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 21605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+121.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12NM50 description stb12nm50t4-2956181.pdf
STP12NM50
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 500 Volt 12 Amp
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+262.6 грн
10+ 251.19 грн
25+ 172.48 грн
100+ 155.83 грн
500+ 148.5 грн
1000+ 129.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP12NM50 description en.CD00002079.pdf
Виробник: ST
N-MOSFET 12A 500V 160W 0.35Ω STP12NM50 TSTP12NM50
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+95.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
STP12NM50FP STP12NM50FP.pdf
STP12NM50FP
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 7.5A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+134.57 грн
8+ 101.28 грн
22+ 95.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12NM50FP STP12NM50FP.pdf
STP12NM50FP
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 7.5A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+189.15 грн
3+ 167.7 грн
8+ 121.53 грн
22+ 114.87 грн
250+ 113.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP12NM50FP stb12nm50t4-2956181.pdf
STP12NM50FP
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 500 Volt 12 Amp
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+319.32 грн
10+ 287.95 грн
25+ 195.12 грн
100+ 171.81 грн
250+ 171.15 грн
500+ 155.16 грн
1000+ 135.85 грн
STP12NM50FP en.cd00002079.pdf
STP12NM50FP
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12NM50FP en.CD00002079.pdf
STP12NM50FP
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+293.91 грн
50+ 224.39 грн
100+ 192.34 грн
500+ 160.45 грн
STP12NM50FP en.CD00002079.pdf
Виробник: ST
N-MOSFET 12A 500V 35W STP12NM50FP TSTP12NM50FP
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+96.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
STP14NM50N STF14NM50N.pdf
STP14NM50N
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 8A; 90W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+88.1 грн
10+ 78.39 грн
12+ 67.98 грн
33+ 63.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
STP14NM50N STF14NM50N.pdf
STP14NM50N
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 8A; 90W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.78 грн
10+ 94.06 грн
12+ 81.58 грн
33+ 76.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP14NM50N 818112945102311cd00257735.pdf
STP14NM50N
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STP14NM50N stf14nm50n-1850742.pdf
STP14NM50N
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+278.14 грн
10+ 270.34 грн
25+ 189.79 грн
100+ 162.49 грн
500+ 144.51 грн
1000+ 121.2 грн
2000+ 115.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP14NM50N en.CD00257735.pdf
STP14NM50N
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 50 V
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+256.45 грн
50+ 195.62 грн
100+ 167.68 грн
500+ 139.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP14NM50N en.CD00257735.pdf
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 25V; 320mOhm; 12A; 90W; -55°C ~ 150°C; STP14NM50N TSTP14NM50N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+52.84 грн
Мінімальне замовлення: 20
STP19NM50N STx19NM50N-DTE.pdf
STP19NM50N
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 10A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+100.1 грн
5+ 83.94 грн
10+ 74.22 грн
13+ 63.82 грн
35+ 60.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
STP19NM50N en.CD00264734.pdf
STP19NM50N
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+265.09 грн
50+ 202.19 грн
100+ 173.31 грн
500+ 144.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP19NM50N stf19nm50n-1850513.pdf
STP19NM50N
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 500V 14A Mosfet Mdmesh II Power
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+226.09 грн
10+ 201.41 грн
25+ 157.16 грн
100+ 126.53 грн
250+ 123.2 грн
1000+ 120.53 грн
2000+ 119.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP20NM50 stp20nm50.pdf
STP20NM50
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 20A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 20A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+193.48 грн
3+ 162.32 грн
7+ 125.56 грн
18+ 118.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP20NM50 stp20nm50.pdf
STP20NM50
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 20A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 20A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+232.18 грн
3+ 202.28 грн
7+ 150.67 грн
18+ 142.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP20NM50 stb20nm50-1850251.pdf
STP20NM50
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 500 Volt 20 Amp
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+409.44 грн
10+ 349.98 грн
25+ 260.38 грн
100+ 226.42 грн
250+ 217.76 грн
500+ 204.44 грн
1000+ 174.48 грн
STP20NM50 7682.pdf
STP20NM50
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP20NM50 en.CD00002374.pdf
STP20NM50
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+377.47 грн
50+ 288.24 грн
100+ 247.06 грн
500+ 206.09 грн
STP20NM50FD power-transistors.html
STP20NM50FD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; Idm: 80A; 192W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+204.69 грн
3+ 170.65 грн
7+ 133.88 грн
17+ 126.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP20NM50FD sgsts29971_1-2282276.pdf
STP20NM50FD
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 500 Volt 20 Amp
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+484.8 грн
10+ 409.72 грн
25+ 322.98 грн
100+ 296.34 грн
250+ 279.03 грн
500+ 261.71 грн
1000+ 235.74 грн
STP20NM50FD power-transistors.html
STP20NM50FD
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+447.35 грн
50+ 343.58 грн
100+ 307.41 грн
500+ 254.55 грн
1000+ 229.1 грн
STP23NM50N stf23nm50n-1850567.pdf
STP23NM50N
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 500V 0.162 Ohm MDmesh II 17A Switch
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+365.93 грн
10+ 199.11 грн
25+ 152.5 грн
STP23NM50N 812299290764112cd00259533.pdf
STP23NM50N
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+131.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP28NM50N stp28nm50n.pdf
STP28NM50N
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 550V; 21A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 21A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 158mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+207.68 грн
3+ 173.42 грн
6+ 137.35 грн
17+ 129.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP28NM50N stp28nm50n.pdf
STP28NM50N
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 550V; 21A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 21A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 158mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+249.21 грн
3+ 216.11 грн
6+ 164.82 грн
17+ 155.66 грн
250+ 154 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP28NM50N stb28nm50n-1850044.pdf
STP28NM50N
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+463.05 грн
25+ 402.82 грн
100+ 286.35 грн
500+ 250.39 грн
1000+ 220.42 грн
2000+ 210.44 грн
STP32NM50N en.DM00060101.pdf
STP32NM50N
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 500V 22A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1973 pF @ 50 V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+505.69 грн
STP8NM50N STD8NM50N.pdf
STP8NM50N
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 3A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.79Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+59.02 грн
8+ 48.07 грн
10+ 42.8 грн
22+ 37.18 грн
60+ 35.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
STP8NM50N STD8NM50N.pdf
STP8NM50N
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 3A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.79Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+70.82 грн
5+ 59.91 грн
10+ 51.36 грн
22+ 44.62 грн
60+ 42.2 грн
Мінімальне замовлення: 4
STP8NM50N std8nm50n-1850478.pdf
STP8NM50N
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II PWR MO
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.87 грн
10+ 102.62 грн
100+ 78.58 грн
250+ 77.91 грн
500+ 61.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP8NM50N stp8nm50n.pdf
STP8NM50N
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 790mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 50 V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+151.28 грн
50+ 116.89 грн
100+ 96.17 грн
500+ 76.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP8NM50N en.cd00271067.pdf
STP8NM50N
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+53.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
STP8NM50N stp8nm50n.pdf
Виробник: ST
Trans MOSFET N-CH 500V 5A STP8NM50N TSTP8NM50N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+33.01 грн
Мінімальне замовлення: 20
STW19NM50N stf19nm50n-1850513.pdf
STW19NM50N
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET POWER MOSFET N-CH 500V 13A
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+481.69 грн
10+ 398.23 грн
25+ 265.04 грн
100+ 242.4 грн
250+ 225.75 грн
600+ 213.1 грн
1200+ 201.11 грн
STW20NM50FD sgsts26810_1-2282504.pdf
STW20NM50FD
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 500 Volt 20 Amp
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+553.17 грн
25+ 353.81 грн
100+ 294.34 грн
250+ 281.02 грн
600+ 266.37 грн
1200+ 257.05 грн
STW20NM50FD cd0000247.pdf
STW20NM50FD
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+198.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW20NM50FD STW20NM50FD_Jun2002.pdf
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 500V; 30V; 250mOhm; 20A; 214W; -65°C ~ 150°C; STW20NM50FD TSTW20NM50FD
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+158.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
STW26NM50 STW26NM50-DTE.pdf
STW26NM50
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.9A; 313W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18.9A
Power dissipation: 313W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+372.77 грн
3+ 311.46 грн
4+ 242.1 грн
10+ 228.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW26NM50 STW26NM50-DTE.pdf
STW26NM50
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.9A; 313W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18.9A
Power dissipation: 313W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+447.33 грн
3+ 388.13 грн
4+ 290.51 грн
10+ 274.7 грн
STW26NM50 232701829016600cd00002680.pdf
STW26NM50
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+408.66 грн
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]