Результат пошуку "50n65" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1
Код товару: 189326 		IXYH50N65C3H1.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247AD
Vces: 650 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 130 A
Ic 100: 50 A
td(on)/td(off) 100-150 град: 22/80
у наявності: 30 шт
1+490 грн
AIGW50N65F5XKSA1 AIGW50N65F5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIGW50N65F5_DS_v02_01_EN-1129111.pdf IGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+568.71 грн
10+ 480.17 грн
25+ 394.23 грн
100+ 348.28 грн
240+ 285.69 грн
480+ 275.7 грн
1200+ 263.04 грн
AIKB50N65DF5ATMA1 AIKB50N65DF5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_AIKB50N65DF5_DataSheet_v02_01_EN-3360644.pdf IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+450.62 грн
10+ 381.38 грн
25+ 330.97 грн
100+ 276.36 грн
250+ 275.7 грн
500+ 243.07 грн
1000+ 218.43 грн
AIKB50N65DH5ATMA1 AIKB50N65DH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_AIKB50N65DH5_DataSheet_v02_01_EN-3360584.pdf IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+450.62 грн
10+ 381.38 грн
25+ 328.97 грн
100+ 276.36 грн
250+ 275.7 грн
500+ 243.73 грн
1000+ 218.43 грн
AIKBE50N65RF5ATMA1 AIKBE50N65RF5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_AIKBE50N65RF5_DataSheet_v01_00_EN-3369286.pdf IGBT Transistors SIC_DISCRETE
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+913.66 грн
10+ 794.16 грн
20+ 671.93 грн
50+ 633.97 грн
100+ 597.34 грн
200+ 578.7 грн
500+ 541.41 грн
AIKW50N65DF5XKSA1 AIKW50N65DF5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIKW50N65DF5_DS_v02_01_EN-1730881.pdf IGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+661.94 грн
10+ 559.82 грн
25+ 414.21 грн
100+ 389.57 грн
240+ 352.28 грн
480+ 321.65 грн
5040+ 306.33 грн
AIKW50N65DH5XKSA1 AIKW50N65DH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIKW50N65DH5_DS_v02_01_EN-1730854.pdf IGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+705.45 грн
10+ 595.81 грн
25+ 470.15 грн
100+ 396.9 грн
240+ 342.29 грн
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65HS1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+844.16 грн
2+ 565.35 грн
4+ 534.83 грн
5+ 534.14 грн
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65HS1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1012.99 грн
2+ 704.51 грн
4+ 641.8 грн
5+ 640.96 грн
150+ 625.98 грн
600+ 616.82 грн
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65ZF1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+744.8 грн
2+ 505.69 грн
5+ 477.95 грн
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65ZF1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+893.76 грн
2+ 630.17 грн
5+ 573.54 грн
150+ 553.56 грн
600+ 551.89 грн
BIDW50N65T BIDW50N65T Bourns Bourns_7_25_2022_BIDW50N65T_datasheet-3005216.pdf IGBT Transistors IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
на замовлення 2449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+386.91 грн
10+ 320.88 грн
25+ 278.36 грн
100+ 225.75 грн
250+ 200.45 грн
600+ 171.81 грн
1200+ 164.49 грн
FCH150N65F-F155 FCH150N65F-F155 onsemi / Fairchild FCH150N65F_D-2311797.pdf MOSFET N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+459.16 грн
10+ 388.27 грн
25+ 305.66 грн
100+ 280.36 грн
250+ 229.75 грн
FCMT250N65S3 FCMT250N65S3 onsemi FCMT250N65S3_D-2311922.pdf MOSFET SUPERFET3 650V 12A 250 mOhm
на замовлення 1693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+257.16 грн
10+ 219.03 грн
25+ 189.13 грн
100+ 159.82 грн
250+ 157.83 грн
500+ 143.18 грн
1000+ 123.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCPF150N65F FCPF150N65F onsemi / Fairchild FCPF150N65F_D-2311777.pdf MOSFET SuperFET2 150 mOhm 650V FRFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+386.91 грн
10+ 320.88 грн
50+ 263.04 грн
100+ 199.78 грн
250+ 169.15 грн
500+ 163.82 грн
1000+ 161.16 грн
FCPF250N65S3L1-F154 FCPF250N65S3L1-F154 onsemi FCPF250N65S3L1_F154_D-2311890.pdf MOSFET SUPERFET3 650V TO220F PKG
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+286.69 грн
10+ 257.32 грн
25+ 199.11 грн
100+ 187.13 грн
1000+ 161.82 грн
5000+ 119.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCPF250N65S3R0L-F154 FCPF250N65S3R0L-F154 onsemi FCPF250N65S3R0L_F154_D-2255841.pdf MOSFET SUPERFET3 650V TO220F PKG
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+282.8 грн
10+ 251.96 грн
25+ 195.79 грн
100+ 183.13 грн
250+ 171.81 грн
500+ 159.16 грн
1000+ 126.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGB50N65H5ATMA1 IGB50N65H5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IGB50N65H5_DataSheet_v02_02_EN-3361683.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+243.95 грн
10+ 202.18 грн
25+ 165.82 грн
100+ 142.51 грн
250+ 134.52 грн
500+ 126.53 грн
1000+ 107.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IGB50N65S5_DataSheet_v02_02_EN-3361666.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+243.95 грн
10+ 202.18 грн
25+ 165.82 грн
100+ 142.51 грн
250+ 134.52 грн
500+ 126.53 грн
1000+ 107.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW50N65F5 IGW50N65F5 Infineon Technologies Infineon_IGW50N65F5_DS_v02_01_EN-1731516.pdf IGBT Transistors ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+348.06 грн
10+ 288.72 грн
25+ 236.41 грн
100+ 203.11 грн
240+ 190.46 грн
480+ 179.8 грн
1200+ 159.82 грн
IGW50N65F5FKSA1 Infineon DS_IGW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af8ed558f5bc5 IGBT 650V 80A 305W   IGW50N65F5FKSA1 TIGW50n65f5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+304.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGW50N65H5FKSA1 IGW50N65H5FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IGW50N65H5_DS_v02_01_EN-1226759.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+298.34 грн
25+ 232.81 грн
100+ 173.14 грн
240+ 162.49 грн
480+ 149.17 грн
1200+ 121.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGZ50N65H5XKSA1 IGZ50N65H5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IGZ50N65H5_DS_v02_01_EN-1731582.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+376.03 грн
10+ 310.16 грн
100+ 227.08 грн
240+ 192.46 грн
480+ 189.13 грн
1200+ 153.17 грн
IHW50N65R5 IHW50N65R5 Infineon Technologies Infineon_IHW50N65R5_DS_v02_04_EN-1731583.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+261.82 грн
10+ 216.73 грн
25+ 177.8 грн
100+ 152.5 грн
240+ 143.84 грн
480+ 135.18 грн
1200+ 119.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW50N65R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+316.75 грн
3+ 259.44 грн
4+ 224.75 грн
10+ 212.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW50N65R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+380.1 грн
3+ 323.3 грн
4+ 269.7 грн
10+ 255.55 грн
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IHW50N65R5_DS_v02_04_EN-1731583.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+267.26 грн
25+ 208.3 грн
100+ 155.16 грн
480+ 115.87 грн
1200+ 109.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW50N65R6XKSA1 IHW50N65R6XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IHW50N65R6_DataSheet_v01_20_EN-2583084.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+247.84 грн
10+ 208.3 грн
25+ 168.48 грн
100+ 144.51 грн
240+ 133.85 грн
480+ 110.55 грн
1200+ 104.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKFW50N65EH5XKSA1 IKFW50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKFW50N65EH5_DataSheet_v02_01_EN-3361941.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+615.32 грн
10+ 520 грн
25+ 410.22 грн
100+ 390.24 грн
240+ 330.97 грн
1200+ 307.66 грн
2640+ 288.35 грн
IKQ150N65EH7XKSA1 IKQ150N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKQ150N65EH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892507e0bc2038 IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+927.65 грн
10+ 806.41 грн
25+ 681.92 грн
50+ 643.96 грн
100+ 606 грн
240+ 586.69 грн
480+ 548.73 грн
IKW50N65EH5XKSA1 IKW50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65EH5_DataSheet_v01_10_EN-3361847.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+421.09 грн
10+ 381.38 грн
25+ 286.35 грн
100+ 243.73 грн
240+ 231.08 грн
480+ 186.46 грн
1200+ 175.14 грн
IKW50N65ET7XKSA1 IKW50N65ET7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65ET7_DataSheet_v01_10_EN-3362248.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+341.85 грн
10+ 322.41 грн
25+ 243.73 грн
100+ 216.43 грн
240+ 215.1 грн
480+ 174.48 грн
1200+ 164.49 грн
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65F5_DS_v02_01_EN-1226899.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+327.86 грн
10+ 322.41 грн
25+ 223.09 грн
100+ 191.12 грн
240+ 176.47 грн
480+ 142.51 грн
1200+ 134.52 грн
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+288.36 грн
3+ 236.55 грн
4+ 205.33 грн
10+ 204.64 грн
11+ 193.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+346.03 грн
3+ 294.77 грн
4+ 246.4 грн
10+ 245.56 грн
11+ 232.24 грн
IKW50N65H5FKSA1 Infineon DS_IKW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013b1e3073ec5951 80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode   IKW50N65H5 TIKW50n65h5
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 101 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+236.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW50N65RH5XKSA1 IKW50N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65RH5_DataSheet_v01_10_EN-3362121.pdf IGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 1074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+480.14 грн
10+ 405.89 грн
25+ 320.31 грн
100+ 294.34 грн
240+ 276.36 грн
480+ 269.04 грн
2640+ 222.42 грн
IKW50N65SS5XKSA1 IKW50N65SS5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65SS5_DataSheet_v01_10_EN-3361987.pdf IGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+713.22 грн
10+ 603.47 грн
25+ 475.48 грн
100+ 436.85 грн
240+ 410.88 грн
480+ 384.91 грн
1200+ 346.29 грн
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65WR5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+365.3 грн
3+ 305.22 грн
4+ 233.77 грн
10+ 220.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65WR5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 112 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+438.36 грн
3+ 380.35 грн
4+ 280.53 грн
10+ 264.71 грн
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65WR5_DataSheet_v01_30_EN-3361989.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+272.7 грн
10+ 225.92 грн
25+ 184.46 грн
100+ 158.49 грн
240+ 135.85 грн
480+ 119.87 грн
1200+ 113.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH50N65EH7XKSA1 IKWH50N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKWH50N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189251a160b2076 IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+442.07 грн
10+ 366.06 грн
25+ 301 грн
100+ 257.72 грн
240+ 243.07 грн
480+ 228.42 грн
1200+ 195.79 грн
IKWH50N65WR6XKSA1 IKWH50N65WR6XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKWH50N65WR6_DataSheet_v01_10_EN-3361893.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+269.59 грн
10+ 242 грн
25+ 183.13 грн
100+ 157.16 грн
240+ 151.83 грн
480+ 142.51 грн
1200+ 112.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKY150N65EH7XKSA1 IKY150N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKY150N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892507ba8f202d IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1113.33 грн
10+ 967.24 грн
25+ 818.43 грн
50+ 773.15 грн
100+ 727.87 грн
240+ 703.89 грн
480+ 659.28 грн
IKZ50N65EH5XKSA1 IKZ50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZ50N65EH5_DS_v02_01_EN-1731549.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+452.17 грн
10+ 394.4 грн
25+ 305 грн
100+ 277.7 грн
240+ 249.73 грн
480+ 219.76 грн
1200+ 209.77 грн
IKZ50N65ES5XKSA1 IKZ50N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZ50N65ES5_DS_v02_01_EN-1122021.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+435.85 грн
10+ 360.7 грн
25+ 296.34 грн
100+ 253.72 грн
240+ 211.1 грн
480+ 204.44 грн
1200+ 181.13 грн
IKZA50N65EH7XKSA1 IKZA50N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZA50N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189250890122069 IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+477.03 грн
10+ 402.82 грн
25+ 317.65 грн
100+ 292.35 грн
240+ 274.37 грн
480+ 257.05 грн
1200+ 231.75 грн
IKZA50N65RH5XKSA1 IKZA50N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZA50N65RH5_DataSheet_v01_10_EN-3362298.pdf IGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+538.41 грн
10+ 454.9 грн
25+ 358.94 грн
100+ 308.99 грн
240+ 308.33 грн
480+ 290.35 грн
1200+ 249.06 грн
IKZA50N65SS5XKSA1 IKZA50N65SS5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZA50N65SS5_DataSheet_v01_10_EN-3362265.pdf IGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+771.49 грн
10+ 652.48 грн
25+ 514.1 грн
100+ 443.51 грн
240+ 402.89 грн
480+ 392.24 грн
1200+ 391.57 грн
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 IXYS IXFB150N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 150A
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 260ns
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1812.33 грн
2+ 1590.61 грн
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 IXYS IXFB150N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 150A
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 260ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2174.79 грн
2+ 1982.15 грн
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 IXYS media-3322674.pdf MOSFET MOSFET 650V/150A Ultra Junction X2
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2322.23 грн
10+ 2157.33 грн
25+ 1650.19 грн
50+ 1626.21 грн
100+ 1519.66 грн
IXFN150N65X2 IXFN150N65X2 IXYS IXFN150N65X2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 145A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 145A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 1.04kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 17mΩ
Gate charge: 355nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 190ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFN150N65X2 IXFN150N65X2 IXYS media-3320042.pdf Discrete Semiconductor Modules 650V/145A Ultra Junction X2-Class
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3496.16 грн
10+ 3198.09 грн
20+ 2740.32 грн
50+ 2691.71 грн
100+ 2654.42 грн
IXYA50N65C3 IXYA50N65C3 IXYS IXY_50N65C3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO263-2
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO263-2
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+471.38 грн
3+ 313.54 грн
8+ 296.2 грн
IXYA50N65C3 IXYA50N65C3 IXYS IXY_50N65C3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO263-2
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO263-2
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+565.66 грн
3+ 390.72 грн
8+ 355.44 грн
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1 IXYS IXYH50N65C3H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+682.8 грн
2+ 454.36 грн
5+ 429.39 грн
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1 IXYS IXYH50N65C3H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+819.36 грн
2+ 566.21 грн
5+ 515.27 грн
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1 IXYS media-3321896.pdf IGBT Transistors 650V/130A XPTI C3-Class TO-247
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+912.11 грн
10+ 791.86 грн
30+ 632.64 грн
120+ 595.35 грн
270+ 540.07 грн
510+ 528.09 грн
1020+ 494.79 грн
IXYH50N65C3H1
Код товару: 189326		 IXYH50N65C3H1.pdf
IXYH50N65C3H1
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247AD
Vces: 650 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 130 A
Ic 100: 50 A
td(on)/td(off) 100-150 град: 22/80
у наявності: 30 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+490 грн
AIGW50N65F5XKSA1 Infineon_AIGW50N65F5_DS_v02_01_EN-1129111.pdf
AIGW50N65F5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+568.71 грн
10+ 480.17 грн
25+ 394.23 грн
100+ 348.28 грн
240+ 285.69 грн
480+ 275.7 грн
1200+ 263.04 грн
AIKB50N65DF5ATMA1 Infineon_AIKB50N65DF5_DataSheet_v02_01_EN-3360644.pdf
AIKB50N65DF5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+450.62 грн
10+ 381.38 грн
25+ 330.97 грн
100+ 276.36 грн
250+ 275.7 грн
500+ 243.07 грн
1000+ 218.43 грн
AIKB50N65DH5ATMA1 Infineon_AIKB50N65DH5_DataSheet_v02_01_EN-3360584.pdf
AIKB50N65DH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+450.62 грн
10+ 381.38 грн
25+ 328.97 грн
100+ 276.36 грн
250+ 275.7 грн
500+ 243.73 грн
1000+ 218.43 грн
AIKBE50N65RF5ATMA1 Infineon_AIKBE50N65RF5_DataSheet_v01_00_EN-3369286.pdf
AIKBE50N65RF5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors SIC_DISCRETE
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+913.66 грн
10+ 794.16 грн
20+ 671.93 грн
50+ 633.97 грн
100+ 597.34 грн
200+ 578.7 грн
500+ 541.41 грн
AIKW50N65DF5XKSA1 Infineon_AIKW50N65DF5_DS_v02_01_EN-1730881.pdf
AIKW50N65DF5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+661.94 грн
10+ 559.82 грн
25+ 414.21 грн
100+ 389.57 грн
240+ 352.28 грн
480+ 321.65 грн
5040+ 306.33 грн
AIKW50N65DH5XKSA1 Infineon_AIKW50N65DH5_DS_v02_01_EN-1730854.pdf
AIKW50N65DH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+705.45 грн
10+ 595.81 грн
25+ 470.15 грн
100+ 396.9 грн
240+ 342.29 грн
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1.pdf
BGH50N65HS1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+844.16 грн
2+ 565.35 грн
4+ 534.83 грн
5+ 534.14 грн
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1.pdf
BGH50N65HS1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1012.99 грн
2+ 704.51 грн
4+ 641.8 грн
5+ 640.96 грн
150+ 625.98 грн
600+ 616.82 грн
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1.pdf
BGH50N65ZF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+744.8 грн
2+ 505.69 грн
5+ 477.95 грн
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1.pdf
BGH50N65ZF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+893.76 грн
2+ 630.17 грн
5+ 573.54 грн
150+ 553.56 грн
600+ 551.89 грн
BIDW50N65T Bourns_7_25_2022_BIDW50N65T_datasheet-3005216.pdf
BIDW50N65T
Виробник: Bourns
IGBT Transistors IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
на замовлення 2449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+386.91 грн
10+ 320.88 грн
25+ 278.36 грн
100+ 225.75 грн
250+ 200.45 грн
600+ 171.81 грн
1200+ 164.49 грн
FCH150N65F-F155 FCH150N65F_D-2311797.pdf
FCH150N65F-F155
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+459.16 грн
10+ 388.27 грн
25+ 305.66 грн
100+ 280.36 грн
250+ 229.75 грн
FCMT250N65S3 FCMT250N65S3_D-2311922.pdf
FCMT250N65S3
Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET3 650V 12A 250 mOhm
на замовлення 1693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+257.16 грн
10+ 219.03 грн
25+ 189.13 грн
100+ 159.82 грн
250+ 157.83 грн
500+ 143.18 грн
1000+ 123.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCPF150N65F FCPF150N65F_D-2311777.pdf
FCPF150N65F
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET SuperFET2 150 mOhm 650V FRFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+386.91 грн
10+ 320.88 грн
50+ 263.04 грн
100+ 199.78 грн
250+ 169.15 грн
500+ 163.82 грн
1000+ 161.16 грн
FCPF250N65S3L1-F154 FCPF250N65S3L1_F154_D-2311890.pdf
FCPF250N65S3L1-F154
Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET3 650V TO220F PKG
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+286.69 грн
10+ 257.32 грн
25+ 199.11 грн
100+ 187.13 грн
1000+ 161.82 грн
5000+ 119.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCPF250N65S3R0L-F154 FCPF250N65S3R0L_F154_D-2255841.pdf
FCPF250N65S3R0L-F154
Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET3 650V TO220F PKG
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+282.8 грн
10+ 251.96 грн
25+ 195.79 грн
100+ 183.13 грн
250+ 171.81 грн
500+ 159.16 грн
1000+ 126.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGB50N65H5ATMA1 Infineon_IGB50N65H5_DataSheet_v02_02_EN-3361683.pdf
IGB50N65H5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+243.95 грн
10+ 202.18 грн
25+ 165.82 грн
100+ 142.51 грн
250+ 134.52 грн
500+ 126.53 грн
1000+ 107.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGB50N65S5ATMA1 Infineon_IGB50N65S5_DataSheet_v02_02_EN-3361666.pdf
IGB50N65S5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+243.95 грн
10+ 202.18 грн
25+ 165.82 грн
100+ 142.51 грн
250+ 134.52 грн
500+ 126.53 грн
1000+ 107.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW50N65F5 Infineon_IGW50N65F5_DS_v02_01_EN-1731516.pdf
IGW50N65F5
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+348.06 грн
10+ 288.72 грн
25+ 236.41 грн
100+ 203.11 грн
240+ 190.46 грн
480+ 179.8 грн
1200+ 159.82 грн
IGW50N65F5FKSA1 DS_IGW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af8ed558f5bc5
Виробник: Infineon
IGBT 650V 80A 305W   IGW50N65F5FKSA1 TIGW50n65f5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+304.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGW50N65H5FKSA1 Infineon_IGW50N65H5_DS_v02_01_EN-1226759.pdf
IGW50N65H5FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+298.34 грн
25+ 232.81 грн
100+ 173.14 грн
240+ 162.49 грн
480+ 149.17 грн
1200+ 121.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGZ50N65H5XKSA1 Infineon_IGZ50N65H5_DS_v02_01_EN-1731582.pdf
IGZ50N65H5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+376.03 грн
10+ 310.16 грн
100+ 227.08 грн
240+ 192.46 грн
480+ 189.13 грн
1200+ 153.17 грн
IHW50N65R5 Infineon_IHW50N65R5_DS_v02_04_EN-1731583.pdf
IHW50N65R5
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+261.82 грн
10+ 216.73 грн
25+ 177.8 грн
100+ 152.5 грн
240+ 143.84 грн
480+ 135.18 грн
1200+ 119.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5.pdf
IHW50N65R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+316.75 грн
3+ 259.44 грн
4+ 224.75 грн
10+ 212.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5.pdf
IHW50N65R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+380.1 грн
3+ 323.3 грн
4+ 269.7 грн
10+ 255.55 грн
IHW50N65R5XKSA1 Infineon_IHW50N65R5_DS_v02_04_EN-1731583.pdf
IHW50N65R5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+267.26 грн
25+ 208.3 грн
100+ 155.16 грн
480+ 115.87 грн
1200+ 109.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW50N65R6XKSA1 Infineon_IHW50N65R6_DataSheet_v01_20_EN-2583084.pdf
IHW50N65R6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+247.84 грн
10+ 208.3 грн
25+ 168.48 грн
100+ 144.51 грн
240+ 133.85 грн
480+ 110.55 грн
1200+ 104.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKFW50N65EH5XKSA1 Infineon_IKFW50N65EH5_DataSheet_v02_01_EN-3361941.pdf
IKFW50N65EH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+615.32 грн
10+ 520 грн
25+ 410.22 грн
100+ 390.24 грн
240+ 330.97 грн
1200+ 307.66 грн
2640+ 288.35 грн
IKQ150N65EH7XKSA1 Infineon-IKQ150N65EH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892507e0bc2038
IKQ150N65EH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+927.65 грн
10+ 806.41 грн
25+ 681.92 грн
50+ 643.96 грн
100+ 606 грн
240+ 586.69 грн
480+ 548.73 грн
IKW50N65EH5XKSA1 Infineon_IKW50N65EH5_DataSheet_v01_10_EN-3361847.pdf
IKW50N65EH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+421.09 грн
10+ 381.38 грн
25+ 286.35 грн
100+ 243.73 грн
240+ 231.08 грн
480+ 186.46 грн
1200+ 175.14 грн
IKW50N65ET7XKSA1 Infineon_IKW50N65ET7_DataSheet_v01_10_EN-3362248.pdf
IKW50N65ET7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+341.85 грн
10+ 322.41 грн
25+ 243.73 грн
100+ 216.43 грн
240+ 215.1 грн
480+ 174.48 грн
1200+ 164.49 грн
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5-DTE.pdf
IKW50N65F5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW50N65F5FKSA1 Infineon_IKW50N65F5_DS_v02_01_EN-1226899.pdf
IKW50N65F5FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+327.86 грн
10+ 322.41 грн
25+ 223.09 грн
100+ 191.12 грн
240+ 176.47 грн
480+ 142.51 грн
1200+ 134.52 грн
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf
IKW50N65H5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+288.36 грн
3+ 236.55 грн
4+ 205.33 грн
10+ 204.64 грн
11+ 193.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf
IKW50N65H5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+346.03 грн
3+ 294.77 грн
4+ 246.4 грн
10+ 245.56 грн
11+ 232.24 грн
IKW50N65H5FKSA1 DS_IKW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013b1e3073ec5951
Виробник: Infineon
80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode   IKW50N65H5 TIKW50n65h5
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 101 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+236.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW50N65RH5XKSA1 Infineon_IKW50N65RH5_DataSheet_v01_10_EN-3362121.pdf
IKW50N65RH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 1074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+480.14 грн
10+ 405.89 грн
25+ 320.31 грн
100+ 294.34 грн
240+ 276.36 грн
480+ 269.04 грн
2640+ 222.42 грн
IKW50N65SS5XKSA1 Infineon_IKW50N65SS5_DataSheet_v01_10_EN-3361987.pdf
IKW50N65SS5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+713.22 грн
10+ 603.47 грн
25+ 475.48 грн
100+ 436.85 грн
240+ 410.88 грн
480+ 384.91 грн
1200+ 346.29 грн
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5.pdf
IKW50N65WR5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+365.3 грн
3+ 305.22 грн
4+ 233.77 грн
10+ 220.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5.pdf
IKW50N65WR5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 112 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+438.36 грн
3+ 380.35 грн
4+ 280.53 грн
10+ 264.71 грн
IKW50N65WR5XKSA1 Infineon_IKW50N65WR5_DataSheet_v01_30_EN-3361989.pdf
IKW50N65WR5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+272.7 грн
10+ 225.92 грн
25+ 184.46 грн
100+ 158.49 грн
240+ 135.85 грн
480+ 119.87 грн
1200+ 113.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH50N65EH7XKSA1 Infineon-IKWH50N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189251a160b2076
IKWH50N65EH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+442.07 грн
10+ 366.06 грн
25+ 301 грн
100+ 257.72 грн
240+ 243.07 грн
480+ 228.42 грн
1200+ 195.79 грн
IKWH50N65WR6XKSA1 Infineon_IKWH50N65WR6_DataSheet_v01_10_EN-3361893.pdf
IKWH50N65WR6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+269.59 грн
10+ 242 грн
25+ 183.13 грн
100+ 157.16 грн
240+ 151.83 грн
480+ 142.51 грн
1200+ 112.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKY150N65EH7XKSA1 Infineon-IKY150N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892507ba8f202d
IKY150N65EH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1113.33 грн
10+ 967.24 грн
25+ 818.43 грн
50+ 773.15 грн
100+ 727.87 грн
240+ 703.89 грн
480+ 659.28 грн
IKZ50N65EH5XKSA1 Infineon_IKZ50N65EH5_DS_v02_01_EN-1731549.pdf
IKZ50N65EH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+452.17 грн
10+ 394.4 грн
25+ 305 грн
100+ 277.7 грн
240+ 249.73 грн
480+ 219.76 грн
1200+ 209.77 грн
IKZ50N65ES5XKSA1 Infineon_IKZ50N65ES5_DS_v02_01_EN-1122021.pdf
IKZ50N65ES5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+435.85 грн
10+ 360.7 грн
25+ 296.34 грн
100+ 253.72 грн
240+ 211.1 грн
480+ 204.44 грн
1200+ 181.13 грн
IKZA50N65EH7XKSA1 Infineon-IKZA50N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189250890122069
IKZA50N65EH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+477.03 грн
10+ 402.82 грн
25+ 317.65 грн
100+ 292.35 грн
240+ 274.37 грн
480+ 257.05 грн
1200+ 231.75 грн
IKZA50N65RH5XKSA1 Infineon_IKZA50N65RH5_DataSheet_v01_10_EN-3362298.pdf
IKZA50N65RH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+538.41 грн
10+ 454.9 грн
25+ 358.94 грн
100+ 308.99 грн
240+ 308.33 грн
480+ 290.35 грн
1200+ 249.06 грн
IKZA50N65SS5XKSA1 Infineon_IKZA50N65SS5_DataSheet_v01_10_EN-3362265.pdf
IKZA50N65SS5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+771.49 грн
10+ 652.48 грн
25+ 514.1 грн
100+ 443.51 грн
240+ 402.89 грн
480+ 392.24 грн
1200+ 391.57 грн
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2.pdf
IXFB150N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 150A
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 260ns
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1812.33 грн
2+ 1590.61 грн
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2.pdf
IXFB150N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 150A
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 260ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2174.79 грн
2+ 1982.15 грн
IXFB150N65X2 media-3322674.pdf
IXFB150N65X2
Виробник: IXYS
MOSFET MOSFET 650V/150A Ultra Junction X2
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2322.23 грн
10+ 2157.33 грн
25+ 1650.19 грн
50+ 1626.21 грн
100+ 1519.66 грн
IXFN150N65X2 IXFN150N65X2.pdf
IXFN150N65X2
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 145A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 145A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 1.04kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 17mΩ
Gate charge: 355nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 190ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFN150N65X2 media-3320042.pdf
IXFN150N65X2
Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules 650V/145A Ultra Junction X2-Class
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3496.16 грн
10+ 3198.09 грн
20+ 2740.32 грн
50+ 2691.71 грн
100+ 2654.42 грн
IXYA50N65C3 IXY_50N65C3.pdf
IXYA50N65C3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO263-2
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO263-2
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+471.38 грн
3+ 313.54 грн
8+ 296.2 грн
IXYA50N65C3 IXY_50N65C3.pdf
IXYA50N65C3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO263-2
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO263-2
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+565.66 грн
3+ 390.72 грн
8+ 355.44 грн
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1.pdf
IXYH50N65C3H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+682.8 грн
2+ 454.36 грн
5+ 429.39 грн
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1.pdf
IXYH50N65C3H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+819.36 грн
2+ 566.21 грн
5+ 515.27 грн
IXYH50N65C3H1 media-3321896.pdf
IXYH50N65C3H1
Виробник: IXYS
IGBT Transistors 650V/130A XPTI C3-Class TO-247
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+912.11 грн
10+ 791.86 грн
30+ 632.64 грн
120+ 595.35 грн
270+ 540.07 грн
510+ 528.09 грн
1020+ 494.79 грн
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]