Продукція > PMZ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 480mA; Idm: 1.8A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.48A
Pulsed drain current: 1.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.89nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 10000 шт

товар відсутній

PMZ1000UN,315

товар відсутній

PMZ1000UN,315

Description: NEXPERIA - PMZ1000UN,315 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 480 mA, 1 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 480mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm

на замовлення 17961 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	32.86 грн
34+	22.43 грн
100+	8.42 грн
500+	6.16 грн
1000+	4.15 грн
5000+	4.02 грн

Мінімальне замовлення: 23

PMZ1000UN,315

MOSFET PMZ1000UN/SOT883/XQFN3

на замовлення 10845 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	34.25 грн
13+	25.36 грн
100+	12.49 грн
500+	8.3 грн
1000+	6.38 грн
2500+	5.58 грн
10000+	4.38 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMZ1000UN,315

Description: MOSFET N-CH 30V 480MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V

на замовлення 21896 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.18 грн
14+	20.41 грн
100+	10.3 грн
500+	7.88 грн
1000+	5.85 грн
2000+	4.92 грн
5000+	4.63 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMZ1000UN,315

Description: NXP - PMZ1000UN,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 10843200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7002+	5.22 грн

Мінімальне замовлення: 7002

PMZ1000UN,315

Description: MOSFET N-CH 30V 480MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.5 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMZ1000UN,315

Trans MOSFET N-CH 30V 0.48A 3-Pin DFN T/R

товар відсутній

PMZ1000UN,315

Description: NEXPERIA - PMZ1000UN,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 10843200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7002+	5.22 грн

Мінімальне замовлення: 7002

PMZ1200UPEYL

Description: NEXPERIA - PMZ1200UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 410 mA, 1.2 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 310
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2343 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	5.79 грн
1000+	3.56 грн

Мінімальне замовлення: 500

PMZ1200UPEYL

Trans MOSFET P-CH 30V 0.41A 3-Pin DFN T/R

товар відсутній

PMZ1200UPEYL

Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V

на замовлення 9875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	22.28 грн
19+	15.22 грн
100+	7.67 грн
500+	5.88 грн
1000+	4.36 грн
2000+	3.67 грн
5000+	3.45 грн

Мінімальне замовлення: 13

PMZ1200UPEYL

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -260mA; Idm: -1.7A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -260mA
Pulsed drain current: -1.7A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 10000 шт

товар відсутній

PMZ1200UPEYL

товар відсутній

PMZ1200UPEYL

Description: NEXPERIA - PMZ1200UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 410 mA, 1.2 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 310
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2343 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	23.92 грн
42+	17.81 грн
100+	9.99 грн
500+	5.79 грн
1000+	3.56 грн

Мінімальне замовлення: 32

PMZ1200UPEYL

MOSFET PMZ1200UPE/SOT883/XQFN3

на замовлення 6789 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	27.67 грн
16+	20.24 грн
100+	9.9 грн
500+	6.18 грн
1000+	4.72 грн
2500+	4.12 грн
5000+	3.72 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMZ1200UPEYL

Description: NEXPERIA - PMZ1200UPEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4885 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMZ1200UPEYL

Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V

товар відсутній

PMZ130UNE315

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

товар відсутній

PMZ130UNEYL

Trans MOSFET N-CH 20V 1.8A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.31 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMZ130UNEYL

Description: NEXPERIA - PMZ130UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.8 A, 0.12 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 350
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 23458 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	11.1 грн
500+	6.79 грн
1000+	4.2 грн
5000+	3.79 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMZ130UNEYL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 8A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 8A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 10000 шт

товар відсутній

PMZ130UNEYL

товар відсутній

PMZ130UNEYL

MOSFET PMZ130UNE/SOT883/XQFN3

на замовлення 53702 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	27.36 грн
15+	21.01 грн
100+	11.36 грн
1000+	5.91 грн
2500+	5.38 грн
10000+	4.65 грн
20000+	4.32 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMZ130UNEYL

Description: MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.99 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMZ130UNEYL

Trans MOSFET N-CH 20V 1.8A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMZ130UNEYL

Description: NEXPERIA - PMZ130UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.8 A, 0.12 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 23458 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	26.53 грн
39+	19.45 грн
100+	11.1 грн
500+	6.79 грн
1000+	4.2 грн
5000+	3.79 грн

Мінімальне замовлення: 29

PMZ130UNEYL

Description: MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V

на замовлення 24137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	25.87 грн
16+	17.85 грн
100+	8.98 грн
500+	7.47 грн
1000+	5.81 грн
2000+	5.2 грн
5000+	5 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMZ130UNEYL

Trans MOSFET N-CH 20V 1.8A 3-Pin DFN T/R

товар відсутній

PMZ200UNE

MOSFET

товар відсутній

PMZ200UNE,315

Old Part PMZ200UNE^NXP

товар відсутній

PMZ200UNE/S500YL

Description: NEXPERIA - PMZ200UNE/S500YL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 8900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5939+	4.84 грн

Мінімальне замовлення: 5939

PMZ200UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN T/R

товар відсутній

PMZ200UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN T/R

товар відсутній

PMZ200UNEYL

MOSFET PMZ200UNE/SOT883/XQFN3

на замовлення 13010 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	27.36 грн
15+	20.47 грн
100+	7.57 грн
1000+	5.31 грн
2500+	4.98 грн
10000+	4.52 грн
20000+	4.18 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMZ200UNEYL

Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V

на замовлення 19421 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.9 грн
14+	20.83 грн
100+	10.53 грн
500+	8.06 грн
1000+	5.98 грн
2000+	5.03 грн
5000+	4.73 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMZ200UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN T/R

товар відсутній

PMZ200UNEYL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 900mA; Idm: 5A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.9A
Pulsed drain current: 5A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 410mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 10000 шт

товар відсутній

PMZ200UNEYL

товар відсутній

PMZ200UNEYL

Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.6 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMZ2035RE6100K150R06

Film Capacitors 440V 0.1uF 10% LS=25.4mm

на замовлення 62 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	308.44 грн
10+	245.21 грн
50+	182.67 грн
100+	166.06 грн
500+	123.55 грн
864+	114.92 грн
1728+	110.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

PMZ2035RE6100K150R06

Description: CAP FILM 0.1UF 10% 1KVDC RADIAL
Packaging: Box
Tolerance: ±10%
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: EMI, RFI Suppression
Lead Spacing: 1.000" (25.40mm)
Termination: PC Pins
Ratings: X1
Dielectric Material: Paper, Metallized
Voltage Rating - AC: 440V
Voltage Rating - DC: 1000V (1kV)
Height - Seated (Max): 0.748" (19.00mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.1 µF
Size / Dimension: 1.201" L x 0.476" W (30.50mm x 12.10mm)

на замовлення 2381 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	284.55 грн
10+	221 грн
50+	190.1 грн
100+	161.81 грн
500+	120.32 грн
1000+	112.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

PMZ2035RE6100K150R06

Category: Paper capacitors
Description: Capacitor: paper; X1; 100nF; 440VAC; Pitch: 25.4mm; ±10%; THT; PMZ203
Mounting: THT
Capacitance: 100nF
Manufacturer series: PMZ203
Max. operating voltage: 440V AC; 1000V DC
Tolerance: ±10%
Type of capacitor: paper
Lead length: 6mm
Terminal pitch: 25.4mm
Alias: P435EJ104K440CH151
Kind of capacitor: X1

товар відсутній

PMZ2035RE6100K150R06

товар відсутній

PMZ2035RE6100K150R30

METALLIZED POLYESTER FILM CAPACITOR DESIGNED FOR A.C. APPLICATIONS

товар відсутній

PMZ2035RE6100K150R30

Category: THT Film Capacitors
Description: 100nF; 12.1x19x30.5mm; THT; ±10%; 25.4mm; Filter: RC; 440VAC; 150Ω
Capacitance: 0.1µF
Body dimensions: 12.1x19x30.5mm
Mounting: THT
Tolerance: ±10%
Terminal pitch: 25.4mm
Type of filter: RC
Kind of capacitor: X1
Max. operating voltage: 440V AC
Resistance: 150Ω

товар відсутній

PMZ2035RE6100K150R30

Film Capacitors 440volts 0.10uF 10% LS 25.4mm

на замовлення 440 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	402.98 грн
10+	341.46 грн
50+	269.02 грн
100+	222.53 грн
300+	207.25 грн
500+	193.3 грн
1000+	180.01 грн

PMZ2035RE6100K150R30

на замовлення 298 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	421.07 грн
10+	364.58 грн
50+	315.95 грн
100+	258.5 грн

PMZ2035RE6100K150R30

Category: Paper capacitors
Description: Capacitor: paper; X1; 100nF; 440VAC; Pitch: 25.4mm; ±10%; THT; PMZ203
Mounting: THT
Capacitance: 100nF
Manufacturer series: PMZ203
Max. operating voltage: 440V AC; 1000V DC
Tolerance: ±10%
Type of capacitor: paper
Lead length: 30mm
Terminal pitch: 25.4mm
Alias: P435EJ104K440AH151
Kind of capacitor: X1

на замовлення 14 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	340.69 грн
8+	121.21 грн
22+	110.36 грн

PMZ2035RE6100K150R30

Category: Paper capacitors
Description: Capacitor: paper; X1; 100nF; 440VAC; Pitch: 25.4mm; ±10%; THT; PMZ203
Mounting: THT
Capacitance: 100nF
Manufacturer series: PMZ203
Max. operating voltage: 440V AC; 1000V DC
Tolerance: ±10%
Type of capacitor: paper
Lead length: 30mm
Terminal pitch: 25.4mm
Alias: P435EJ104K440AH151
Kind of capacitor: X1

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	283.91 грн
8+	97.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

PMZ2035RE6150K330

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMZ2035RE6150K330R30

Cap RC Network 0.15uF 1000V 10% 330 Ohm 30% 1R/1C 85C Bulk

товар відсутній

PMZ2081MD6100M100J105

Cap RC Network 0.1uF 250VAC 20% 100 Ohm 30% 2 85C

товар відсутній

PMZ250UN

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMZ250UN,315

Description: NXP - PMZ250UN,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 83637 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1885+	19.37 грн

Мінімальне замовлення: 1885

PMZ250UN,315

Description: MOSFET N-CH 20V 2.28A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 20 V

товар відсутній

PMZ250UN,315

Trans MOSFET N-CH 20V 2.28A 3-Pin DFN T/R

товар відсутній

PMZ250UN,315

Description: MOSFET N-CH 20V 2.28A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 20 V

товар відсутній

PMZ270XN

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMZ270XN,315

Description: MOSFET N-CH 20V 2.15A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 20 V

товар відсутній

PMZ270XN,315

Trans MOSFET N-CH 20V 2.15A 3-Pin DFN T/R

товар відсутній

PMZ270XN,315

Description: MOSFET N-CH 20V 2.15A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 20 V

товар відсутній

PMZ290UN315

Description: SMALL SIGNAL FET

на замовлення 19000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMZ290UNE2YL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 4A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.8A
Pulsed drain current: 4A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 475mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

товар відсутній

PMZ290UNE2YL

Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V

на замовлення 110000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.24 грн
30000+	3.06 грн
50000+	2.75 грн
100000+	2.29 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMZ290UNE2YL

MOSFET PMZ290UNE2/SOT883/XQFN3

на замовлення 124883 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	27.36 грн
17+	18.41 грн
100+	6.64 грн
1000+	4.05 грн
2500+	3.59 грн
10000+	2.99 грн
25000+	2.79 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMZ290UNE2YL

товар відсутній

PMZ290UNE2YL

Description: NEXPERIA - PMZ290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 350
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 11432 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.15 грн
500+	7.27 грн
1000+	4.15 грн
5000+	3.58 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMZ290UNE2YL

Description: NEXPERIA - PMZ290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 7802 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	31.52 грн
30+	25.48 грн
100+	12.15 грн
500+	7.33 грн
1000+	4.16 грн
2500+	3.9 грн
5000+	3.63 грн

Мінімальне замовлення: 24

PMZ290UNE2YL

Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V

на замовлення 121600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	25.15 грн
17+	16.54 грн
100+	8.06 грн
500+	6.31 грн
1000+	4.39 грн
2000+	3.8 грн
5000+	3.47 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMZ290UNE2YL

Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 110000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	2.01 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMZ290UNE315

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMZ290UNEYL

Description: NEXPERIA PMZ290U - 20V, N-CHANNE

на замовлення 78532 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15000+	1.5 грн

Мінімальне замовлення: 15000

PMZ290UNEYL

MOSFET 20V N-channel Trench MOSFET

на замовлення 6257 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

PMZ290UNYL

Description: MOSFET DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V

товар відсутній

PMZ290UNYL

Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R

товар відсутній

PMZ290UNYL

Description: MOSFET DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V

товар відсутній

PMZ3-N200RM (PTC 200R 100°C 270V 200R ±20% 100°C±5°C 270V)
Код товару: 126932

Пасивні компоненти > Термістори

у наявності 9 шт:

9 шт - РАДІОМАГ-Київ

1+	15.5 грн

PMZ320UPE/S500YL

Description: NEXPERIA - PMZ320UPE/S500YL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 9800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMZ320UPE/S500YL

Description: PMZ320UPEY/L - P Channel MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 0.95V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V

на замовлення 9800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5828+	3.59 грн

Мінімальне замовлення: 5828

PMZ320UPEYL

Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.32 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMZ320UPEYL

Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.1 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMZ320UPEYL

Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R

товар відсутній

PMZ320UPEYL

Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 400000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.04 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMZ320UPEYL

Description: NEXPERIA - PMZ320UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.43 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 350
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.95 грн
500+	7.33 грн
1000+	4.54 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMZ320UPEYL

Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 400000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20000+	4.01 грн

Мінімальне замовлення: 20000

PMZ320UPEYL

Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V

на замовлення 33886 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	28.02 грн
15+	18.61 грн
100+	9.38 грн
500+	7.18 грн
1000+	5.33 грн
2000+	4.48 грн
5000+	4.21 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMZ320UPEYL

MOSFET PMZ320UPE/SOT883/XQFN3

на замовлення 39827 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	31.39 грн
16+	19.71 грн
100+	10.36 грн
500+	7.51 грн
1000+	5.05 грн
5000+	4.52 грн
10000+	3.92 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMZ320UPEYL

Description: NEXPERIA - PMZ320UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.43 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	28.39 грн
42+	18.11 грн
100+	10.95 грн
500+	7.33 грн
1000+	4.54 грн

Мінімальне замовлення: 27

PMZ320UPEYL

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.6A
Pulsed drain current: -4A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 810mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

товар відсутній

PMZ320UPEYL

Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.66 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMZ320UPEYL

товар відсутній

PMZ350UPE/S500YL

Description: PMZ350UPEY/L - 20V, P-Channel MO
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 0.95V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V

на замовлення 8800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8800+	2.87 грн

Мінімальне замовлення: 8800

PMZ350UPE/S500YL

Description: NEXPERIA - PMZ350UPE/S500YL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 8800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMZ350UPEYL

Description: NEXPERIA - PMZ350UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.33 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 360
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4202 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.97 грн
500+	7.96 грн
1000+	4.6 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMZ350UPEYL

MOSFET PMZ350UPE/SOT883/XQFN3

на замовлення 14172 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	26.66 грн
17+	18.87 грн
100+	7.57 грн
1000+	4.65 грн
2500+	3.99 грн
10000+	3.19 грн
20000+	3.06 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMZ350UPEYL

Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.47 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMZ350UPEYL

Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.69 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMZ350UPEYL

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.7A
Pulsed drain current: -2.8A
Case: DFN1006-3; SOT883
On-state resistance: 645mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

на замовлення 9835 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

37+	10.13 грн
77+	4.54 грн
100+	4.1 грн
246+	3.26 грн
675+	3.09 грн

Мінімальне замовлення: 37

PMZ350UPEYL

Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 1995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	19.75 грн
36+	16.06 грн
100+	10.35 грн
250+	9.52 грн
500+	6.49 грн
1000+	4.95 грн

Мінімальне замовлення: 30

PMZ350UPEYL

Description: NEXPERIA - PMZ350UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.33 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 360
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.33
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4202 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	35.4 грн
30+	25.48 грн
100+	12.97 грн
500+	7.96 грн
1000+	4.6 грн

Мінімальне замовлення: 22

PMZ350UPEYL

на замовлення 9835 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

23+	12.16 грн
46+	5.66 грн
100+	4.92 грн
246+	3.92 грн
675+	3.7 грн

Мінімальне замовлення: 23

PMZ350UPEYL

Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 1995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1008+	11.56 грн
1015+	11.48 грн
1429+	8.15 грн
1873+	6 грн

Мінімальне замовлення: 1008

PMZ350UPEYL

Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMZ350UPEYL

Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.44 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMZ350UPEYL

Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V

на замовлення 23718 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	24.43 грн
17+	16.47 грн
100+	8.33 грн
500+	6.38 грн
1000+	4.73 грн
2000+	3.98 грн
5000+	3.74 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMZ350UPEYL

Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R

товар відсутній

PMZ350XN

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMZ350XN,315

Description: MOSFET N-CH 30V 1.87A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 25 V

товар відсутній

PMZ350XN,315

Trans MOSFET N-CH 30V 1.87A 3-Pin DFN T/R

товар відсутній

PMZ350XN,315

Description: MOSFET N-CH 30V 1.87A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 25 V

товар відсутній

PMZ370UNE,315

Description: 0.9A, 30V, N CHANNEL, MOSFET, S
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

PMZ370UNE315

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

PMZ370UNEYL

Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V

на замовлення 25311 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	25.87 грн
16+	17.85 грн
100+	8.98 грн
500+	7.47 грн
1000+	5.81 грн
2000+	5.2 грн
5000+	5 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMZ370UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R

товар відсутній

PMZ370UNEYL

MOSFET PMZ370UNE/SOT883/XQFN3

на замовлення 7935 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	27.36 грн
17+	19.02 грн
100+	6.71 грн
1000+	4.25 грн
2500+	3.99 грн
10000+	3.45 грн
20000+	3.25 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMZ370UNEYL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 560mA; Idm: 3.6A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.56A
Pulsed drain current: 3.6A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 860mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 10000 шт

товар відсутній

PMZ370UNEYL

Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	5.06 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMZ370UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R

товар відсутній

PMZ370UNEYL

товар відсутній

PMZ390UN

MOSFET

товар відсутній

PMZ390UN

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMZ390UN,315

Trans MOSFET N-CH 30V 1.78A 3-Pin DFN T/R

товар відсутній

PMZ390UN,315

Trans MOSFET N-CH 30V 1.78A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	6.85 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMZ390UN,315

Trans MOSFET N-CH 30V 1.78A 3-Pin DFN T/R

товар відсутній

PMZ390UN,315

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 4A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 4A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.79Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

товар відсутній

PMZ390UN,315

Description: MOSFET N-CH 30V 1.78A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V

на замовлення 137098 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	21.56 грн
19+	15.08 грн
100+	7.6 грн
500+	6.32 грн
1000+	4.92 грн
2000+	4.41 грн
5000+	4.26 грн

Мінімальне замовлення: 14

PMZ390UN,315

Trans MOSFET N-CH 30V 1.78A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	6.36 грн
20000+	5.9 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMZ390UN,315

MOSFET PMZ390UN/SOT883/XQFN3

на замовлення 39762 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.17 грн
13+	24.67 грн
100+	13.35 грн
1000+	7.04 грн
2500+	6.31 грн
10000+	5.38 грн
20000+	5.05 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMZ390UN,315

товар відсутній

PMZ390UN,315

Description: MOSFET N-CH 30V 1.78A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V

на замовлення 130000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.79 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMZ390UNE

MOSFET

товар відсутній

PMZ390UNE/S500315

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

PMZ390UNEYL

MOSFET PMZ390UNE/SOT883/XQFN3

на замовлення 57131 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	28.13 грн
16+	19.94 грн
100+	8.44 грн
1000+	5.71 грн
2500+	5.11 грн
10000+	4.45 грн
20000+	4.32 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMZ390UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1263+	9.22 грн
1531+	7.61 грн
2500+	7.09 грн

Мінімальне замовлення: 1263

PMZ390UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R

товар відсутній

PMZ390UNEYL

Description: NEXPERIA - PMZ390UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.39 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm

на замовлення 25110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	9.46 грн
500+	7.4 грн
1000+	5.49 грн
5000+	5.38 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMZ390UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	30.05 грн
33+	17.85 грн
100+	8.56 грн
1000+	6.81 грн
2500+	5.88 грн

Мінімальне замовлення: 20

PMZ390UNEYL

Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V

на замовлення 23129 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.18 грн
14+	21.1 грн
100+	10.64 грн
500+	8.84 грн
1000+	6.88 грн
2000+	6.16 грн
5000+	5.92 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMZ390UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	5.79 грн
20000+	5.02 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMZ390UNEYL

на замовлення 25110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	35.77 грн
35+	21.91 грн
100+	9.46 грн
500+	7.4 грн
1000+	5.49 грн
5000+	5.38 грн

Мінімальне замовлення: 21

PMZ390UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 16055 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2122+	5.49 грн
2206+	5.28 грн
2233+	5.22 грн
2308+	4.86 грн
3000+	4.35 грн
6000+	4.02 грн
15000+	3.87 грн

Мінімальне замовлення: 2122

PMZ390UNEYL

Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	5.9 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMZ390UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	6.24 грн
20000+	5.4 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMZ390UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 16055 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	17.51 грн
53+	10.93 грн
61+	9.46 грн
114+	4.91 грн
250+	4.38 грн
500+	4.15 грн
1000+	4.02 грн
3000+	3.87 грн
6000+	3.74 грн

Мінімальне замовлення: 33

PMZ420UNYL

MOSFET Trench MOSFET

товар відсутній

PMZ420UNYL

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active

товар відсутній

PMZ550UNE315

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

на замовлення 6666 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMZ550UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.59A 3-Pin DFN T/R

товар відсутній

PMZ550UNEYL

Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V

на замовлення 48752 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	28.02 грн
15+	18.68 грн
100+	9.42 грн
500+	7.21 грн
1000+	5.35 грн
2000+	4.5 грн
5000+	4.23 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMZ550UNEYL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 370mA; Idm: 2.3A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.37A
Pulsed drain current: 2.3A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

товар відсутній

PMZ550UNEYL

MOSFET PMZ550UNE/SOT883/XQFN3

на замовлення 242247 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	30.3 грн
17+	18.26 грн
100+	7.24 грн
1000+	4.72 грн
2500+	4.32 грн
10000+	3.85 грн
20000+	3.32 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMZ550UNEYL

Description: NEXPERIA - PMZ550UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 590 mA, 0.55 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 590mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 45134 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.37 грн
500+	7.75 грн
1000+	4.8 грн
2500+	4.57 грн
5000+	4.34 грн
10000+	3.81 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMZ550UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.59A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.8 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMZ550UNEYL

товар відсутній

PMZ550UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.59A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.46 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMZ550UNEYL

Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.12 грн
30000+	3.89 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMZ550UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.59A 3-Pin DFN T/R

товар відсутній

PMZ550UNEYL

на замовлення 45134 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	34.05 грн
32+	23.77 грн
100+	12.37 грн
500+	7.75 грн
1000+	4.8 грн
2500+	4.57 грн
5000+	4.34 грн
10000+	3.81 грн

Мінімальне замовлення: 22

PMZ550UNEYL

Description: NEXPERIA - PMZ550UNEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 154000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7668+	4.69 грн

Мінімальне замовлення: 7668

PMZ600UNELYL

Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

961+	12.12 грн
1474+	7.9 грн
2312+	5.04 грн
2447+	4.59 грн
5000+	3.65 грн
10000+	2.94 грн

Мінімальне замовлення: 961

PMZ600UNELYL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 2.5A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 10000 шт

товар відсутній

PMZ600UNELYL

Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R

товар відсутній

PMZ600UNELYL

Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.41 грн
30000+	3.22 грн
50000+	2.9 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMZ600UNELYL

Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMZ600UNELYL

Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.53 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMZ600UNELYL

Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	26.3 грн
27+	21.46 грн
100+	11.25 грн
500+	7.07 грн
1000+	4.18 грн
2000+	3.79 грн
5000+	3.26 грн
10000+	2.73 грн

Мінімальне замовлення: 22

PMZ600UNELYL

товар відсутній

PMZ600UNELYL

MOSFET PMZ600UNEL/SOT883/XQFN3

на замовлення 12840 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	29.84 грн
13+	24.29 грн
100+	11.16 грн
500+	7.37 грн
1000+	4.58 грн
5000+	3.92 грн
10000+	3.32 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMZ600UNELYL

Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.28 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMZ600UNELYL

Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V

на замовлення 76634 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	26.59 грн
16+	17.37 грн
100+	8.49 грн
500+	6.65 грн
1000+	4.62 грн
2000+	4 грн
5000+	3.65 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMZ600UNEYL

Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V

на замовлення 24499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	22.28 грн
19+	14.81 грн
100+	7.24 грн
500+	5.67 грн
1000+	3.94 грн
2000+	3.41 грн
5000+	3.11 грн

Мінімальне замовлення: 13

PMZ600UNEYL

товар відсутній

PMZ600UNEYL

MOSFET PMZ600UNE/SOT883/XQFN3

на замовлення 158938 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	22.32 грн
21+	14.97 грн
100+	5.85 грн
1000+	3.39 грн
2500+	2.99 грн
10000+	2.46 грн
20000+	2.19 грн

Мінімальне замовлення: 14

PMZ600UNEYL

Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	2.91 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMZ600UNEYL

товар відсутній

PMZ600UNEYL

Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R

товар відсутній

PMZ600UNEZ

MOSFET PMZ600UNE/SOT883/XQFN3

на замовлення 11477 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	24.49 грн
22+	13.9 грн
100+	5.85 грн
1000+	3.52 грн
2500+	3.25 грн
10000+	2.86 грн
20000+	2.52 грн

Мінімальне замовлення: 13

PMZ600UNEZ

Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V

на замовлення 9230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	22.28 грн
19+	14.67 грн
100+	7.15 грн
500+	5.6 грн
1000+	3.89 грн
2000+	3.37 грн
5000+	3.07 грн

Мінімальне замовлення: 13

PMZ600UNEZ

товар відсутній

PMZ600UNEZ

20 V, N-channel Trench MOSFET

товар відсутній

PMZ600UNEZ

Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V

товар відсутній

PMZ600UNEZ

товар відсутній

PMZ760SN

товар відсутній

PMZ760SN

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMZ760SN T/R

MOSFET MOSFET

товар відсутній

PMZ760SN,315

Trans MOSFET N-CH 60V 1.22A 3-Pin DFN T/R

товар відсутній

PMZ760SN,315

Description: MOSFET N-CH 60V 1.22A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 30 V

товар відсутній

PMZ760SN,315

MOSFET MOSFET

товар відсутній

PMZ760SN,315

Description: MOSFET N-CH 60V 1.22A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 30 V

товар відсутній

PMZ950UPE,315

Description: 0.5A, 20V, P CHANNEL, MOSFET, X

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMZ950UPE315

Description: P-CHANNEL MOSFET

на замовлення 899869 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMZ950UPELYL

Description: NEXPERIA - PMZ950UPELYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.02 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 715mW
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.02ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 8330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.22 грн
500+	7.61 грн
1000+	4.34 грн
5000+	3.9 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMZ950UPELYL

Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.36 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMZ950UPELYL

MOSFET PMZ950UPEL/SOT883/XQFN3

на замовлення 229296 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	35.65 грн
13+	23.91 грн
100+	12.09 грн
500+	8.5 грн

Мінімальне замовлення: 9

PMZ950UPELYL

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -300mA; Idm: -2A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -300mA
Pulsed drain current: -2A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 10000 шт

товар відсутній

PMZ950UPELYL

товар відсутній

PMZ950UPELYL

Description: NEXPERIA - PMZ950UPELYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.02 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 715mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 715mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.02ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 8330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	33.76 грн
33+	22.88 грн
100+	12.22 грн
500+	7.61 грн
1000+	4.34 грн
5000+	3.9 грн

Мінімальне замовлення: 23

PMZ950UPELYL

Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20000+	3.74 грн

Мінімальне замовлення: 20000

PMZ950UPELYL

Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V

на замовлення 35986 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	29.46 грн
15+	19.72 грн
100+	9.96 грн
500+	7.63 грн
1000+	5.66 грн
2000+	4.76 грн
5000+	4.48 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMZ950UPEYL

Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 18908 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	27.82 грн
29+	20.12 грн
100+	10.9 грн
250+	9.97 грн
500+	6.29 грн
1000+	4.16 грн
3000+	4.11 грн
6000+	3.64 грн

Мінімальне замовлення: 21

PMZ950UPEYL

Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V

на замовлення 7275 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	25.87 грн
16+	17.64 грн
100+	8.93 грн
500+	6.84 грн
1000+	5.07 грн
2000+	4.27 грн
5000+	4.01 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMZ950UPEYL

товар відсутній

PMZ950UPEYL

товар відсутній

PMZ950UPEYL

Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

936+	12.45 грн
1426+	8.17 грн
2153+	5.41 грн
2184+	5.14 грн
5000+	3.93 грн
10000+	3.54 грн

Мінімальне замовлення: 936

PMZ950UPEYL

Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R

товар відсутній

PMZ950UPEYL

Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V

товар відсутній

PMZ950UPEYL

Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	28.15 грн
29+	20.57 грн
100+	11.56 грн
500+	7.31 грн
1000+	4.49 грн
2000+	4.24 грн
5000+	3.5 грн
10000+	3.29 грн

Мінімальне замовлення: 21

PMZ950UPEYL

Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 18908 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

957+	12.18 грн
968+	12.03 грн
1474+	7.9 грн
2226+	5.04 грн
3000+	4.61 грн
6000+	3.93 грн
15000+	3.43 грн

Мінімальне замовлення: 957

PMZ950UPEYL

MOSFET Trench Mosfet 20V, P-channel

на замовлення 3400 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	30.22 грн
14+	22.23 грн
100+	12.02 грн
500+	8.24 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMZB1200UPEYL

Trans MOSFET P-CH 30V 0.41A 3-Pin DFN-B T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.38 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMZB1200UPEYL

Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V

на замовлення 18013 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	24.43 грн
17+	16.47 грн
100+	8.34 грн
500+	6.38 грн
1000+	4.74 грн
2000+	3.98 грн
5000+	3.75 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMZB1200UPEYL

Trans MOSFET P-CH 30V 0.41A 3-Pin DFN-B T/R

товар відсутній

PMZB1200UPEYL

MOSFET PMZB1200UPE/SOT883B/XQFN3

на замовлення 18531 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	26.66 грн
17+	18.33 грн
100+	6.64 грн
1000+	4.12 грн
2500+	3.99 грн
10000+	3.12 грн
20000+	2.99 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMZB1200UPEYL

Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V

товар відсутній

PMZB1200UPEYL

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -260mA; Idm: -1.7A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -260mA
On-state resistance: 2.4Ω
Gate charge: 1.2nC
Case: DFN1006B-3; SOT883B
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Technology: Trench
Pulsed drain current: -1.7A
Gate-source voltage: ±8V
Type of transistor: P-MOSFET

товар відсутній

PMZB1200UPEYL

товар відсутній

PMZB1200UPEYL

Trans MOSFET P-CH 30V 0.41A 3-Pin DFN-B T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.38 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMZB150UNEYL

MOSFET PMZB150UNE/SOT883B/XQFN3

на замовлення 23565 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	30.3 грн
14+	22.53 грн
100+	8.37 грн
1000+	5.78 грн
2500+	5.51 грн
10000+	4.92 грн
20000+	4.65 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMZB150UNEYL

PMZB150UNEYL SMD N channel transistors

товар відсутній

PMZB150UNEYL

Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V

на замовлення 30215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	28.02 грн
15+	19.1 грн
100+	9.63 грн
500+	8.02 грн
1000+	6.24 грн
2000+	5.58 грн
5000+	5.37 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMZB150UNEYL

Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	5.35 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMZB200UNE

товар відсутній

PMZB200UNE315

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: DFN1006B-3

на замовлення 156850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4522+	4.76 грн

Мінімальне замовлення: 4522

PMZB200UNE315

Description: NXP - PMZB200UNE315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 156850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5773+	6.26 грн

Мінімальне замовлення: 5773

PMZB200UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R

товар відсутній

PMZB200UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R

на замовлення 8136 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	19.92 грн
40+	14.62 грн
100+	8.4 грн
250+	7.77 грн
500+	7.12 грн
1000+	4.6 грн
3000+	4.55 грн
6000+	4.22 грн

Мінімальне замовлення: 29

PMZB200UNEYL

Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V

на замовлення 25920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	28.02 грн
15+	18.89 грн
100+	9.55 грн
500+	7.94 грн
1000+	6.18 грн
2000+	5.53 грн
5000+	5.32 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMZB200UNEYL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 900mA; Idm: 5A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.9A
Pulsed drain current: 5A
Case: DFN1006B-3; SOT883B
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 410mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

PMZB200UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R

товар відсутній

PMZB200UNEYL

Description: NEXPERIA - PMZB200UNEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 421580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5773+	6.26 грн

Мінімальне замовлення: 5773

PMZB200UNEYL

MOSFET PMZB200UNE/SOT883B/XQFN3

на замовлення 37521 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	26.66 грн
18+	17.72 грн
100+	7.71 грн
1000+	5.45 грн
2500+	5.05 грн
10000+	4.52 грн
20000+	4.12 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMZB200UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R

товар відсутній

PMZB200UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R

товар відсутній

PMZB200UNEYL

Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.23 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMZB200UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R

на замовлення 8136 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

543+	21.45 грн

Мінімальне замовлення: 543

PMZB200UNEYL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 900mA; Idm: 5A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.9A
Pulsed drain current: 5A
Case: DFN1006B-3; SOT883B
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 410mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт

товар відсутній

PMZB290UN

товар відсутній

PMZB290UN,315

Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V

товар відсутній

PMZB290UN,315

MOSFET 20V Single N-channel Trench MOSFET

на замовлення 6039 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	24.72 грн
17+	18.33 грн
100+	9.1 грн
500+	5.98 грн

Мінімальне замовлення: 13

PMZB290UN,315

Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V

товар відсутній

PMZB290UN,315

Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin DFN-B T/R

товар відсутній

PMZB290UN/FYL

Description: PMZB290UN/FYL
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete

товар відсутній

PMZB290UNE,315

MOSFET N-Chan 20V 1A 715mW

на замовлення 7970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

PMZB290UNE,315

Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V

товар відсутній

PMZB290UNE,315

Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin DFN-B T/R

товар відсутній

PMZB290UNE,315

Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V

товар відсутній

PMZB290UNE2315

Description: MOSFET N-CH 20V 1A
Packaging: Bulk

товар відсутній

PMZB290UNE2YL

Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	2.27 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMZB290UNE2YL

Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R

на замовлення 770000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30000+	2.96 грн
40000+	2.9 грн
50000+	2.88 грн
150000+	2.65 грн

Мінімальне замовлення: 30000

PMZB290UNE2YL

Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R

на замовлення 770000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30000+	2.7 грн
50000+	2.67 грн
100000+	2.59 грн
250000+	2.45 грн

Мінімальне замовлення: 30000

PMZB290UNE2YL

Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.4 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMZB290UNE2YL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 0.8A; Idm: 4A; 350mW
Technology: Trench
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.35W
Case: DFN1006B-3; SOT883B
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 1.19Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 7290 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

45+	6.65 грн
55+	5.05 грн
250+	3.86 грн
690+	3.65 грн
5000+	3.6 грн

Мінімальне замовлення: 45

PMZB290UNE2YL

Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R

на замовлення 28568 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	16.97 грн
45+	12.93 грн
46+	12.72 грн
100+	8.61 грн
250+	7.57 грн
500+	5.52 грн
1000+	3.82 грн
3000+	3.71 грн
6000+	2.57 грн

Мінімальне замовлення: 34

PMZB290UNE2YL

Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R

на замовлення 28568 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1209+	9.63 грн
1272+	9.16 грн
1671+	6.97 грн
2389+	4.7 грн
3000+	4.16 грн
6000+	3.66 грн
15000+	2.89 грн

Мінімальне замовлення: 1209

PMZB290UNE2YL

MOSFET PMZB290UNE2/SOT883B/XQFN3

на замовлення 143656 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	22.32 грн
20+	15.35 грн
100+	6.11 грн
1000+	3.92 грн
2500+	3.32 грн
10000+	2.66 грн
20000+	2.46 грн

Мінімальне замовлення: 14

PMZB290UNE2YL

Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	2.8 грн
30000+	2.7 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMZB290UNE2YL

на замовлення 7290 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

70+	5.54 грн
90+	4.05 грн
250+	3.22 грн
690+	3.04 грн
5000+	3 грн

Мінімальне замовлення: 70

PMZB290UNE2YL

Description: NEXPERIA - PMZB290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 7707 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	21.16 грн
49+	15.42 грн
100+	8.94 грн
500+	5.54 грн
1000+	3.39 грн
2500+	3.26 грн
5000+	3.13 грн

Мінімальне замовлення: 36

PMZB290UNE2YL

Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R

товар відсутній

PMZB290UNE2YL

Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V

на замовлення 31231 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	26.59 грн
16+	17.3 грн
100+	8.47 грн
500+	6.63 грн
1000+	4.6 грн
2000+	3.99 грн
5000+	3.64 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMZB290UNE2YL

Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.59 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMZB300XN,315

Description: MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN

товар відсутній

PMZB300XN,315

Description: MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN

товар відсутній

PMZB320UPEYL

PMZB320UPEYL SMD P channel transistors

товар відсутній

PMZB320UPEYL

Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN-B T/R

товар відсутній

PMZB320UPEYL

MOSFET PMZB320UPE/SOT883B/XQFN3

на замовлення 39246 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	34.56 грн
16+	19.25 грн
100+	7.84 грн
1000+	5.31 грн
2500+	4.92 грн
10000+	4.38 грн
20000+	3.79 грн

Мінімальне замовлення: 9

PMZB320UPEYL

Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.72 грн
30000+	4.46 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMZB320UPEYL

Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN-B T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.77 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMZB320UPEYL

Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V

на замовлення 64682 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	31.62 грн
13+	21.31 грн
100+	10.79 грн
500+	8.26 грн
1000+	6.13 грн
2000+	5.16 грн
5000+	4.85 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMZB350UPE,315

Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN-B T/R

товар відсутній

PMZB350UPE,315

Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V

на замовлення 15375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	31.62 грн
14+	21.1 грн
100+	10.66 грн
500+	8.16 грн
1000+	6.05 грн
2000+	5.09 грн
5000+	4.79 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMZB350UPE,315

PMZB350UPE.315 SMD P channel transistors

товар відсутній

PMZB350UPE,315

MOSFET PMZB350UPE/SOT883B/XQFN3

на замовлення 13521 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	25.96 грн
18+	17.19 грн
100+	6.04 грн
1000+	4.72 грн
2500+	4.32 грн
10000+	3.85 грн
20000+	3.45 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMZB350UPE,315

Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.66 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMZB370UNE,315

Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V

товар відсутній

PMZB370UNE,315

MOSFET N-Chan 30V 900mA

товар відсутній

PMZB370UNE,315

Description: NXP - PMZB370UNE,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 570000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8417+	4.4 грн

Мінімальне замовлення: 8417

PMZB370UNE,315

Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V

товар відсутній

PMZB370UNE,315-NEX

Description: EFFECT TRANSISTOR, 0.9A I(D), 30

товар відсутній

PMZB380XN,315

Description: MOSFET N-CH 30V 930MA DFN1006B-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 930mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 25 V

на замовлення 243343 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2959+	6.55 грн

Мінімальне замовлення: 2959

PMZB390UNE

товар відсутній

PMZB390UNEYL

Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V

на замовлення 29228 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	25.15 грн
17+	17.23 грн
100+	8.67 грн
500+	7.21 грн
1000+	5.61 грн
2000+	5.02 грн
5000+	4.83 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMZB390UNEYL

Description: NEXPERIA - PMZB390UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.39 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm

на замовлення 3205 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	30.18 грн
38+	19.67 грн
100+	8.94 грн
500+	6.75 грн
1000+	4.79 грн

Мінімальне замовлення: 25

PMZB390UNEYL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 4A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 4A
Case: DFN1006B-3; SOT883B
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.79Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт

товар відсутній

PMZB390UNEYL

Description: NEXPERIA - PMZB390UNEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6281+	5.74 грн

Мінімальне замовлення: 6281

PMZB390UNEYL

Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.81 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMZB390UNEYL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 4A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 4A
Case: DFN1006B-3; SOT883B
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.79Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

PMZB390UNEYL

MOSFET PMZB390UNE/SOT883B/XQFN3

на замовлення 15061 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	27.36 грн
18+	17.57 грн
100+	7.51 грн
1000+	5.25 грн
2500+	4.98 грн
10000+	4.52 грн
20000+	4.18 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMZB390UNEYL

на замовлення 3205 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	8.94 грн
500+	6.75 грн
1000+	4.79 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMZB390UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN-B T/R

товар відсутній

PMZB390UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN-B T/R

товар відсутній

PMZB390UNEYL

Description: NEXPERIA - PMZB390UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.39 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	9.17 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMZB420UN,315

Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3

товар відсутній

PMZB420UN,315

Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN-B T/R

товар відсутній

PMZB420UN,315

Description: MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN

товар відсутній

PMZB550UNE/S500YL

Description: NEXPERIA - PMZB550UNE/S500YL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 7400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMZB550UNE315

Description: NOW NEXPERIA PMZB550UNE SMALL SI

на замовлення 338000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6231+	3.28 грн

Мінімальне замовлення: 6231

PMZB550UNEYL

Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.28 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMZB550UNEYL

MOSFET PMZB550UNE/SOT883B/XQFN3

на замовлення 16305 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	37.2 грн
12+	27.27 грн
100+	13.48 грн
500+	8.9 грн
1000+	6.84 грн
2500+	5.98 грн
10000+	4.72 грн

Мінімальне замовлення: 9

PMZB550UNEYL

Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V

на замовлення 18644 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	28.74 грн
15+	19.37 грн
100+	9.79 грн
500+	7.49 грн
1000+	5.56 грн
2000+	4.68 грн
5000+	4.4 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMZB550UNEYL

PMZB550UNEYL SMD N channel transistors

товар відсутній

PMZB600UNE315

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

на замовлення 599486 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMZB600UNEL315

Description: NEXPERIA PMZB600UNE - SMALL SIGN
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 150000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8410+	2.87 грн

Мінімальне замовлення: 8410

PMZB600UNELYL

N-channel Trench MOSFET

товар відсутній

PMZB600UNELYL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A
Pulsed drain current: 2.5A
Gate charge: 0.7nC
Polarisation: unipolar
Technology: Trench
Drain current: 0.4A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN1006B-3; SOT883B
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD

товар відсутній

PMZB600UNELYL

N-channel Trench MOSFET

товар відсутній

PMZB600UNELYL

Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V

на замовлення 250339 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	21.56 грн
19+	14.74 грн
100+	7.47 грн
500+	5.71 грн
1000+	4.24 грн
2000+	3.56 грн
5000+	3.35 грн

Мінімальне замовлення: 14

PMZB600UNELYL

товар відсутній

PMZB600UNELYL

Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V

на замовлення 230000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.26 грн
30000+	3.08 грн
50000+	2.55 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMZB600UNELYL

MOSFET PMZB600UNEL/SOT883B/XQFN3

на замовлення 11233 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	23.79 грн
19+	16.27 грн
100+	5.91 грн
1000+	3.72 грн
2500+	3.52 грн
10000+	3.06 грн
20000+	2.99 грн

Мінімальне замовлення: 14

PMZB600UNEYL

Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.24 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMZB600UNEYL

MOSFET PMZB600UNE/SOT883B/XQFN3

на замовлення 13199 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	25.96 грн
18+	17.19 грн
100+	6.58 грн
1000+	3.99 грн
2500+	3.45 грн
10000+	2.59 грн
20000+	2.52 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMZB600UNEYL

Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V

на замовлення 32745 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	25.15 грн
17+	16.54 грн
100+	8.06 грн
500+	6.31 грн
1000+	4.39 грн
2000+	3.8 грн
5000+	3.47 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMZB670UPE,315

PMZB670UPE.315 SMD P channel transistors

товар відсутній

PMZB670UPE,315

MOSFET PMZB670UPE/SOT883B/XQFN3

на замовлення 8809 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	34.25 грн
13+	25.06 грн
100+	12.36 грн
500+	8.17 грн
1000+	5.51 грн
5000+	4.92 грн
10000+	4.32 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMZB670UPE,315

Description: NEXPERIA - PMZB670UPE,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1934000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7082+	5.14 грн

Мінімальне замовлення: 7082

PMZB670UPE,315

Description: MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 10 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.4 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMZB670UPE,315

Trans MOSFET P-CH 20V 0.68A 3-Pin DFN-B T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMZB670UPE,315

Description: MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 10 V

на замовлення 27710 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	29.46 грн
14+	19.93 грн
100+	10.07 грн
500+	7.71 грн
1000+	5.72 грн
2000+	4.81 грн
5000+	4.53 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMZB790SN,315

Trans MOSFET N-CH 60V 0.65A 3-Pin DFN-B T/R

товар відсутній

PMZB790SN,315

Description: MOSFET N-CH 60V 650MA DFN1006B-3

товар відсутній

PMZB790SN,315

Description: MOSFET N-CH 60V 650MA DFN1006B-3

товар відсутній

PMZB950UPE315

Description: P-CHANNEL MOSFET

на замовлення 490000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMZB950UPEL315

Description: NEXPERIA PMZB950UPEL - 20 V, P-C
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 54000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6086+	3.59 грн

Мінімальне замовлення: 6086

PMZB950UPELYL

Description: NEXPERIA - PMZB950UPELYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.02 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.02ohm

на замовлення 9704 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	16.54 грн
107+	7 грн
500+	5.12 грн
1000+	3.51 грн
5000+	3.45 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMZB950UPELYL

Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V

на замовлення 34560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	24.43 грн
17+	16.68 грн
100+	8.42 грн
500+	7 грн
1000+	5.45 грн
2000+	4.88 грн
5000+	4.69 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMZB950UPELYL

MOSFET PMZB950UPEL/SOT883B/XQFN3

на замовлення 9467 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	26.66 грн
17+	18.56 грн
100+	7.24 грн
1000+	5.05 грн
2500+	4.58 грн
10000+	3.65 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMZB950UPELYL

Description: NEXPERIA - PMZB950UPELYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.02 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.02ohm

на замовлення 9604 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	26.53 грн
41+	18.55 грн
100+	7.82 грн
500+	5.81 грн
1000+	3.96 грн
5000+	3.9 грн

Мінімальне замовлення: 29

PMZB950UPELYL

Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.67 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMZB950UPELYL

P-channel Trench MOSFET

товар відсутній

PMZB950UPEYL

MOSFET 20V P-channel Trench MOSFET

на замовлення 4697 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

PMZB950UPEYL

Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN-B T/R

товар відсутній

PMZB950UPEYL

Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V

на замовлення 9490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.18 грн
14+	19.93 грн
100+	10.07 грн
500+	7.72 грн
1000+	5.73 грн
2000+	4.82 грн
5000+	4.53 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMZB950UPEYL

PMZB950UPEYL SMD P channel transistors

товар відсутній

PMZB950UPEYL