Результат пошуку "5n65" : > 120

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
NTHL065N65S3F NTHL065N65S3F onsemi NTHL065N65S3F_D-2318812.pdf MOSFET SUPERFET3 650V TO247
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+863.78 грн
10+ 783.88 грн
25+ 582.83 грн
100+ 528.75 грн
250+ 512.06 грн
450+ 466.66 грн
900+ 419.93 грн
NTHL065N65S3HF NTHL065N65S3HF onsemi NTHL065N65S3HF_D-2318700.pdf MOSFET SF3 FRFET HF VERSION, 65MOHM, TO-247
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+940.89 грн
10+ 884.45 грн
25+ 696.32 грн
50+ 670.28 грн
100+ 644.25 грн
450+ 550.11 грн
900+ 508.72 грн
NTHL065N65S3HF NTHL065N65S3HF onsemi nthl065n65s3hf-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 337W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4075 pF @ 400 V
на замовлення 40926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+724.34 грн
30+ 564.41 грн
120+ 531.21 грн
510+ 451.78 грн
1020+ 414.39 грн
NTHL095N65S3H NTHL095N65S3H onsemi nthl095n65s3h-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2833 pF @ 400 V
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+501.91 грн
30+ 385.62 грн
120+ 345.03 грн
NTHL095N65S3HF NTHL095N65S3HF onsemi NTHL095N65S3HF_D-2318679.pdf MOSFET SUPERFET3 650V FRFET 95MO
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+566.25 грн
10+ 478.31 грн
25+ 347.83 грн
100+ 347.16 грн
450+ 295.08 грн
NTHL095N65S3HF NTHL095N65S3HF onsemi nthl095n65s3hf-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 400 V
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+529.36 грн
30+ 406.97 грн
120+ 364.12 грн
510+ 301.51 грн
1020+ 271.36 грн
NTMT095N65S3H NTMT095N65S3H onsemi ntmt095n65s3h-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2833 pF @ 400 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+259.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTMT095N65S3H NTMT095N65S3H onsemi ntmt095n65s3h-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2833 pF @ 400 V
на замовлення 17925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+488.19 грн
10+ 403.28 грн
100+ 336.02 грн
500+ 278.25 грн
1000+ 250.42 грн
NTMT095N65S3H NTMT095N65S3H onsemi NTMT095N65S3H_D-2307359.pdf MOSFET SF3 FAST, 95MOHM, PQFN88
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+523.41 грн
10+ 442.99 грн
25+ 349.16 грн
100+ 320.45 грн
250+ 301.76 грн
500+ 283.07 грн
1000+ 268.38 грн
NTMT125N65S3H NTMT125N65S3H onsemi ntmt125n65s3h-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.1mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+451.36 грн
10+ 364.82 грн
100+ 295.15 грн
500+ 246.21 грн
1000+ 210.82 грн
NTMT125N65S3H NTMT125N65S3H onsemi NTMT125N65S3H_D-2307212.pdf MOSFET SF3 FAST, 125MOHM, PQFN88
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+512.5 грн
10+ 442.99 грн
25+ 344.49 грн
100+ 317.78 грн
250+ 297.76 грн
500+ 274.39 грн
1000+ 269.72 грн
NTMT125N65S3H NTMT125N65S3H onsemi ntmt125n65s3h-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.1mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+219.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTP055N65S3H NTP055N65S3H onsemi NTP055N65S3H_D-2319099.pdf MOSFET FAST 650V TO220
на замовлення 5560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+623.11 грн
10+ 542.8 грн
50+ 431.95 грн
100+ 383.88 грн
250+ 365.85 грн
500+ 357.17 грн
800+ 303.76 грн
NTP095N65S3HF NTP095N65S3HF onsemi ntp095n65s3hf-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 36A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+414.53 грн
50+ 318.81 грн
100+ 285.24 грн
500+ 236.2 грн
NTP125N65S3H NTP125N65S3H onsemi NTP125N65S3H_D-2318962.pdf MOSFET SUPERFET3 FAST, 125MOHM, TO-220
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+398.01 грн
10+ 337.81 грн
50+ 270.38 грн
100+ 231.66 грн
250+ 218.31 грн
500+ 190.94 грн
800+ 161.56 грн
NTP165N65S3H NTP165N65S3H onsemi NTP165N65S3H_D-2319377.pdf MOSFET SUPERFET3 FAST, 165MOHM, TO-220
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+327.91 грн
10+ 279.46 грн
50+ 223.65 грн
100+ 191.6 грн
250+ 180.92 грн
500+ 170.24 грн
800+ 140.2 грн
NTP165N65S3H NTP165N65S3H onsemi ntp165n65s3h-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.6mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1808 pF @ 400 V
на замовлення 1319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+288.87 грн
50+ 220.16 грн
100+ 188.72 грн
500+ 157.42 грн
1000+ 134.79 грн
NTPF095N65S3H NTPF095N65S3H onsemi NTPF095N65S3H_D-2319184.pdf MOSFET SUPERFET3 FAST, 95MOHM, TO-220F
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+527.3 грн
10+ 488.29 грн
50+ 361.18 грн
100+ 337.14 грн
250+ 315.78 грн
500+ 295.08 грн
3000+ 259.7 грн
NTPF125N65S3H NTPF125N65S3H onsemi NTPF125N65S3H_D-2307048.pdf MOSFET SUPERFET3 FAST, 125MOHM, TO-220F
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+367.63 грн
10+ 325.53 грн
50+ 250.35 грн
100+ 230.99 грн
250+ 216.31 грн
500+ 198.28 грн
1000+ 160.89 грн
NTPF125N65S3H NTPF125N65S3H onsemi ntpf125n65s3h-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+359.64 грн
50+ 274.29 грн
100+ 235.1 грн
500+ 196.12 грн
1000+ 167.93 грн
2000+ 158.12 грн
NTPF165N65S3H NTPF165N65S3H onsemi NTPF165N65S3H_D-2307141.pdf MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 19 A, 165 mohm, TO-220F
на замовлення 12239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+352.83 грн
10+ 323.22 грн
50+ 239.01 грн
100+ 222.98 грн
250+ 210.97 грн
1000+ 178.92 грн
NVB095N65S3F NVB095N65S3F onsemi NVB095N65S3F_D-2307366.pdf MOSFET SF3 FRFET AUTO, 95MOHM, D2PAK-3
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+474.34 грн
10+ 393.09 грн
100+ 277.06 грн
500+ 271.72 грн
800+ 209.63 грн
2400+ 197.61 грн
NVB125N65S3 NVB125N65S3 onsemi nvb125n65s3-d.pdf Description: SF3 650V EASY 125MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.59 грн
10+ 213.15 грн
100+ 172.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVB125N65S3 NVB125N65S3 onsemi NVB125N65S3_D-2319517.pdf MOSFET SF3 650V EASY 125MOHM, D2PAK AUTO
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+282.73 грн
10+ 233.4 грн
25+ 197.61 грн
100+ 164.23 грн
250+ 159.56 грн
500+ 154.89 грн
800+ 124.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVB125N65S3 NVB125N65S3 onsemi nvb125n65s3-d.pdf Description: SF3 650V EASY 125MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+159.22 грн
1600+ 131.28 грн
2400+ 123.61 грн
Мінімальне замовлення: 800
NVBG095N65S3F NVBG095N65S3F onsemi NVBG095N65S3F_D-3368612.pdf MOSFET SF3 FRFET AUTO, 95MOHM, D2PAK 7L
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+443.18 грн
10+ 373.9 грн
25+ 295.75 грн
100+ 271.05 грн
250+ 255.03 грн
500+ 239.67 грн
800+ 215.64 грн
NVBG095N65S3F NVBG095N65S3F onsemi nvbg095n65s3f-d.pdf Description: SF3 FRFET AUTO, 95MOHM, D2PAK 7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+261.02 грн
1600+ 226.22 грн
Мінімальне замовлення: 800
NVBG095N65S3F NVBG095N65S3F onsemi nvbg095n65s3f-d.pdf Description: SF3 FRFET AUTO, 95MOHM, D2PAK 7L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+413.81 грн
10+ 341.87 грн
100+ 284.86 грн
NVHL025N65S3 NVHL025N65S3 onsemi NVHL025N65S3_D-2319431.pdf MOSFET SUPERFET3 650V
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2240.06 грн
10+ 1963.15 грн
25+ 1591.59 грн
50+ 1586.92 грн
100+ 1492.11 грн
250+ 1424.69 грн
450+ 1424.02 грн
NVHL025N65S3 NVHL025N65S3 onsemi nvhl025n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2090.7 грн
30+ 1669.17 грн
120+ 1564.85 грн
NVHL095N65S3F NVHL095N65S3F onsemi NVHL095N65S3F_D-2307338.pdf MOSFET SF3 FRFET AUTO, 95MOHM, TO-247
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+535.09 грн
10+ 476.78 грн
100+ 318.45 грн
250+ 291.75 грн
450+ 267.71 грн
900+ 241.01 грн
2700+ 235 грн
SCTH35N65G2V-7 SCTH35N65G2V-7 STMicroelectronics scth35n65g2v-7.pdf Description: SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+659.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SCTH35N65G2V-7 SCTH35N65G2V-7 STMicroelectronics scth35n65g2v-7.pdf Description: SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V
на замовлення 1704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1041.38 грн
10+ 883.27 грн
100+ 763.92 грн
500+ 649.7 грн
SCTL35N65G2V SCTL35N65G2V STMicroelectronics sctl35n65g2v-1948633.pdf MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ 40 A
на замовлення 2881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1290.61 грн
10+ 1120.92 грн
50+ 974.05 грн
100+ 843.2 грн
250+ 842.53 грн
500+ 763.75 грн
3000+ 677.63 грн
SCTL35N65G2V SCTL35N65G2V STMicroelectronics sctl35n65g2v.pdf Description: TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+709.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SCTL35N65G2V SCTL35N65G2V STMicroelectronics sctl35n65g2v.pdf Description: TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V
на замовлення 5948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1204.59 грн
10+ 1021.93 грн
100+ 883.87 грн
500+ 751.72 грн
SCTW35N65G2V SCTW35N65G2V STMicroelectronics sctw35n65g2v.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+719.69 грн
SCTW35N65G2V SCTW35N65G2V STMicroelectronics sctw35n65g2v-1761483.pdf MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ 45 A
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+772.65 грн
25+ 760.08 грн
SCTWA35N65G2V SCTWA35N65G2V STMicroelectronics sctwa35n65g2v-1826520.pdf MOSFET 650 V 45 A 75 mOhm
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+969.71 грн
10+ 948.94 грн
25+ 749.73 грн
50+ 745.06 грн
100+ 719.69 грн
250+ 699.66 грн
600+ 698.99 грн
SCTWA35N65G2V SCTWA35N65G2V STMicroelectronics sctwa35n65g2v.pdf Description: TRANS SJT N-CH 650V 45A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 400 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1161.98 грн
30+ 905.57 грн
120+ 852.3 грн
510+ 724.87 грн
SIHP15N65E-GE3 SIHP15N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihp15n65e.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+234.44 грн
10+ 194.24 грн
50+ 158.89 грн
100+ 136.19 грн
250+ 128.85 грн
500+ 120.84 грн
1000+ 99.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB45N65M5 STB45N65M5 STMicroelectronics en.DM00049184.pdf Description: MOSFET N CH 650V 35A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 100 V
на замовлення 3331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+517.8 грн
10+ 427.27 грн
100+ 356.05 грн
500+ 294.83 грн
STB45N65M5 STB45N65M5 STMicroelectronics en.DM00049184.pdf Description: MOSFET N CH 650V 35A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+293.62 грн
2000+ 264.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB45N65M5 STB45N65M5 STMicroelectronics stb45n65m5-1850452.pdf MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+554.56 грн
10+ 469.1 грн
25+ 393.22 грн
100+ 339.81 грн
250+ 333.81 грн
500+ 299.76 грн
1000+ 269.72 грн
STD15N65M5 STD15N65M5 STMicroelectronics en.DM00055373.pdf MOSFET N-Ch 650 V 0.308 Ohm 11A MDmesh M5
на замовлення 2188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+352.05 грн
10+ 290.98 грн
25+ 239.01 грн
100+ 204.96 грн
250+ 193.61 грн
500+ 181.59 грн
1000+ 155.55 грн
STD15N65M5 STD15N65M5 STMicroelectronics en.DM00055373.pdf Description: MOSFET N CH 650V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+328.59 грн
10+ 265.58 грн
100+ 214.85 грн
500+ 179.23 грн
1000+ 153.46 грн
STF15N65M5 STF15N65M5 STMicroelectronics en.DM00049306.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.38 грн
50+ 128.06 грн
100+ 105.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF35N65DM2 STF35N65DM2 STMicroelectronics stf35n65dm2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+433.63 грн
3+ 293.47 грн
8+ 277.48 грн
STF35N65DM2 STF35N65DM2 STMicroelectronics stf35n65dm2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+520.35 грн
3+ 365.71 грн
8+ 332.97 грн
STF45N65M5 STF45N65M5 STMicroelectronics STF45N65M5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+519 грн
3+ 372.06 грн
6+ 351.89 грн
STF45N65M5 STF45N65M5 STMicroelectronics STF45N65M5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+622.81 грн
3+ 463.64 грн
6+ 422.27 грн
STF45N65M5 STF45N65M5 STMicroelectronics en.DM00049184.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 100 V
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+505.52 грн
50+ 388.56 грн
100+ 347.67 грн
500+ 287.88 грн
1000+ 259.1 грн
STL15N65M5 STL15N65M5 STMicroelectronics stl15n65m5.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 10A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+86.13 грн
6000+ 79.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
STL15N65M5 STL15N65M5 STMicroelectronics stl15n65m5.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 10A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 8733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.38 грн
10+ 152.79 грн
100+ 121.6 грн
500+ 96.56 грн
1000+ 81.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
STL15N65M5 STL15N65M5 STMicroelectronics stl15n65m5-1851103.pdf MOSFET N-CH 650V 0.335Ohm 10A MDmesh M5
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+204.85 грн
10+ 168.14 грн
100+ 116.16 грн
250+ 107.49 грн
500+ 97.47 грн
1000+ 84.12 грн
3000+ 78.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP15N65M5 STP15N65M5 STMicroelectronics en.DM00049306.pdf Description: MOSFET N CH 650V 11A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.54 грн
50+ 139.91 грн
100+ 115.11 грн
500+ 91.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP45N65M5 STP45N65M5 STMicroelectronics STF45N65M5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+510.77 грн
3+ 366.49 грн
7+ 346.32 грн
STP45N65M5 STP45N65M5 STMicroelectronics STF45N65M5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+612.92 грн
3+ 456.7 грн
7+ 415.59 грн
STP45N65M5 STP45N65M5 STMicroelectronics en.DM00049184.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 100 V
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+531.52 грн
50+ 408.73 грн
100+ 365.71 грн
500+ 302.82 грн
STP45N65M5 STP45N65M5 STMicroelectronics 11184dm00049184.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTHL065N65S3F NTHL065N65S3F_D-2318812.pdf
NTHL065N65S3F
Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET3 650V TO247
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+863.78 грн
10+ 783.88 грн
25+ 582.83 грн
100+ 528.75 грн
250+ 512.06 грн
450+ 466.66 грн
900+ 419.93 грн
NTHL065N65S3HF NTHL065N65S3HF_D-2318700.pdf
NTHL065N65S3HF
Виробник: onsemi
MOSFET SF3 FRFET HF VERSION, 65MOHM, TO-247
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+940.89 грн
10+ 884.45 грн
25+ 696.32 грн
50+ 670.28 грн
100+ 644.25 грн
450+ 550.11 грн
900+ 508.72 грн
NTHL065N65S3HF nthl065n65s3hf-d.pdf
NTHL065N65S3HF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 337W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4075 pF @ 400 V
на замовлення 40926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+724.34 грн
30+ 564.41 грн
120+ 531.21 грн
510+ 451.78 грн
1020+ 414.39 грн
NTHL095N65S3H nthl095n65s3h-d.pdf
NTHL095N65S3H
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2833 pF @ 400 V
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+501.91 грн
30+ 385.62 грн
120+ 345.03 грн
NTHL095N65S3HF NTHL095N65S3HF_D-2318679.pdf
NTHL095N65S3HF
Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET3 650V FRFET 95MO
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+566.25 грн
10+ 478.31 грн
25+ 347.83 грн
100+ 347.16 грн
450+ 295.08 грн
NTHL095N65S3HF nthl095n65s3hf-d.pdf
NTHL095N65S3HF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 400 V
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+529.36 грн
30+ 406.97 грн
120+ 364.12 грн
510+ 301.51 грн
1020+ 271.36 грн
NTMT095N65S3H ntmt095n65s3h-d.pdf
NTMT095N65S3H
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2833 pF @ 400 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+259.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTMT095N65S3H ntmt095n65s3h-d.pdf
NTMT095N65S3H
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2833 pF @ 400 V
на замовлення 17925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+488.19 грн
10+ 403.28 грн
100+ 336.02 грн
500+ 278.25 грн
1000+ 250.42 грн
NTMT095N65S3H NTMT095N65S3H_D-2307359.pdf
NTMT095N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFET SF3 FAST, 95MOHM, PQFN88
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+523.41 грн
10+ 442.99 грн
25+ 349.16 грн
100+ 320.45 грн
250+ 301.76 грн
500+ 283.07 грн
1000+ 268.38 грн
NTMT125N65S3H ntmt125n65s3h-d.pdf
NTMT125N65S3H
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.1mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+451.36 грн
10+ 364.82 грн
100+ 295.15 грн
500+ 246.21 грн
1000+ 210.82 грн
NTMT125N65S3H NTMT125N65S3H_D-2307212.pdf
NTMT125N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFET SF3 FAST, 125MOHM, PQFN88
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+512.5 грн
10+ 442.99 грн
25+ 344.49 грн
100+ 317.78 грн
250+ 297.76 грн
500+ 274.39 грн
1000+ 269.72 грн
NTMT125N65S3H ntmt125n65s3h-d.pdf
NTMT125N65S3H
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.1mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+219.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTP055N65S3H NTP055N65S3H_D-2319099.pdf
NTP055N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFET FAST 650V TO220
на замовлення 5560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+623.11 грн
10+ 542.8 грн
50+ 431.95 грн
100+ 383.88 грн
250+ 365.85 грн
500+ 357.17 грн
800+ 303.76 грн
NTP095N65S3HF ntp095n65s3hf-d.pdf
NTP095N65S3HF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 36A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+414.53 грн
50+ 318.81 грн
100+ 285.24 грн
500+ 236.2 грн
NTP125N65S3H NTP125N65S3H_D-2318962.pdf
NTP125N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET3 FAST, 125MOHM, TO-220
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+398.01 грн
10+ 337.81 грн
50+ 270.38 грн
100+ 231.66 грн
250+ 218.31 грн
500+ 190.94 грн
800+ 161.56 грн
NTP165N65S3H NTP165N65S3H_D-2319377.pdf
NTP165N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET3 FAST, 165MOHM, TO-220
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+327.91 грн
10+ 279.46 грн
50+ 223.65 грн
100+ 191.6 грн
250+ 180.92 грн
500+ 170.24 грн
800+ 140.2 грн
NTP165N65S3H ntp165n65s3h-d.pdf
NTP165N65S3H
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.6mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1808 pF @ 400 V
на замовлення 1319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+288.87 грн
50+ 220.16 грн
100+ 188.72 грн
500+ 157.42 грн
1000+ 134.79 грн
NTPF095N65S3H NTPF095N65S3H_D-2319184.pdf
NTPF095N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET3 FAST, 95MOHM, TO-220F
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+527.3 грн
10+ 488.29 грн
50+ 361.18 грн
100+ 337.14 грн
250+ 315.78 грн
500+ 295.08 грн
3000+ 259.7 грн
NTPF125N65S3H NTPF125N65S3H_D-2307048.pdf
NTPF125N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET3 FAST, 125MOHM, TO-220F
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+367.63 грн
10+ 325.53 грн
50+ 250.35 грн
100+ 230.99 грн
250+ 216.31 грн
500+ 198.28 грн
1000+ 160.89 грн
NTPF125N65S3H ntpf125n65s3h-d.pdf
NTPF125N65S3H
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+359.64 грн
50+ 274.29 грн
100+ 235.1 грн
500+ 196.12 грн
1000+ 167.93 грн
2000+ 158.12 грн
NTPF165N65S3H NTPF165N65S3H_D-2307141.pdf
NTPF165N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 19 A, 165 mohm, TO-220F
на замовлення 12239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+352.83 грн
10+ 323.22 грн
50+ 239.01 грн
100+ 222.98 грн
250+ 210.97 грн
1000+ 178.92 грн
NVB095N65S3F NVB095N65S3F_D-2307366.pdf
NVB095N65S3F
Виробник: onsemi
MOSFET SF3 FRFET AUTO, 95MOHM, D2PAK-3
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+474.34 грн
10+ 393.09 грн
100+ 277.06 грн
500+ 271.72 грн
800+ 209.63 грн
2400+ 197.61 грн
NVB125N65S3 nvb125n65s3-d.pdf
NVB125N65S3
Виробник: onsemi
Description: SF3 650V EASY 125MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+263.59 грн
10+ 213.15 грн
100+ 172.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVB125N65S3 NVB125N65S3_D-2319517.pdf
NVB125N65S3
Виробник: onsemi
MOSFET SF3 650V EASY 125MOHM, D2PAK AUTO
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+282.73 грн
10+ 233.4 грн
25+ 197.61 грн
100+ 164.23 грн
250+ 159.56 грн
500+ 154.89 грн
800+ 124.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVB125N65S3 nvb125n65s3-d.pdf
NVB125N65S3
Виробник: onsemi
Description: SF3 650V EASY 125MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+159.22 грн
1600+ 131.28 грн
2400+ 123.61 грн
Мінімальне замовлення: 800
NVBG095N65S3F NVBG095N65S3F_D-3368612.pdf
NVBG095N65S3F
Виробник: onsemi
MOSFET SF3 FRFET AUTO, 95MOHM, D2PAK 7L
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+443.18 грн
10+ 373.9 грн
25+ 295.75 грн
100+ 271.05 грн
250+ 255.03 грн
500+ 239.67 грн
800+ 215.64 грн
NVBG095N65S3F nvbg095n65s3f-d.pdf
NVBG095N65S3F
Виробник: onsemi
Description: SF3 FRFET AUTO, 95MOHM, D2PAK 7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+261.02 грн
1600+ 226.22 грн
Мінімальне замовлення: 800
NVBG095N65S3F nvbg095n65s3f-d.pdf
NVBG095N65S3F
Виробник: onsemi
Description: SF3 FRFET AUTO, 95MOHM, D2PAK 7L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+413.81 грн
10+ 341.87 грн
100+ 284.86 грн
NVHL025N65S3 NVHL025N65S3_D-2319431.pdf
NVHL025N65S3
Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET3 650V
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2240.06 грн
10+ 1963.15 грн
25+ 1591.59 грн
50+ 1586.92 грн
100+ 1492.11 грн
250+ 1424.69 грн
450+ 1424.02 грн
NVHL025N65S3 nvhl025n65s3-d.pdf
NVHL025N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2090.7 грн
30+ 1669.17 грн
120+ 1564.85 грн
NVHL095N65S3F NVHL095N65S3F_D-2307338.pdf
NVHL095N65S3F
Виробник: onsemi
MOSFET SF3 FRFET AUTO, 95MOHM, TO-247
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+535.09 грн
10+ 476.78 грн
100+ 318.45 грн
250+ 291.75 грн
450+ 267.71 грн
900+ 241.01 грн
2700+ 235 грн
SCTH35N65G2V-7 scth35n65g2v-7.pdf
SCTH35N65G2V-7
Виробник: STMicroelectronics
Description: SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+659.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SCTH35N65G2V-7 scth35n65g2v-7.pdf
SCTH35N65G2V-7
Виробник: STMicroelectronics
Description: SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V
на замовлення 1704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1041.38 грн
10+ 883.27 грн
100+ 763.92 грн
500+ 649.7 грн
SCTL35N65G2V sctl35n65g2v-1948633.pdf
SCTL35N65G2V
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ 40 A
на замовлення 2881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1290.61 грн
10+ 1120.92 грн
50+ 974.05 грн
100+ 843.2 грн
250+ 842.53 грн
500+ 763.75 грн
3000+ 677.63 грн
SCTL35N65G2V sctl35n65g2v.pdf
SCTL35N65G2V
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+709.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SCTL35N65G2V sctl35n65g2v.pdf
SCTL35N65G2V
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V
на замовлення 5948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1204.59 грн
10+ 1021.93 грн
100+ 883.87 грн
500+ 751.72 грн
SCTW35N65G2V sctw35n65g2v.pdf
SCTW35N65G2V
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+719.69 грн
SCTW35N65G2V sctw35n65g2v-1761483.pdf
SCTW35N65G2V
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ 45 A
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+772.65 грн
25+ 760.08 грн
SCTWA35N65G2V sctwa35n65g2v-1826520.pdf
SCTWA35N65G2V
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET 650 V 45 A 75 mOhm
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+969.71 грн
10+ 948.94 грн
25+ 749.73 грн
50+ 745.06 грн
100+ 719.69 грн
250+ 699.66 грн
600+ 698.99 грн
SCTWA35N65G2V sctwa35n65g2v.pdf
SCTWA35N65G2V
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS SJT N-CH 650V 45A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 400 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1161.98 грн
30+ 905.57 грн
120+ 852.3 грн
510+ 724.87 грн
SIHP15N65E-GE3 sihp15n65e.pdf
SIHP15N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+234.44 грн
10+ 194.24 грн
50+ 158.89 грн
100+ 136.19 грн
250+ 128.85 грн
500+ 120.84 грн
1000+ 99.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB45N65M5 en.DM00049184.pdf
STB45N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 650V 35A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 100 V
на замовлення 3331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+517.8 грн
10+ 427.27 грн
100+ 356.05 грн
500+ 294.83 грн
STB45N65M5 en.DM00049184.pdf
STB45N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 650V 35A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+293.62 грн
2000+ 264.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB45N65M5 stb45n65m5-1850452.pdf
STB45N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+554.56 грн
10+ 469.1 грн
25+ 393.22 грн
100+ 339.81 грн
250+ 333.81 грн
500+ 299.76 грн
1000+ 269.72 грн
STD15N65M5 en.DM00055373.pdf
STD15N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650 V 0.308 Ohm 11A MDmesh M5
на замовлення 2188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+352.05 грн
10+ 290.98 грн
25+ 239.01 грн
100+ 204.96 грн
250+ 193.61 грн
500+ 181.59 грн
1000+ 155.55 грн
STD15N65M5 en.DM00055373.pdf
STD15N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 650V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+328.59 грн
10+ 265.58 грн
100+ 214.85 грн
500+ 179.23 грн
1000+ 153.46 грн
STF15N65M5 en.DM00049306.pdf
STF15N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+165.38 грн
50+ 128.06 грн
100+ 105.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF35N65DM2 stf35n65dm2.pdf
STF35N65DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+433.63 грн
3+ 293.47 грн
8+ 277.48 грн
STF35N65DM2 stf35n65dm2.pdf
STF35N65DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+520.35 грн
3+ 365.71 грн
8+ 332.97 грн
STF45N65M5 STF45N65M5.pdf
STF45N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+519 грн
3+ 372.06 грн
6+ 351.89 грн
STF45N65M5 STF45N65M5.pdf
STF45N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+622.81 грн
3+ 463.64 грн
6+ 422.27 грн
STF45N65M5 en.DM00049184.pdf
STF45N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 100 V
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+505.52 грн
50+ 388.56 грн
100+ 347.67 грн
500+ 287.88 грн
1000+ 259.1 грн
STL15N65M5 stl15n65m5.pdf
STL15N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 10A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+86.13 грн
6000+ 79.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
STL15N65M5 stl15n65m5.pdf
STL15N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 10A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 8733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+191.38 грн
10+ 152.79 грн
100+ 121.6 грн
500+ 96.56 грн
1000+ 81.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
STL15N65M5 stl15n65m5-1851103.pdf
STL15N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 0.335Ohm 10A MDmesh M5
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+204.85 грн
10+ 168.14 грн
100+ 116.16 грн
250+ 107.49 грн
500+ 97.47 грн
1000+ 84.12 грн
3000+ 78.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP15N65M5 en.DM00049306.pdf
STP15N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 650V 11A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+180.54 грн
50+ 139.91 грн
100+ 115.11 грн
500+ 91.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP45N65M5 STF45N65M5.pdf
STP45N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+510.77 грн
3+ 366.49 грн
7+ 346.32 грн
STP45N65M5 STF45N65M5.pdf
STP45N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+612.92 грн
3+ 456.7 грн
7+ 415.59 грн
STP45N65M5 en.DM00049184.pdf
STP45N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 100 V
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+531.52 грн
50+ 408.73 грн
100+ 365.71 грн
500+ 302.82 грн
STP45N65M5 11184dm00049184.pdf
STP45N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+294.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]