Продукція > MJD

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar

товар відсутній

MJD112

TO-252

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD112

TO-252

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD112

07+ TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD112

TO-252

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD112 TO252 SMD

Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1W
Case: TO252
Current gain: 200...12000
Mounting: SMD
Frequency: 25MHz
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 1525 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

15+	20.03 грн
25+	11.55 грн
100+	9.71 грн
275+	9.13 грн
500+	8.8 грн

Мінімальне замовлення: 15

MJD112 TO252 SMD

на замовлення 1525 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

25+	16.69 грн
40+	9.27 грн
100+	8.1 грн
275+	7.61 грн
500+	7.33 грн

Мінімальне замовлення: 25

MJD112-001

на замовлення 6325 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD112-001

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD112-1G

Description: ONSEMI - MJD112-1G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJD112-1G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

товар відсутній

MJD112-1G

Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; IPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: IPAK
Current gain: 100...12000
Mounting: THT

на замовлення 136 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	58.12 грн
8+	48.57 грн
21+	39.16 грн
57+	37.02 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD112-1G

на замовлення 65 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD112-1G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

на замовлення 74775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

75+	31.93 грн
1050+	28.62 грн
2475+	28.17 грн

Мінімальне замовлення: 75

MJD112-1G

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

на замовлення 677 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.26 грн
75+	52.86 грн
150+	41.89 грн
525+	33.32 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD112-1G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

на замовлення 74775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

339+	34.4 грн
1050+	30.84 грн
2475+	30.35 грн

Мінімальне замовлення: 339

MJD112-1G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

на замовлення 2075 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	41.65 грн
75+	31.91 грн
1050+	28.85 грн

Мінімальне замовлення: 14

MJD112-1G

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN

на замовлення 1007 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	62.69 грн
10+	58.9 грн
75+	30.69 грн
1050+	26.3 грн
2475+	24.78 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD112-1G

на замовлення 136 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	69.75 грн
5+	60.53 грн
21+	47 грн
57+	44.42 грн
300+	43.43 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJD112-1G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

на замовлення 74775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

75+	28.13 грн

Мінімальне замовлення: 75

MJD112-1G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

на замовлення 2075 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

260+	44.85 грн
339+	34.36 грн
1050+	32.22 грн

Мінімальне замовлення: 260

MJD112-TP

Description: TRANS NPN 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W

товар відсутній

MJD112-TP

Trans Darlington NPN 100V 2A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD112-TP

Bipolar Transistors - BJT TRANS NPN 100V 2A DPAK

на замовлення 507 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

MJD112-TP

Trans Darlington NPN 100V 2A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD112-TP

Description: TRANS NPN 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W

товар відсутній

MJD112-TR

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD112/117

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD112G

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN

на замовлення 12335 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	45.41 грн
10+	41.86 грн
75+	20.66 грн
525+	18.86 грн
1050+	14.88 грн
2475+	14.75 грн
4950+	14.55 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD112G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

75+	15.34 грн

Мінімальне замовлення: 75

MJD112G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 675 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

75+	19.68 грн
525+	16.68 грн

Мінімальне замовлення: 75

MJD112G

Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Current gain: 100...12000
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 105 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	63.49 грн
8+	33.8 грн
25+	29.23 грн
44+	22.34 грн
119+	21.09 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD112G

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

на замовлення 2297 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	43.11 грн
75+	34.18 грн
150+	24.81 грн
525+	19.45 грн
1050+	16.56 грн
2025+	14.74 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD112G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

товар відсутній

MJD112G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 1875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

282+	41.31 грн
530+	21.97 грн
644+	18.08 грн
1050+	16.14 грн

Мінімальне замовлення: 282

MJD112G

транзистор npn DPAK

на замовлення 2430 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

8+	34.85 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJD112G

Description: ONSEMI - MJD112G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 3745 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	50 грн
33+	23.17 грн
100+	22.95 грн
500+	21.03 грн
1000+	13.99 грн

Мінімальне замовлення: 15

MJD112G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 1875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	44.22 грн
16+	38.36 грн
75+	20.4 грн
525+	16.19 грн
1050+	13.87 грн

Мінімальне замовлення: 14

MJD112G

на замовлення 105 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	52.91 грн
13+	27.12 грн
25+	24.36 грн
44+	18.61 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJD112G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 675 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

550+	21.2 грн
648+	17.98 грн

Мінімальне замовлення: 550

MJD112RL

на замовлення 7900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD112RL

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD112RL (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 20829

товар відсутній

MJD112RLG

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

на замовлення 5143 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.82 грн
10+	52.73 грн
100+	41.02 грн
500+	32.63 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD112RLG

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD112RLG

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD112RLG

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	29.41 грн
3600+	26.66 грн

Мінімальне замовлення: 1800

MJD112RLG

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN

на замовлення 14948 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.07 грн
10+	58.51 грн
100+	39.59 грн
500+	33.61 грн
1000+	27.37 грн
1800+	25.77 грн
3600+	24.51 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD112RLG

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD112RLG

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD112T4

Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 25MHz
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2592 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

10+	27.72 грн
25+	23.88 грн
55+	17.69 грн
150+	16.77 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJD112T4

Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	27.26 грн
5000+	25.77 грн
10000+	23.94 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD112T4

Darlington Transistors NPN Power Darlington

на замовлення 4505 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.24 грн
10+	36.9 грн
100+	22.25 грн
500+	18.53 грн
1000+	17.01 грн
5000+	13.29 грн
10000+	12.69 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJD112T4

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

на замовлення 3358 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.52 грн
10+	33.14 грн
100+	22.94 грн
500+	17.99 грн
1000+	15.31 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJD112T4

Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	18.13 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD112T4

Description: STMICROELECTRONICS - MJD112T4 - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 2157 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	68.11 грн
14+	56.71 грн
100+	36.07 грн
500+	27.95 грн
1000+	19.54 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJD112T4

на замовлення 2592 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

17+	23.1 грн
25+	19.17 грн
55+	14.74 грн
150+	13.98 грн

Мінімальне замовлення: 17

MJD112T4

Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD112T4

Біполярний транзистор ММ NPN TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=2A; Pdmax=20W

на замовлення 10 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

10+	25.74 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJD112T4

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.09 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD112T4

Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	25.3 грн
5000+	23.92 грн
10000+	22.23 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD112T4

Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD112T4 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 26922

товар відсутній

MJD112T4G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	18.44 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD112T4G

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD112T4G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	17.12 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD112T4G

TO-252

на замовлення 31000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD112T4G

товар відсутній

MJD112T4G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

295+	39.58 грн
400+	29.15 грн
409+	28.47 грн
500+	23.46 грн
1000+	19.18 грн
3000+	15.97 грн

Мінімальне замовлення: 295

MJD112T4G

Description: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 9855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.12 грн
500+	21.03 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJD112T4G

Транз. Бипол. ММ NPN TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=2A; Pdmax=20W

на замовлення 8 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

1+	332.64 грн
10+	277.99 грн

MJD112T4G

09+

на замовлення 51 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD112T4G

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN

на замовлення 24033 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.58 грн
10+	39.88 грн
100+	24.18 грн
500+	20.19 грн
1000+	17.2 грн
2500+	15.34 грн
5000+	14.88 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD112T4G

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

товар відсутній

MJD112T4G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	45.07 грн
15+	39.12 грн
25+	36.76 грн
100+	26.1 грн
250+	23.6 грн
500+	19.36 грн
1000+	17.09 грн
3000+	14.83 грн

Мінімальне замовлення: 13

MJD112T4G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD112T4G

Description: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 9855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	52.38 грн
18+	42.92 грн
100+	27.12 грн
500+	21.03 грн

Мінімальне замовлення: 15

MJD112T4G

TO-252

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD112T4G*************

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD112TF

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD112TF

Darlington Transistors NPN Si Transistor Darlington

товар відсутній

MJD112TF

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD112TF

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD112TF

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJD117

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar

товар відсутній

MJD117

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD117
Код товару: 99164

Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: D-Pak
fT: 25 MHz
Uке, В: 100 V
Uкб, В: 100 V
Iк, А: 2 А

товар відсутній

MJD117

MJD117 Микросхемы

на замовлення 99 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

MJD117-001

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD117-1G

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

на замовлення 164661 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1113+	17.91 грн

Мінімальне замовлення: 1113

MJD117-1G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) DPAK-3 Tube

товар відсутній

MJD117-1G

Description: ONSEMI - MJD117-1G - Darlington-Transistor, PNP, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 25
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 478 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	53.58 грн
18+	41.58 грн
100+	37.26 грн

Мінімальне замовлення: 14

MJD117-1G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) DPAK-3 Tube

товар відсутній

MJD117-1G

на замовлення 25500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD117-1G

товар відсутній

MJD117-1G

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD117-1G

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP

на замовлення 666 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.87 грн
10+	57.22 грн
75+	38.86 грн
525+	30.16 грн
1050+	21.85 грн
2400+	21.26 грн
4800+	20.19 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD117-1G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) DPAK-3 Tube

товар відсутній

MJD117-1G

09+ TQFP

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD117-HF

Comchip Technology

Bipolar Transistors - BJT TRANS PNP GEN PURP 100V 2A

товар відсутній

MJD117-HF

Comchip Technology

Description: TRANS PNP GEN PURP 100V 2A TO-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2mA, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: TO-252-2
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

товар відсутній

MJD117-TP

Description: TRANS PNP 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD117-TR

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD117G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 119 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJD117G
Код товару: 79758

Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-252
Uке, В: 100 V
Uкб, В: 100 V
Iк, А: 2 A

товар відсутній

MJD117G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

товар відсутній

MJD117G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 134 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	49.12 грн
13+	45.9 грн
75+	34.6 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJD117G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 134 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	23.25 грн

Мінімальне замовлення: 14

MJD117G

Description: ONSEMI - MJD117G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 2203 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	66.54 грн
20+	37.56 грн
100+	34.72 грн
500+	29.55 грн
1000+	19.93 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJD117G

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP

на замовлення 1985 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.52 грн
10+	57.52 грн
75+	33.48 грн
525+	28.96 грн
1050+	23.12 грн
2400+	21.72 грн
4800+	20.53 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD117G

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

на замовлення 299 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.05 грн
75+	43.73 грн
150+	34.65 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD117RLG

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD117RLG

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD117RLG

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD117T4

Trans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.1 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD117T4

Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 200...12000
Mounting: SMD
Frequency: 25MHz

на замовлення 4098 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

15+	25.86 грн
25+	21.8 грн
48+	16.95 грн
130+	16.05 грн

Мінімальне замовлення: 15

MJD117T4

Trans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD117T4

Description: STMICROELECTRONICS - MJD117T4 - Bipolartransistor (BJT), Darlington, PNP, -100V, 20W, -2A, 200hFE
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 2705 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	55.81 грн
16+	48.14 грн
100+	29.81 грн
500+	23.11 грн
1000+	16.48 грн

Мінімальне замовлення: 14

MJD117T4

на замовлення 4098 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

9+	31.03 грн
25+	27.16 грн
48+	20.34 грн
130+	19.26 грн

Мінімальне замовлення: 9

MJD117T4

Darlington Transistors PNP Power Darlington

на замовлення 1528 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	49.75 грн
10+	43.31 грн
100+	26.04 грн
500+	21.72 грн
1000+	18.6 грн
2500+	16.47 грн
5000+	15.61 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD117T4

Trans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	17.35 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD117T4

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

на замовлення 2104 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.71 грн
10+	38.96 грн
100+	26.99 грн
500+	21.17 грн
1000+	18.01 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD117T4

Trans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD117T4

Trans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	19.06 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD117T4

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

товар відсутній

MJD117T4 PBF
Код товару: 21024

Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-252
Uке, В: 100 V
Uкб, В: 100 V
Iк, А: 2 A
Примітка: Дарлінгтон

товар відсутній

MJD117T4G

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

на замовлення 13758 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53.89 грн
10+	44.91 грн
100+	31.08 грн
500+	24.38 грн
1000+	20.75 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD117T4G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD117T4G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD117T4G

Description: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 1773 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	34.43 грн
500+	26.71 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJD117T4G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD117T4G

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	20.45 грн
5000+	18.65 грн
12500+	17.27 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD117T4G

Description: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 1773 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	65.72 грн
14+	53.95 грн
100+	34.43 грн
500+	26.71 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJD117T4G

MJD117T4G Диоды

на замовлення 1036 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

MJD117T4G

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP

на замовлення 18975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	58.36 грн
10+	49.96 грн
100+	30.09 грн
500+	25.18 грн
1000+	21.39 грн
2500+	19 грн
5000+	18.93 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD117T4G*********

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD117TF

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD117TF

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD117TF

Description: ONSEMI - MJD117TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 24798 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	23.03 грн

Мінімальне замовлення: 2000

MJD117TF

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD117TF

Darlington Transistors PNP Silicon Darl

на замовлення 18518 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

MJD117TF

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 307 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	41.32 грн
17+	34.48 грн
25+	34.17 грн
50+	32.65 грн
100+	20.07 грн
250+	19.08 грн

Мінімальне замовлення: 14

MJD117TF

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD117TF-FS

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD122

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

товар відсутній

MJD122

Darlington Transistors 8A 100V Bipolar

товар відсутній

MJD122

YFW

darl.NPN 5A 100V 20W MJD122 TO252 LGE TMJD122 lge
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	6.99 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJD122

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

на замовлення 2498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.18 грн
12+	25.12 грн
100+	17.48 грн
500+	12.81 грн
1000+	10.41 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJD122 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 23955

товар відсутній

MJD122 TO252 SMD
Код товару: 181912

Мікросхеми > Інші мікросхеми

товар відсутній

MJD122 TO252 SMD

Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO252
Current gain: 100...12000
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 1060 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

20+	17.53 грн
25+	12.42 грн
100+	9.71 грн
275+	9.13 грн
3000+	8.8 грн

Мінімальне замовлення: 20

MJD122 TO252 SMD

на замовлення 1060 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

30+	14.61 грн
35+	9.96 грн
100+	8.1 грн
275+	7.61 грн

Мінімальне замовлення: 30

MJD122-1

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

товар відсутній

MJD122-1

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A TO251
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

на замовлення 2784 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.67 грн
75+	49.65 грн
150+	39.35 грн
525+	31.3 грн
1050+	25.5 грн
2025+	24.01 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD122-1

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

товар відсутній

MJD122-1

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

товар відсутній

MJD122-1

Description: STMICROELECTRONICS - MJD122-1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 8 A, 20 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Verlustleistung, NPN: 20W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 8A
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 2987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	68.93 грн
20+	38.82 грн
100+	36.81 грн
500+	32.31 грн
1000+	24.08 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJD122-1

Darlington Transistors NPN PWR Darlington Int Anti Collector

на замовлення 4937 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	68.51 грн
10+	63.94 грн
75+	36.93 грн
525+	31.82 грн
1050+	24.71 грн
5025+	23.32 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD122-1

на замовлення 200000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD122-1

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

товар відсутній

MJD122-1G

Darlington Transistors BIP IPAK NPN 8A 100V

товар відсутній

MJD122-1G

8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor

товар відсутній

MJD122-1G

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD122-TP

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	21.01 грн
5000+	19.17 грн
12500+	17.75 грн
25000+	16.49 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD122-TP

Trans Darlington NPN 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD122-TP

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

на замовлення 53901 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.33 грн
10+	46.15 грн
100+	31.95 грн
500+	25.05 грн
1000+	21.32 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD122-TP

Trans Darlington NPN 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD122-TP

Bipolar Transistors - BJT TRANS NPN 100V 8A DPAK

на замовлення 18323 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.83 грн
10+	51.26 грн
100+	30.89 грн
500+	25.77 грн
1000+	21.92 грн
2500+	18.93 грн
5000+	17.93 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD122-TR

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD122/127

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD122G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 11517 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	28.52 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJD122G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 1495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	57.03 грн
14+	42.81 грн
75+	36.62 грн
525+	33.09 грн
1050+	24.94 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJD122G

Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Current gain: 300
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz

на замовлення 231 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	57.38 грн
8+	47.88 грн
22+	36.67 грн
25+	36.6 грн
61+	34.6 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD122G

на замовлення 231 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	68.85 грн
5+	59.67 грн
22+	44.01 грн
25+	43.92 грн
61+	41.52 грн
750+	41.02 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJD122G

Description: ONSEMI - MJD122G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
DC-Kollektorstrom: 8A
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Verlustleistung Pd: 1.75W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99

на замовлення 1851 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	67.88 грн
20+	38.52 грн
100+	36.44 грн
500+	31.83 грн
1000+	25.48 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJD122G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 8025 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1650+	27.39 грн
2700+	27.12 грн
5400+	26.96 грн

Мінімальне замовлення: 1650

MJD122G

ON-Semicoductor

darl.NPN 5A 100V 20W MJD122G, MJD122T4G, MJD122T4, MJD122TF, MJE122-TP MJD122T4 smd TMJD122t4
кількість в упаковці: 25 шт

на замовлення 299 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

25+	34.63 грн

Мінімальне замовлення: 25

MJD122G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 11508 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

273+	42.72 грн
311+	37.51 грн
525+	35.49 грн
1050+	28.75 грн
2700+	26.35 грн
5400+	25.15 грн

Мінімальне замовлення: 273

MJD122G

Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN

на замовлення 1658 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.56 грн
10+	63.86 грн
75+	36.87 грн
525+	32.68 грн
1050+	26.24 грн
2700+	25.37 грн
5400+	25.24 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD122G
Код товару: 165785

товар відсутній

MJD122G

On Semiconductor

NPN Darl. DPAK

на замовлення 225 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

MJD122G

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

на замовлення 5320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.42 грн
75+	54.4 грн
150+	43.11 грн
525+	34.29 грн
1050+	27.93 грн
2025+	26.29 грн
5025+	24.63 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD122G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 11517 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	49.86 грн
15+	39.65 грн
75+	34.82 грн
525+	31.76 грн
1050+	24.71 грн
2700+	23.48 грн
5400+	23.35 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJD122G

Транз. Бипол. ММ NPN TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=8A; Pdmax=20W;

на замовлення 397 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

6+	54.33 грн
10+	46.33 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD122G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 1495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

253+	46.1 грн
296+	39.44 грн
525+	36.96 грн
1050+	29.01 грн

Мінімальне замовлення: 253

MJD122GT4G

BIP

товар відсутній

MJD122RLG

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD122RLG

8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor

товар відсутній

MJD122RLG

Darlington Transistors BIP DPAK NPN 8A 100V

на замовлення 1695 шт:

термін постачання 684-693 дні (днів)

6+	53.47 грн
10+	46.37 грн
100+	30.89 грн
500+	24.44 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD122RLG

8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor

товар відсутній

MJD122RLG

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD122T4

Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 100...1000
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2744 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	67.96 грн
5+	58.89 грн
10+	55.22 грн
25+	45.42 грн
47+	20.51 грн
129+	19.43 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJD122T4

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD122T4

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2187 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	20.85 грн

Мінімальне замовлення: 15

MJD122T4

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

на замовлення 2040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53.17 грн
10+	44.49 грн
100+	30.78 грн
500+	24.14 грн
1000+	20.54 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD122T4

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2187 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	38.41 грн
17+	35.08 грн
100+	27.47 грн
500+	23.25 грн
1000+	19.05 грн

Мінімальне замовлення: 16

MJD122T4

STMicroelectronics NV

NPN Darl. DPAK

на замовлення 348 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

MJD122T4

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD122T4

Darlington Transistors NPN Power Darlington

на замовлення 18700 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	57.66 грн
10+	49.42 грн
100+	29.76 грн
500+	24.91 грн
1000+	21.19 грн
2500+	19.26 грн
5000+	18.2 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD122T4

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJD122T4

на замовлення 2744 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	56.63 грн
8+	47.26 грн
10+	46.01 грн
25+	37.85 грн
47+	17.09 грн
129+	16.19 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD122T4

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

товар відсутній

MJD122T4

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1994+	25.07 грн

Мінімальне замовлення: 1994

MJD122T4

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD122T4 (MJD122T4G) (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 30180

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: D-Pak
Uceo,V: 100 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 8 A
h21: 5000
Примітка: Дарлінгтон

товар відсутній

MJD122T4G

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD122T4G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD122T4G

Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN

на замовлення 273 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.03 грн
10+	58.82 грн
100+	34.87 грн
500+	29.76 грн
1000+	25.37 грн
2500+	22.12 грн
5000+	21.99 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD122T4G

Транз. Бипол. ММ NPN TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=8A; Pdmax=20W;

на замовлення 2 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

2+	138.6 грн
10+	61.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

MJD122T4G

товар відсутній

MJD122T4G

Description: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 8A
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 13569 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	39.12 грн
500+	30.38 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJD122T4G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD122T4G

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.51 грн
10+	52.17 грн
100+	36.13 грн
500+	28.33 грн
1000+	24.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD122T4G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD122T4G

товар відсутній

MJD122T4G

Description: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 8A
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 13569 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	73.62 грн
13+	62.07 грн
100+	39.12 грн
500+	30.38 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJD122T4G*************

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD122TF

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD122TF

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD122TF

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD122TF
Код товару: 101877

товар відсутній

MJD122TF

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD122TF

Darlington Transistors NPN Sil Darl Trans

на замовлення 6389 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

MJD127

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

на замовлення 2498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.18 грн
12+	25.12 грн
100+	17.48 грн
500+	12.81 грн
1000+	10.41 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJD127

YFW

PNP 8A 100V 20W MJD127G MJD127TF MJD127T4G MJD127T4 MJD127-TP MJD127-LGE MJD127 TMJD127

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

MJD127

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

товар відсутній

MJD127

Darlington Transistors 8A 100V Bipolar

товар відсутній

MJD127

LGE

PNP 8A 100V 20W MJD127G MJD127TF MJD127T4G MJD127T4 MJD127-TP MJD127-LGE MJD127 TMJD127
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 110 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	7.49 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJD127 TO252 SMD

Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO252
Current gain: 100...12000
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape

на замовлення 2485 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

25+	15.35 грн
35+	9.96 грн
100+	8.05 грн
275+	7.61 грн

Мінімальне замовлення: 25

MJD127 TO252 SMD

на замовлення 2485 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

15+	18.42 грн
25+	12.42 грн
100+	9.66 грн
275+	9.13 грн
3000+	8.8 грн

Мінімальне замовлення: 15

MJD127-1

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD127-LGE
Код товару: 161555

товар відсутній

MJD127-TP

Bipolar Transistors - BJT TRANS PNP 100V 8A DPAK

на замовлення 6883 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	64.17 грн
10+	54.77 грн
100+	33.01 грн
500+	27.57 грн
1000+	23.45 грн
2500+	20.33 грн
5000+	19.33 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD127-TP

Description: TRANS PNP 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

товар відсутній

MJD127-TP

Trans Darlington PNP 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD127-TP

Description: TRANS PNP 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

товар відсутній

MJD127-TP

Trans Darlington PNP 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD127-TR

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD127G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 3358 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	64.17 грн
10+	59.84 грн
75+	42.29 грн
525+	36.38 грн
1050+	27.43 грн
2700+	24.9 грн

Мінімальне замовлення: 9

MJD127G

Description: ONSEMI - MJD127G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
DC-Kollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Verlustleistung Pd: 1.75W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99

на замовлення 384 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	89.42 грн
17+	45.31 грн
100+	42.33 грн

Мінімальне замовлення: 9

MJD127G

Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 100...12000
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 426 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	71.54 грн
5+	63.29 грн
22+	45.67 грн
58+	43.18 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJD127G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 3358 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	30.38 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJD127G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 3354 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

181+	64.48 грн
256+	45.57 грн
525+	40.65 грн
1050+	31.92 грн
2700+	27.94 грн

Мінімальне замовлення: 181

MJD127G

на замовлення 426 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.79 грн
22+	38.06 грн
58+	35.98 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD127G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJD127G

Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP

на замовлення 5464 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	79.82 грн
10+	74.63 грн
75+	36.2 грн
525+	32.68 грн
1050+	27.23 грн
2700+	26.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJD127G

Транз. Бипол. ММ PNP TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=8A; Pdmax=20W;

на замовлення 300 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

6+	54.33 грн
10+	46.33 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD127G

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

на замовлення 4871 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	73.29 грн
75+	57.03 грн
150+	45.19 грн
525+	35.95 грн
1050+	29.29 грн
2025+	27.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJD127G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	78.23 грн
10+	71.61 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJD127G
Код товару: 50655

товар відсутній

MJD127RLG

8.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor

товар відсутній

MJD127RLG

Darlington Transistors BIP DPAK PNP 8A 100V

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 449-458 дні (днів)

5+	62 грн
10+	54.24 грн
100+	36.14 грн
500+	28.56 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD127RLG

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD127RLG

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD127RLG

8.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor

товар відсутній

MJD127S-TP

Description: TRANS PNP 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

товар відсутній

MJD127S-TP

Darlington Transistors PNP -100Vcbo -5V 1.5W -100Vceo -8A

товар відсутній

MJD127T4

Trans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 155000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	23.04 грн
5000+	22.45 грн
10000+	20.88 грн
25000+	19.89 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD127T4

Trans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD127T4

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

на замовлення 2309 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	50.3 грн
10+	41.93 грн
100+	29.03 грн
500+	22.76 грн
1000+	19.37 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD127T4

на замовлення 2088 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

15+	25.56 грн
25+	20.76 грн
57+	14.25 грн
155+	13.49 грн

Мінімальне замовлення: 15

MJD127T4

Trans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	21.45 грн
5000+	20.93 грн
10000+	19.47 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD127T4

Trans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD127T4

Darlington Transistors PNP Power Darlington

на замовлення 3787 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	54.79 грн
10+	46.6 грн
100+	28.1 грн
500+	23.38 грн
1000+	19.93 грн
2500+	19.06 грн
5000+	16.74 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD127T4

Trans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 155000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	18.44 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD127T4
Код товару: 180295

товар відсутній

MJD127T4

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

на замовлення 2309 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJD127T4

Trans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 155000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	21.38 грн
5000+	20.84 грн
10000+	19.38 грн
25000+	18.47 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD127T4

Description: STMICROELECTRONICS - MJD127T4 - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 3873 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	62.67 грн
15+	51.86 грн
100+	32.79 грн
500+	25.32 грн
1000+	17.18 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJD127T4

Description: TRANS DARL PNP 8A 100V DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD127T4

Trans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	19.92 грн
5000+	19.43 грн
10000+	18.08 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD127T4

Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2088 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

9+	30.67 грн
25+	25.87 грн
57+	17.1 грн
155+	16.19 грн

Мінімальне замовлення: 9

MJD127T4G

Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP

на замовлення 28405 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	54.79 грн
10+	47.21 грн
100+	28.43 грн
500+	23.71 грн
1000+	20.19 грн
2500+	18.4 грн
5000+	17.93 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD127T4G

Биполярный транзистор PNP DARL 100V 8A DPak

на замовлення 10 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

5+	66.53 грн
10+	54.19 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD127T4G
Код товару: 180192

товар відсутній

MJD127T4G

Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 4660 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	66.32 грн
14+	55.44 грн
100+	38.9 грн
500+	28.58 грн
1000+	21.08 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJD127T4G

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	19.36 грн
5000+	17.66 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD127T4G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD127T4G

Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

MJD127T4G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD127T4G

товар відсутній

MJD127T4G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD127T4G

Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 4660 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	38.9 грн
500+	28.58 грн
1000+	21.08 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJD127T4G

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

на замовлення 5532 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	51.02 грн
10+	42.48 грн
100+	29.43 грн
500+	23.08 грн
1000+	19.64 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD127T4G*************

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD127TF

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	50.77 грн
14+	42.66 грн
25+	40.08 грн
50+	36.14 грн
100+	25.06 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJD127TF

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD127TF

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD127TF

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD127TF

Darlington Transistors PNP Si Transistor Darlington

на замовлення 7163 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

MJD127Т4
Код товару: 26825

товар відсутній

MJD128

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD128T4

Description: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD128T4

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD128T4G

Darlington Transistors BIP PNP 8A 120V TR

на замовлення 4396 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	54.79 грн
10+	47.9 грн
100+	36.6 грн
500+	32.55 грн
1000+	26.9 грн
2500+	24.98 грн
5000+	24.11 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD128T4G

товар відсутній

MJD128T4G

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD128T4G

Trans Darlington PNP 120V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD128T4G

Trans Darlington PNP 120V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD128T4G

Description: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.75 W

на замовлення 3053 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.39 грн
10+	51.9 грн
100+	40.34 грн
500+	32.09 грн
1000+	26.14 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD13003

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD13003A

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD13003C

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD13005

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD13005T4G

на замовлення 52900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD148

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD148-QJ

Description: NEXPERIA - MJD148-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.31 грн
500+	15.5 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJD148-QJ

Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100

на замовлення 2119 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.9 грн
11+	25.6 грн
100+	17.82 грн
500+	13.06 грн
1000+	10.61 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJD148-QJ

Trans GP BJT NPN 45V 4A 1600mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD148-QJ

на замовлення 860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	39.72 грн
23+	32.94 грн
100+	21.31 грн
500+	15.5 грн

Мінімальне замовлення: 19

MJD148-QJ

Trans GP BJT NPN 45V 4A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD148-QJ

Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100

товар відсутній

MJD148-QJ

Bipolar Transistors - BJT MJD148-Q/SOT428/DPAK

на замовлення 2282 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.87 грн
11+	28.49 грн
100+	17.2 грн
500+	13.48 грн
1000+	10.96 грн
2500+	9.3 грн
10000+	8.57 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJD148J

Trans GP BJT NPN 45V 4A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD148J

Description: NEXPERIA - MJD148J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 1890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	34.28 грн
27+	28.32 грн
100+	18.26 грн
500+	13.35 грн
1000+	8.69 грн

Мінімальне замовлення: 22

MJD148J

Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.6 W

на замовлення 6096 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	32.33 грн
11+	26.92 грн
100+	18.72 грн
500+	13.71 грн
1000+	11.14 грн

Мінімальне замовлення: 9

MJD148J

Bipolar Transistors - BJT MJD148/SOT428/DPAK

на замовлення 2220 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	34.56 грн
11+	29.33 грн
100+	18.07 грн
500+	14.15 грн
1000+	11.23 грн
2500+	9.7 грн
10000+	9.03 грн

Мінімальне замовлення: 9

MJD148J

Description: NEXPERIA - MJD148J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4A
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 1890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.26 грн
500+	13.35 грн
1000+	8.69 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJD148J

Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.6 W

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	11.02 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD148J

Trans GP BJT NPN 45V 4A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD148T4G

Bipolar Transistors - BJT 4A 45V 20W NPN

на замовлення 6606 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	53.32 грн
10+	45.22 грн
100+	27.23 грн
500+	22.78 грн
1000+	19.4 грн
2500+	15.61 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD148T4G

Trans GP BJT NPN 45V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD148T4G

Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.75 W

на замовлення 282493 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	48.86 грн
10+	40.69 грн
100+	28.2 грн
500+	22.11 грн
1000+	18.82 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD148T4G

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD148T4G

Trans GP BJT NPN 45V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD148T4G

Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.75 W

на замовлення 280000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	18.55 грн
5000+	16.92 грн
12500+	15.67 грн
25000+	14.56 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD148T4G

Trans GP BJT NPN 45V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD148T4G*************

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD18002D2

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD18002D2T4

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD18002D2T4G

на замовлення 52900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD18002D2T4G

Description: TRANS NPN 450V 2A DPAK

товар відсутній

MJD18002D2T4G

Trans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD18002D2T4G

Description: TRANS NPN 450V 2A DPAK

товар відсутній

MJD18004D2T4G

на замовлення 52900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD20

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD200

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJD200

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK

товар відсутній

MJD200

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN

товар відсутній

MJD200

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD200-001

на замовлення 99 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD200-1

на замовлення 1782 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD200G

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

товар відсутній

MJD200G

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 799 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	50.35 грн
13+	44.38 грн
100+	34.03 грн
500+	25.94 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJD200G

07+;

на замовлення 215 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD200G

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN

на замовлення 7909 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	28.83 грн
12+	27.65 грн
75+	16.47 грн
525+	15.15 грн
1050+	13.68 грн
2700+	12.89 грн
5400+	12.75 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJD200G

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 675 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJD200G

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK

на замовлення 3701 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	51.02 грн
10+	43.32 грн
100+	33.21 грн
500+	24.63 грн
1000+	19.7 грн
2000+	17.86 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD200RLG

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK

на замовлення 1300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	51.02 грн
10+	43.45 грн
100+	33.3 грн
500+	24.7 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD200RLG

TO252

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD200RLG

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN

на замовлення 194 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	51.69 грн
10+	44.92 грн
100+	29.89 грн
500+	23.65 грн
1000+	18.93 грн
1800+	17.14 грн
3600+	16.14 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD200RLG

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD200RLG

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK

товар відсутній

MJD200RLG

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD200RLG

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD200T4

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN

товар відсутній

MJD200T4

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1202+	17.93 грн

Мінімальне замовлення: 1202

MJD200T4

TO-252

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD200T4

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK

товар відсутній

MJD200T4G

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD200T4G

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD200T4G

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD200T4G
Код товару: 132801

товар відсутній

MJD200T4G

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W

на замовлення 4601 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	44.55 грн
10+	36.6 грн
100+	27.34 грн
500+	20.16 грн
1000+	15.58 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD200T4G

на замовлення 6030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD200T4G

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN

на замовлення 6168 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	36.73 грн
11+	29.49 грн
100+	20.79 грн
500+	17.74 грн
1000+	13.82 грн
2500+	12.02 грн
10000+	11.29 грн

Мінімальне замовлення: 9

MJD200T4G

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.71 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD200T4G

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD200T4G

08+ QFP

на замовлення 360 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD200T4G*************

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD200T5G

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK

товар відсутній

MJD200T5G

TRANS PWR NPN 5A 25V DPAK

товар відсутній

MJD2055T4

на замовлення 6200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD210

FSC

0832+ LQFP48

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD210

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP

товар відсутній

MJD210

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD210

Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK

товар відсутній

MJD210

07+ TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD210-1

на замовлення 2072 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD210-TF

SAMSUNG

SOT-252

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD210G

Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK

на замовлення 119 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	45.27 грн
10+	38.19 грн
100+	29.29 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD210G

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

товар відсутній

MJD210G

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJD210G

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

товар відсутній

MJD210G

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.82 грн
10+	42.32 грн
75+	28.1 грн
525+	22.25 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD210G

Description: ONSEMI - MJD210G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 257 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	45.98 грн
34+	22.13 грн
100+	19.9 грн

Мінімальне замовлення: 17

MJD210G

MJD210G PNP SMD Darlington transistors

на замовлення 32 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	82.53 грн
41+	23.89 грн
112+	22.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJD210G
Код товару: 62981

товар відсутній

MJD210LT4

TO-252

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD210LT4

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD210LTO-251

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD210LTO-252T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD210RL

Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK

на замовлення 15900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1603+	13.63 грн

Мінімальне замовлення: 1603

MJD210RL

Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK

товар відсутній

MJD210RL

MOT

на замовлення 1550 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD210RLG

Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK

товар відсутній

MJD210RLG

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	45.36 грн
15+	39.29 грн
25+	37.84 грн
100+	28.48 грн
250+	26.08 грн
500+	20.79 грн
1000+	16.67 грн

Мінімальне замовлення: 13

MJD210RLG

на замовлення 18 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD210RLG

Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	48.14 грн
10+	40.41 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD210RLG

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	17.46 грн

Мінімальне замовлення: 1800

MJD210RLG

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJD210RLG

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP

на замовлення 1573 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	49.6 грн
10+	42.78 грн
100+	29.09 грн
250+	28.16 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD210T4

07+ TO-252

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD210T4

Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

802+	26.54 грн

Мінімальне замовлення: 802

MJD210T4

Description: ONSEMI - MJD210T4 - TRANSISTOR, PNP D-PAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

900+	39.27 грн

Мінімальне замовлення: 900

MJD210T4

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD210T4

TO-252

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD210T4/J210

на замовлення 13700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD210T4G

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJD210T4G

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD210T4G

Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W

на замовлення 66981 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	44.55 грн
10+	36.81 грн
100+	27.5 грн
500+	20.28 грн
1000+	15.67 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD210T4G
Код товару: 132802

товар відсутній

MJD210T4G

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP

на замовлення 11993 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	52.7 грн
10+	44.31 грн
100+	28.7 грн
500+	22.65 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD210T4G

Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W

на замовлення 65000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.05 грн
5000+	13.75 грн
12500+	12.77 грн
25000+	11.71 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD210T4G

07+;

на замовлення 9675 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD210T4G

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD210T4G*************

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD210TF

на замовлення 3014 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD210TF

Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial

на замовлення 1145 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

MJD210TF

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD210TF

Trans GP BJT PNP 25V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD210TF

Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR

на замовлення 14921 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1110+	20.22 грн

Мінімальне замовлення: 1110

MJD210TM

MJD210TM^FAIRCHILD

товар відсутній

MJD243
Код товару: 20318

Мікросхеми > Інші мікросхеми
8542 39 90 00

товар відсутній

MJD243

Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W

товар відсутній

MJD243

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD243

Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN

товар відсутній

MJD243G

Description: ONSEMI - MJD243G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 100 V, 4 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 1066 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	39.05 грн
75+	26.6 грн
150+	25.26 грн
525+	22.14 грн

Мінімальне замовлення: 20

MJD243G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 1807 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	58.95 грн
15+	39.86 грн
100+	39.46 грн
500+	29.4 грн
1000+	24.17 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJD243G

Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W

на замовлення 6458 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	60.36 грн
10+	47.33 грн
100+	36.8 грн
500+	29.27 грн
1000+	23.84 грн
2000+	22.45 грн
5000+	21.03 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD243G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 2700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

429+	27.16 грн
2550+	26.89 грн

Мінімальне замовлення: 429

MJD243G

Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN

на замовлення 7305 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.56 грн
10+	53.24 грн
75+	36 грн
525+	30.49 грн
1050+	24.84 грн
2550+	23.38 грн
4950+	22.32 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD243G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 1275 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJD243G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 2700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1650+	27.91 грн

Мінімальне замовлення: 1650

MJD243G
Код товару: 133000

товар відсутній

MJD243G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 1807 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

272+	42.93 грн
274+	42.49 грн
500+	32.84 грн
1000+	28.11 грн

Мінімальне замовлення: 272

MJD243G

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJD243T4

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD243T4

Description: TRANS PWR NPN 4A 100V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 12.5 W

товар відсутній

MJD243T4

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD243T4G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4598 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	50.64 грн
13+	44.7 грн
25+	43.84 грн
100+	32.18 грн
250+	29.5 грн
500+	22.6 грн
1000+	15.88 грн
3000+	15.77 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJD243T4G

Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 2544 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	57.08 грн
16+	47.47 грн
100+	29.96 грн
500+	23.25 грн

Мінімальне замовлення: 14

MJD243T4G
Код товару: 172041

товар відсутній

MJD243T4G

Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W

товар відсутній

MJD243T4G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD243T4G

Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN

на замовлення 13839 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	51.92 грн
10+	44.31 грн
100+	26.7 грн
500+	22.32 грн
1000+	18.4 грн
2500+	16.81 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD243T4G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	17.28 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD243T4G

Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 2544 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.96 грн
500+	23.25 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJD243T4G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4598 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

247+	47.21 грн
324+	35.94 грн
328+	35.59 грн
500+	27.39 грн
1000+	17.81 грн
3000+	16.98 грн

Мінімальне замовлення: 247

MJD243T4G

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD243T4G

Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W

на замовлення 2906 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	48.86 грн
10+	40.89 грн
100+	28.28 грн
500+	22.17 грн
1000+	18.87 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD243T4G*************

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD2474T4

на замовлення 3090 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD253

onsemi BIP DPAK PNP 4A 100V SL F

товар відсутній

MJD253

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD253
Код товару: 20319

Мікросхеми > Інші мікросхеми
8542 39 90 00

товар відсутній

MJD253-001

на замовлення 2913 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD253-001

Description: TRANS PNP 100V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W

товар відсутній

MJD253-1G

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

товар відсутній

MJD253-1G

на замовлення 464 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	48.86 грн
10+	40.89 грн
100+	28.28 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD253-1G
Код товару: 133001

товар відсутній

MJD253-1G

Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP

на замовлення 1068 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	46.11 грн
10+	38.73 грн
75+	26.11 грн
1050+	20.19 грн
2550+	14.08 грн
11550+	12.29 грн
26400+	11.62 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD253T4

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD253T4

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD253T4

Description: TRANS PWR PNP 4A 100V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 12.5 W

товар відсутній

MJD253T4G

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 110000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	12.38 грн
5000+	11.66 грн
12500+	11.65 грн
25000+	10.88 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD253T4G
Код товару: 172039

товар відсутній

MJD253T4G

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD253T4G

Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP

на замовлення 43208 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	28.13 грн
13+	24.6 грн
100+	16.54 грн
500+	14.02 грн
1000+	12.09 грн
2500+	10.5 грн
10000+	10.16 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJD253T4G

Description: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	12.59 грн
5000+	11.51 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD253T4G

Description: ONSEMI - MJD253T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 4470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	34.95 грн
25+	29.88 грн
100+	19.97 грн
500+	15.29 грн

Мінімальне замовлення: 22

MJD253T4G

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2131 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

612+	19.04 грн
693+	16.81 грн
700+	16.65 грн
750+	14.98 грн
1000+	12.45 грн

Мінімальне замовлення: 612

MJD253T4G

на замовлення 4470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.97 грн
500+	15.29 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJD253T4G

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2131 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	18.12 грн
33+	17.68 грн
100+	15.05 грн
250+	13.8 грн
500+	12.37 грн
1000+	11.09 грн

Мінімальне замовлення: 32

MJD253T4G

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD253T4G

Description: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W

на замовлення 11667 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	37.36 грн
10+	30.72 грн
100+	21.38 грн
500+	15.66 грн
1000+	12.73 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJD253T4G*************

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD2873-QJ

Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100

на замовлення 9557 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	31.62 грн
11+	26.22 грн
100+	18.19 грн
500+	13.33 грн
1000+	10.84 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJD2873-QJ

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 2A; 15W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 2A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 40...360
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

MJD2873-QJ

товар відсутній

MJD2873-QJ

Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	10.72 грн
5000+	9.8 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD2873-QJ

Bipolar Transistors - BJT MJD2873-Q/SOT428/DPAK

на замовлення 2618 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	36.42 грн
11+	30.4 грн
100+	19.73 грн
500+	15.48 грн

Мінімальне замовлення: 9

MJD2873J

Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W

на замовлення 1124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	29.46 грн
12+	24.22 грн
100+	18.09 грн
500+	13.34 грн
1000+	10.31 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJD2873J

Bipolar Transistors - BJT MJD2873/SOT428/DPAK

на замовлення 6745 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	32.78 грн
12+	27.58 грн
100+	17.93 грн
500+	14.08 грн
1000+	10.89 грн
2500+	9.9 грн
5000+	9.23 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJD2873J

Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W

товар відсутній

MJD2873Q-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K

на замовлення 2271 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.17 грн
12+	27.58 грн
100+	17.93 грн
500+	14.08 грн
1000+	11.23 грн
2500+	9.5 грн
10000+	8.57 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJD2873Q-13

Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.45 W

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	32.33 грн
11+	26.57 грн
100+	19.86 грн
500+	14.64 грн
1000+	11.32 грн

Мінімальне замовлення: 9

MJD2873Q-13

Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.45 W

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	11.42 грн
5000+	10.28 грн
12500+	9.58 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD2955

Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD2955

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD2955

Bipolar Transistors - Pre-Biased

товар відсутній

MJD2955

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

товар відсутній

MJD2955

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD2955

Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP

товар відсутній

MJD2955

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJD2955

07+ TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD2955-001

Description: TRANS PNP 60V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

на замовлення 6300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2219+	9.26 грн

Мінімальне замовлення: 2219

MJD2955-001

товар відсутній

MJD2955-001

Description: ONSEMI - MJD2955-001 - MJD2955-001, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 6300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2700+	9.84 грн

Мінімальне замовлення: 2700

MJD2955-1G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

товар відсутній

MJD2955-1G

на замовлення 42025 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

888+	22.5 грн

Мінімальне замовлення: 888

MJD2955-1G

Description: ONSEMI - MJD2955-1G - MJD2955-1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 42025 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1125+	24.52 грн

Мінімальне замовлення: 1125

MJD2955-1G

на замовлення 4080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD2955-1G

товар відсутній

MJD2955-T4

09+

на замовлення 2477 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD2955G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 1725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1725+	25.2 грн

Мінімальне замовлення: 1725

MJD2955G

на замовлення 3837 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.51 грн
75+	49.87 грн
150+	36.2 грн
525+	28.38 грн
1050+	24.16 грн
2025+	21.51 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD2955G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

товар відсутній

MJD2955G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	33.3 грн
22+	27.08 грн
100+	26.28 грн
500+	22.79 грн

Мінімальне замовлення: 18

MJD2955G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 1725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

303+	38.47 грн
375+	35.15 грн
750+	32.71 грн
1125+	29.75 грн

Мінімальне замовлення: 303

MJD2955G

Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP

на замовлення 225 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	58.36 грн
10+	52.33 грн
75+	32.68 грн
525+	26.04 грн
1050+	22.39 грн
1950+	20.79 грн
5850+	20.06 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD2955G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

товар відсутній

MJD2955G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 1975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	57.64 грн
16+	37.41 грн
100+	35.39 грн
500+	28.28 грн
1000+	23.2 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJD2955G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJD2955G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 1975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

289+	40.29 грн
306+	38.11 грн
500+	31.58 грн
1000+	26.98 грн

Мінімальне замовлення: 289

MJD2955G

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 5...100
Collector current: 10A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 20W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 200 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	60.81 грн
6+	49.15 грн
25+	45 грн
28+	34.29 грн
77+	32.38 грн
2025+	31.14 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD2955G

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	50.67 грн
9+	39.44 грн
25+	37.5 грн
28+	28.58 грн
77+	26.99 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJD2955RLG

Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 10A60V

товар відсутній

MJD2955RLG

10 A, 60 V PNP Bipolar Power Transistor

товар відсутній

MJD2955RLG

Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD2955RLG

10 A, 60 V PNP Bipolar Power Transistor

товар відсутній

MJD2955T4

Description: TRANS PWR PNP 10A 60V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W

товар відсутній

MJD2955T4

Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP

товар відсутній

MJD2955T4

Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W

товар відсутній

MJD2955T4

Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch

товар відсутній

MJD2955T4

Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W

товар відсутній

MJD2955T4

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJD2955T4

Trans GP BJT PNP 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD2955T4G

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	17.48 грн
5000+	15.94 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD2955T4G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD2955T4G

SOP8

на замовлення 100000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD2955T4G

Description: ONSEMI - MJD2955T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 1435 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	57.75 грн
16+	48.58 грн
100+	33.9 грн
500+	24.84 грн
1000+	18.39 грн

Мінімальне замовлення: 13

MJD2955T4G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	30.52 грн
5000+	27.89 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD2955T4G

Description: ONSEMI - MJD2955T4G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 172473 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1366+	26.08 грн

Мінімальне замовлення: 1366

MJD2955T4G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD2955T4G

Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP

на замовлення 7230 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	49.75 грн
10+	42.7 грн
100+	25.71 грн
500+	21.52 грн
1000+	18.27 грн
2500+	16.27 грн
5000+	15.34 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD2955T4G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD2955T4G

на замовлення 109930 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD2955T4G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	20.41 грн
5000+	18.57 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD2955T4G

Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

на замовлення 6441 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	45.99 грн
10+	38.4 грн
100+	26.57 грн
500+	20.84 грн
1000+	17.73 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD2955T4G

на замовлення 1435 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	33.9 грн
500+	24.84 грн
1000+	18.39 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJD2955T4G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	18.95 грн
5000+	17.25 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD2955TF

Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil

на замовлення 5535 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

MJD2955TF

Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

на замовлення 28000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1025+	19.05 грн

Мінімальне замовлення: 1025

MJD2955TF

Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD2955TF

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD2955TF

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJD2955TF

Description: TRANS PNP 60V 10A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

на замовлення 460746 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1025+	19.05 грн

Мінімальне замовлення: 1025

MJD2955TF

Description: ONSEMI - MJD2955TF - MJD2955TF, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 460746 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	17.73 грн

Мінімальне замовлення: 2000

MJD2955TF

товар відсутній

MJD2955VT4

на замовлення 6210 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD29C

07+ TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD29C

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD29CTF

на замовлення 980 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD29CTF

Description: TRANS NPN 100V 1A DPAK

товар відсутній

MJD3055

07+ TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD3055

Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD3055

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJD3055

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

товар відсутній

MJD3055

N/A

на замовлення 1721 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD3055

Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W NPN

товар відсутній

MJD3055

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD3055G

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	239.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJD3055G

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

товар відсутній

MJD3055G

товар відсутній

MJD3055G

Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W NPN

товар відсутній

MJD3055G

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

товар відсутній

MJD3055G

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD3055RLG

BIP DPAK NPN 10A 60V TR

товар відсутній

MJD3055RLG

Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD3055RLG

Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 10A 60V

на замовлення 8033 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	55.49 грн
10+	48.2 грн
100+	28.96 грн
500+	24.25 грн
1000+	22.32 грн
1800+	17.54 грн
3600+	17.34 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD3055RLG

Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

на замовлення 1775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	51.74 грн
10+	43.38 грн
100+	30.03 грн
500+	23.55 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD3055RLG

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD3055T4

Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch

на замовлення 4137 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	86.8 грн
10+	69.44 грн
100+	46.96 грн
500+	39.79 грн
1000+	33.15 грн
2500+	28.16 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJD3055T4

Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W

товар відсутній

MJD3055T4

Trans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD3055T4

Trans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD3055T4

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 5...100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2MHz
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

MJD3055T4

Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W

товар відсутній

MJD3055T4

Trans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD3055T4

товар відсутній

MJD3055T4

Trans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD3055T4

Description: TRANS PWR NPN 10A 60V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W

товар відсутній

MJD3055T4 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 171011

товар відсутній

MJD3055T4(G) (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 24067

товар відсутній

MJD3055T4G

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD3055T4G

Description: ONSEMI - MJD3055T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 359 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	40.91 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJD3055T4G

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	19.75 грн
5000+	18.02 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD3055T4G

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD3055T4G

Description: ONSEMI - MJD3055T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 5hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 359 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	60.36 грн
14+	53.35 грн
100+	40.91 грн

Мінімальне замовлення: 13

MJD3055T4G

Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W NPN

на замовлення 4282 шт:

термін постачання 126-135 дні (днів)

6+	55.49 грн
10+	48.89 грн
100+	28.96 грн
500+	24.25 грн
1000+	20.66 грн
2500+	18.67 грн
5000+	18.27 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD3055T4G

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD3055T4G

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD3055T4G

на замовлення 11489 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	51.74 грн
10+	43.38 грн
100+	30.03 грн
500+	23.55 грн
1000+	20.04 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD3055T4G*************

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD3055TF

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD3055TF

Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD3055TF

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

на замовлення 9881 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

MJD3055TF

на замовлення 38000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD3055TF

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD3055TF

Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD3055TF

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJD30CTF

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD31

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD31

Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 40V TR

товар відсутній

MJD31B

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD31BT4

TO-252

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD31BT4

07+ TO-252

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD31C

YZPST

Transistor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP; MJD31C YZPST TMJD31c YZP
кількість в упаковці: 75 шт

на замовлення 105 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

75+	10.58 грн

Мінімальне замовлення: 75

MJD31C

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

товар відсутній

MJD31C

Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch

товар відсутній

MJD31C

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD31C

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

товар відсутній

MJD31C

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

товар відсутній

MJD31C

07+ TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD31C

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN

товар відсутній

MJD31C-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

на замовлення 456 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	28.68 грн
24+	24.76 грн
25+	24.53 грн
100+	17.28 грн
250+	7.05 грн

Мінімальне замовлення: 21

MJD31C-13

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	10.57 грн
5000+	9.66 грн
12500+	8.97 грн
25000+	8.22 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD31C-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	8.04 грн
5000+	7.71 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD31C-13

Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 1490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.38 грн
500+	19.24 грн
1000+	12.52 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJD31C-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

на замовлення 456 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

441+	26.42 грн

Мінімальне замовлення: 441

MJD31C-13

Bipolar Transistors - BJT 100V 5A NPN SMT

на замовлення 2684 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.87 грн
11+	28.72 грн
100+	17.34 грн
500+	13.62 грн
1000+	11.89 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJD31C-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

товар відсутній

MJD31C-13

на замовлення 1490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	46.87 грн
20+	39.12 грн
100+	26.38 грн
500+	19.24 грн
1000+	12.52 грн

Мінімальне замовлення: 16

MJD31C-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

товар відсутній

MJD31C-13

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

на замовлення 36407 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.9 грн
11+	25.81 грн
100+	17.93 грн
500+	13.14 грн
1000+	10.68 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJD31C-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	7.47 грн
5000+	7.16 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD31C-ITU

на замовлення 20150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD31C-TP

Bipolar Transistors - BJT Power Transistor

товар відсутній

MJD31C-TP

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD31C-TP

Description: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W

товар відсутній

MJD31C1

Description: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

товар відсутній

MJD31C1G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

товар відсутній

MJD31C1G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

товар відсутній

MJD31C1G

товар відсутній

MJD31C1G

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN

товар відсутній

MJD31C1G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

товар відсутній

MJD31CAJ

Description: MJD31CA/SOT428/DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	11.67 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD31CAJ

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD31CAJ

Bipolar Transistors - BJT MJD31CA/SOT428/DPAK

на замовлення 61771 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	29.53 грн
12+	26.81 грн
100+	16.47 грн
500+	12.95 грн
1000+	10.89 грн
2500+	9.17 грн
10000+	9.1 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJD31CAJ

Description: NEXPERIA - MJD31CAJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 1537 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.48 грн
500+	13.49 грн
1000+	11.05 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJD31CAJ

100 V, 3 A NPN high power bipolar transistor

товар відсутній

MJD31CAJ

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD31CAJ

Description: MJD31CA/SOT428/DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5699 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	34.49 грн
10+	28.51 грн
100+	19.81 грн
500+	14.52 грн
1000+	11.8 грн

Мінімальне замовлення: 9

MJD31CAJ

на замовлення 1537 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	32.56 грн
27+	27.79 грн
100+	18.48 грн
500+	13.49 грн
1000+	11.05 грн

Мінімальне замовлення: 23

MJD31CEITU

Description: ONSEMI - MJD31CEITU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2857 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJD31CEITU

NPN GP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR

товар відсутній

MJD31CEITU

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

на замовлення 3857 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

952+	21.23 грн

Мінімальне замовлення: 952

MJD31CETF

Description: TRANS NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete

товар відсутній

MJD31CETF

NPN GP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR

товар відсутній

MJD31CG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

товар відсутній

MJD31CG

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube

на замовлення 387 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	49.4 грн
10+	40.76 грн
26+	31.69 грн
70+	29.96 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJD31CG

на замовлення 387 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	59.29 грн
10+	50.79 грн
26+	38.03 грн
70+	35.95 грн
750+	34.54 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD31CG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 2467 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

213+	54.7 грн
309+	37.8 грн
525+	31.81 грн
1050+	26.94 грн

Мінімальне замовлення: 213

MJD31CG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 2467 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	23.79 грн

Мінімальне замовлення: 14

MJD31CG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

товар відсутній

MJD31CG

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	57.48 грн
75+	44.72 грн
150+	35.44 грн
525+	28.19 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD31CG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 2467 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	53.21 грн
12+	50.93 грн
75+	35.2 грн
525+	28.56 грн
1050+	23.23 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJD31CG

Description: ONSEMI - MJD31CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 15W
euEccn: NLR
hazardous: false
Übergangsfrequenz: 3MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 3A

на замовлення 4212 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	64.23 грн
22+	34.5 грн
100+	31.74 грн
500+	26.92 грн
1000+	23.76 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJD31CG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

товар відсутній

MJD31CG
Код товару: 117657

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товар відсутній

MJD31CG

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN

на замовлення 8456 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	56.19 грн
10+	49.65 грн
75+	29.56 грн
525+	24.84 грн
1050+	23.58 грн
2550+	22.25 грн
3375+	21.39 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD31CH-13

Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 60V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W

товар відсутній

MJD31CH-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K

товар відсутній

MJD31CH-13

Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K

товар відсутній

MJD31CH-QJ

Bipolar Transistors - BJT MJD31CH-Q/SOT428/DPAK

товар відсутній

MJD31CH-QJ

Description: BJT - MJD SERIES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 6V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1670 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	34.49 грн
10+	28.3 грн
100+	19.66 грн
500+	14.41 грн
1000+	11.71 грн

Мінімальне замовлення: 9

MJD31CH-QJ

Description: BJT - MJD SERIES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 6V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

MJD31CH-QJ

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD31CHE3-TP

Description: NPN TRANSISTORS, DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	21.01 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD31CHE3-TP

MJD31CHE3-TP

товар відсутній

MJD31CHE3-TP

Description: NPN TRANSISTORS, DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4845 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.33 грн
10+	46.15 грн
100+	31.95 грн
500+	25.05 грн
1000+	21.32 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD31CHE3-TP

Bipolar Transistors - BJT Power Transistor

товар відсутній

MJD31CHQ-13

100V NPN Medium Power Transistor In To252

товар відсутній

MJD31CHQ-13

Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 500µA, 50mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	11.86 грн
5000+	10.84 грн
12500+	10.07 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD31CHQ-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K

на замовлення 2312 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.21 грн
10+	32.31 грн
100+	20.99 грн
500+	16.47 грн
1000+	13.15 грн
2500+	11.09 грн
10000+	10.1 грн

Мінімальне замовлення: 9

MJD31CHQ-13

100V NPN Medium Power Transistor In To252 Automotive AEC-Q101

товар відсутній

MJD31CHQ-13

Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 500µA, 50mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14674 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	35.21 грн
10+	28.92 грн
100+	20.14 грн
500+	14.75 грн
1000+	11.99 грн

Мінімальне замовлення: 9

MJD31CITU

Description: ONSEMI - MJD31CITU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 60438 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5040+	15.35 грн

Мінімальне замовлення: 5040

MJD31CITU

Description: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

на замовлення 60438 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1480+	13.27 грн

Мінімальне замовлення: 1480

MJD31CITU

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

товар відсутній

MJD31CITU

Description: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

товар відсутній

MJD31CJ

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 14161 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	28.52 грн
25+	23.89 грн
100+	12.88 грн
1000+	10.01 грн
2500+	7.69 грн
10000+	6.96 грн

Мінімальне замовлення: 21

MJD31CJ

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W

на замовлення 8539 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	27.3 грн
13+	22.14 грн
100+	15.41 грн
500+	11.29 грн
1000+	9.18 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJD31CJ

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 14161 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

453+	25.73 грн
840+	13.87 грн
1041+	11.18 грн
2500+	8.94 грн
10000+	7.8 грн

Мінімальне замовлення: 453

MJD31CJ

100 V, 3 A NPN high power bipolar transistor

товар відсутній

MJD31CJ

Description: NEXPERIA - MJD31CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 3049 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	14.01 грн
500+	11.83 грн
1000+	9.77 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJD31CJ

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	9.08 грн
5000+	8.3 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD31CJ

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	29.77 грн
25+	29.65 грн
50+	28.47 грн
100+	26.26 грн
250+	25.11 грн
500+	25 грн
1000+	24.9 грн
3000+	24.79 грн

Мінімальне замовлення: 20

MJD31CJ

NXP

Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK MJD31CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD31CJ
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

40+	14.78 грн

Мінімальне замовлення: 40

MJD31CJ

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

367+	31.8 грн
368+	31.68 грн
370+	31.54 грн
500+	30.29 грн
1000+	27.93 грн
3000+	26.7 грн
6000+	26.59 грн

Мінімальне замовлення: 367

MJD31CJ

на замовлення 3049 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	28.91 грн
50+	21.46 грн
100+	14.01 грн
500+	11.83 грн
1000+	9.77 грн

Мінімальне замовлення: 26

MJD31CJ

Bipolar Transistors - BJT MJD31C/SOT428/DPAK

на замовлення 10976 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	29.53 грн
13+	24.67 грн
100+	11.69 грн
1000+	9.5 грн
2500+	7.97 грн
10000+	7.71 грн
25000+	7.24 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJD31CQ-13

Description: DIODES INC. - MJD31CQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 2348 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	48.36 грн
19+	40.83 грн
100+	25.48 грн
500+	19.79 грн
1000+	12.52 грн

Мінімальне замовлення: 16

MJD31CQ-13

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12846 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.24 грн
10+	33.97 грн
100+	23.52 грн
500+	18.44 грн
1000+	15.7 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJD31CQ-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

товар відсутній

MJD31CQ-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

на замовлення 6283 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.94 грн
10+	37.81 грн
100+	22.72 грн
500+	19 грн
1000+	16.21 грн
2500+	13.02 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJD31CQ-13

на замовлення 2348 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.48 грн
500+	19.79 грн
1000+	12.52 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJD31CQ-13

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJD31CQ-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

товар відсутній

MJD31CQ-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.72 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD31CRL

SOT252/2.5

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD31CRL

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

товар відсутній

MJD31CRLG

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	62 грн
10+	50.57 грн
100+	31.69 грн
500+	27.1 грн
1000+	24.31 грн
1800+	22.72 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD31CRLG

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

на замовлення 13267 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	57.48 грн
10+	45.53 грн
100+	35.43 грн
500+	28.19 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD31CRLG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD31CRLG

Description: ONSEMI - MJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJD31CRLG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD31CRLG

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

на замовлення 12600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	25.41 грн
3600+	23.03 грн
5400+	21.94 грн
9000+	19.64 грн

Мінімальне замовлення: 1800

MJD31CRLG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD31CRLG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	23.61 грн

Мінімальне замовлення: 1800

MJD31CRLG

Description: ONSEMI - MJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJD31CS-TP

Description: TRANSISTOR NPN DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)

товар відсутній

MJD31CS-TP

MJD31CS-TP

товар відсутній

MJD31CS-TP

Bipolar Transistors - BJT TRANSISTOR NPN DPAK

товар відсутній

MJD31CS-TP

Description: TRANSISTOR NPN DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

MJD31CS-TP

MJD31CS-TP

товар відсутній

MJD31CT4

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	9.38 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD31CT4

Description: TRANS PWR NPN 3A 100V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

товар відсутній

MJD31CT4

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD31CT4

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD31CT4

Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch

на замовлення 1329 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.34 грн
10+	56.76 грн
100+	34.14 грн
500+	28.56 грн
1000+	24.31 грн
2500+	20.92 грн
5000+	20.46 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD31CT4

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	10.8 грн
5000+	10.69 грн
10000+	10.59 грн
12500+	10.11 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD31CT4

Description: STMICROELECTRONICS - MJD31CT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 3749 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	76.01 грн
12+	63.34 грн
100+	39.87 грн
500+	30.93 грн
1000+	21.21 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJD31CT4

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

на замовлення 12005 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	61.08 грн
10+	51.06 грн
100+	35.32 грн
500+	27.7 грн
1000+	23.57 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD31CT4

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD31CT4

на замовлення 1901 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

12+	22.35 грн
25+	19.4 грн
67+	14.36 грн
184+	13.62 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJD31CT4

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD31CT4

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	11.6 грн
5000+	11.48 грн
10000+	11.37 грн
12500+	10.85 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD31CT4

на замовлення 1901 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

20+	18.63 грн
25+	15.57 грн
67+	11.97 грн
184+	11.35 грн

Мінімальне замовлення: 20

MJD31CT4

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD31CT4

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	23.23 грн
5000+	21.2 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD31CT4

STMicroelectronics NV

Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch

на замовлення 29 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

MJD31CT4-A

Description: STMICROELECTRONICS - MJD31CT4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 1986 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	82.71 грн
12+	64.83 грн
100+	46.8 грн
500+	36.81 грн
1000+	26 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJD31CT4-A

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD31CT4-A

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJD31CT4-A

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

MJD31CT4-A

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

на замовлення 3017 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.42 грн
10+	55.49 грн
100+	43.14 грн
500+	34.31 грн
1000+	27.95 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD31CT4-A

товар відсутній

MJD31CT4-A

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD31CT4-A

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	47.07 грн
14+	42.91 грн
25+	30.03 грн

Мінімальне замовлення: 13

MJD31CT4-A

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	29.12 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD31CT4-A

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	32.02 грн
5000+	29.59 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD31CT4-A

Bipolar Transistors - BJT LO VLT NPN PWR TRANS

на замовлення 4378 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.6 грн
10+	57.6 грн
100+	38.59 грн
500+	33.61 грн
1000+	28.76 грн
2500+	27.04 грн
5000+	25.57 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD31CT4-A

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	29.74 грн
5000+	27.48 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD31CT4G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	24.92 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD31CT4G

Description: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 12566 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.53 грн
500+	19.37 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJD31CT4G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD31CT4G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.94 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD31CT4G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 3576 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	42.03 грн
17+	35.79 грн
36+	16.45 грн
100+	15.7 грн
250+	14.4 грн
500+	13.69 грн
1000+	12.44 грн
3000+	11.24 грн

Мінімальне замовлення: 14

MJD31CT4G

ON-Semicoductor

Darl. NPN 3A 100V 1.55W MJD31CRLG(T&R), MJD31CT4G(T&R), MJD31CG(Tube) MJD31CG ONS TMJD31c ONS
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	13.64 грн

Мінімальне замовлення: 50

MJD31CT4G

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN

на замовлення 1225 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.24 грн
10+	36.44 грн
100+	22.78 грн
500+	18.4 грн
1000+	14.75 грн
2500+	12.82 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJD31CT4G

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

на замовлення 1205 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.52 грн
10+	32.73 грн
100+	22.75 грн
500+	16.67 грн
1000+	13.55 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJD31CT4G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 3576 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

658+	17.71 грн
665+	17.53 грн
671+	17.36 грн
677+	16.59 грн
1000+	13.96 грн
3000+	12.11 грн

Мінімальне замовлення: 658

MJD31CT4G

на замовлення 12566 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	46.87 грн
19+	39.42 грн
100+	26.53 грн
500+	19.37 грн

Мінімальне замовлення: 16

MJD31CT4G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	12.32 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD31CT4G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	13.59 грн

Мінімальне замовлення: 5000

MJD31CT4G

товар відсутній

MJD31CT4G

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

товар відсутній

MJD31CT4G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD31CT4G

товар відсутній

MJD31CT4GMJD32CG

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD31CTF

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

MJD31CTF

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

товар відсутній

MJD31CTF

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD31CTF

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

товар відсутній

MJD31CTF

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD31CTF-FS

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

товар відсутній

MJD31CTF_NBDD001

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

товар відсутній

MJD31CTF_SBDD001A

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

товар відсутній

MJD31CUQ-13

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

MJD31CUQ-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD31CUQ-13

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	43.83 грн
10+	36.67 грн
100+	25.41 грн
500+	19.92 грн
1000+	16.96 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD31CUQ-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor TO252 T&R 2.5K

на замовлення 1695 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.58 грн
10+	40.79 грн
100+	24.58 грн
500+	20.59 грн
1000+	17.47 грн
2500+	15.48 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD31CUQ-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 2600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 92500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.98 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD31G

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJD31T4

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD31T4

Description: TRANS POWER NPN 3A 40V DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1401+	14.28 грн

Мінімальне замовлення: 1401

MJD31T4

Description: ONSEMI - MJD31T4 - MJD31T4, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.5 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD31T4/J31

на замовлення 33050 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD31T4G

Trans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD31T4G

Trans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD31T4G

на замовлення 3784 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD31T4G

Description: TRANS NPN 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W

на замовлення 3749 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	57.48 грн
10+	45.11 грн
100+	35.1 грн
500+	27.93 грн
1000+	22.75 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD31T4G

Trans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD31T4G

Trans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJD31T4G

Description: TRANS NPN 40V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	23.7 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD31T4G

Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W NPN

на замовлення 5727 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	62 грн
10+	50.57 грн
100+	34.21 грн
500+	29.03 грн
1000+	23.58 грн
2500+	20.99 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD32

Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 40V TR

товар відсутній

MJD32

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD32B

TO-252

на замовлення 2650 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD32BT4

07+ TO-252

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD32BT4

TO-252

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD32C

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

товар відсутній

MJD32C

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP

товар відсутній

MJD32C

07+ TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD32C
Код товару: 191777

товар відсутній

MJD32C

MOT

SOT252/2.5

на замовлення 5900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD32C

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

товар відсутній

MJD32C

Bipolar Transistors - BJT PNP TRANS 100V 3A

товар відсутній

MJD32C

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD32C-13

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; DPAK,TO252
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Case: DPAK; TO252
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

MJD32C-13

Description: TRANS PNP 100V 3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

на замовлення 2470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.52 грн
10+	32.18 грн
100+	22.36 грн
500+	16.39 грн
1000+	13.32 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJD32C-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32C-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32C-13

Bipolar Transistors - BJT 100V 3A PNP SMT

на замовлення 2492 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.24 грн
10+	36.21 грн
100+	21.92 грн
500+	17.14 грн
1000+	13.88 грн
2500+	11.23 грн
10000+	10.89 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJD32C-13

товар відсутній

MJD32C-13

Description: TRANS PNP 100V 3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

товар відсутній

MJD32C-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 277500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.1 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD32C-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32C-TP

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W

на замовлення 86 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	49.58 грн
10+	41.38 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD32C-TP

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32C-TP

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32C-TP

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W

товар відсутній

MJD32C-TP

Bipolar Transistors - BJT TRANS PNP 100V 3A DPAK

на замовлення 99 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	54.79 грн
10+	46.6 грн
100+	28.1 грн
500+	23.45 грн
1000+	19.99 грн
2500+	17.6 грн
5000+	16.61 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD32C/J32C

MOTO

на замовлення 1240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD32C1

на замовлення 17070 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD32C1

Description: ONSEMI - MJD32C1 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 7900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1725+	14.16 грн

Мінімальне замовлення: 1725

MJD32C1

Description: TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 7900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1401+	13.76 грн

Мінімальне замовлення: 1401

MJD32CA

Description: NEXPERIA - MJD32CA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.37 грн
500+	14.05 грн
1000+	10.54 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJD32CA

на замовлення 1725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	31.82 грн
27+	27.87 грн
100+	19.37 грн
500+	14.05 грн
1000+	10.54 грн

Мінімальне замовлення: 24

MJD32CAJ

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

MJD32CAJ

100 V, 3 A PNP high power bipolar transistor

товар відсутній

MJD32CAJ
Код товару: 191470

товар відсутній

MJD32CAJ

Description: MJD32CA/SOT428/DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 11498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	34.49 грн
10+	28.51 грн
100+	19.81 грн
500+	14.52 грн
1000+	11.8 грн

Мінімальне замовлення: 9

MJD32CAJ

Bipolar Transistors - BJT MJD32CA/SOT428/DPAK

на замовлення 6565 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	29.53 грн
13+	25.44 грн
100+	16.47 грн
500+	12.95 грн
1000+	10.16 грн
2500+	9.57 грн
10000+	8.9 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJD32CAJ

Description: MJD32CA/SOT428/DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	11.67 грн
5000+	10.67 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD32CAJ

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

MJD32CG

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP

на замовлення 5944 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	53.32 грн
10+	50.57 грн
75+	27.1 грн
525+	23.18 грн
1050+	17.8 грн
2550+	17.67 грн
5025+	16.81 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD32CG

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 15W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: DPAK

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	37.48 грн
25+	31.28 грн
34+	23.93 грн
92+	22.62 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJD32CG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 595 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	48.23 грн
75+	30.65 грн
525+	25.47 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJD32CG

Description: ONSEMI - MJD32CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 15W
euEccn: NLR
hazardous: false
Übergangsfrequenz: 3MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 3A

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	59.84 грн
25+	31 грн

Мінімальне замовлення: 13

MJD32CG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 595 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

225+	51.94 грн
353+	33.01 грн
525+	28.45 грн

Мінімальне замовлення: 225

MJD32CG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 1311 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	18.21 грн

Мінімальне замовлення: 18

MJD32CG
Код товару: 117659

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товар відсутній

MJD32CG

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

на замовлення 18554 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	50.3 грн
75+	40.03 грн
150+	29.06 грн
525+	22.78 грн
1050+	19.39 грн
2025+	17.27 грн
5025+	16.09 грн
10050+	14.9 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD32CG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 1311 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	52.58 грн
75+	33.7 грн
525+	27.76 грн
1050+	19.74 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJD32CG

на замовлення 98 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

6+	44.98 грн
25+	38.97 грн
34+	28.71 грн
92+	27.14 грн
1200+	26.16 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD32CG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 1298 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

316+	36.88 грн

Мінімальне замовлення: 316

MJD32CHE3-TP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJD32CJ

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32CJ

100 V, 3 A PNP high power bipolar transistor

товар відсутній

MJD32CJ

Bipolar Transistors - BJT MJD32C/SOT428/DPAK

на замовлення 9795 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	30.3 грн
13+	25.21 грн
100+	11.89 грн
1000+	9.17 грн
2500+	7.51 грн
10000+	7.44 грн
25000+	6.84 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJD32CJ

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	9.29 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD32CJ

Description: NEXPERIA - MJD32CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3747 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	38.75 грн
24+	32.19 грн
100+	21.54 грн
500+	15.78 грн
1000+	11.24 грн
2500+	10.22 грн

Мінімальне замовлення: 20

MJD32CJ

NXP

Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK MJD32CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD32CJ
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

40+	13.88 грн

Мінімальне замовлення: 40

MJD32CJ

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32CJ

на замовлення 3747 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.54 грн
500+	15.78 грн
1000+	11.24 грн
2500+	10.22 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJD32CJ

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W

на замовлення 4703 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	28.02 грн
13+	22.7 грн
100+	15.77 грн
500+	11.55 грн
1000+	9.39 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJD32CQ-13

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

MJD32CQ-13

Description: TRANS PNP 100V 3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

на замовлення 2314 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.24 грн
10+	33.56 грн
100+	23.22 грн
500+	18.21 грн
1000+	15.5 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJD32CQ-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

товар відсутній

MJD32CQ-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

на замовлення 37500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.47 грн
5000+	16.09 грн
10000+	15.86 грн
12500+	14.84 грн
25000+	13.31 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD32CQ-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

на замовлення 843 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

634+	18.37 грн
718+	16.22 грн
725+	16.06 грн

Мінімальне замовлення: 634

MJD32CQ-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	11.31 грн

Мінімальне замовлення: 28

MJD32CQ-13

Description: TRANS PNP 100V 3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

товар відсутній

MJD32CQ-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

на замовлення 37500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.19 грн
5000+	14.84 грн
10000+	14.62 грн
12500+	13.69 грн
25000+	12.28 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD32CQ-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

на замовлення 285000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.72 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD32CQ-13

товар відсутній

MJD32CQ-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

на замовлення 843 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	18.2 грн
34+	17.06 грн
100+	14.53 грн
250+	13.31 грн
500+	10.33 грн

Мінімальне замовлення: 32

MJD32CQ-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	10.31 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD32CQ-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

на замовлення 2108 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	30.3 грн
12+	26.51 грн
100+	17.34 грн
500+	14.35 грн
1000+	13.22 грн
2500+	13.02 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJD32CQ-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	23.6 грн
27+	21.51 грн
100+	17.46 грн
500+	14.46 грн
1000+	12.54 грн

Мінімальне замовлення: 25

MJD32CR

на замовлення 180 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD32CRL

MOTOROLA

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD32CRL

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

товар відсутній

MJD32CRLG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

353+	33.06 грн
356+	32.72 грн
360+	32.4 грн
363+	30.93 грн
500+	27.7 грн
1000+	24.95 грн
3000+	23.31 грн

Мінімальне замовлення: 353

MJD32CRLG

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

товар відсутній

MJD32CRLG

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP

на замовлення 2991 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.52 грн
10+	48.28 грн
100+	33.55 грн
500+	28.56 грн
1000+	27.1 грн
1800+	23.32 грн
3600+	21.12 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD32CRLG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32CRLG

на замовлення 340 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD32CRLG

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

на замовлення 1810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.77 грн
10+	44.91 грн
100+	34.92 грн
500+	27.78 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD32CRLG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	30.7 грн
25+	30.39 грн
100+	29.01 грн
250+	26.6 грн
500+	24.69 грн
1000+	23.17 грн
3000+	21.65 грн

Мінімальне замовлення: 19

MJD32CRLG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32CT4

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

товар відсутній

MJD32CT4

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32CT4
Код товару: 113107

товар відсутній

MJD32CT4

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32CT4

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape

на замовлення 9998 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	42.47 грн
10+	36.12 грн
25+	29.89 грн
70+	11.42 грн
193+	10.79 грн

Мінімальне замовлення: 9

MJD32CT4

на замовлення 9998 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

6+	47.17 грн
10+	43.34 грн
25+	35.87 грн
70+	13.7 грн
193+	12.95 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD32CT4

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 62500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.63 грн
5000+	14.83 грн
10000+	14.04 грн
25000+	13.39 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD32CT4

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

товар відсутній

MJD32CT4

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 62510 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	7.98 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD32CT4

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32CT4

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 62500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.94 грн
5000+	16.08 грн
10000+	15.22 грн
25000+	14.51 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD32CT4

Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch

на замовлення 8217 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.15 грн
10+	43.08 грн
100+	25.97 грн
500+	21.65 грн
1000+	18.93 грн
2500+	16.01 грн
5000+	15.54 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD32CT4-A

товар відсутній

MJD32CT4-A

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32CT4-A

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32CT4-A

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

на замовлення 4805 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	42.39 грн
10+	35.63 грн
100+	24.7 грн
500+	19.37 грн
1000+	16.48 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD32CT4-A

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32CT4-A

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 9880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

694+	16.79 грн
698+	16.69 грн
728+	16.01 грн
1000+	15.25 грн

Мінімальне замовлення: 694

MJD32CT4-A

Bipolar Transistors - BJT LO PWR PNP PW TRANS

на замовлення 12126 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	46.11 грн
10+	39.65 грн
100+	23.91 грн
500+	19.93 грн
1000+	17.01 грн
2500+	15.48 грн
5000+	14.61 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD32CT4-A

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32CT4-A

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.24 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD32CT4-A

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32CT4-A
Код товару: 132425

товар відсутній

MJD32CT4-A

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJD32CT4-A

товар відсутній

MJD32CT4-A

Description: STMICROELECTRONICS - MJD32CT4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	93.89 грн
10+	78.24 грн
100+	57.08 грн
500+	43.8 грн
1000+	32 грн
2500+	30.21 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJD32CT4G

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32CT4G

Description: ONSEMI - MJD32CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	49.63 грн
18+	42.33 грн
100+	29.36 грн
500+	21.59 грн
1000+	16.1 грн

Мінімальне замовлення: 16

MJD32CT4G

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP

на замовлення 3973 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.24 грн
10+	32.31 грн
100+	21.92 грн
500+	18.27 грн
1000+	15.88 грн
2500+	14.08 грн
5000+	13.35 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJD32CT4G

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 27500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	17.22 грн
5000+	16.7 грн
10000+	14.93 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD32CT4G

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

на замовлення 13610 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.52 грн
10+	33.28 грн
100+	23.06 грн
500+	18.08 грн
1000+	15.39 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJD32CT4G

товар відсутній

MJD32CT4G

Description: ONSEMI - MJD32CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: true
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.36 грн
500+	21.59 грн
1000+	16.1 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJD32CT4G

товар відсутній

MJD32CT4G

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	42.26 грн

Мінімальне замовлення: 14

MJD32CT4G

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 27500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.88 грн
5000+	15.41 грн
10000+	13.77 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD32CT4G

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.16 грн
5000+	13.83 грн
12500+	12.81 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD32CT4G

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 27500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	14.41 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD32CTF

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

товар відсутній

MJD32CTF

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32CTF

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32CTF

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

товар відсутній

MJD32CTF

Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil

на замовлення 1297 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

MJD32CTF

Description: ONSEMI - MJD32CTF - TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -100V, TO-252-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1833 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJD32CTF-ON

Description: TRANS PNP 100V 3A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

товар відсутній

MJD32CTF_NBDD002

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

товар відсутній

MJD32CTF_SBDD002

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

MJD32CTM

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

товар відсутній

MJD32CTM

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32CTM

Bipolar Transistors - BJT PNP 100V 1A Epitaxial

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

MJD32CTM

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

товар відсутній

MJD32CUQ-13

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 5A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry

товар відсутній

MJD32CUQ-13

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 5A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

MJD32CUQ-13

Description: TRANS PNP 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 19934 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	38.08 грн
10+	31 грн
100+	21.54 грн
500+	15.78 грн
1000+	12.83 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJD32CUQ-13

Description: DIODES INC. - MJD32CUQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.6 грн
500+	19.51 грн
1000+	13.92 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJD32CUQ-13

100V PNP High Voltage Transistor in TO252 Automotive AEC-Q101

на замовлення 105000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	12.61 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD32CUQ-13

Description: TRANS PNP 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	12.69 грн
5000+	11.6 грн
12500+	10.77 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD32CUQ-13

100V PNP High Voltage Transistor in TO252

товар відсутній

MJD32CUQ-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor TO252 T&R 2.5K

на замовлення 2627 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.77 грн
10+	34.91 грн
100+	21.12 грн
500+	16.47 грн
1000+	13.42 грн
2500+	12.55 грн
10000+	11.49 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJD32CUQ-13

на замовлення 1999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	48.29 грн
19+	39.72 грн
100+	26.6 грн
500+	19.51 грн
1000+	13.92 грн

Мінімальне замовлення: 16

MJD32G

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJD32RL

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD32RLG

Description: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W

на замовлення 5400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	51.74 грн
10+	43.66 грн
100+	33.46 грн
500+	24.82 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD32RLG

Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W PNP

на замовлення 1817 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	53.94 грн
10+	46.22 грн
100+	30.82 грн
500+	24.38 грн
1000+	21.26 грн
1800+	16.14 грн
9000+	15.48 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD32RLG

Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	72.37 грн

Мінімальне замовлення: 1800

MJD32RLG

Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32RLG

Description: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W

на замовлення 5400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	21.97 грн
3600+	19.17 грн
5400+	17.85 грн

Мінімальне замовлення: 1800

MJD32RLG

Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	77.94 грн

Мінімальне замовлення: 1800

MJD32RLG

Description: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W

на замовлення 30600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1249+	17.25 грн

Мінімальне замовлення: 1249

MJD32T4

на замовлення 1661 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD32T4

Description: ONSEMI - MJD32T4 - MJD32T4, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 12091 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1690+	17.88 грн

Мінімальне замовлення: 1690

MJD32T4

Description: TRANS POWER PNP 3A 40V DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W

на замовлення 12091 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1519+	14.37 грн

Мінімальне замовлення: 1519

MJD32T4G

Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32T4G

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	26.97 грн
5000+	24.67 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD32T4G

Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32T4G

Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJD32T4G

Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W PNP

на замовлення 44 шт:

термін постачання 315-324 дні (днів)

6+	58.28 грн
10+	56.83 грн
100+	35.54 грн
500+	29.76 грн
1000+	24.11 грн
2500+	21.79 грн
10000+	20.79 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD32T4G

на замовлення 10737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.23 грн
10+	54.73 грн
100+	42.66 грн
500+	33.07 грн
1000+	26.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD32T4G

Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32T4G

Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD340

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD340

Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W NPN

товар відсутній

MJD340

Description: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W

товар відсутній

MJD340

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD340

TO-252

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD340

07+ TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD340

товар відсутній

MJD340 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 51390

Fairchild

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: D-Pak
Uceo,V: 300 V
Ucbo,V: 300 V
Ic,A: 0,5 A
h21: 240

товар відсутній

MJD340-13

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	11.63 грн
5000+	11.01 грн
10000+	10.9 грн
12500+	10.4 грн
25000+	9.54 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD340-13

Description: DIODES INC. - MJD340-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.09 грн
500+	20.48 грн
1000+	14.63 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJD340-13

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD340-13

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD340-13

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD340-13

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	12.53 грн
5000+	11.85 грн
10000+	11.74 грн
12500+	11.2 грн
25000+	10.27 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD340-13

Description: TRANS NPN 300V 0.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W

товар відсутній

MJD340-13

Description: DIODES INC. - MJD340-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 30
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	44.11 грн
20+	37.63 грн
100+	28.09 грн
500+	20.48 грн
1000+	14.63 грн

Мінімальне замовлення: 17

MJD340-13

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD340-13

Bipolar Transistors - BJT HIGH VOLTAGE NPN SMT

на замовлення 8020 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	42.55 грн
10+	36.21 грн
100+	21.92 грн
500+	17.14 грн
1000+	13.88 грн
2500+	11.16 грн
10000+	10.96 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJD340-13

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 187500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.1 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD340D4

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD340G

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 449 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	16.89 грн

Мінімальне замовлення: 19

MJD340G

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 292 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJD340G

ON-Semicoductor

NPN 0.5A 300V 15W MJD340 TMJD340
кількість в упаковці: 25 шт

на замовлення 125 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	12.27 грн

Мінімальне замовлення: 50

MJD340G

Description: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W

на замовлення 4501 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.71 грн
75+	37.17 грн
150+	26.98 грн
525+	21.15 грн
1050+	18 грн
2025+	16.03 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD340G

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

товар відсутній

MJD340G

Description: ONSEMI - MJD340G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 9301 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	41.51 грн
75+	24.07 грн
150+	21.68 грн
525+	17.92 грн
1050+	15.01 грн
2550+	14.63 грн
5025+	14.12 грн

Мінімальне замовлення: 18

MJD340G

Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W NPN

на замовлення 39234 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	39.68 грн
10+	37.97 грн
75+	20.46 грн
525+	18.8 грн
1050+	16.14 грн
2700+	15.34 грн
5400+	14.95 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJD340G

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	20.89 грн
29+	20.37 грн
75+	16.71 грн

Мінімальне замовлення: 28

MJD340G

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 30...240
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 10MHz
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

MJD340G

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJD340G

товар відсутній

MJD340G

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

товар відсутній

MJD340G

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 292 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	27.83 грн
75+	21.76 грн

Мінімальне замовлення: 21

MJD340Q-13

MJD340Q-13

товар відсутній

MJD340RL

на замовлення 933 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD340RLG

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD340RLG

Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W NPN

на замовлення 11724 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	49.75 грн
10+	43.92 грн
100+	26.04 грн
500+	21.72 грн
1000+	19 грн
1800+	16.14 грн
3600+	15.74 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD340RLG

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD340RLG