Продукція > IPP

RF HYBRID COUPLER

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	26872.37 грн

IPP-2014

Outline Coup. 90 Degree, .8-2.5 Ghz 200 W

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	5197.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP-2031

IPP-2031

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	4777.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP-2254

IPP-2254

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	19258.47 грн

IPP-3175

Directional Couplers With Connectors

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	105622.01 грн

IPP-7006

100W SMD coupler operating in the frequency range 2000 - 6000 MH, Ins. loss:

на замовлення 40 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

1+	2667.84 грн

IPP011N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP011N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 44A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	101 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP011N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	136.25 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP011N04NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 966 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	253.28 грн
10+	209.07 грн
25+	171.81 грн
100+	147.17 грн
250+	139.18 грн
500+	131.19 грн
1000+	110.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP011N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	131.15 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP011N04NF2SAKMA1

Description: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V

на замовлення 773 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	231.96 грн
50+	177.33 грн
100+	151.99 грн
500+	126.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP011N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

90+	130.67 грн

Мінімальне замовлення: 90

IPP011N04NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP011N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 201 A, 940 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: true
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	277.9 грн
10+	196.47 грн
100+	159.12 грн
500+	139.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP013N04NF2SAKMA1

Description: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	166.4 грн
50+	129.01 грн
100+	106.15 грн
500+	84.29 грн
1000+	71.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP013N04NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP013N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 197 A, 0.00102 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 197A
hazardous: true
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00102ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 816 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	197.97 грн
10+	146.42 грн
100+	107.57 грн
500+	90.87 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP013N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 41A Tube

товар відсутній

IPP013N04NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 1017 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	182.58 грн
10+	150.1 грн
100+	103.89 грн
250+	95.89 грн
500+	87.24 грн
1000+	73.92 грн
2000+	70.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP013N06NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

IPP013N06NF2SAKMA1

TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP013N06NF2SAKMA1

MOSFET

товар відсутній

IPP014N06NF2SAKMA1

TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP014N06NF2SAKMA1

MOSFET

товар відсутній

IPP014N06NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP014N06NF2SAKMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	167.05 грн
10+	153.47 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP014N06NF2SAKMA2

Description: INFINEON - IPP014N06NF2SAKMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 198 A, 0.00123 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00123ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 182 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	285.37 грн
10+	202.45 грн
100+	163.6 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP014N06NF2SAKMA2

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V

на замовлення 55 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	243.48 грн
50+	185.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP014N06NF2SAKMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 991 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	339.45 грн
57+	206.2 грн
69+	171.19 грн
200+	164.13 грн

Мінімальне замовлення: 35

IPP014N06NF2SAKMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP014N06NF2SAKMA2

SP005742469

товар відсутній

IPP014N06NF2SAKMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 31000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	142.88 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP014N06NF2SAKMA2

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 56 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	264.93 грн
10+	219.03 грн
25+	180.47 грн
100+	154.5 грн
250+	145.84 грн
500+	137.18 грн
1000+	116.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP014N06NF2SAKMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP014N08NM6AKSA1

TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP014N08NM6AKSA1

MOSFET

товар відсутній

IPP014N08NM6AKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube

товар відсутній

IPP015N04N G

на замовлення 3550 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP015N04N G

Description: INFINEON - IPP015N04N G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 55 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	327.2 грн
10+	294.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP015N04N G

MOSFET N-Ch 40V 120A TO220-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPP015N04NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP015N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 193 A, 0.00123 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 193A
hazardous: true
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00123ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 732 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	159.12 грн
10+	118.03 грн
100+	85.91 грн
500+	72.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP015N04NF2SAKMA1

Description: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active

на замовлення 946 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	133.27 грн
50+	102.8 грн
100+	84.59 грн
500+	67.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP015N04NF2SAKMA1

MOSFET

на замовлення 115 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	146.06 грн
10+	119.47 грн
100+	83.24 грн
250+	76.58 грн
500+	69.92 грн
1000+	59.27 грн
2000+	56.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP015N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP015N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP015N04NG

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP015N04NGHKSA1

MOSFET MV POWER MOS

товар відсутній

IPP015N04NGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP015N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	186.45 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP015N04NGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V

на замовлення 418 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	317.68 грн
50+	242.65 грн
100+	207.98 грн

IPP015N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	115.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP015N04NGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 28 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	318.24 грн
5+	233.4 грн
12+	212.27 грн
500+	206.44 грн

IPP015N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP015N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	271.74 грн
49+	239.46 грн
60+	190.08 грн
100+	159.71 грн
250+	151.67 грн
500+	132.42 грн

Мінімальне замовлення: 43

IPP015N04NGXKSA1

MOSFET N-Ch 40V 120A TO220-3

на замовлення 728 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	344.95 грн
10+	285.65 грн
25+	189.13 грн
100+	171.81 грн
250+	171.15 грн
500+	146.51 грн
1000+	143.84 грн

IPP015N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	272.12 грн
10+	239.79 грн
25+	197.98 грн
50+	190.34 грн
100+	159.93 грн
250+	151.88 грн
500+	132.6 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP015N04NGXKSA1

Description: INFINEON - IPP015N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm

на замовлення 326 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	368.29 грн
10+	212.16 грн
100+	191.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP015N04NGXKSA1

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	265.2 грн
5+	187.29 грн
12+	176.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP016N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

119+	98.55 грн
126+	92.95 грн
136+	86.18 грн
500+	77.85 грн

Мінімальне замовлення: 119

IPP016N06NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 936 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	179.47 грн
10+	147.8 грн
100+	101.89 грн
250+	93.9 грн
500+	85.24 грн
1000+	72.59 грн
2000+	68.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP016N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	87.06 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP016N06NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP016N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 194 A, 0.00142 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00142ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	210.67 грн
10+	168.08 грн
25+	151.65 грн
100+	125.56 грн
500+	95.41 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP016N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP016N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	87.02 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP016N06NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP016N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 36A Tube

товар відсутній

IPP016N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

134+	87.62 грн

Мінімальне замовлення: 134

IPP016N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	91.51 грн
10+	86.31 грн
100+	80.03 грн
500+	72.29 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP016N08NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP016N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 196 A, 0.0014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 196A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	247.27 грн
10+	222.62 грн
25+	198.71 грн
100+	162.32 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP016N08NF2SAKMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 1396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

93+	126.83 грн
95+	123.33 грн
96+	122.71 грн
100+	113.3 грн

Мінімальне замовлення: 93

IPP016N08NF2SAKMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 1396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	117.77 грн
10+	114.52 грн
25+	113.94 грн
100+	105.21 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP016N08NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 196A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V

на замовлення 581 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	239.88 грн
50+	183.4 грн
100+	157.2 грн
500+	131.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP016N08NF2SAKMA1

SP005548844

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	95.56 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP016N08NF2SAKMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 267000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	140.92 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP016N08NF2SAKMA1
Код товару: 183516

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 80 V
Idd,A: 196 A
Rds(on), Ohm: 1,6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 12000/170
Монтаж: THT

товар відсутній

IPP016N08NF2SAKMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

106+	110.17 грн

Мінімальне замовлення: 106

IPP016N08NF2SAKMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	109.47 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP016N08NF2SAKMA1

N Channel Power Mosfet

товар відсутній

IPP016N08NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1530 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	233.85 грн
10+	219.79 грн
25+	160.49 грн
100+	139.18 грн
250+	137.85 грн
500+	125.2 грн
1000+	118.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP016N08NF2SAKMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 1384 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	162.7 грн
73+	161.72 грн
100+	157.74 грн
1000+	151.15 грн

Мінімальне замовлення: 72

IPP017N06NF2SAKMA1

TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP018N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 476 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	363.77 грн
50+	316.77 грн
100+	283.24 грн

Мінімальне замовлення: 33

IPP018N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP018N10N5AKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP018N10N5AKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.83mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

на замовлення 474 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	407.01 грн
50+	310.66 грн
100+	266.29 грн

IPP018N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 476 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	337.79 грн
50+	294.15 грн
100+	263 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP018N10N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP018N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 205 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 423 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	372.03 грн
10+	325.71 грн
100+	269.68 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP018N10N5XKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP018N10N5XKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 456 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	275.43 грн
10+	258.52 грн
25+	252.74 грн
50+	242.88 грн
100+	211.67 грн
250+	201.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP018N10N5XKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	442.07 грн
10+	366.06 грн
25+	300.34 грн
100+	257.72 грн
250+	254.39 грн
500+	215.76 грн

IPP018N10N5XKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.83mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

на замовлення 569 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	407.01 грн
50+	310.66 грн
100+	266.29 грн
500+	222.13 грн

IPP018N10N5XKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 456 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	296.62 грн
42+	278.41 грн
43+	272.19 грн
50+	261.57 грн
100+	227.95 грн
250+	216.96 грн

Мінімальне замовлення: 40

IPP018N10N5XKSA1

Description: INFINEON - IPP018N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 205 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 798 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	486.32 грн
10+	350.36 грн
100+	296.58 грн
500+	233.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP018N10N5XKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 14500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	300.11 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP019N06NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V

на замовлення 701 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	139.75 грн
50+	107.96 грн
100+	88.84 грн
500+	70.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A Tube

на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	117.73 грн
10+	103.01 грн
100+	86.89 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP019N06NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP019N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 185 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 573 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	179.29 грн
10+	141.94 грн
25+	128.49 грн
100+	106.13 грн
500+	80.68 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A Tube

на замовлення 978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	77.36 грн
10+	73.16 грн
100+	67.61 грн
500+	61.08 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A Tube

на замовлення 978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

141+	83.31 грн
149+	78.78 грн
161+	72.81 грн
500+	65.77 грн

Мінімальне замовлення: 141

IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A Tube

на замовлення 47000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	73.51 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.7 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A Tube

товар відсутній

IPP019N06NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 677 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	151.5 грн
10+	124.83 грн
100+	85.91 грн
250+	79.91 грн
500+	72.59 грн
1000+	61.6 грн
2000+	58.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A Tube

на замовлення 117 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

99+	118.48 грн
113+	103.66 грн

Мінімальне замовлення: 99

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

114+	102.58 грн
750+	93.73 грн
1500+	87.22 грн
2250+	79.32 грн

Мінімальне замовлення: 114

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A Tube

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	74.12 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

177+	66.01 грн

Мінімальне замовлення: 177

IPP019N08NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 919 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	202.78 грн
10+	125.6 грн
25+	93.23 грн
100+	84.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

62+	190.48 грн
67+	176.59 грн
100+	165.68 грн
200+	158.81 грн
500+	134.64 грн
1000+	121.61 грн

Мінімальне замовлення: 62

IPP019N08NF2SAKMA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 147A; Idm: 764A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: StrongIRFET™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 147A
Pulsed drain current: 764A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 124nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP019N08NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	186.57 грн
50+	142.5 грн
100+	122.13 грн
500+	101.88 грн
1000+	87.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 26000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	109.49 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP019N08NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP019N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 191 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 191A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0017ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	191.99 грн
10+	173.31 грн
25+	158.37 грн
100+	133.19 грн
500+	106.93 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP019N08NF2SAKMA1

товар відсутній

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	98.75 грн
2000+	97.77 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	81.23 грн
10+	61.29 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP020N06N

MOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3

на замовлення 770 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	256.39 грн
10+	212.13 грн
25+	173.81 грн
100+	149.17 грн
250+	140.51 грн
500+	132.52 грн
1000+	113.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP020N06NAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP020N06NAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 30 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	233.4 грн
50+	178.46 грн
100+	152.96 грн
500+	127.6 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 272 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

83+	142.15 грн
100+	135.78 грн
250+	130.34 грн

Мінімальне замовлення: 83

IPP020N06NAKSA1

Description: INFINEON - IPP020N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 120
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

товар відсутній

IPP020N06NAKSA1

товар відсутній

IPP020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 272 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	207.01 грн
10+	191.65 грн
25+	173.73 грн
100+	142.52 грн
250+	129.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP020N06NAKSA1

MOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3

на замовлення 398 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	249.39 грн
10+	224.39 грн
25+	173.81 грн
100+	146.51 грн
250+	145.17 грн
500+	129.86 грн
1000+	106.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	138.54 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	102.55 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1392 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	338.3 грн
39+	300.6 грн
50+	274.82 грн
100+	241.08 грн
200+	221.45 грн
500+	190.48 грн
1000+	165.83 грн

Мінімальне замовлення: 35

IPP020N06NXKSA1

SP005573707

товар відсутній

IPP020N08N5

MOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3

на замовлення 887 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	434.3 грн
10+	359.94 грн
25+	295.01 грн
100+	252.39 грн
250+	249.73 грн
500+	211.77 грн
1000+	191.79 грн

IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

38+	313.97 грн
40+	292.57 грн
43+	277.01 грн
100+	253.46 грн
250+	234.06 грн
500+	203.62 грн

Мінімальне замовлення: 38

IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	584.35 грн
28+	425.62 грн
50+	377 грн
100+	341.54 грн
200+	298.52 грн
500+	267.02 грн

Мінімальне замовлення: 20

IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	354 грн
10+	302.85 грн
25+	289.49 грн
100+	246.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	174.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	291.54 грн
10+	271.68 грн
25+	257.22 грн
100+	235.36 грн
250+	217.34 грн
500+	189.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP020N08N5AKSA1

MOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3

на замовлення 209 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	422.65 грн
10+	358.41 грн
25+	285.02 грн
100+	252.39 грн
250+	251.72 грн
500+	211.1 грн
1000+	181.13 грн

IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	356.26 грн
39+	304.78 грн
41+	291.34 грн
100+	248.45 грн

Мінімальне замовлення: 33

IPP020N08N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 34 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	536.38 грн
3+	326.2 грн
7+	308.41 грн

IPP020N08N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V

на замовлення 572 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	399.08 грн
50+	304.78 грн
100+	261.23 грн
500+	217.92 грн

IPP020N08N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP020N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	367.55 грн
10+	330.19 грн
100+	270.43 грн
500+	212.96 грн
1000+	165.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

44+	270.81 грн
46+	259.18 грн
50+	249.3 грн
100+	232.24 грн

Мінімальне замовлення: 44

IPP020N08N5AKSA1

на замовлення 34 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	643.65 грн
3+	406.5 грн
7+	370.09 грн

IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP022N12NM6AKSA1

TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP022N12NM6AKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	466.93 грн
10+	394.4 грн
25+	310.99 грн
100+	285.69 грн
250+	269.04 грн
500+	252.39 грн
1000+	226.42 грн

IPP022N12NM6AKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V

товар відсутній

IPP023N04NG

на замовлення 405 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP023N04NG

08+

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP023N04NGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP023N04NGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active

товар відсутній

IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

85+	138.68 грн
156+	75.14 грн
157+	74.43 грн

Мінімальне замовлення: 85

IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

84+	139.8 грн
91+	129.11 грн
107+	109.96 грн
500+	91.19 грн

Мінімальне замовлення: 84

IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.55 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP023N04NGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP023N04NGXKSA1

Description: INFINEON - IPP023N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0019 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm

на замовлення 1447 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	193.48 грн
10+	79.19 грн
100+	77.69 грн
500+	70.76 грн
1000+	63.78 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

59+	200.4 грн
72+	162.7 грн
100+	151.79 грн
500+	130.11 грн

Мінімальне замовлення: 59

IPP023N04NGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 20 V

товар відсутній

IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP023N04NGXKSA1

товар відсутній

IPP023N04NGXKSA1

MOSFET N-Ch 40V 90A TO220-3

на замовлення 5994 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	177.92 грн
10+	76.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	137.8 грн
10+	74.66 грн
100+	73.95 грн
500+	70.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP023N08N5

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP023N08N5

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP023N08N5AKSA1

MOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3

на замовлення 795 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	211.32 грн
10+	198.35 грн
25+	153.17 грн
100+	140.51 грн
250+	139.85 грн
500+	129.19 грн
1000+	113.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP023N08N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP023N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.002 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm

на замовлення 208 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	233.82 грн
10+	176.3 грн
100+	159.12 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	141.54 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP023N08N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V

на замовлення 368 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	241.32 грн
50+	184.2 грн
100+	157.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	208.45 грн
10+	198.77 грн
25+	173.48 грн
50+	165.61 грн
100+	139.41 грн
250+	132.47 грн
500+	104.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	432.83 грн
31+	385.17 грн
50+	352.1 грн
100+	308.57 грн
200+	283.98 грн
500+	244.27 грн
1000+	212.59 грн

Мінімальне замовлення: 27

IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

52+	224.49 грн
55+	214.06 грн
63+	186.83 грн
64+	178.35 грн
100+	150.14 грн
250+	142.66 грн
500+	112.18 грн

Мінімальне замовлення: 52

IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	149.71 грн
10+	146.1 грн
25+	135.84 грн
50+	129.66 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP023N08N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP023N08N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP023N08N5XKSA1

SP005573709

товар відсутній

IPP023N08N5XKSA1

MOSFET

товар відсутній

IPP023N08N5XKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V

товар відсутній

IPP023N10N5

MOSFET N-Ch 100V 120A TO220-3

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	479.36 грн
10+	396.7 грн
25+	324.98 грн
100+	279.03 грн
250+	263.04 грн
500+	212.43 грн

IPP023N10N5

на замовлення 21500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP023N10N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP023N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP023N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP023N10N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP023N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	703.23 грн
23+	512.59 грн
50+	454.23 грн
100+	410.81 грн
200+	358.66 грн
500+	320.97 грн
1000+	301.8 грн

Мінімальне замовлення: 17

IPP023N10N5AKSA1

товар відсутній

IPP023N10N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP023N10N5AKSA1 - MOSFET, N-KANAL, 100V, 120A, TO-220-3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	587.92 грн
10+	528.16 грн
100+	433.28 грн
500+	342.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP023N10N5AKSA1

MOSFET N-Ch 100V 120A TO220-3

на замовлення 750 шт:

термін постачання 161-170 дні (днів)

1+	478.59 грн
10+	395.93 грн
25+	301.67 грн
100+	263.04 грн
250+	250.39 грн
500+	235.74 грн
1000+	199.11 грн

IPP023N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP023N10N5XKSA1

MOSFET

товар відсутній

IPP023N10N5XKSA1

TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP023N10N5XKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V

на замовлення 431 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	440.14 грн
50+	336.21 грн
100+	288.18 грн

IPP023NE7N3 G

MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 302 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	462.27 грн
10+	382.91 грн
25+	314.32 грн
100+	269.7 грн
250+	254.39 грн
500+	239.07 грн
1000+	212.43 грн

IPP023NE7N3 G

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220

товар відсутній

IPP023NE7N3G

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V

товар відсутній

IPP023NE7N3G

на замовлення 14 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	419 грн
10+	382.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP023NE7N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP023NE7N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP023NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	99.36 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP023NE7N3GXKSA1

товар відсутній

IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2138 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4568 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	344.22 грн
10+	321.53 грн
100+	279.91 грн
500+	241.72 грн
1000+	202.63 грн
2500+	192.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP023NE7N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	427.31 грн
10+	395.17 грн
25+	323.64 грн
100+	278.36 грн
250+	262.38 грн
500+	243.07 грн

IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	288.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP023NE7N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V

на замовлення 460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	426.45 грн
50+	325.25 грн
100+	278.8 грн

IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4568 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	532.93 грн
25+	478.87 грн
100+	392.33 грн
500+	322.05 грн
1000+	261.97 грн

Мінімальне замовлення: 22

IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP024N06N3G

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

на замовлення 1151 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

201+	98.51 грн

Мінімальне замовлення: 201

IPP024N06N3G

на замовлення 24 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP024N06N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP024N06N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP024N06N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

102+	195.56 грн

Мінімальне замовлення: 102

IPP024N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.56 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP024N06N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3

товар відсутній

IPP024N06N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 48 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	422.23 грн
3+	350.1 грн
5+	235.57 грн
12+	222.26 грн
250+	218.93 грн

IPP024N06N3GXKSA1

товар відсутній

IPP024N06N3GXKSA1

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	351.86 грн
3+	280.94 грн
5+	196.31 грн
12+	185.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

товар відсутній

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

на замовлення 256000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	104.79 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	58.01 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

товар відсутній

IPP024N08NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 182A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 139µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 40 V

на замовлення 293 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	178.65 грн
50+	136.36 грн
100+	116.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	70.93 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP024N08NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1195 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	194.23 грн
10+	175.37 грн
25+	131.86 грн
100+	113.21 грн
250+	111.21 грн
500+	102.55 грн
1000+	87.9 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

на замовлення 996 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

74+	157.85 грн
85+	138.78 грн
88+	133.13 грн
102+	110.94 грн
250+	97.74 грн
500+	89.54 грн

Мінімальне замовлення: 74

IPP024N08NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP024N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 182 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 182A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1677 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	183.03 грн
10+	165.1 грн
25+	150.9 грн
100+	125.56 грн
500+	101.17 грн
1000+	79.4 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

на замовлення 1360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

60+	197.42 грн
74+	159.73 грн
100+	148.82 грн
500+	127.24 грн
1000+	109.84 грн

Мінімальне замовлення: 60

IPP026N04NF2SAKMA1

Description: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

на замовлення 994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.05 грн
10+	84.84 грн
100+	65.96 грн
500+	52.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP026N04NF2SAKMA1

SP005632915

товар відсутній

IPP026N04NF2SAKMA1

MOSFET

на замовлення 164 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	114.21 грн
10+	92.66 грн
100+	62.53 грн
500+	52.74 грн
1000+	42.89 грн
2000+	40.42 грн
5000+	38.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP026N04NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP026N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: true
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	124.76 грн
10+	94.13 грн
100+	70.15 грн
500+	54.94 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP026N10NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP026N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 184 A, 0.0023 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 184A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm

на замовлення 1172 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	383.23 грн
10+	274.16 грн
100+	233.08 грн
500+	207.41 грн
1000+	164.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	216.59 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	423.1 грн

Мінімальне замовлення: 28

IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

58+	204.72 грн

Мінімальне замовлення: 58

IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	190.13 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 392 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	240.82 грн
10+	232.01 грн
25+	208.6 грн
100+	182.96 грн
250+	167.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP026N10NF2SAKMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 184A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V

на замовлення 1443 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	368.83 грн
50+	281.87 грн
100+	241.6 грн
500+	201.54 грн
1000+	172.57 грн

IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	146.84 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 392 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

46+	259.35 грн
47+	249.85 грн
52+	224.64 грн
100+	197.04 грн
250+	180.64 грн

Мінімальне замовлення: 46

IPP026N10NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 258 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	358.94 грн
10+	339.26 грн
25+	241.07 грн
100+	207.77 грн
250+	207.11 грн
500+	199.11 грн
1000+	171.15 грн

IPP027N08N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP027N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP027N08N5AKSA1

товар відсутній

IPP027N08N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	291.75 грн
10+	235.71 грн
100+	190.69 грн
500+	159.07 грн

IPP027N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP027N08N5AKSA1

MOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3

на замовлення 484 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	340.29 грн
10+	301.74 грн
100+	214.43 грн
500+	182.47 грн
1000+	145.84 грн

IPP027N08N5XKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V

товар відсутній

IPP027N08N5XKSA1

MOSFET

товар відсутній

IPP028N08N3 G

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP028N08N3 G

MOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	453.72 грн
25+	354.58 грн
100+	259.05 грн
500+	229.75 грн
1000+	185.13 грн

IPP028N08N3G

IFX

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP028N08N3GHKSA1

Rochester Electronics, LLC

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP028N08N3GHKSA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP028N08N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP028N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	479.04 грн
10+	429.48 грн
25+	401.15 грн
50+	359.79 грн
100+	308.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP028N08N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP028N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	496.04 грн
10+	398.92 грн
25+	360.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP028N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	118.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP028N08N3GXKSA1

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP028N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP029N06N

MOSFET N-Ch 60V 100A TO220-3

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	195.79 грн
10+	160.82 грн
100+	111.21 грн
250+	102.55 грн
500+	77.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP029N06N

на замовлення 8 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP029N06NAK5A1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP029N06NAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP029N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP029N06NAKSA1
Код товару: 178126

товар відсутній

IPP029N06NAKSA1

Description: INFINEON - IPP029N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0027 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1083 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	176.3 грн
10+	158.37 грн
25+	143.43 грн
100+	118.62 грн
500+	89.65 грн
1000+	69.8 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP029N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP029N06NAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP029N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP029N06NAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP029N06NAKSA1

MOSFET N-Ch 60V 100A TO220-3

на замовлення 256 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	199.67 грн
10+	163.89 грн
100+	113.21 грн
500+	93.23 грн
1000+	75.25 грн
5000+	73.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP030N06NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 119A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.05mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V

на замовлення 862 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	101.57 грн
50+	78.57 грн
100+	62.26 грн
500+	49.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP030N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A Tube

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	47.85 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP030N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A Tube

товар відсутній

IPP030N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	49.07 грн
100+	45.2 грн
500+	40.98 грн
1000+	33.9 грн

Мінімальне замовлення: 12

IPP030N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

235+	49.86 грн

Мінімальне замовлення: 235

IPP030N06NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1153 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	109.55 грн
10+	88.84 грн
100+	60.2 грн
500+	51.01 грн
1000+	41.55 грн
2000+	39.09 грн
5000+	37.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP030N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	49.54 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP030N06NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP030N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 119 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 119A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 376 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	125.5 грн
10+	102.34 грн
100+	76.95 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP030N06NF2SAKMA1

TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	31.08 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP030N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

221+	52.84 грн
240+	48.68 грн
500+	45.77 грн
1000+	39.43 грн

Мінімальне замовлення: 221

IPP030N10N

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP030N10N3 G

MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPP030N10N3 G

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP030N10N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP030N10N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP030N10N3GHKSA1

MOSFET MV POWER MOS

товар відсутній

IPP030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	124.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2484 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	541.69 грн
30+	394.86 грн
50+	350.22 грн
100+	317.61 грн
200+	277.25 грн
500+	248.31 грн
1000+	233 грн
2000+	232.16 грн

Мінімальне замовлення: 22

IPP030N10N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V

на замовлення 1748 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	439.42 грн
50+	335.52 грн
100+	287.59 грн
500+	239.9 грн
1000+	205.42 грн

IPP030N10N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3

на замовлення 491 шт:

термін постачання 147-156 дні (днів)

1+	443.62 грн
10+	399.76 грн
25+	301.67 грн
100+	262.38 грн
250+	255.05 грн
500+	235.08 грн
1000+	199.11 грн

IPP030N10N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP030N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm

на замовлення 497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	503.51 грн
10+	345.88 грн
100+	285.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	280.13 грн
10+	260.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP030N10N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 34 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	323.47 грн
3+	269.84 грн
4+	260.82 грн
9+	246.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	360.94 грн
10+	320.45 грн
25+	255.07 грн
50+	245.31 грн
100+	209.4 грн
250+	200.57 грн
500+	178.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 849 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	353.96 грн
38+	314.25 грн
47+	250.13 грн
50+	240.56 грн
100+	205.35 грн
250+	196.69 грн
500+	174.58 грн

Мінімальне замовлення: 33

IPP030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP030N10N3GXKSA1

на замовлення 34 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	388.16 грн
3+	336.27 грн
4+	312.99 грн
9+	295.51 грн
50+	283.86 грн

IPP030N10N5

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP030N10N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP030N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 5
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

IPP030N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 435 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	531.07 грн
25+	480.49 грн
50+	421.16 грн
100+	387.36 грн
200+	344.77 грн

Мінімальне замовлення: 22

IPP030N10N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP030N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP030N10N5AKSA1

товар відсутній

IPP030N10N5AKSA1

MOSFET N-Ch 100V 120A TO220-3

на замовлення 476 шт:

термін постачання 161-170 дні (днів)

1+	386.91 грн
10+	313.99 грн
25+	241.73 грн
100+	213.77 грн
250+	203.78 грн
500+	193.79 грн
1000+	157.83 грн

IPP030N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP030N10N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP030N10N5XKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP030N10N5XKSA1

IPP030N10N5XKSA1

товар відсутній

IPP030N10N5XKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP032N06N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP032N06N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP032N06N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 51 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	136.26 грн
5+	118.43 грн
12+	87.21 грн
31+	82.46 грн
500+	81.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

68+	172.63 грн
84+	139.88 грн
100+	130.96 грн
500+	110.97 грн

Мінімальне замовлення: 68

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	87.14 грн
10+	80.18 грн
100+	74.02 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP032N06N3GXKSA1 IPP032N06N3G TIPP032n06n3g
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	69.94 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2430 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

116+	100.65 грн
121+	96.77 грн
134+	87.34 грн
500+	77.24 грн
1000+	60.74 грн

Мінімальне замовлення: 116

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	57.8 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1710 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	85.54 грн
10+	78.56 грн
100+	72.4 грн
500+	66.28 грн
1000+	50.86 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP032N06N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP032N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 188
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 188
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP032N06N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

на замовлення 2879 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	156.32 грн
50+	120.95 грн
100+	99.51 грн
500+	79.02 грн
1000+	67.05 грн
2000+	63.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP032N06N3GXKSA1

N-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

на замовлення 1 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

1+	361.27 грн

IPP032N06N3GXKSA1
Код товару: 192070

товар відсутній

IPP032N06N3GXKSA1

на замовлення 51 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	113.55 грн
5+	95.03 грн
12+	72.68 грн
31+	68.72 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP032N06N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3

на замовлення 1251 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	170.92 грн
10+	140.15 грн
100+	96.56 грн
250+	89.24 грн
500+	81.24 грн
1000+	69.26 грн
2500+	66.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1708 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

136+	86.09 грн
148+	79.06 грн
161+	72.86 грн
500+	66.7 грн
1000+	51.19 грн

Мінімальне замовлення: 136

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

125+	93.84 грн
136+	86.35 грн
147+	79.72 грн

Мінімальне замовлення: 125

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

75+	155.76 грн
87+	134.93 грн
100+	128.97 грн
500+	113.84 грн

Мінімальне замовлення: 75

IPP032N06N3GXKSA1; 120A; 60V; 188W; 0.0029R; N-канальний; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF)

на замовлення 16 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

7+	101.16 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP033N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 25A Tube

товар відсутній

IPP033N04NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP033N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 113 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: true
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 944 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	85.16 грн
12+	65.52 грн
100+	47.29 грн
500+	37.25 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPP033N04NF2SAKMA1

Description: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V

на замовлення 812 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.6 грн
10+	55.36 грн
100+	43.02 грн
500+	34.22 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP033N04NF2SAKMA1

MOSFET

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.3 грн
10+	62.26 грн
100+	42.15 грн
500+	35.76 грн
1000+	29.03 грн
2000+	27.37 грн
5000+	26.1 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP033N04NF2SAKMA1

IPP033N04NF2SAKMA1

товар відсутній

IPP034N03L G

MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 834 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	111.1 грн
10+	91.13 грн
100+	63.2 грн
500+	57.67 грн
1000+	42.89 грн
5000+	41.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP034N03LG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

437+	46.84 грн

Мінімальне замовлення: 437

IPP034N03LGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3

товар відсутній

IPP034N03LGHKSA1

MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3

товар відсутній

IPP034N03LGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP034N03LGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	88.71 грн
10+	81.78 грн
100+	69.5 грн
500+	57.69 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP034N03LGXKSA1

товар відсутній

IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

142+	82.3 грн
167+	69.95 грн
500+	60.21 грн

Мінімальне замовлення: 142

IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	38.15 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

192+	60.97 грн
201+	58.24 грн
250+	55.91 грн

Мінімальне замовлення: 192

IPP034N03LGXKSA1

Description: INFINEON - IPP034N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 558 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	121.77 грн
11+	71.49 грн
100+	53.04 грн
500+	45.64 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

95+	123.02 грн
105+	112.1 грн
128+	91.27 грн
200+	82.27 грн

Мінімальне замовлення: 95

IPP034N03LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V

на замовлення 369 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	105.17 грн
10+	83.87 грн
100+	66.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP034N08N5

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP034N08N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP034N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

60+	194.91 грн
67+	174.93 грн
100+	145.68 грн

Мінімальне замовлення: 60

IPP034N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	144.94 грн
10+	136.49 грн
25+	136.13 грн
100+	120.05 грн
250+	110.45 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP034N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP034N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	103.06 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP034N08N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP034N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm

на замовлення 609 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	174.81 грн
10+	129.99 грн
100+	94.87 грн
500+	79.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP034N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	445.46 грн
42+	283.74 грн
51+	230.17 грн
100+	207.6 грн
500+	170.07 грн
1000+	152.21 грн

Мінімальне замовлення: 27

IPP034N08N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	205.3 грн
10+	166.07 грн
100+	134.36 грн
500+	112.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP034N08N5AKSA1

MOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3

на замовлення 597 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	191.12 грн
10+	153.93 грн
100+	110.55 грн
250+	108.55 грн
500+	93.9 грн
1000+	77.91 грн
5000+	75.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP034N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	180.99 грн
10+	163.12 грн
25+	162.43 грн
100+	135.28 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP034N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

75+	156.09 грн
80+	146.6 грн
100+	129.28 грн
250+	118.94 грн

Мінімальне замовлення: 75

IPP034N08N5AKSA1

товар відсутній

IPP034N08N5XKSA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP034N08N5XKSA1

SP005573713

товар відсутній

IPP034NE7N3 G
Код товару: 182613

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220-3
Uds,V: 75 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 3,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 6110/88
Монтаж: THT

у наявності 35 шт:

33 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

1+	124 грн
10+	113 грн

IPP034NE7N3 G

на замовлення 13000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP034NE7N3 G

MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 66 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	262.6 грн
10+	248.89 грн
25+	173.14 грн
100+	149.17 грн
250+	147.84 грн
500+	131.86 грн
1000+	109.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP034NE7N3G

Description: IPP034NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P

товар відсутній

IPP034NE7N3G

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP034NE7N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP034NE7N3GHKSA1

MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3

товар відсутній

IPP034NE7N3GXKSA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	326.81 грн
43+	277.21 грн
56+	211.07 грн
100+	202.59 грн
200+	176.29 грн

Мінімальне замовлення: 36

IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1419 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	206.36 грн
50+	131.91 грн
100+	119.73 грн
500+	107.17 грн
1000+	76.24 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP034NE7N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	201.7 грн
3+	165.1 грн
6+	143.59 грн
10+	142.9 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP034NE7N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 37.5 V

на замовлення 1425 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	241.32 грн
50+	184.44 грн
100+	158.09 грн
500+	131.88 грн
1000+	112.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP034NE7N3GXKSA1

на замовлення 13 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	242.04 грн
3+	205.74 грн
6+	172.31 грн
10+	171.48 грн
16+	162.32 грн
250+	156.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1419 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

53+	222.08 грн
83+	141.94 грн
100+	128.84 грн
500+	115.33 грн
1000+	82.04 грн

Мінімальне замовлення: 53

IPP034NE7N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP034NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 352 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	283.13 грн
10+	200.21 грн
100+	168.83 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1409 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP037N06L3 G

MOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 608 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	142.18 грн
10+	117.17 грн
100+	81.24 грн
500+	74.58 грн
1000+	55.07 грн
5000+	53.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP037N06L3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP037N06L3GHKSA1

MOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3

товар відсутній

IPP037N06L3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP037N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP037N06L3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP037N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 5130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	110.77 грн
10+	102.52 грн
100+	87.43 грн
500+	69.9 грн
1000+	54.58 грн
2500+	50.47 грн
5000+	47.74 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP037N06L3GXKSA1

товар відсутній

IPP037N06L3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP037N06L3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.003 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1765 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	165.84 грн
10+	104.59 грн
100+	88.9 грн
500+	70.06 грн
1000+	57.63 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP037N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP037N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 5130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.15 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP037N06L3GXKSA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP037N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 5130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

105+	111.47 грн
114+	103.18 грн
133+	87.98 грн
500+	70.34 грн
1000+	54.93 грн
2500+	50.8 грн
5000+	48.05 грн

Мінімальне замовлення: 105

IPP037N06L3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

на замовлення 444 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	133.99 грн
10+	107.59 грн
100+	85.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP037N08N3 G

Rochester Electronics, LLC

MOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPP037N08N3 G

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP037N08N3 G E8181

Rochester Electronics, LLC

MOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3

товар відсутній

IPP037N08N3G

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

на замовлення 144 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP037N08N3G

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP037N08N3GE8181XKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

товар відсутній

IPP037N08N3GHKSA1

товар відсутній

IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP037N08N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP037N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm

на замовлення 1384 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	211.41 грн
10+	148.66 грн
100+	124.76 грн
500+	107.52 грн
1000+	82.6 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	325.84 грн
57+	208.15 грн
70+	168.27 грн
100+	151.94 грн
200+	139.82 грн
500+	119.22 грн
1000+	111.72 грн

Мінімальне замовлення: 36

IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.31 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP037N08N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	209.77 грн
3+	181.53 грн
8+	134.02 грн
20+	126.53 грн
250+	124.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP037N08N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3

на замовлення 3922 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	186.46 грн
10+	167.72 грн
25+	135.85 грн
100+	115.87 грн
500+	103.22 грн
1000+	85.91 грн
2500+	83.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	304.44 грн
60+	194.53 грн
75+	157.57 грн
100+	141.62 грн
200+	130.27 грн
500+	111.72 грн

Мінімальне замовлення: 39

IPP037N08N3GXKSA1

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	145.67 грн
8+	111.68 грн
20+	105.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	105.62 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP037N08N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

на замовлення 2273 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	180.09 грн
50+	137.45 грн
100+	117.82 грн
500+	98.28 грн
1000+	84.15 грн
2000+	79.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP039N04L G

MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 251 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	123.53 грн
10+	108.75 грн
100+	73.92 грн
500+	49.68 грн
1000+	41.69 грн
2500+	39.56 грн
5000+	38.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP039N04LGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V

товар відсутній

IPP039N04LGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP039N04LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V

на замовлення 442 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.81 грн
50+	74.17 грн
100+	58.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP039N04LGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	95.09 грн
10+	80.74 грн
15+	66.59 грн
40+	62.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP039N04LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	45.37 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP039N04LGXKSA1

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.31 грн
10+	67.29 грн
15+	55.49 грн
40+	52.03 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP039N04LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP039N04LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 656 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.64 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPP039N04LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 156 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP039N04LGXKSA1

Description: INFINEON - IPP039N04LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0031 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm

на замовлення 3086 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	140.44 грн
10+	113.55 грн
100+	85.91 грн
500+	53.83 грн
1000+	39.57 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP039N04LGXKSA1

MOSFET TRENCH <= 40V

товар відсутній

IPP039N04LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 156 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	80.82 грн
10+	68.96 грн
100+	57.79 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP039N10N5

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP039N10N5AKSA1

OptiMOS 5 Power-Transistor, 100 V

товар відсутній

IPP039N10N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP039N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0032 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm

на замовлення 387 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	304.05 грн
10+	224.86 грн
100+	182.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP039N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 53500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	207.19 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP039N10N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP039N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP039N10N5AKSA1

MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 897 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	279.69 грн
10+	274.93 грн
25+	190.46 грн
100+	163.15 грн
500+	122.53 грн
1000+	115.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP039N10N5XKSA1

Description: MV POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP039N10N5XKSA1

IPP039N10N5XKSA1

товар відсутній

IPP03N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3

товар відсутній

IPP03N03LAG

08+

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP03N03LB G

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

товар відсутній

IPP03N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3

товар відсутній

IPP03N03LBG

08+

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP0400N

Description: IPP0400N
Packaging: Bulk

на замовлення 72000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

544+	37.5 грн

Мінімальне замовлення: 544

IPP0400NXKSA1

Description: IPP0400 - N-Channel MOSFET
Packaging: Bulk

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

544+	37.5 грн

Мінімальне замовлення: 544

IPP040N06N

MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	144.51 грн
10+	118.7 грн
100+	82.58 грн
250+	77.91 грн
500+	65.66 грн
1000+	58.74 грн
2500+	55.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP040N06N3 G

MOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 195 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	153.05 грн
10+	125.6 грн
100+	86.57 грн
250+	79.91 грн
500+	72.59 грн
1000+	61.93 грн
2500+	59.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP040N06N3 G

на замовлення 147000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP040N06N3G

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP040N06N3G

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP040N06N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP040N06N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP040N06N3GXK

на замовлення 424 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

174+	67.21 грн
183+	64.1 грн
205+	57.19 грн
213+	52.99 грн
500+	48.98 грн
1000+	43.77 грн

Мінімальне замовлення: 174

IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	82.32 грн
10+	74.08 грн
100+	58.5 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP040N06N3GXKSA1

Транзистор польовий OptiMOS N-HEXFET TO220AB Udss=60В; Id=90A; Pdmax=188W; Rds=0,0037 Ohm; Ugs=+-20В; -55C...+175C

на замовлення 83 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

3+	111.16 грн
10+	92.9 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP040N06N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

на замовлення 125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	141.19 грн
50+	109.32 грн
100+	89.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	34.73 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

132+	88.79 грн
147+	79.91 грн
185+	63.1 грн

Мінімальне замовлення: 132

IPP040N06N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 607 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	94.22 грн
10+	83.24 грн
13+	79.08 грн
34+	74.92 грн
250+	71.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP040N06N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 779 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	108.77 грн
10+	92.66 грн
100+	70.59 грн
250+	57.4 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP040N06N3GXKSA1

на замовлення 607 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.61 грн
10+	69.37 грн
13+	65.9 грн
34+	62.43 грн
250+	59.66 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 111000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	75.09 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP040N06N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP040N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0033 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm

на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	109.82 грн
10+	89.65 грн
100+	64.4 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP040N06N3GXKSA1 транзистор
Код товару: 202066

очікується 20 шт:

20 шт - очікується

IPP040N06NAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 20A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V

на замовлення 173 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	133.27 грн
50+	102.89 грн
100+	84.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP040N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 848 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

143+	81.83 грн
157+	74.61 грн
172+	68.05 грн
250+	63.08 грн
500+	54.36 грн

Мінімальне замовлення: 143

IPP040N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	49.57 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP040N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	82.56 грн
10+	75.28 грн
100+	68.66 грн
250+	63.65 грн
500+	54.85 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP040N06NAKSA1

MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	144.51 грн
10+	114.87 грн
100+	82.58 грн
500+	66.59 грн
1000+	55.81 грн
5000+	54.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP040N06NAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP040N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP040N06NAKSA1

Description: INFINEON - IPP040N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm

на замовлення 585 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	160.61 грн
10+	118.78 грн
100+	88.9 грн
500+	70.06 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP040N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	70.05 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP040N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 418 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

73+	161.72 грн
78+	150.8 грн
100+	127.98 грн
200+	117.67 грн

Мінімальне замовлення: 73

IPP040N06NAKSA1

товар відсутній

IPP040N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 22A Tube

на замовлення 47000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	40.28 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP040N06NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP040N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 933 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	105.33 грн
10+	86.66 грн
100+	64.54 грн
500+	49.53 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP040N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 22A Tube

товар відсутній

IPP040N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 22A Tube

на замовлення 827 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	53.11 грн
12+	48.71 грн
100+	43.18 грн
500+	38.13 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPP040N06NF2SAKMA1

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V

на замовлення 1024 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85.72 грн
50+	66.15 грн
100+	52.41 грн
500+	41.69 грн
1000+	33.96 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP040N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 22A Tube

на замовлення 827 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

223+	52.46 грн
252+	46.5 грн
500+	42.59 грн

Мінімальне замовлення: 223

IPP040N06NF2SAKMA1

TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	26.1 грн

Мінімальне замовлення: 50

IPP040N06NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1913 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.68 грн
10+	74.82 грн
100+	50.68 грн
500+	42.89 грн
1000+	34.96 грн
2000+	32.9 грн
5000+	31.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP040N06NXKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP040N06NXKSA1

IPP040N06NXKSA1

товар відсутній

IPP040N06NXKSA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

на замовлення 377 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

132+	88.6 грн
134+	87.11 грн
200+	81.79 грн

Мінімальне замовлення: 132

IPP040N08NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1183 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	149.95 грн
10+	121 грн
100+	86.57 грн
250+	85.24 грн
500+	75.25 грн
1000+	71.92 грн
2000+	64.4 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

121+	96.64 грн
200+	93.84 грн
750+	91.74 грн

Мінімальне замовлення: 121

IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

товар відсутній

IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

168+	69.61 грн

Мінімальне замовлення: 168

IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

на замовлення 208000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	83.5 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP040N08NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP040N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 115 A, 0.0036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	121.02 грн
10+	99.36 грн
25+	88.9 грн
100+	72.14 грн
500+	58.91 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP040N08NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

на замовлення 814 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	158.48 грн
50+	122.63 грн
100+	100.9 грн
500+	80.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	81.19 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	64.64 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	57.65 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP041N04N G

на замовлення 13000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP041N04N G

MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 990 шт:

термін постачання 175-184 дні (днів)

4+	99.45 грн
10+	78.88 грн
100+	54.34 грн
500+	46.02 грн
1000+	35.23 грн
5000+	33.56 грн
10000+	33.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP041N04NG

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP041N04NGHKSA1

MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3

товар відсутній

IPP041N04NGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)

товар відсутній

IPP041N04NGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP041N04NGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V

на замовлення 433 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.49 грн
50+	70.85 грн
100+	56.15 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP041N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP041N04NGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP041N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	26.8 грн

Мінімальне замовлення: 12

IPP041N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 494 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

181+	64.83 грн
215+	54.43 грн

Мінімальне замовлення: 181

IPP041N04NGXKSA1

Description: INFINEON - IPP041N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0033 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm

на замовлення 387 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	113.55 грн
10+	85.91 грн
100+	63.42 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP041N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	76.24 грн
10+	65.07 грн
100+	54.63 грн
500+	46.27 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP041N04NGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP041N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 764500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	43.16 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP041N04NGXKSA1

MOSFET TRENCH <= 40V

товар відсутній

IPP041N12N3 G

MOSFET N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 496 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	444.4 грн
10+	375.25 грн
25+	296.34 грн
100+	272.37 грн
250+	256.39 грн
500+	239.74 грн

IPP041N12N3G

на замовлення 9 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP041N12N3GXK

MOSFET N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2223 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	259.6 грн
48+	246.02 грн
49+	241.89 грн
100+	209.51 грн
500+	185.95 грн
1000+	168.15 грн

Мінімальне замовлення: 45

IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	292.7 грн
10+	274.93 грн
25+	269.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 44 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

41+	289.85 грн

Мінімальне замовлення: 41

IPP041N12N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V

на замовлення 553 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	430.78 грн
50+	329.06 грн
100+	282.04 грн
500+	235.28 грн

IPP041N12N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 120A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 4.1mΩ
Power dissipation: 300W

товар відсутній

IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1225 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	116.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP041N12N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 275 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	409.44 грн
10+	357.64 грн
25+	305.66 грн
100+	272.37 грн
500+	239.74 грн
1000+	205.77 грн

IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	599.23 грн
28+	419.66 грн
50+	372.03 грн
100+	343.45 грн
200+	299.4 грн
500+	259.36 грн
1000+	235.56 грн

Мінімальне замовлення: 20

IPP041N12N3GXKSA1

товар відсутній

IPP041N12N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP041N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1767 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	348.12 грн
10+	265.95 грн
100+	230.09 грн
500+	199.78 грн
1000+	158.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2225 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	257.95 грн
10+	244.46 грн
25+	240.35 грн
100+	208.18 грн
500+	184.77 грн
1000+	167.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP042N03L G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP042N03L G

MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 11741 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.33 грн
10+	83.48 грн
100+	56.34 грн
500+	34.56 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP042N03LG

TO-220 0741+

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP042N03LG

Description: IPP042N03 - 12V-300V N-CHANNEL P

на замовлення 71180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP042N03LGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP042N03LGHKSA1

MOSFET N-Ch 30V 70A TO220-3

товар відсутній

IPP042N03LGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; 79W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 172 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	98.61 грн
5+	84.97 грн
16+	59.52 грн
44+	56.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP042N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	53.19 грн
12+	49.17 грн
100+	44.32 грн
500+	39.5 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPP042N03LGXKSA1

на замовлення 172 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	82.17 грн
6+	68.19 грн
16+	49.6 грн
44+	46.89 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP042N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	30.3 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPP042N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP042N03LGXKSA1

MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPP042N03LGXKSA1

Description: INFINEON - IPP042N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	112.8 грн
10+	85.91 грн
100+	63.13 грн
500+	36 грн
1000+	32.59 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP042N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 689 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

236+	49.48 грн
262+	44.6 грн
500+	41.22 грн

Мінімальне замовлення: 236

IPP042N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP042N03LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

на замовлення 238 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	97.25 грн
10+	76.79 грн
100+	59.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP045N10N3 G

MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 5108 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	214.43 грн
10+	177.67 грн
25+	145.84 грн
100+	125.2 грн
250+	118.54 грн
500+	109.21 грн
1000+	94.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP045N10N3 G

на замовлення 86450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP045N10N3 G

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

63+	185.29 грн
66+	178.24 грн
100+	172.18 грн
250+	161 грн
500+	145.02 грн

Мінімальне замовлення: 63

IPP045N10N3G

на замовлення 254 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP045N10N3G

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP045N10N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP045N10N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 488 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

49+	239.27 грн
55+	213.98 грн
100+	196.48 грн
200+	187.58 грн

Мінімальне замовлення: 49

IPP045N10N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP045N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0039 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1709 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	181.53 грн
10+	129.24 грн
100+	118.78 грн
500+	103.36 грн
1000+	85.8 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

75+	156.74 грн

Мінімальне замовлення: 75

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	77.69 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

52+	224.68 грн
58+	201.34 грн
100+	183.83 грн
200+	176.33 грн
500+	145.03 грн

Мінімальне замовлення: 52

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3G TIPP045n10n3g
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 70 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	126.55 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	119.07 грн
10+	115.68 грн
25+	101.37 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	115.53 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP045N10N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 7449 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	162.38 грн
10+	156.23 грн
25+	102.55 грн
100+	95.23 грн
500+	89.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP045N10N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

на замовлення 2520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	196.66 грн
50+	150.33 грн
100+	128.87 грн
500+	107.5 грн
1000+	92.04 грн
2000+	86.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP045N10N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 51 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	200.95 грн
3+	166.48 грн
7+	127.64 грн
18+	120.7 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP045N10N3GXKSA1

на замовлення 51 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	241.15 грн
3+	207.46 грн
7+	153.17 грн
18+	144.84 грн
250+	143.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP048N04N G

MOSFET N-Ch 40V 70A TO220-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPP048N04N G
Код товару: 83952

товар відсутній

IPP048N04NG

Description: IPP048N04 - 12V-300V N-CHANNEL P

товар відсутній

IPP048N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 492 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

250+	46.85 грн
261+	44.76 грн
272+	42.96 грн

Мінімальне замовлення: 250

IPP048N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.87 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPP048N04NGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 70A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP048N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 11500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	54.36 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP048N04NGXKSA1

товар відсутній

IPP048N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	69.6 грн
500+	62.28 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPP048N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP048N04NGXKSA1

MOSFET N-Ch 40V 70A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	111.88 грн
10+	91.9 грн
100+	63.8 грн
250+	58.67 грн
500+	51.48 грн
1000+	50.48 грн
2500+	50.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP048N04NGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V

товар відсутній

IPP048N06L G

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP048N06LG

08+

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP048N06LG

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP048N12N3 G

MOSFET N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 466 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	285.91 грн
10+	245.06 грн
25+	181.13 грн
100+	167.82 грн
500+	167.15 грн
1000+	138.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP048N12N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	253.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP048N12N3GXKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP048N12N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 60 V

на замовлення 1405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	314.08 грн
10+	254.17 грн
100+	205.59 грн
500+	171.5 грн
1000+	146.85 грн

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	438.63 грн
30+	391.57 грн
31+	382.66 грн
50+	360.5 грн
100+	279.63 грн
500+	214.53 грн

Мінімальне замовлення: 27

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	260.48 грн
10+	239.16 грн
25+	236.32 грн
50+	219.04 грн
100+	184.44 грн
250+	162.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	262.15 грн
49+	240.69 грн
50+	237.83 грн
52+	220.44 грн
100+	185.62 грн
250+	163.97 грн

Мінімальне замовлення: 45

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 143 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	217.87 грн
57+	205.89 грн
59+	193.96 грн
100+	168.75 грн

Мінімальне замовлення: 54

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	101.78 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP048N12N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP048N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.0041 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0041ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 303 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	280.89 грн
10+	252.5 грн
25+	230.09 грн
100+	192.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	139.23 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP048N12N3GXKSA1

на замовлення 2 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	304.79 грн
3+	260.2 грн
5+	205.61 грн
13+	194.79 грн

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 24500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	179.81 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 143 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	202.31 грн
10+	192.12 грн
25+	191.18 грн
50+	180.11 грн
100+	156.7 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP04CN10NG

07+ DIP

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP04CN10NG

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

товар відсутній

IPP04CN10NGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP04CN10NGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP04CN10NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP04CN10NGXKSA1

Description: MV POWER MOS

товар відсутній

IPP04CN10NGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP04CN10NGXKSA1

MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3

на замовлення 501 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	417.99 грн
10+	369.89 грн
100+	263.71 грн
500+	214.43 грн

IPP04CN10NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP04N03LA

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP04N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP04N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5203 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP04N03LBG

INF

07+;

на замовлення 17600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP04N03LBGXK

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

IPP050N06N G

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP050N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 19.4A Tube

товар відсутній

IPP050N10NF2SAKMA1
Код товару: 188954

товар відсутній

IPP050N10NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 862 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	203.55 грн
10+	171.54 грн
25+	139.85 грн
100+	119.2 грн
250+	118.54 грн
500+	105.88 грн
1000+	89.9 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP050N10NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP050N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0045 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm

на замовлення 413 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	222.62 грн
10+	161.36 грн
100+	133.72 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP050N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP050N10NF2SAKMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP050N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	109.64 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP051N15N5

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP051N15N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 115A; Idm: 480A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 115A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP051N15N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V

товар відсутній

IPP051N15N5AKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	463.05 грн
25+	387.51 грн
100+	278.36 грн
500+	246.4 грн
1000+	229.75 грн

IPP051N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4113 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	201.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP051N15N5AKSA1
Код товару: 197743

товар відсутній

IPP051N15N5AKSA1

товар відсутній

IPP051N15N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP051N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.004 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 5
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

IPP051N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1139 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	533.98 грн
29+	412.4 грн
50+	373.5 грн
100+	341.4 грн
200+	300.48 грн
500+	271.79 грн
1000+	256.78 грн

Мінімальне замовлення: 22

IPP051N15N5XKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP051N15N5XKSA1

IPP051N15N5XKSA1

на замовлення 130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	389.7 грн
10+	337.66 грн
100+	292.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP051N15N5XKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	201.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP051N15N5XKSA1

IPP051N15N5XKSA1

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	327.29 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP051N15N5XKSA1

IPP051N15N5XKSA1

товар відсутній

IPP051N15N5XKSA1

IPP051N15N5XKSA1

на замовлення 130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	418.69 грн
33+	362.78 грн
100+	314.12 грн

Мінімальне замовлення: 28

IPP051N15N5XKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V

на замовлення 294 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	417.81 грн
10+	344.83 грн
100+	287.33 грн

IPP052N06L3 G

MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 210 шт:

термін постачання 285-294 дні (днів)

3+	119.65 грн
10+	98.79 грн
100+	67.93 грн
250+	63.2 грн
500+	57 грн
1000+	49.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP052N06L3G

на замовлення 17 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP052N06L3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP052N06L3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP052N06L3GXKSA1

товар відсутній

IPP052N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

114+	102.46 грн
139+	84.16 грн
500+	68.55 грн

Мінімальне замовлення: 114

IPP052N06L3GXKSA1

MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPP052N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 739 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	116.15 грн
10+	95.27 грн
50+	94.89 грн
100+	75.16 грн
500+	58.78 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP052N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 739 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	27.11 грн

Мінімальне замовлення: 12

IPP052N06L3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP052N06L3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0042 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 115
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
Verlustleistung: 115
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 3
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

IPP052N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP052N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

109+	107.96 грн
119+	98.24 грн
146+	80.15 грн
200+	72.32 грн
500+	66.7 грн
1000+	56.86 грн

Мінімальне замовлення: 109

IPP052N06L3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.84 грн
10+	64.51 грн
15+	56.19 грн
40+	53.41 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP052N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP052N06L3GXKSA1

на замовлення 120 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	90.77 грн
10+	77.42 грн
15+	67.43 грн
40+	64.1 грн
250+	62.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP052N08N5

на замовлення 5500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP052N08N5

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP052N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 942 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

64+	184.18 грн
100+	148.01 грн
500+	121.6 грн

Мінімальне замовлення: 64

IPP052N08N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP052N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm

на замовлення 425 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	192.74 грн
10+	141.94 грн
100+	104.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP052N08N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; 125W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP052N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP052N08N5AKSA1

товар відсутній

IPP052N08N5AKSA1

MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3

на замовлення 765 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	142.18 грн
10+	124.06 грн
100+	90.57 грн
250+	85.24 грн
500+	74.58 грн
1000+	68.59 грн
5000+	66.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP052N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP052N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 314 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	117.09 грн
107+	110.08 грн
120+	98.02 грн
250+	93.7 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPP052N08N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 66µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 40 V

на замовлення 4463 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	161.36 грн
10+	129.37 грн
100+	103 грн
500+	81.79 грн
1000+	69.4 грн
2000+	65.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP052N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

58+	204.37 грн
71+	165.68 грн
100+	154.77 грн

Мінімальне замовлення: 58

IPP052N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 314 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	108.73 грн
10+	102.22 грн
100+	91.02 грн
250+	87.01 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP052N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP052NE7N3 G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

IPP052NE7N3 G

MOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 158 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	201.22 грн
10+	189.16 грн
25+	137.18 грн
100+	117.87 грн
250+	116.54 грн
500+	101.89 грн
1000+	83.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP052NE7N3G

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP052NE7N3G

Description: IPP052NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P

товар відсутній

IPP052NE7N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V

товар відсутній

IPP052NE7N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP052NE7N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	185.85 грн
50+	141.77 грн
100+	121.53 грн
500+	101.38 грн
1000+	86.8 грн
2000+	81.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	48.79 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 6500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	108.96 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP052NE7N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 98 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	177.5 грн
3+	151.28 грн
8+	127.36 грн
21+	119.87 грн
250+	115.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	101.95 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP052NE7N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP052NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0052 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 8932 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	196.47 грн
10+	138.2 грн
100+	116.54 грн
500+	93.65 грн
1000+	72.36 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

107+	109.78 грн

Мінімальне замовлення: 107

IPP052NE7N3GXKSA1

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	121.39 грн
8+	106.13 грн
21+	99.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP054NE8NGHKSA2

Description: MOSFET N-CH 85V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V

товар відсутній

IPP055N03L G

MOSFET N-Ch 30V 50A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 645 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	86.24 грн
10+	69.23 грн
100+	46.88 грн
500+	39.62 грн
1000+	32.3 грн
2500+	30.43 грн
5000+	28.97 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP055N03LG

08+

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP055N03LGHKSA1

MOSFET N-Ch 30V 50A TO220-3

товар відсутній

IPP055N03LGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3

товар відсутній

IPP055N03LGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP055N03LGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP055N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

402+	29.06 грн

Мінімальне замовлення: 402

IPP055N03LGXKSA1

Description: INFINEON - IPP055N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 258 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	93.38 грн
11+	72.24 грн
100+	52.52 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP055N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP055N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 972 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	25.17 грн

Мінімальне замовлення: 13

IPP055N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

271+	43.1 грн
290+	40.32 грн

Мінімальне замовлення: 271

IPP055N03LGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO220-3-1
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO220-3-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 82 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	98.61 грн
5+	73.48 грн
20+	49.28 грн
25+	49.2 грн
54+	46.53 грн
500+	45.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP055N03LGXKSA1

на замовлення 82 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	82.17 грн
6+	58.96 грн
20+	41.07 грн
25+	41 грн
54+	38.78 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP055N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP055N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	65.09 грн
14+	42.82 грн
100+	40.06 грн
500+	27.26 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPP055N03LGXKSA1

MOSFET N-Ch 30V 50A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 882 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	86.24 грн
10+	66.24 грн
100+	46.02 грн
500+	39.16 грн
1000+	30.43 грн
2500+	30.23 грн
5000+	29.5 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP055N03LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP055N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	72.92 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A Tube

на замовлення 607 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	81.31 грн
10+	75.17 грн
100+	65.93 грн
500+	60.01 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A Tube

товар відсутній

IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

145+	80.54 грн
200+	78.43 грн
750+	76.33 грн

Мінімальне замовлення: 145

IPP055N08NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 706 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	128.97 грн
10+	107.22 грн
100+	75.25 грн
250+	72.59 грн
500+	66.59 грн
1000+	55.47 грн
2000+	52.68 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP055N08NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V

на замовлення 363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	126.06 грн
50+	97.23 грн
100+	80 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A Tube

на замовлення 607 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

134+	87.56 грн
145+	80.96 грн
165+	71 грн
500+	64.63 грн

Мінімальне замовлення: 134

IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A Tube

на замовлення 353000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	66.2 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A Tube

на замовлення 295000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	66.2 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP055N08NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP055N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.0048 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0048ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	128.49 грн
10+	116.54 грн
100+	94.13 грн
500+	72.84 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A Tube

на замовлення 1210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

79+	148.82 грн
87+	134.93 грн
106+	110.12 грн
200+	99.49 грн
1000+	81.58 грн

Мінімальне замовлення: 79

IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A Tube

товар відсутній

IPP057N06N3
Код товару: 113416

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 80 A
Rds(on), Ohm: 5,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/61
Монтаж: THT

товар відсутній

IPP057N06N3 G

MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 1266 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	123.53 грн
10+	101.09 грн
100+	69.92 грн
250+	67.93 грн
500+	58.8 грн
1000+	50.34 грн
2500+	47.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP057N06N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP057N06N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP057N06N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 233 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	96.82 грн
10+	82.41 грн
15+	67.43 грн
40+	64.1 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP057N06N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 233 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.69 грн
10+	68.67 грн
15+	56.19 грн
40+	53.41 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 348 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

189+	61.9 грн
204+	57.43 грн
250+	57.1 грн

Мінімальне замовлення: 189

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	54.61 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP057N06N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP057N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0047 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm

на замовлення 114 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	135.21 грн
10+	79.93 грн
100+	64.99 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP057N06N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 425 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	123.53 грн
10+	101.85 грн
100+	70.59 грн
250+	66.59 грн
500+	58.8 грн
1000+	47.81 грн
2500+	46.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP057N06N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V

на замовлення 494 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	113.82 грн
50+	88.22 грн
100+	72.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	70.92 грн
10+	61.51 грн
100+	57.07 грн
250+	54.71 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

272+	43.06 грн
285+	41.08 грн
289+	40.48 грн

Мінімальне замовлення: 272

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP057N08N3 G

MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	193.45 грн
10+	158.53 грн
100+	110.55 грн
250+	101.89 грн
500+	91.9 грн
1000+	79.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP057N08N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3

товар відсутній

IPP057N08N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

93+	126.06 грн
120+	98.04 грн
500+	83.34 грн

Мінімальне замовлення: 93

IPP057N08N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP057N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0049 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm

на замовлення 634 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	196.47 грн
10+	136.71 грн
100+	112.8 грн
500+	95.73 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	152.7 грн
10+	138.2 грн
100+	89.88 грн
250+	85.81 грн
500+	78.66 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 238 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.42 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	96.29 грн
10+	83.43 грн
100+	79.21 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

113+	103.69 грн
130+	89.85 грн
137+	85.31 грн

Мінімальне замовлення: 113

IPP057N08N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 1906 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	181.02 грн
10+	140.15 грн
100+	100.56 грн
500+	94.56 грн
1000+	78.58 грн
2500+	72.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

71+	164.69 грн
88+	132.94 грн
100+	125 грн
500+	106.19 грн
1000+	92.12 грн
2000+	85.88 грн

Мінімальне замовлення: 71

IPP057N08N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

на замовлення 730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	176.49 грн
50+	136.56 грн
100+	112.36 грн
500+	89.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP05CN10L G

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

товар відсутній

IPP05CN10LGXK

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP05CN10N

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP05CN10N G

MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 2

на замовлення 687 шт:

термін постачання 325-334 дні (днів)

2+	249.39 грн
10+	221.32 грн
100+	157.83 грн
500+	153.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP05CN10NG

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP05CN10NGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP05CN10NGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO-220

товар відсутній

IPP05CN10NGXK

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

IPP05CN10NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP05CN10NGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

товар відсутній

IPP05CN10NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP05CN10NGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP05CN10NGXKSA1

товар відсутній

IPP05N03L

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP05N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3

товар відсутній

IPP05N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3209 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP05N03LBG

07+

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP05N03LBGXK

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

IPP060N06N

MOSFET N-Ch 60V 45A TO220-3

на замовлення 1003 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	113.43 грн
10+	91.9 грн
100+	61.93 грн
500+	52.88 грн
1000+	43.02 грн
2500+	42.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP060N06N

Description: IPP060N06 - 12V-300V N-CHANNEL P

товар відсутній

IPP060N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP060N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP060N06NAKSA1 IPP060N06N TIPP060n06n
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 30 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	42.75 грн

Мінімальне замовлення: 20

IPP060N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 225 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	34.34 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPP060N06NAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP060N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP060N06NAKSA1

MOSFET N-Ch 60V 45A TO220-3

на замовлення 961 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	111.88 грн
10+	89.6 грн
100+	63.2 грн
250+	58.87 грн
500+	47.95 грн
1000+	43.49 грн
2500+	43.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP060N06NAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/45A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

на замовлення 494 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	103.73 грн
50+	80.15 грн
100+	65.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP060N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 225 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	84.47 грн
10+	72.62 грн
100+	61.81 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP060N06NAKSA1

Description: INFINEON - IPP060N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 0.0052 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 64 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	122.52 грн
10+	93.38 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP060N06NAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP060N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1531 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

97+	121.04 грн
105+	112.1 грн
124+	94.25 грн
200+	86.67 грн
500+	71.48 грн
1000+	57.74 грн

Мінімальне замовлення: 97

IPP060N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	54.57 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP062NE7N3 G

MOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 578 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	182.58 грн
10+	149.34 грн
100+	103.22 грн
250+	95.23 грн
500+	86.57 грн
1000+	74.58 грн
2500+	70.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP062NE7N3G

Description: IPP062NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P

товар відсутній

IPP062NE7N3GHKSA1

MOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3

товар відсутній

IPP062NE7N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP062NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.39 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP062NE7N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 37.5 V

товар відсутній

IPP062NE7N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP062NE7N3GXKSA1

товар відсутній

IPP065N03LG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

на замовлення 2285 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

866+	23.86 грн

Мінімальне замовлення: 866

IPP065N03LGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP065N03LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP065N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP065N03LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

742+	28.81 грн

Мінімальне замовлення: 742

IPP065N04N G

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V

товар відсутній

IPP065N04N G

MOSFET N-Ch 40V 50A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 194 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPP065N04NG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V

на замовлення 952 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

952+	25.91 грн

Мінімальне замовлення: 952

IPP065N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP065N06LG

INF

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP065N06LGAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP065N06LGXK

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

IPP069N20NM6AKSA1

TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP069N20NM6AKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 839 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	607.56 грн
10+	513.1 грн
25+	404.22 грн
100+	371.59 грн
250+	349.62 грн
500+	328.31 грн
1000+	295.68 грн

IPP069N20NM6AKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 258µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 100 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	559.72 грн
10+	461.85 грн
100+	384.87 грн
500+	318.69 грн

IPP06CN10L

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP06CN10L G

MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3

товар відсутній

IPP06CN10LG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 50 V

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

208+	95.55 грн

Мінімальне замовлення: 208

IPP06CN10LGHKSA1

MOSFET

товар відсутній

IPP06CN10LGXK

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP06CN10LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

товар відсутній

IPP06CN10LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP06CN10LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 279 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	65.98 грн
10+	58 грн
25+	50.83 грн
50+	45.96 грн
100+	39.06 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPP06CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP06CN10NGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

товар відсутній

IPP06CNE8N G

Description: MOSFET N-CH 85V 100A TO-220

товар відсутній

IPP06N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP06N03LA

MOSFET N-Ch 25V 50A TO220-3

товар відсутній

IPP06N03LAHKSA1

MOSFET

товар відсутній

IPP070N06

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP070N06L G

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP070N06L G

MOSFET Discrete Semiconductor Products MOSFETs, GaNFETs - Single - MOSFET N-CH 60V 80A TO-220

товар відсутній

IPP070N06LG

INF

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP070N06LG

08+

на замовлення 100000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP070N06LGAKSA1

MOSFET

товар відсутній

IPP070N06LGXK

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

IPP070N06N G

MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3

товар відсутній

IPP070N06N G

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP070N06NGAKSA1

MOSFET

товар відсутній

IPP070N06NGIN

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

IPP070N06NGXK

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP070N08N3 G

MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPP070N08N3 G

Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V

товар відсутній

IPP070N08N3G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V

на замовлення 609 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

400+	49.89 грн

Мінімальне замовлення: 400

IPP070N08N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP070N08N3GHKSA1

MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3

товар відсутній

IPP070N08N3GXKSA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V

на замовлення 7700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

310+	64.52 грн

Мінімальне замовлення: 310

IPP070N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP072N10N3 G

MOSFET N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 221 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	156.16 грн
10+	127.89 грн
100+	88.57 грн
250+	81.91 грн
500+	74.58 грн
1000+	65.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP072N10N3 G

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP072N10N3GHKSA1

MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3

товар відсутній

IPP072N10N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP072N10N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP072N10N3GXK

MOSFET N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPP072N10N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 80A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 7.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 140 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	179.29 грн
3+	156.46 грн
9+	108.7 грн
24+	102.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP072N10N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

на замовлення 3089 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	144.07 грн
50+	111.78 грн
100+	91.97 грн
500+	73.03 грн
1000+	61.96 грн
2000+	58.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	48.32 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP072N10N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 69 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	156.94 грн
10+	128.66 грн
100+	89.24 грн
500+	74.58 грн
1000+	60.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP072N10N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP072N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0062 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0062ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1074 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	187.51 грн
10+	149.41 грн
25+	134.47 грн
100+	111.68 грн
500+	81.96 грн
1000+	63.52 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 218000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	96.66 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1364 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	120.86 грн
10+	105.27 грн
100+	88.26 грн
500+	68.2 грн
1000+	55.24 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP072N10N3GXKSA1

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.56 грн
9+	90.58 грн
24+	85.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

65+	181.56 грн
80+	146.83 грн
100+	137.91 грн
500+	117.67 грн
1000+	101.87 грн
2000+	95.24 грн

Мінімальне замовлення: 65

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1359 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

96+	121.63 грн
111+	105.95 грн
132+	88.82 грн
500+	68.63 грн
1000+	55.59 грн

Мінімальне замовлення: 96

IPP073N13NM6AKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube

товар відсутній

IPP073N13NM6AKSA1

TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP073N13NM6AKSA1

MOSFET

на замовлення 500 шт:

термін постачання 386-395 дні (днів)

2+	201.22 грн
10+	165.42 грн
100+	114.54 грн
250+	105.22 грн
500+	95.89 грн
1000+	81.91 грн
2500+	77.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP075N15N3 G

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	426.19 грн
29+	407.87 грн
50+	392.34 грн
100+	365.49 грн
250+	328.15 грн

Мінімальне замовлення: 28

IPP075N15N3 G

MOSFET N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	410.99 грн
10+	340.79 грн
25+	279.03 грн
100+	239.74 грн
250+	233.08 грн
500+	197.78 грн

IPP075N15N3 G

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP075N15N3G

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP075N15N3G

на замовлення 24500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP075N15N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V

товар відсутній

IPP075N15N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP075N15N3GHKSA1

MOSFET N-Ch 150V 100A TO220-3

товар відсутній

IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	441.86 грн
32+	366.54 грн
100+	289.8 грн
500+	237.82 грн
1000+	199.02 грн
2500+	183.71 грн

Мінімальне замовлення: 27

IPP075N15N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP075N15N3GXKSA1

товар відсутній

IPP075N15N3GXKSA1
Код товару: 122947

товар відсутній

IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	448.08 грн
10+	376.41 грн
25+	371.7 грн
100+	293.88 грн
500+	241.16 грн
1000+	201.82 грн
2500+	186.3 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP075N15N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 3066 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	394.68 грн
10+	361.47 грн
25+	271.04 грн
100+	234.41 грн
250+	229.08 грн
500+	208.44 грн
1000+	175.14 грн

IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	525.23 грн

Мінімальне замовлення: 23

IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP075N15N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP075N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 0.0062 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm

на замовлення 747 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	436.27 грн
10+	313.01 грн
100+	261.47 грн
500+	206.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP075N15N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V

на замовлення 833 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	378.19 грн
50+	288.74 грн
100+	247.48 грн
500+	206.45 грн

IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP076N12N3 G

на замовлення 3800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP076N12N3 G

MOSFET N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 475 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	215.21 грн
10+	196.82 грн
25+	127.86 грн
100+	119.2 грн
1000+	98.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP076N12N3G

Description: IPP076N12 - 12V-300V N-CHANNEL P

товар відсутній

IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	422.64 грн
44+	268.86 грн
54+	217.27 грн
100+	196.12 грн
500+	145.27 грн

Мінімальне замовлення: 28

IPP076N12N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6640 pF @ 60 V

на замовлення 274 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	223.31 грн
10+	181.05 грн
100+	146.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

51+	230.48 грн
57+	208.38 грн
100+	173.21 грн

Мінімальне замовлення: 51

IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	214.02 грн
10+	193.5 грн
100+	160.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP076N12N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP076N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.0065 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 188
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 188
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 3
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	189.28 грн
10+	173.5 грн
100+	148.29 грн
500+	141.47 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	77.69 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

62+	190.49 грн
67+	174.61 грн
100+	149.24 грн
500+	142.37 грн

Мінімальне замовлення: 62

IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

52+	225.92 грн
56+	209.48 грн
100+	179.39 грн
500+	155.71 грн

Мінімальне замовлення: 52

IPP076N15N5

на замовлення 38500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP076N15N5

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP076N15N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP076N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 112 A, 0.0059 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm

на замовлення 808 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	400.42 грн
10+	305.54 грн
100+	253.25 грн
500+	210.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

41+	288.84 грн
44+	265.73 грн
45+	263.16 грн
100+	231.93 грн

Мінімальне замовлення: 41

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1833 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	158.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP076N15N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 79A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 79A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1333 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	390.89 грн
36+	331.36 грн
50+	251.99 грн
200+	228.65 грн
500+	186.02 грн
1000+	174.33 грн

Мінімальне замовлення: 30

IPP076N15N5AKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 247 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	363.6 грн
10+	341.56 грн
25+	255.05 грн
100+	223.75 грн
500+	202.44 грн
1000+	163.82 грн

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 533 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	242.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	547.64 грн
24+	493.32 грн
25+	491.35 грн
50+	449.04 грн
100+	343.48 грн

Мінімальне замовлення: 22

IPP076N15N5AKSA1

товар відсутній

IPP076N15N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 150V 112A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 56A, 10
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

на замовлення 1855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	360.9 грн
50+	275.56 грн
100+	236.19 грн
500+	197.03 грн
1000+	168.71 грн

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 533 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	275.22 грн

Мінімальне замовлення: 43

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	268.21 грн
10+	246.75 грн
25+	244.36 грн
100+	215.36 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 642 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	445.46 грн
31+	378 грн
50+	287.71 грн
200+	260.21 грн
500+	211.71 грн

Мінімальне замовлення: 27

IPP07N03L

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP07N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP080N03L G

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP080N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP080N03LG

07+

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP080N06N G

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP080N06NGXK

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	39.39 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

141+	83.03 грн
170+	68.95 грн
500+	58.68 грн
1000+	38.45 грн

Мінімальне замовлення: 141

IPP082N10NF2SAKMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V

на замовлення 73 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	110.22 грн
50+	85.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 267000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	58.12 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

241+	48.45 грн

Мінімальне замовлення: 241

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	94.36 грн
10+	82.51 грн
100+	68.51 грн
500+	56.23 грн
1000+	35.37 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	44.99 грн

Мінімальне замовлення: 13

IPP082N10NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP082N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 77 A, 0.0073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

товар відсутній

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

108+	108.14 грн
119+	98.81 грн
146+	80.36 грн
200+	72.52 грн

Мінімальне замовлення: 108

IPP082N10NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 1108 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	118.87 грн
10+	77.35 грн
100+	47.15 грн
250+	45.28 грн
500+	44.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A Tube

на замовлення 999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

156+	74.93 грн
200+	71.43 грн
750+	68.28 грн

Мінімальне замовлення: 156

IPP083N10N5AKSA1
Код товару: 166075

товар відсутній

IPP083N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 913 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

113+	104.17 грн
123+	95.64 грн
150+	77.88 грн
200+	70.22 грн

Мінімальне замовлення: 113

IPP083N10N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP083N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 73 A, 0.0073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 73
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 100
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 5
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

IPP083N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 435 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	130.84 грн
10+	115.09 грн
100+	93.37 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP083N10N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 100W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP083N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 435 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

83+	140.9 грн
95+	123.95 грн
117+	100.56 грн

Мінімальне замовлення: 83

IPP083N10N5AKSA1

MOSFET N-Ch 100V 73A TO220-3

на замовлення 935 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	135.96 грн
10+	116.41 грн
100+	82.58 грн
500+	67.93 грн
1000+	51.34 грн
5000+	49.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP083N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 73A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP083N10N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 73A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP083N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP083N10N5AKSA1

товар відсутній

IPP084N06L3 G

MOSFET N-Ch 60V 50A TO220-3

товар відсутній

IPP084N06L3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP084N06L3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP084N06L3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP084N06L3GXK

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP084N06L3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

на замовлення 1664 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

380+	52.55 грн

Мінімальне замовлення: 380

IPP084N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 257 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	83.08 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP084N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP084N06L3GXKSA1

товар відсутній

IPP084N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

140+	83.61 грн

Мінімальне замовлення: 140

IPP084N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP085N06LGAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 80A. 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

385+	51.23 грн

Мінімальне замовлення: 385

IPP085N06LGIN

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP085N06LGXK

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP086N10N3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

IPP086N10N3 G

MOSFET N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 62 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	136.74 грн
10+	112.58 грн
100+	83.91 грн
250+	77.91 грн
500+	69.26 грн
1000+	57.6 грн
2500+	55.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP086N10N3G

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8

товар відсутній

IPP086N10N3G

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP086N10N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP086N10N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP086N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	107.79 грн
10+	99.49 грн
100+	84.27 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP086N10N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 80A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 8.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP086N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.8 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP086N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

86+	136.91 грн
94+	125 грн
116+	101.19 грн
200+	91.94 грн

Мінімальне замовлення: 86

IPP086N10N3GXKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP086N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP086N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP086N10N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP086N10N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP086N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0074 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm

на замовлення 1709 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	155.38 грн
10+	116.54 грн
100+	91.14 грн
500+	74.92 грн
1000+	57.63 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP086N10N3GXKSA1

товар відсутній

IPP08CN10L G

Description: MOSFET N-CH 100V 98A TO220-3

товар відсутній

IPP08CN10LG

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP08CNE8N G

Description: MOSFET N-CH 85V 95A TO-220

товар відсутній

IPP08CNE8NG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 925 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

341+	59.74 грн

Мінімальне замовлення: 341

IPP093N06N3 G

MOSFET N-Ch 60V 50A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 857 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.86 грн
500+	110.28 грн
1000+	50.48 грн
2500+	47.08 грн
5000+	44.68 грн
10000+	43.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP093N06N3G

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP093N06N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3

товар відсутній

IPP093N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP093N06N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP093N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.008 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 50
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 71
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 3
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

IPP093N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	53.91 грн

Мінімальне замовлення: 150

IPP093N06N3GXKSA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP093N06N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 71W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP093N06N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP093N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP093N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

109+	107.21 грн

Мінімальне замовлення: 109

IPP093N06N3GXKSA1

товар відсутній

IPP096N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 35A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP096N03LG

TO220 10+

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP096N03LGHKSA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V

на замовлення 13100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

831+	24.54 грн

Мінімальне замовлення: 831

IPP09N03LA

MOSFET N-Ch 25V 50A TO220-3

товар відсутній

IPP09N03LA

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP09N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP09N03LAHKSA1

MOSFET

товар відсутній

IPP100N04S2-04

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP100N04S204AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V

товар відсутній

IPP100N04S204AKSA1